專利名稱：等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及氣體放電技術領域，具體而言涉及一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。
背景技術：
等離子體顯示器是一種利用氣體放電產(chǎn)生紫外線，進而激發(fā)熒光粉發(fā)出可見光而顯像的一種顯示器。等離子顯示面板是實現(xiàn)放電發(fā)光的主要結構，其由前后兩個基板組成。 在前基板上，設置有橫向維持電極和掃描電極、以及之上的介質(zhì)層和介質(zhì)保護膜；在后基板上，設置有縱向的尋址電極和障壁結構，放電發(fā)生在前后基板及障壁所組成的空間內(nèi)。等離子顯示屏的放電性能決定著等離子顯示屏的亮度、光效、功耗等指標，而提高放電性能的主要手段是提高等離子顯示面板介質(zhì)保護膜的性能。當前，等離子體顯示面板介質(zhì)保護膜最為成熟的材料為MgO，其具有耐濺射性能優(yōu)良、電阻率高、二次電子發(fā)射系數(shù)高、高可見光透過率等特點。該介質(zhì)保護膜能夠有效保護前基板的電極和介質(zhì)層、延長等離子顯示屏的使用壽命、存儲壁電荷、發(fā)揮內(nèi)存效果、降低電壓、限制放電電流，從而改善等離子顯示屏的放電性能。近年來，普遍采用提高放電氣體中Xe含量的做法來提高等離子體顯示器的亮度， 但同時，等離子體顯示器的放電電壓和功耗也隨之升高，這是由于氧化鎂膜在高)(e含量的工作氣體下二次電子發(fā)射性能較差，導致放電電壓升高，因此，需要開發(fā)新的介質(zhì)保護膜來提高其在高)(e環(huán)境下的二次電子發(fā)射性能，進而降低PDP的放電電壓。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，以解決現(xiàn)有技術中介質(zhì)保護膜的在高Xe環(huán)境下二次電子發(fā)射系數(shù)低導致等離子顯示屏放電電壓低的問題。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜的制作方法，包括以下步驟1)在介質(zhì)層上制備介質(zhì)保護層；幻在介質(zhì)保護層上形成晶粒層，介質(zhì)保護層和晶粒層形成介質(zhì)保護膜。進一步地，上述介質(zhì)保護層的制備方法是將介質(zhì)保護膜材料通過真空沉積法形成在介質(zhì)層上。進一步地，通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學反應法形成上述晶粒層。進一步地，制備上述介質(zhì)保護層的材料為MgO單晶顆粒。進一步地，制備上述介質(zhì)保護層的材料為摻雜其他元素的MgO晶體，其中，其他元素包括 Ca、Zn、Be、Sr、Ba、Mo、Si、Sc、Ti 禾Π Ni。進一步地，上述晶粒層的晶粒為摻雜金屬元素的MgO晶體，金屬元素為Ca、ai、Si、 Sc、Ti或Ni，上述晶體為物理混合物、固溶體或者合金。
進一步地，上述晶粒層的晶粒為無機材料或金屬材料，選自由碳納米管、ZnO, BeO, CaO、SrO, BaO、La2O5, LaB6, Mo 和 W 組成的組中的任一種。進一步地，上述晶粒的粒徑為5 lOOOnm，晶粒層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為 0. 01 100%。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜由上述制作方法制作而成。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，其中，前基板設置有上述介質(zhì)保護膜。本發(fā)明達到的技術效果根據(jù)本發(fā)明的制作方法并不改變原來的等離子顯示屏的制作工藝，只是在介質(zhì)保護層上增加了一層晶粒層，工藝過程簡單，按照現(xiàn)有設備即可實施，介質(zhì)保護層和晶粒層組成具有雙層結構的介質(zhì)保護膜，而且，由于晶粒層的晶粒是具有高二次電子發(fā)射系數(shù)，從而降低了介質(zhì)保護膜的放電電壓，應用到等離子顯示屏上時提高了等離子顯示屏的亮度。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。 下面將參照圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最小著火電壓與老練時間的關系曲線圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最大滅火電壓與老練時間的關系曲線圖。
具體實施例方式
下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明的實施例中的技術方案進行詳細的說明，但如下實施例以及附圖僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。在本發(fā)明的一種典型的實施方式中，提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜的制作方法，包括以下步驟1)在介質(zhì)層上制備介質(zhì)保護層；幻在介質(zhì)保護層上形成晶粒層，介質(zhì)保護層和晶粒層形成介質(zhì)保護膜。優(yōu)選地，介質(zhì)保護層的制備方法為將介質(zhì)保護膜材料通過真空沉積法形成在介質(zhì)層上。真空沉積法形成的介質(zhì)保護層缺陷密度低，化學穩(wěn)定性好。優(yōu)選地，可用于本發(fā)明的真空沉積法包括并不限于電子束蒸鍍法、離子束蒸鍍法、濺射法、化學氣相沉積法。優(yōu)選地，晶粒層的制備方法可以采用漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦和化學反應生成等工藝。