專利名稱：利用被氧化的多孔硅的等離子體顯示板和平面燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示板(PDP)和平面燈(flat lamp)，更具體而言，涉及使用被氧化的多孔硅(oxidized porous silicon)的PDP和平面燈使得可以提高電子發(fā)射特性。
背景技術(shù)：
利用放電來形成圖像的PDP提供了諸如亮度或視角的卓越顯示性能，因此，其用途不斷增長。在PDP中，DC或AC電壓被施加于電極導(dǎo)致電極之間的氣體放電，且由該放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光材料，發(fā)射可見光。
依據(jù)放電的類型，PDP可以分為DC型PDP或AC型PDP。DC型PDP包括均暴露于放電空間的電極。在DC型PDP中，電荷在電極之間直接移動(dòng)。在AC型PDP中，至少一個(gè)電極由介電層覆蓋，并且不是由電極之間電荷的直接移動(dòng)而是由壁電荷產(chǎn)生放電。
依據(jù)電極的設(shè)置，PDP還可以分為相對(duì)放電型PDP或表面放電型PDP。在相對(duì)放電型PDP中，一對(duì)維持電極中的一個(gè)形成于上基板上而另一個(gè)形成于下基板上，且在垂直于基板的方向上發(fā)生氣體放電。在表面放電型PDP中，一對(duì)維持電極形成于相同的基板上，且在平行于基板的方向上發(fā)生氣體放電。
相對(duì)放電型PDP提供了高的發(fā)光效率但具有熒光層易被等離子體劣化的缺點(diǎn)。因此，目前廣泛使用表面放電型PDP。
圖1圖示了傳統(tǒng)的表面放電型PDP。圖2A和2B是圖1所示的PDP的分別在橫向和縱向上的剖面圖。
請(qǐng)參考圖l、圖2A和圖2B，傳統(tǒng)的PDP包括上基板20和下基板10，其彼此相對(duì)且間隔預(yù)定距離。等離子體放電發(fā)生于放電空間中，即，在上基板20和下基板10之間的空間中。
多個(gè)尋址電極11以條形排列于下基板10的頂表面上，且被掩埋在第一介電層12中。多個(gè)用于防止放電單元14之間的電學(xué)和光學(xué)串?dāng)_的阻擋肋13形成于第一介電層12上。在由阻擋肋13劃分的放電單元14的內(nèi)表面上分別涂敷紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光層15至一預(yù)定厚度。放電單元14用放電氣體填充。
足夠透明以透射可見光的上基板20通常由玻璃制成，且耦合到具有阻擋肋13的下基板10。維持電極對(duì)21a和21b以條形形成于上基板20的底表面上以使它們以直角與尋址電極11相交。維持電極21a和21b通常由諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料制成，以使它們可以透射可見光。為了減小維持電極21a和21b的線電阻，由金屬制成的總線電極22a和22b分別形成于維持電極21a和21b的底表面上，且具有比維持電極21a和21b窄的寬度。維持電極21a和21b及總線電極22a和22b被掩埋在透明的第二介電層23中。用保護(hù)層24覆蓋第二介電層23的底表面。保護(hù)層24通常由氧化鎂(MgO)制成。
在具有以上結(jié)構(gòu)的PDP中，保護(hù)層24防止由于等離子體粒子的濺射所致的第二介電層23的損傷且發(fā)射二次電子以降低放電電壓。但是，由MgO制成的保護(hù)層具有低的二次電子發(fā)射系數(shù)，且由此存在對(duì)于獲得足夠的電子發(fā)射效果的限制。
為了克服該問題，美國專利No.6,346,775描述了一種PDP，在圖3中示出了其剖面。
請(qǐng)參考圖3，上基板40和下基板30彼此面對(duì)且放電空間形成于上基板40和下基板30之間。通過在上基板40和下基板30之間的多個(gè)阻擋肋33將放電空間劃分為放電單元34。多個(gè)尋址電極31形成于下基板30的頂表面上且被掩埋在設(shè)置于下基板30頂表面上的第一介電層32中。維持電極41形成于上基板40的底表面上且被掩埋在設(shè)置于上基板40的底表面上的第二介電層43中。二次電子放大結(jié)構(gòu)形成于第二介電層43的底表面上，在該二次電子放大結(jié)構(gòu)中，保護(hù)層44和碳納米管(CNT)45被依次層疊。該P(yáng)DP具有增加的發(fā)光效率和亮度以及由該二次電子放大結(jié)構(gòu)引起的減小的放電電壓，但是有可能在放電期間損壞CNT 45。另外，在PDP中保持在低真空環(huán)境下的放電空間內(nèi)部，CNT 45的電子發(fā)射特性劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了使用被氧化的多孔硅的等離子體顯示板(PDP)和平面燈從而可以增加電子發(fā)射特性。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種PDP，包括彼此面對(duì)的上面板和下面板；形成于下面板中的多個(gè)尋址電極；形成于上面板中的多個(gè)維持電極；以及，形成于上面板中且對(duì)應(yīng)于維持電極的多個(gè)被氧化的多孔硅層。
被氧化的多孔硅層可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種PDP，包括彼此面對(duì)且其間形成有放電空間的上基板和下基板；形成于下基板的頂表面上的多個(gè)尋址電極；第一介電層，其形成于下基板的頂表面上以使尋址電極被掩埋于第一介電層中；多個(gè)維持電極，其形成于上基板的底表面上且在與尋址電極相交的方向上；第二介電層，其形成于上基板的底表面上以使維持電極被掩埋于第二介電層中；形成在第二介電層之下的被氧化的多孔硅層；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于上基板和下基板之間且將放電空間劃分為放電單元；以及，熒光層，其形成于放電單元的內(nèi)壁上。
被氧化的多孔硅層可以形成于第二介電層的整個(gè)底表面上，或者對(duì)應(yīng)于維持電極形成且具有與維持電極相同的寬度。
