專利名稱：等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體放電技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是一種利用氣體放電產(chǎn)生紫外線，進(jìn)而激發(fā)熒光粉發(fā)出可見光而顯像的一種顯示器。等離子顯示屏是實(shí)現(xiàn)放電發(fā)光的主要結(jié)構(gòu)，其由前后兩個基板組成。 在前基板上，設(shè)置有橫向維持電極和掃描電極、以及之上的介質(zhì)層和介質(zhì)保護(hù)膜；在后基板上，設(shè)置有縱向的尋址電極和障壁結(jié)構(gòu)，放電發(fā)生在前后基板及障壁所組成的空間內(nèi)。等離子顯示屏的放電性能決定著等離子顯示屏的亮度、光效、功耗等指標(biāo)，而提高放電性能的主要手段是提高等離子顯示屏介質(zhì)保護(hù)膜的性能。
當(dāng)前，等離子體顯示屏介質(zhì)保護(hù)膜最為成熟的材料為MgO，其具有耐濺射性能優(yōu)良、電阻率高、二次電子發(fā)射系數(shù)高、高可見光透過率等特點(diǎn)。該介質(zhì)保護(hù)膜能夠有效保護(hù)前基板的電極和介質(zhì)層、延長等離子顯示屏的使用壽命、存儲壁電荷、發(fā)揮內(nèi)存效果、降低電壓、限制放電電流，從而改善等離子顯示屏的放電性能。
通常評價作為保護(hù)膜的氧化鎂層，其結(jié)晶性與晶粒大小是關(guān)鍵的指標(biāo)，結(jié)晶性越好，晶粒越大，其發(fā)射二次電子的能力及抗離子濺射的能力就越強(qiáng)，使用其的等離子顯示屏的放電電壓越低。但是現(xiàn)有技術(shù)得到的氧化鎂層的結(jié)晶度以及晶粒都存在一定缺陷，不能滿足等離子顯示屏對放電電壓越來越高的要求，因此，亟需一種高結(jié)晶度大晶粒的氧化鎂層作為介質(zhì)保護(hù)膜。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜，以解決現(xiàn)有技術(shù)中介質(zhì)保護(hù)膜的結(jié)晶度低、晶粒小導(dǎo)致等離子顯示屏的放電電壓高的問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏介質(zhì)保護(hù)膜的制作方法，包括以下步驟1)在介質(zhì)層上形成晶種層；幻在晶種層上形成介質(zhì)保護(hù)膜。
進(jìn)一步地，上述形成晶種層的方法包括將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學(xué)反應(yīng)生成形成在介質(zhì)層上。
進(jìn)一步地，上述形成介質(zhì)保護(hù)膜的方法是將介質(zhì)保護(hù)膜材料通過真空沉積法形成在晶種層上。
進(jìn)一步地，上述晶種包括MgO單晶顆粒；摻雜型MgO晶體，其中，摻雜元素包括 Ca、Zn、Si、SC、Ti和Ni中的一種或多種，摻雜型MgO晶體為物理混合物、固溶體或合金；或者選自由碳納米管、ZnO、BeO, CaO、SrO, BaO, La205、LaB6、Mo和W組成的組中的任意一種或多種。
進(jìn)一步地，上述真空沉積法包括電子束蒸鍍法、離子鍍法、濺射法和化學(xué)氣相沉積法。
進(jìn)一步地，上述晶種的粒徑為5 lOOOnm，晶種層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為 0. 1 100%。
進(jìn)一步地，上述介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為50 lOOOnm。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜通過上述制作方法得到。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質(zhì)保護(hù)膜。
本發(fā)明達(dá)到的技術(shù)效果根據(jù)本發(fā)明的制作方法工藝過程簡單，按照現(xiàn)有設(shè)備即可實(shí)施，而且，得到的介質(zhì)保護(hù)膜的晶粒較大、結(jié)晶度更高，含有其的等離子顯示屏具有更低的放電電壓。
除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。 下面將參照圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。


說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最小著火電壓與老練時間的關(guān)系曲線圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最大滅火電壓與老練時間的關(guān)系曲線圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明的實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明，但如下實(shí)施例以及附圖僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
在本發(fā)明的一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種等離子顯示屏介質(zhì)保護(hù)膜的制作方法，包括以下步驟1)在介質(zhì)層上形成晶種層；幻在晶種層上形成介質(zhì)保護(hù)膜。這種保護(hù)膜的制作方法在介質(zhì)層上布置晶種，形成晶種層，介質(zhì)保護(hù)膜的材料在晶種的引發(fā)下可以形成結(jié)晶度較高的介質(zhì)保護(hù)膜。