利用現(xiàn)有設備將晶粒布置在介質(zhì)層，不僅使工藝過程的操作簡單，可實現(xiàn)性高，而且晶粒均勻分布在介質(zhì)層上，降低了介質(zhì)保護膜各處的著火電壓。本發(fā)明制備介質(zhì)保護層的材料為MgO單晶顆粒或者摻雜其他元素的MgO晶體，其中，其他元素可以是Ca、Si、Be、Sr、Ba、Mo、Si、&、Ti或Ni，上述材料可以通過物理混合物、固溶體或合金形成用于制備。采用氧化鎂單晶顆粒為介質(zhì)保護層的材料，生長得到的介質(zhì)保護層的結晶度更好；在氧化鎂晶體中摻雜Ca、Zn、Be、Sr等元素，提高了介質(zhì)保護層的材料的二次電子發(fā)射系數(shù)，從而實現(xiàn)了降低了介質(zhì)保護膜各處的著火電壓的效果。本發(fā)明晶粒層的晶粒為高二次電子發(fā)射性能的物質(zhì)，優(yōu)選地，本發(fā)明的晶粒包括摻雜金屬元素的MgO晶體，金屬元素可以是Ca、Zn、Si、Sc、Ti或Ni，晶體為物理混合物、固溶體或者合金；或者該晶體為無機材料或金屬材料，選自由碳納米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, Ba0、La205、LaB6、MO和W組成的組中的任一種。上述物質(zhì)的二次電子發(fā)射性能都較好，而且， 在介質(zhì)保護層上易于均勻分布，性能穩(wěn)定，可大大提高介質(zhì)保護膜的放電效果。優(yōu)選地，晶粒的粒徑為5 lOOOnm，晶粒層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為 0. 01 100%。因為粒徑對介質(zhì)保護膜性能產(chǎn)生較大影響，晶粒越大，介質(zhì)保護膜發(fā)射二次電子的能力及抗離子濺射的能力就越強，因此在形成晶粒層時，選擇粒徑為5 lOOOnm，粒徑足夠大；而且，晶粒層的厚度若小于lOnm，晶粒層太薄不足以起到增強介質(zhì)保護膜的保護作用，然而當晶粒層厚度大于IOOOnm時，晶粒層太厚，影響所形成的等離子顯示屏的光效；晶粒層的覆蓋度在0. 01 100%之間都可以實現(xiàn)增強介質(zhì)保護膜的保護作用的效果， 只是隨著晶粒層覆蓋度的增大效果越明顯。優(yōu)選地，介質(zhì)保護膜的厚度為10 lOOOnm。本發(fā)明的介質(zhì)保護膜是由介質(zhì)保護層和晶粒層組成的雙層膜，控制介質(zhì)保護膜的厚度在10 IOOOnm之間，在此范圍內(nèi)可以充分實現(xiàn)介質(zhì)保護膜對介質(zhì)層的保護作用，而且不會影響可見光的透過率。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜通過上述制作方法制作。介質(zhì)保護層和晶粒層組成具有雙層結構的介質(zhì)保護膜，而且，由于晶粒層的晶粒是具有高二次電子發(fā)射系數(shù)，從而降低了介質(zhì)保護膜的放電電壓。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，其中，前基板上設置有上述介質(zhì)保護膜。等離子顯示屏采用此介質(zhì)保護膜后， 等離子顯示屏的亮度得到了提高。以下將結合實施例1-5和對比例1，進一步說明采用本發(fā)明的有益效果。實施例1介質(zhì)保護層材料單晶MgO顆粒；晶粒層晶粒=MgCaO顆粒，粒徑為 500nm 士 100nm。制作前基板在前基板上形成電極材料層，在電極材料層上制備介質(zhì)層，在介質(zhì)層上制作介質(zhì)保護層，采用電子束蒸鍍法沉積單晶MgO顆粒，，形成介質(zhì)保護層，然后通過將MgCaO顆粒噴涂在介質(zhì)保護層上形成晶粒層，晶粒層的厚度為600士 lOOnm，覆蓋度為50%。介質(zhì)保護層和晶粒層組成形成介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜的厚度為800士 lOOnm。制作后基板，將前基板與后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏1。實施例2介質(zhì)保護層材料=MgCaO多晶顆粒；晶粒層晶粒CsI顆粒，粒徑為20nm士 lOnm。制作前基板在前基板上形成電極材料層，在電極材料層上制備介質(zhì)層，在介質(zhì)層上制作介質(zhì)保護層，采用離子束蒸鍍法沉積MgCaO多晶顆粒，，形成介質(zhì)保護層，然后將CsI顆粒靜電吸附在介質(zhì)保護層上，形成晶粒層，晶粒層的厚度為200 士 lOnm，覆蓋度為100%。介質(zhì)保護層和晶粒層組成介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜的厚度為400士 lOOnm。制作后基板，將前基板與后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏2。實施例3介質(zhì)保護層材料MgO和BaO多晶顆粒，二者的質(zhì)量比為MgO BaO = 9 1 ；晶粒層晶粒碳納米管，粒徑為900士 lOOnm。制作前基板在前基板上形成電極材料層，在電極材料層上制備介質(zhì)層，在介質(zhì)層上制作介質(zhì)保護層，采用電子束蒸鍍法沉積MgO和BaO多晶顆粒，形成介質(zhì)保護層，然后通過化學反應生成法將碳納米管制備在介質(zhì)保護層上，形成晶粒層，晶粒層的厚度為900士 lOOnm，覆蓋度為10%。介質(zhì)保護層和晶粒層組成介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜的厚度為900士 lOOnm。制作后基板，將前基板與后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏3。