基電極(base electrode)可以形成于被氧化的多孔硅層的頂表面上。
總線電極可以形成于維持電極的底表面上。
保護(hù)層可以形成于第二介電層和被氧化的多孔硅層的底表面上。
依據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種PDP，包括彼此面對(duì)且其間形成有放電空間的上基板和下基板；形成于下基板的頂表面上的多個(gè)尋址電極；第一介電層，其形成于下基板的頂表面上以使尋址電極被掩埋于第一介電層中；多個(gè)維持電極，其形成于上基板的底表面上且在與尋址電極相交的方向上；形成于維持電極的底表面上的多個(gè)被氧化的多孔硅層；第二介電層，其形成于上基板的底表面上并暴露被氧化的多孔硅層的底表面；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于上基板和下基板之間且將放電空間劃分為放電單元；以及，熒光層，其形成于放電單元的內(nèi)壁上。
總線電極可以形成于維持電極和被氧化的多孔硅層之間?？偩€電極可以沿維持電極的邊緣形成且具有比維持電極窄的寬度。被氧化的多孔硅層可以具有與總線電極相同的寬度。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種PDP的制造方法，包括在基板的頂表面上形成多個(gè)維持電極并形成介電層以使維持電極被掩埋于介電層中；在介電層的頂表面上形成多個(gè)基電極且所述基電極平行于維持電極；在介電層的頂表面上形成硅層以使基電極被掩埋于硅層中；將設(shè)置在基電極上方的硅層部分轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼?；氧化所述多孔硅層；以及，去除保留在介電層上的硅層部分?br> 可以通過在介電層的頂表面上淀積基電極的材料并構(gòu)圖該材料來形成基電極。
該方法還可以包括在介電層和被氧化的多孔硅層的頂表面上形成保護(hù)層。該方法還可以包括在維持電極的頂表面上形成總線電極。
硅層可以是多晶硅層或非晶硅層并且可以使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)形成。
可以用氟化氫和乙醇的混合溶液陽極化設(shè)置于基電極上方的硅層來形成多孔硅層。
可以通過利用電化學(xué)氧化法氧化所述多孔硅層來形成被氧化的多孔硅層。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種PDP的制造方法，包括在基板的頂表面上形成多個(gè)維持電極并在維持電極的頂表面上形成總線電極；在基板上形成介電層以使維持電極和總線電極被掩埋在介電層中；蝕刻介電層以形成暴露總線電極的頂表面的溝槽；在總線電極的頂表面上形成硅層；將硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼?；以及，氧化所述多孔硅層?br> 依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種PDP的制造方法，包括在基板的頂表面上形成多個(gè)維持電極并形成介電層以使維持電極被掩埋于介電層中；蝕刻介電層以形成暴露維持電極的頂表面的溝槽；在維持電極的頂表面上形成硅層；將硅層轉(zhuǎn)變成多孔硅層；氧化所述多孔硅層。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種PDP，包括彼此面對(duì)且其間形成有放電空間的上基板和下基板；多個(gè)第一電極，其形成于下基板的頂表面上；第一介電層，其形成于下基板的頂表面上以使第一電極被掩埋于第一介電層中；多個(gè)第二電極，其形成于上基板的底表面上且在與第一電極相交的方向上；第二介電層，其形成于上基板的底表面上以使第二電極被掩埋于第二介電層中；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于第一介電層之上或第二介電層之下，或者形成于第一介電層之上和第二介電層之下，并且對(duì)應(yīng)于第一電極或第二電極；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于上基板和下基板之間且將放電空間劃分為放電單元；以及，熒光層，其形成于放電單元的內(nèi)壁上。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種PDP，包括彼此面對(duì)且其間形成有放電空間的上基板和下基板；多個(gè)第一電極，其形成于下基板的頂表面上；多個(gè)第二電極，其形成于上基板的底表面上且在與第一電極相交的方向上；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于第一電極上或第二電極上；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于上基板和下基板之間且將放電空間劃分為放電單元；以及，熒光層，其形成于放電單元的內(nèi)壁上。
其上形成第一電極和第二電極間的被氧化的多孔硅層的電極可以是陰極電極。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種平面燈，包括彼此面對(duì)的上面板和下面板；多個(gè)放電電極，其形成于上面板和下面板的至少一個(gè)中；以及，多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于其上形成放電電極的面板中且對(duì)應(yīng)于放電電極。
基電極可以形成于被氧化的多孔硅層的頂表面或底表面上。
被氧化的多孔硅層可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種平面燈，包括上基板和下基板，其彼此相對(duì)且其間形成有放電空間；多個(gè)放電電極，其形成于上基板和下基板中的至少一個(gè)的外表面上；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于其上形成放電電極的基板的內(nèi)表面上，所述被氧化的多孔硅層對(duì)應(yīng)于放電電極且平行于放電電極；多個(gè)隔離物，其設(shè)置于上基板和下基板之間；以及，熒光層，其形成于放電空間的內(nèi)壁上。