優(yōu)選地，形成晶種層的方法包括將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學(xué)反應(yīng)生成等方式布置在介質(zhì)層上。利用現(xiàn)有設(shè)備就可以將晶種布置在介質(zhì)層，這就使得整個工藝過程操作簡單，可實(shí)現(xiàn)性高，而且晶種均勻分布在介質(zhì)層上，充分發(fā)揮晶種的引發(fā)作用使介質(zhì)保護(hù)膜均勻生長。
優(yōu)選地，布置介質(zhì)保護(hù)膜的方法是將介質(zhì)保護(hù)膜材料通過真空沉積法形成在晶種層上。真空沉積法形成的晶種層缺陷密度低，化學(xué)穩(wěn)定性好。優(yōu)選地，可用于本發(fā)明的真空沉積法包括并不限于電子束蒸鍍法、離子束蒸鍍法、濺射法和化學(xué)氣相沉積法。
本發(fā)明晶種層的晶種主要作用是引發(fā)介質(zhì)保護(hù)膜的形成，因此一般選用能夠引發(fā)介質(zhì)保護(hù)膜材料結(jié)晶的物質(zhì)，而且，如果晶種結(jié)構(gòu)與介質(zhì)保護(hù)膜材料結(jié)構(gòu)相同或相似，得到的介質(zhì)保護(hù)膜的表面平整度以及結(jié)晶度都較好，因此可用于本發(fā)明的晶種包括但不限于 MgO單晶顆粒；摻雜其他元素的摻雜型MgO晶體，其中，可摻雜的元素包括Ca、Zn、Si、Sc、T i 和Ni，摻雜型MgO晶體可以是物理混合物、固溶體或者合金；本發(fā)明提供的晶體還可以選自碳納米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, BaO, La2O5, LaB6, Mo和W組成的組中的任意一種或多種。
可用于本發(fā)明的真空沉積法包括但不限于電子束蒸鍍法、離子束蒸鍍法、濺射法和化學(xué)氣相沉積法。以上幾種方法為鍍膜領(lǐng)域中常規(guī)的實(shí)現(xiàn)方法，使得本發(fā)明易于在原有設(shè)備上實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明晶種的粒徑為5 lOOOnm，晶種層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為0. 1 100%。因?yàn)榱胶徒Y(jié)晶度是評價介質(zhì)保護(hù)膜的關(guān)鍵指標(biāo)，晶粒越大，結(jié)晶性越好，介質(zhì)保護(hù)膜發(fā)射二次電子的能力及抗離子濺射的能力就越強(qiáng)，因此在形成晶種層時，選擇粒徑為 5 lOOOnm，粒徑足夠大；而且，晶種層的厚度若小于lOnm，晶種層太薄不足以引發(fā)介質(zhì)保護(hù)膜材料形成均勻的介質(zhì)保護(hù)膜，然而當(dāng)晶種層厚度大于IOOOnm時，晶種層太厚，影響所形成的等離子顯示屏的光效；晶種層的覆蓋度在0. 1 100%之間都可以實(shí)現(xiàn)晶種的引發(fā)作用，只是隨著晶種層覆蓋度的增大由此引發(fā)得到的介質(zhì)保護(hù)膜的結(jié)晶度越高。本發(fā)明介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為50 lOOOnm。在晶種的引發(fā)下形成的介質(zhì)保護(hù)膜不僅結(jié)晶度高，而且其厚度可以控制在50 IOOOnm之間，既可以起到保護(hù)介質(zhì)的作用，又不影響可見光透過率。
在本發(fā)明的另一種典型的實(shí)施方式中，還提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜通過上述制作方法得到。通過本發(fā)明的方法得到的介質(zhì)保護(hù)膜，保護(hù)膜的結(jié)晶度價高，晶粒較大，發(fā)射二次電子的能力及抗離子濺射的能力較強(qiáng)。
在本發(fā)明的又一種典型的實(shí)施方式中，，還提供了一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質(zhì)保護(hù)膜。通過本發(fā)明得到的等離子顯示屏由于含有本發(fā)明的介質(zhì)保護(hù)膜具有較低的放電電壓。
以下將結(jié)合實(shí)施例1-5和對比例1，進(jìn)一步說明采用本發(fā)明的有益效果。
實(shí)施例1
晶種層的晶種采用MgO單晶顆粒，粒徑為900士 lOOnm，介質(zhì)保護(hù)膜的的材料也采用單晶MgO顆粒。
制作前基板將MgO單晶顆粒噴涂在等離子顯示屏前基板的介質(zhì)層上，晶種層的厚度為900士 lOOnm，在介質(zhì)層上的覆蓋度為50 %，然后在晶種層上采用電子束蒸鍍法制備介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為900 士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏1。
實(shí)施例2
晶種層的晶種采用&ι0，粒徑為400士 lOOnm，介質(zhì)保護(hù)膜的的材料采用CaMgO。
制作前基板將ZnO漿料涂布在等離子顯示屏前基板的介質(zhì)層上，晶種層的厚度為500士 lOOnm，在介質(zhì)層上的覆蓋度為1 %，然后在晶種層上采用離子束蒸鍍法制備介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為600 士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏2。
實(shí)施例3
晶種層的晶種采用BaMgO合金顆粒，粒徑為150士 lOOnm，介質(zhì)保護(hù)膜的的材料采用TiMgO合金顆粒。