實施例4介質(zhì)保護層材料=MgMoO合金；晶粒層晶粒ZnO單晶，粒徑為5 20nm。制作前基板在前基板上形成電極材料層，在電極材料層上制備介質(zhì)層，在介質(zhì)層上制作介質(zhì)保護層，采用電子束蒸鍍法沉積MgMoO合金，形成介質(zhì)保護層，然后通過漿料涂布將ZnO單晶制備在介質(zhì)保護層上，形成晶粒層，晶粒層的厚度為200 士 lOnm，覆蓋度為1%。介質(zhì)保護層和晶粒層組成介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜的厚度為600士 lOOnm。制作后基板，將前基板與后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏4。實施例5介質(zhì)保護層材料=MgScO合金；晶粒層晶粒LaB6，粒徑為300士 lOOnm。制作前基板在前基板上形成電極材料層，在電極材料層上制備介質(zhì)層，在介質(zhì)層上制作介質(zhì)保護層，采用電子束蒸鍍法沉積MgScO合金，形成介質(zhì)保護層，然后將LaB6漿料涂布在介質(zhì)保護層上，形成晶粒層，晶粒層的厚度為400 士 lOOnm，覆蓋度為1%。介質(zhì)保護層和晶粒層組成介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜的厚度為600士 lOOnm。制作后基板，將前基板與后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏5。對比例1制作前基板在依次制作有維持電極和掃描-維持電極、透明介質(zhì)層的基板上沉積MgO膜，作為介質(zhì)保護膜。制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到對比例1等離子顯示屏。對上述實施例1-5的等離子顯示屏和對比例1的等離子顯示屏進行老練，測試他們的著火電壓和滅火電壓，測試結果見附圖1和附圖2。由附圖1和附圖2可以看出，采用實施例1-5的等離子顯示屏比對比例1的等離子顯示屏具有較低的放電電壓。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟1)在介質(zhì)層上制備介質(zhì)保護層；2)在所述介質(zhì)保護層上形成晶粒層，所述介質(zhì)保護層和所述晶粒層形成所述介質(zhì)保護膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)保護層的制備方法是將介質(zhì)保護膜材料通過真空沉積法形成在所述介質(zhì)層上。
3.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學反應法形成所述晶粒層。
4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，制備所述介質(zhì)保護層的材料為MgO單晶顆粒。
5.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，制備所述介質(zhì)保護層的材料為摻雜其他元素的MgO晶體，其中，所述其他元素包括Ca、Zn、Be、Sr、Ba、Mo、Si、Sc、Ti或N。
6.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述晶粒層的晶粒為摻雜金屬元素的MgO晶體，所述金屬元素為Ca、Zn、Si、Sc、Ti或Ni，所述晶體為物理混合物、固溶體或者合金。
7.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述晶粒層的晶粒為無機材料或金屬材料，選自由碳納米管、2110、860、030、510、830、1^205、1^86、]\10和W組成的組中的任一種。
8.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述晶粒的粒徑為5 lOOOnm，所述晶粒層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為0. 01 100%。
9.一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述介質(zhì)保護膜由權利要求1-任一項所述的制作方法制作而成。
10.一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，其特征在于，所述前基板上設置有權利要求9所述的介質(zhì)保護膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。本發(fā)明提供的制作方法包括以下步驟1)在介質(zhì)層上制備介質(zhì)保護層；2)在介質(zhì)保護層上形成晶粒層，介質(zhì)保護層和晶粒層形成介質(zhì)保護膜。根據(jù)本發(fā)明的制作方法并不改變原來的等離子顯示屏的制作工藝，只是在介質(zhì)保護層上增加了一層晶粒層，工藝過程簡單，按照現(xiàn)有設備即可實施，介質(zhì)保護層和晶粒層組成具有雙層結構的介質(zhì)保護膜，而且，由于晶粒層的晶粒具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)，應用到等離子顯示屏上，降低了等離子顯示屏的放電電壓。
文檔編號H01J11/10GK102509680SQ20111045649
公開日2012年6月20日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權日2011年12月31日
發(fā)明者羅向輝, 邢芳麗 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司