多個(gè)基電極可以形成于被氧化的多孔硅層與其上形成放電電極的基板的內(nèi)表面之間?；姌O可以具有與被氧化的多孔硅層相同的寬度。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種平面燈的制造方法，包括在基板的底表面上形成多個(gè)放電電極且在基板的頂表面上形成多個(gè)基電極；在基板的頂表面上形成硅層以使基電極被掩埋在硅層中；將設(shè)置在基電極上方的硅層部分轉(zhuǎn)變成多孔硅層；氧化所述多孔硅層；以及，去除保留在基板上的硅層部分。
可以通過在基板的頂表面上淀積基電極的材料并構(gòu)圖該材料來形成基電極。
硅層可以是多晶硅層或非晶硅層，且可以利用PECVD形成。
可以通過用HF和乙醇的混合溶液陽極化設(shè)置在基電極上方的硅層部分來形成多孔硅層。
可以通過利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層來形成被氧化的多孔硅層。


通過參考附圖對(duì)其示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯易懂，附圖中圖1是傳統(tǒng)的等離子體顯示板(PDP)的分解透視圖；圖2A和2B是圖1中的PDP的剖面圖；圖3是示出另一傳統(tǒng)的PDP的剖面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的PDP的分解透視圖；圖5是圖4中的部分PDP的剖面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖；圖7A至7G是示出圖4的PDP的制造方法的視圖；圖8A至8E是示出圖6的PDP的制造方法的視圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平面燈的部分剖面圖；圖13A至13E是示出圖12的平面燈的制造方法的視圖；圖14A和14B分別是傳統(tǒng)的平面燈和根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平面燈的剖面圖，該傳統(tǒng)的平面燈和該平面燈用于確定放電氣體的電壓對(duì)壓力的曲線；以及圖15是圖14A所示的傳統(tǒng)燈和圖14B所示的平面燈的放電氣體的電壓對(duì)壓力的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在以下附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)成元件。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體顯示板(PDP)的分解透視圖。圖5是圖4中的PDP的部分剖面圖。
請(qǐng)參考圖4和圖5，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的PDP包括彼此面對(duì)的上面板和下面板。等離子體放電發(fā)生于放電空間中，即，在上面板和下面板之間的空間。通過多個(gè)阻擋肋113將上面板和下面板之間的放電空間劃分為放電單元114。阻擋肋113防止放電單元114之間的電學(xué)和光學(xué)串?dāng)_。在放電期間產(chǎn)生紫外線的放電氣體被注入放電單元114中。一般地，Ne和Xe的混合氣體用作放電氣體。紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)熒光層115被分別涂敷于放電單元114的內(nèi)表面上至預(yù)定的厚度。通過由于放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光層115，由此產(chǎn)生具有預(yù)定顏色的可見光。
下面板包括下基板110、形成于下基板110的頂表面上的多個(gè)尋址電極111、和形成于下基板110的頂表面上的第一介電層112以使尋址電極111被掩埋于第一介電層112中。
下基板110一般可以由玻璃制成。多個(gè)尋址電極111平行地形成于下基板110的頂表面上。尋址電極111被掩埋于第一介電層112中。
阻擋肋113形成于第一介電層112的頂表面上，阻擋肋113平行于尋址電極111且彼此間隔預(yù)定距離?？蛇x擇地，阻擋肋113可以垂直于尋址電極111形成。可選擇地，阻擋肋113可以以矩陣形式形成。熒光層115形成于第一介電層112的頂表面上和阻擋肋113的橫向側(cè)面上至預(yù)定的厚度。
上面板包括與下基板110間隔預(yù)定距離的上基板120，多個(gè)形成于上基板120的底表面上的第一和第二維持電極121a和121b，形成于上基板的底表面上的第二介電層123以使第一和第二維持電極121a和121b被掩埋于第二介電層123中，和多個(gè)分別形成于第一和第二維持電極121a和121b之下的第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b。
上基板120一般可以由玻璃制成，其能透射可見光。維持電極對(duì)121a和121b在與尋址電極111相交的方向上平行地形成于上基板120的底表面上。第一和第二維持電極121a和121b通常由透明導(dǎo)電材料制成，諸如氧化銦錫(ITO)。為了減少第一和第二維持電極121a和121b的線電阻，第一和第二總線電極122a和122b分別形成于第一和第二維持電極121a和121b的底表面上。第一和第二總線電極122a和122b分別沿第一和第二維持電極121a和121b的邊緣形成且比第一和第二維持電極121a和121b具有更窄的寬度。總線電極122a和122b可以由金屬制成，諸如Al和Ag。第一和第二維持電極121a和121b以及第一和第二總線電極122a和122b被掩埋在透明的第二介電層123中。