制作前基板將BaMgO合金顆粒物理摩擦在等離子顯示屏前基板的介質(zhì)層上，晶種層的厚度為150士 lOOnm，在介質(zhì)層上的覆蓋度為100%，然后在晶種層上采用化學(xué)氣相沉積法制備介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為200士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏3。
實(shí)施例4
晶種層的晶種采用Lii2O5，粒徑為500士 lOOnm，介質(zhì)保護(hù)膜的的材料采用SiMgO合金顆粒。
制作前基板將La2O5靜電吸附在等離子顯示屏前基板的介質(zhì)層上，晶種層的厚度為600 士 lOOnm，在介質(zhì)層上的覆蓋度為30%，然后在晶種層上采用電子束蒸鍍法制備介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為800士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏4。
實(shí)施例5
晶種層的晶種采用碳納米管，粒徑為5 50nm，介質(zhì)保護(hù)膜的的材料采用MMgO合金顆粒。
制作前基板將碳納米管化學(xué)反應(yīng)在等離子顯示屏前基板的介質(zhì)層上，晶種層的厚度為10 lOOnm，在介質(zhì)層上的覆蓋度為70%，然后在晶種層上采用電子束蒸鍍法制備介質(zhì)保護(hù)膜，介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為800 士 lOOnm。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏5。
對比例1
制作前基板在依次制作有維持電極和掃描-維持電極、透明介質(zhì)層的基板上沉積MgO膜，作為介質(zhì)保護(hù)膜。
制作后基板，將前基板和后基板對合封接在一起，得到對比例1等離子顯示屏。
對上述實(shí)施例1-5的等離子顯示屏和對比例1的等離子顯示屏進(jìn)行老練，測試他們的著火電壓和滅火電壓，測試結(jié)果見附圖1和附圖2。
由附圖1和附圖2可以看出，采用實(shí)施例1-5的等離子顯示屏比對比例1的等離子顯示屏具有較低的放電電壓。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示屏介質(zhì)保護(hù)膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟1)在介質(zhì)層上形成晶種層；2)在所述晶種層上形成所述介質(zhì)保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成晶種層的方法包括將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學(xué)反應(yīng)生成的方式布置在所述介質(zhì)層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成介質(zhì)保護(hù)膜的方法是將介質(zhì)保護(hù)膜材料通過真空沉積法形成在所述晶種層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述晶種包括MgO單晶顆粒；或者摻雜型MgO晶體，其中，摻雜元素包括Ca、Zn、Si、SC、Ti和Ni中的一種或多種，所述摻雜型MgO晶體為物理混合物、固溶體或合金；或者選自由碳納米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, BaO, La2O5, LaB6, Mo和W組成的組中的任意一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述真空沉積法包括電子束蒸鍍法、離子鍍法、濺射法和化學(xué)氣相沉積法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述晶種的粒徑為5 lOOOnm，所述晶種層的厚度為10 lOOOnm，覆蓋度為0. 1 100%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)保護(hù)膜的厚度為50 lOOOnm。
8.一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜，其特征在于，所述介質(zhì)保護(hù)膜通過權(quán)利要求1-7 任一項(xiàng)所述的制作方法制作而成。
9.一種等離子顯示屏，包括前基板、PDP放電電極和后基板，其特征在于，所述前基板包含權(quán)利要求8所述的介質(zhì)保護(hù)膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護(hù)膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。該制作方法包括以下步驟1)在介質(zhì)層上布置晶種層；2)在晶種層上形成介質(zhì)保護(hù)膜。根據(jù)本發(fā)明的制作方法工藝過程簡單，采用現(xiàn)有設(shè)備即可實(shí)施，而且，得到的介質(zhì)保護(hù)膜的晶粒較大、結(jié)晶度更高，含有其的等離子顯示屏具有更低的放電電壓。
文檔編號H01J11/40GK102522296SQ201110455920
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者羅向輝, 邢芳麗 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司