多個(gè)第一和第二基電極125a和125b形成于第二介電層123的底表面上，第一和第二基電極125a和125b分別對(duì)應(yīng)于第一和第二維持電極121a和121b并與其平行。第一和第二基電極125a和125b可以由ITO、Al或Ag制成。第一和第二基電極125a和125b用作電極以在其底表面上形成第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b。
第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b分別形成于第一和第二基電極125a和125b的底表面上。第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b具有與第一和第二基電極125a和125b相同的寬度。第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b放大了電子發(fā)射。
保護(hù)層124可以形成于第二介電層123的底表面上。保護(hù)層124防止由于等離子體粒子的濺射引起第二介電層123的損傷并發(fā)射二次電子以降低放電電壓。保護(hù)層124可以由MgO制成。另一方面，保護(hù)層124還可以形成于第一和第二被氧化的多孔硅層126a和126b的底表面上。
在具有以上結(jié)構(gòu)的PDP中，當(dāng)例如1000V和0V的電壓分別施加于第一和第二維持電極121a和121b時(shí)，對(duì)于放電，從第一維持電極121a朝向第二維持電極121b導(dǎo)向的電場(chǎng)形成于放電單元114中。由于該電場(chǎng)的形成，電子自第二基電極125b在第二被氧化的多孔硅層126b中流動(dòng)，且當(dāng)通過第二被氧化的多孔硅層126b時(shí)電子被加速，然后被發(fā)射到放電單元114中。另一方面，當(dāng)例如0V和1000V的電壓分別施加于第一和第二維持電極121a和121b時(shí)，電子自第一基電極125a在第一被氧化的多孔硅層126a中流動(dòng)，且當(dāng)通過第一被氧化的多孔硅層126a時(shí)電子被加速，然后被發(fā)射到放電單元114中。
如上所述，當(dāng)被氧化的多孔硅層126a和126b形成于PDP的上面板上時(shí)，可以提高電子發(fā)射特性且可以增大亮度和發(fā)光效率。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖。
請(qǐng)參考圖6，上面板和下面板彼此面對(duì)且其間形成放電空間。通過阻擋肋(未顯示)劃分放電空間以形成放電單元214。熒光層215被涂敷于放電單元214的內(nèi)表面上。
下面板包括下基板210，多個(gè)平行形成于下基板210的頂表面上的尋址電極211，和形成于下基板210的頂表面上的第一介電層212以使尋址電極211被掩埋于第一介電層212中。
上面板包括上基板220、形成于上基板220的底表面上的第一和第二維持電極221a和221b、分別形成于第一和第二維持電極221a和221b的底表面上的第一和第二總線電極222a和222b、和分別形成于第一和第二總線電極222a和222b的底表面上的第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b。
第一和第二維持電極221a和221b在與尋址電極211相交的方向上彼此平行地形成。第一和第二維持電極221a和221b通常由透明導(dǎo)電材料制成，諸如氧化銦錫(ITO)。為了減小第一和第二維持電極221a和221b的線電阻，第一和第二總線電極222a和222b分別形成于第一和第二維持電極221a和221b的底表面上。第一和第二總線電極222a和222b也用作電極以在其底表面上形成第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b。第一和第二總線電極222a和222b分別沿第一和第二維持電極221a和221b的邊緣形成且比第一和第二維持電極221a和221b具有更窄的寬度?？偩€電極222a和222b可以由金屬制成，諸如Al和Ag。
第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b分別形成于第一和第二總線電極222a和222b的底表面上。第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b沿第一和第二總線電極222a和222b形成且具有與第一和第二總線電極222a和222b相同的寬度。
透明的第二介電層223形成于上基板220的底表面上，暴露第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b的底表面。保護(hù)層224可以形成于第二介電層223的底表面上。保護(hù)層224可以由MgO制成。保護(hù)層224還可以形成于第一和第二被氧化的多孔硅層226a和226b的底表面上。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，被氧化的多孔硅層226a和226b可以直接形成于維持電極221a和221b的底表面上，而在其間不形成總線電極222a和222b。在這種情況下，被氧化的多孔硅層226a和226b具有與維持電極221a和221b相同的寬度。第二介電層223形成于上基板220的底表面上，暴露被氧化的多孔硅層226a和226b的底表面。
在具有以上結(jié)構(gòu)的PDP中，從被氧化的多孔硅層226a和226b被加速的電子的發(fā)射過程與本發(fā)明在前實(shí)施例中的類似，因此省略了對(duì)該過程的詳細(xì)描述。
下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的PDP的制造方法。
圖7A至7G是示出圖4的PDP上面板的制造方法的視圖。在圖7A至圖7G中，基板和介電層分別對(duì)應(yīng)于圖4所示的上基板120和第二介電層123。
請(qǐng)參考圖7A，在基板120的頂表面上淀積諸如ITO的透明導(dǎo)電材料，且構(gòu)圖該透明導(dǎo)電材料以形成多個(gè)第一和第二維持電極121a和121b。之后，在第一和第二維持電極121a和121b的頂表面上淀積諸如Al或Ag的金屬材料，且構(gòu)圖該金屬材料以形成多個(gè)第一和第二總線電極122a和122b。第一和第二總線電極122a和122b分別沿第一和第二維持電極121a和121b的邊緣形成，且比第一和第二維持電極121a和121b具有更窄的寬度。然后，在基板120的頂表面上形成介電層123以使維持電極121a和121b以及總線電極122a和122b被掩埋于介電層123中。
請(qǐng)參考圖7B，在介電層123的頂表面上淀積諸如ITO、Al或Ag的基電極材料125至預(yù)定厚度。然后，構(gòu)圖材料125至預(yù)定形狀以分別在第一和第二維持電極121a和121b之上形成第一和第二基電極125a和125b，如圖7C所示。
請(qǐng)參考圖7D，在介電層123的頂表面上形成硅層127以使第一和第二基電極125a和125b被掩埋于硅層127中。硅層127可以是多晶硅層或非晶硅層?？梢栽诩s400℃或更低的溫度下利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)形成硅層127至預(yù)定的厚度。
請(qǐng)參考圖7E，設(shè)置于基電極125a和125b上的硅層127部分被轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼印＞唧w地，可以用氟化氫(HF)和乙醇的混合溶液、以施加于第一和第二基電極125a和125b的預(yù)定電流密度通過陽極化硅層127而形成多孔硅層。然后，利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層。具體地，在硫酸的水溶液中對(duì)多孔硅層施加預(yù)定的電流密度以獲得被氧化的多孔硅層126a和126b。
請(qǐng)參考圖7F，去除在介電層123上遺留的硅層127的部分。最后，請(qǐng)參考圖7G，在介電層123和被氧化的多孔硅層126a和126b的頂表面上形成保護(hù)層124，保護(hù)層124可以由MgO制成。可選擇地，可以只在介電層123的頂表面上形成保護(hù)層124。在以上的工藝中獲得的上面板耦合到具有尋址電極的下面板以制造PDP。
圖8A至8E是示出圖6的PDP的上面板制造方法的視圖。在圖8A至圖8G中，基板和介電層分別對(duì)應(yīng)于圖6所示的上基板220和第二介電層223。
請(qǐng)參考圖8A，在基板220上形成第一和第二維持電極221a和221b，且在第一和第二維持電極221a和221b上分別形成第一和第二總線電極222a和222b。然后，在基板220的頂表面上形成介電層223以使維持電極221a和221b以及總線電極222a和222b被掩埋于介電層223中。
請(qǐng)參考圖8B，蝕刻介電層223以形成暴露第一和第二總線電極222a和222b的頂表面的溝槽。然后，請(qǐng)參考圖8C，在總線電極222a和222b的頂表面上形成硅層227。硅層227可以是多晶硅層或非晶硅層?？梢栽诩s400℃或更低的溫度下利用PECVD形成硅層227至預(yù)定的厚度。
請(qǐng)參考圖8D，設(shè)置于總線電極222a和222b上的硅層227被轉(zhuǎn)變成多孔硅層。具體地，可以用氟化氫(HF)和乙醇的混合溶液、以施加于第一和第二總線電極222a和222b的預(yù)定電流密度通過陽極化硅層227來形成多孔硅層。然后，利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層。具體地，在硫酸的水溶液中對(duì)所述多孔硅層施加預(yù)定的電流密度以獲得被氧化的多孔硅層226a和226b。
最后，請(qǐng)參考圖8E，在介電層223和被氧化的多孔硅層226a和226b的頂表面上形成保護(hù)層224，保護(hù)層224可以由MgO制成?？蛇x擇地，可以只在介電層223的頂表面上形成保護(hù)層224。
另一方面，可以直接在維持電極221a和221b的頂表面上分別形成被氧化的多孔硅層226a和226b，而在其間不形成總線電極222a和222b。在這種情況下，蝕刻介電層223以暴露維持電極221a和221b的頂表面，且在維持電極221a和221b上形成硅層227。然后，將硅層227轉(zhuǎn)變?yōu)楸谎趸亩嗫坠鑼?26a和226b，如上所述。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖。請(qǐng)參考圖9，上基板420和下基板410彼此面對(duì)且間隔預(yù)定距離以使放電空間形成于其間。上基板420和下基板410之間的放電空間通過多個(gè)阻擋肋(未顯示)被劃分為放電單元414。熒光層415被涂敷于放電單元414的內(nèi)表面上。
多個(gè)尋址電極411形成于下基板410的頂表面上。尋址電極411被掩埋于第一介電層412中。多個(gè)第一和第二維持電極421a和421b在與尋址電極411相交的方向上形成于上基板420的底表面上。第一和第二總線電極422a和422b分別形成于第一和第二維持電極421a和421b的底表面上。第一和第二維持電極421a和421b以及第一和第二總線電極422a和422b被掩埋于第二介電層423中。
基電極425形成于第二介電層423的整個(gè)底表面上?；姌O425用作電極以在其底表面上形成被氧化的多孔硅層426?；姌O425可以由ITO、Al或Ag制成。被氧化的多孔硅層426形成于基電極425的整個(gè)底表面上。被氧化的多孔硅層426可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。被氧化的多孔硅層426放大了電子發(fā)射且用作保護(hù)層。
雖然如上所述，被氧化的多孔硅被應(yīng)用于AC表面放電型PDP，但它還可以應(yīng)用于AC相對(duì)放電型PDP。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖。請(qǐng)參考圖10，上基板520和下基板510彼此面對(duì)且間隔預(yù)定的距離以使放電空間形成于其間。上基板520和下基板510之間的放電空間通過多個(gè)阻擋肋(未顯示)被劃分為放電單元514。熒光層(未顯示)被涂敷于放電單元514的內(nèi)表面上。
多個(gè)用于在放電單元514中產(chǎn)生放電的第一和第二電極521a和521b成對(duì)形成，第一電極521a形成于下基板510的頂表面上且第二電極521b形成于上基板520的底表面上。第一電極521a垂直于第二電極521b形成。第一介電層512形成于下基板510的頂表面上以覆蓋第一電極521a，且第二介電層523形成于上基板520的底表面上以覆蓋第二電極521b。
多個(gè)第一基電極525a形成于第一介電層512的頂表面上，第一基電極525a對(duì)應(yīng)于且平行于第一電極521a。多個(gè)第二基電極525b形成于第二介電層523的底表面上，第二基電極525b對(duì)應(yīng)于且平行于第二電極521b。第一和第二基電極525a和525b可以由ITO、Al或Ag制成。
第一和第二被氧化的多孔硅層526a和526b分別形成于第一基電極525a的頂表面上和第二基電極525b的底表面上。第一和第二被氧化的多孔硅層526a和526b可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。第一和第二被氧化的多孔硅層526a和526b具有與第一和第二基電極525a和525b相同的寬度。由MgO形成的保護(hù)層(未顯示)可以進(jìn)一步形成于第一介電層512和第二介電層523上。
在具有以上結(jié)構(gòu)的PDP中，當(dāng)在第一和第二電極521a和521b之間施加預(yù)定的AC電壓時(shí)，從第一和第二被氧化的多孔硅層526a和526b依次發(fā)射被加速的電子，由此增加PDP的亮度和發(fā)光效率。
被氧化的多孔硅還可以應(yīng)用于DC型PDP。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP的部分剖面圖。請(qǐng)參考圖11，上基板620和下基板610彼此面對(duì)且間隔預(yù)定的距離以使放電空間形成于其間。上基板620和下基板610之間的放電空間通過多個(gè)阻擋肋(未顯示)被劃分為放電單元614。熒光層(未顯示)被涂敷于放電單元614的內(nèi)表面上。
多個(gè)第一電極621a形成于下基板610的頂表面上。第一電極621a用作陰極電極。被氧化的多孔硅層626形成于第一電極621a的頂表面上。被氧化的多孔硅層626可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。多個(gè)第二電極621b形成于上基板620的的底表面上且垂直于第一電極621a。第二電極621b用作陽極電極。
在具有以上結(jié)構(gòu)的PDP中，當(dāng)在作為陰極電極的第一電極621a和作為陽極電極的第二電極621b之間施加預(yù)定的電壓時(shí)，電子由第一電極621a流入被氧化的多孔硅層626，然后，電子在通過被氧化的多孔硅層626時(shí)被加速且發(fā)射到放電單元614中。
而且，第一電極621a可以用作陽極電極且第二電極621b可以用作陰極電極。在這種情況下，被氧化的多孔硅層626形成于第二電極621b的底表面上。
如上所述的能夠提高電子發(fā)射特性的被氧化的多孔硅層也可以應(yīng)用于平面燈，該平面燈主要用作LCD的背光。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平面燈的剖面圖。
請(qǐng)參考圖12，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平面燈包括彼此面對(duì)且其間形成有放電空間的上面板和下面板。多個(gè)隔離物313設(shè)置于上面板和下面板之間，且放電空間通過隔離物313被分為多個(gè)放電單元314。放電氣體被注入放電單元314中。一般地，Ne和Xe的混合氣體用作放電氣體。熒光層315形成于放電單元314的內(nèi)壁上。
下面板包括下基板310、多個(gè)形成于下基板310的底表面上的第一和第二放電電極311a和311b、多個(gè)形成于下基板310的頂表面上的第一和第二基電極335a和335b、和多個(gè)分別形成于第一和第二基電極335a和335b的頂表面上的第一和第二被氧化的多孔硅層336a和336b。
下基板110一般可以由玻璃制成。第一和第二放電電極311a和311b平行形成于下基板310的底表面上且彼此間隔預(yù)定的距離。第一和第二放電電極311a和311b可以由諸如ITO、Al或Ag的導(dǎo)電材料形成。第一和第二基電極335a和335b形成于下基板310的頂表面上且對(duì)應(yīng)于第一和第二放電電極311a和311b。第一和第二基電極335a和335b平行于第一和第二放電電極311a和311b形成。第一和第二基電極335a和335b用作電極以在其頂表面上形成第一和第二被氧化的多孔硅層336a和336b。第一和第二基電極335a和335b可以由諸如ITO、Al或Ag的導(dǎo)電材料制成。
第一和第二被氧化的多孔硅層336a和336b具有與第一和第二基電極335a和335b相同的寬度。第一和第二被氧化的多孔硅層336a和336b可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。第一和第二被氧化的多孔硅層336a和336b放大電子發(fā)射。
上面板包括與下基板310間隔預(yù)定距離的上基板320、多個(gè)形成于上基板320的頂表面上的第三和第四放電電極321a和321b、多個(gè)形成于上基板320的底表面上的第三和第四基電極325a和325b、和多個(gè)分別形成于第三和第四基電極325a和325b的底表面上的第三和第四被氧化的多孔硅層326a和326b。
上基板320一般可以由玻璃制成。第三和第四放電電極321a和321b彼此間隔預(yù)定的距離且平行于第一和第二放電電極311a和311b而形成。第三和第四放電電極321a和321b可以由透明導(dǎo)電材料制成，諸如ITO?？蛇x擇地，第三和第四放電電極321a和321b可以由導(dǎo)電材料制成，諸如Al或Ag。第三和第四基電極325a和325b形成于上基板320的底表面上，且對(duì)應(yīng)并平行于第三和第四放電電極321a和321b。第三和第四基電極325a和325b用作電極以在其底表面上形成第三和第四被氧化的多孔硅層326a和326b。第三和第四基電極325a和325b可以由透明導(dǎo)電材料制成，諸如ITO。可選擇地，第三和第四基電極325a和325b可以由導(dǎo)電材料制成，諸如Al或Ag。
第三和第四被氧化的多孔硅層326a和326b具有與第三和第四基電極325a和325b相同的寬度。第三和第四被氧化的多孔硅層326a和326b可以是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。第三和第四被氧化的多孔硅層326a和326b放大電子發(fā)射。
在具有以上結(jié)構(gòu)的平面燈中，當(dāng)預(yù)定的電壓施加于第一和第二放電電極311a和311b時(shí)，在第一和第二被氧化的多孔硅層336a和336b中被加速的電子被發(fā)射到放電單元314中。當(dāng)預(yù)定的電壓施加于第三和第四放電電極321a和321b時(shí)，在第三和第四被氧化的多孔硅層326a和326b中被加速的電子被發(fā)射到放電單元314中。由于放大電子發(fā)射的這些效應(yīng)，提高了平面燈的亮度和發(fā)光效率。
盡管在本發(fā)明中說明了其中在上面板和下面板的每一個(gè)上形成一對(duì)放電電極的表面放電型平面燈，但本實(shí)施例不限于此，且可以應(yīng)用于其中在上面板和下面板之一上形成一對(duì)放電電極的表面放電型平面燈。此外，本實(shí)施例可以應(yīng)用于其中在上面板和下面板上形成一對(duì)放電電極的相對(duì)放電型平面燈。
下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平面燈的制造方法。
圖13A至13E是示出圖12的平面燈的下面板制造方法的視圖。在圖13A至圖13E中，基板對(duì)應(yīng)于圖12所示的下基板。
請(qǐng)參考圖13A，在基板310的底表面上淀積諸如ITO、Al或Ag的導(dǎo)電材料，且構(gòu)圖該材料以形成第一和第二放電電極311a和311b。之后，在基板310的頂表面上淀積諸如ITO、Al或Ag的基電極335的材料至預(yù)定厚度。然后，構(gòu)圖材料335至預(yù)定形狀以形成第一和第二基電極335a和335b，如圖13B所示。
請(qǐng)參考圖13C，在基板310的頂表面上形成硅層337以使第一和第二基電極335a和335b被掩埋于硅層337中。硅層337可以是多晶硅層或非晶硅層?？梢栽诩s400℃或更低的溫度下利用PECVD形成硅層337至預(yù)定的厚度。
請(qǐng)參考圖13D，設(shè)置于基電極335a和335b之上的硅層337的部分被變?yōu)槎嗫坠鑼?。具體地，可以利用氟化氫(HF)和乙醇的混合溶液、以施加于第一和第二基電極335a和335b的預(yù)定的電流密度通過陽極化硅層337而形成多孔硅層。然后，利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層。具體地，在硫酸的水溶液中對(duì)所述多孔硅層施加預(yù)定的電流密度以獲得被氧化的多孔硅層336a和336b。
請(qǐng)參考圖13E，去除在基板310上遺留的硅層337的部分以獲得如圖12所示的平面燈的下面板。利用與對(duì)于下面板的以上描述相同的過程來制造如圖12所述的平面燈的上面板。
圖14A和14B分別是傳統(tǒng)的平面燈和根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平面燈的剖面圖。該傳統(tǒng)的平面燈和該平面燈均用于確定放電氣體的電壓對(duì)壓力的曲線。在該實(shí)驗(yàn)中，為了便于測(cè)量，使用相對(duì)放電型平面燈。
請(qǐng)參考圖14A，在傳統(tǒng)的平面燈中，放電電極711和721分別形成于下基板710和上基板720的外表面上，且硅晶片731分別形成于下基板710和上基板720的內(nèi)表面上。請(qǐng)參考圖14B，放電電極811和821分別形成于下基板810和上基板820的外表面上，被氧化的多孔硅層836分別形成于下基板810和上基板820的內(nèi)表面之上。附圖標(biāo)記830、835和837分別表示基板、基電極和硅層。
圖15是圖14A所示的傳統(tǒng)燈和圖14B所示的平面燈的放電氣體的電壓對(duì)壓力的曲線。請(qǐng)參考圖15，在圖14B中所示的平面燈的放電起始電壓Vf和放電維持電壓Vs分別低于在圖14A中所示的傳統(tǒng)平面燈的放電起始電壓Vf和放電維持電壓Vs。
如上所示，根據(jù)本發(fā)明的PDP和平面燈具有以下效果。
首先，PDP和平面燈可以通過在面板上形成被氧化的多孔硅層而提高亮度和發(fā)光效率，該被氧化的多孔硅層即使在低真空條件下也具有出色的電子發(fā)射特性。
第二，PDP和平面燈可以具有減小的放電電壓。
盡管已參考其示例性實(shí)施例具體表示并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不背離由所附權(quán)利要求界定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括彼此面對(duì)的上面板和下面板；多個(gè)尋址電極，其形成于所述下面板中；多個(gè)維持電極，其形成于所述上面板中；以及多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于所述上面板中且對(duì)應(yīng)于所述維持電極。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中在所述維持電極之下形成有基電極且所述被氧化的多孔硅層形成于所述基電極的底表面上。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中在所述維持電極的底表面上形成有總線電極。
5.一種等離子體顯示板，包括上基板和下基板，其彼此面對(duì)且其間形成有放電空間；多個(gè)尋址電極，其形成于所述下基板的頂表面上；第一介電層，其形成于所述下基板的頂表面上以使所述尋址電極被掩埋于所述第一介電層中；多個(gè)維持電極，其形成于所述上基板的底表面上且在與所述尋址電極相交的方向上；第二介電層，其形成于所述上基板的底表面上以使所述維持電極被掩埋于所述第二介電層中；被氧化的多孔硅層，其形成于所述第二介電層之下；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于所述上基板和所述下基板之間且將所述放電空間劃分為放電單元；以及熒光層，其形成于所述放電單元的內(nèi)壁上。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層形成于所述第二介電層的整個(gè)底表面上。
8.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層對(duì)應(yīng)于所述維持電極形成且具有與所述維持電極相同的寬度。
9.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中在所述被氧化的多孔硅層的頂表面上形成有基電極。
10.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中在所述維持電極的底表面上形成有總線電極。
11.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中在所述第二介電層和所述被氧化的多孔硅層的底表面上形成有保護(hù)層。
12.一種等離子體顯示板，包括上基板和下基板，其彼此面對(duì)且其間形成有放電空間；多個(gè)尋址電極，其形成于所述下基板的頂表面上；第一介電層，其形成于所述下基板的頂表面上以使所述尋址電極被掩埋于所述第一介電層中；多個(gè)維持電極，其形成于所述上基板的底表面上且在與所述尋址電極相交的方向上；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于所述維持電極的底表面上；第二介電層，其形成于所述上基板的底表面上且暴露所述被氧化的多孔硅層的底表面；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于所述上基板和下基板之間且將所述放電空間劃分為放電單元；以及熒光層，其形成于所述放電單元的內(nèi)壁上。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
14.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中在所述維持電極和所述被氧化的多孔硅層之間形成有總線電極。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示板，其中所述總線電極沿所述維持電極的邊緣形成且具有比所述維持電極更窄的寬度。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層具有與所述總線電極相同的寬度。
17.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中在所述第二介電層和所述被氧化的多孔硅層的底表面上形成有保護(hù)層。
18.一種等離子體顯示板的制造方法，包括在基板的頂表面上形成多個(gè)維持電極并形成介電層，以使所述維持電極被掩埋于所述介電層中；在所述介電層的頂表面上形成多個(gè)基電極且所述基電極平行于所述維持電極；在所述介電層的頂表面上形成硅層以使所述基電極被掩埋于所述硅層中；將設(shè)置在所述基電極上方的硅層部分轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼樱谎趸龆嗫坠鑼?；以及去除遺留在所述介電層上的硅層部分。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中通過在所述介電層的頂表面上淀積基電極的材料并構(gòu)圖所述材料來形成所述基電極。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在所述介電層和所述被氧化的多孔硅層的頂表面上形成保護(hù)層。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在所述維持電極的頂表面上形成總線電極。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述硅層是多晶硅層或非晶硅層，并使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積形成。
23.如權(quán)利要求18所述的方法，其中通過利用氟化氫和乙醇的混合溶液陽極化設(shè)置于所述基電極上方的硅層來形成所述多孔硅層。
24.如權(quán)利要求18所述的方法，其中通過利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層而形成所述被氧化的多孔硅層。
25.一種等離子體顯示板的制造方法，包括在基板的頂表面上形成多個(gè)維持電極且在所述維持電極的頂表面上形成總線電極；在所述基板上形成介電層以使所述維持電極和所述總線電極被掩埋在所述介電層中；蝕刻所述介電層以形成暴露所述總線電極的頂表面的溝槽；在所述總線電極的頂表面上形成硅層；將所述硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼樱灰约把趸龆嗫坠鑼印?br> 26.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括在所述介電層和所述被氧化的硅層的頂表面上形成保護(hù)層。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述硅層是多晶硅層或非晶硅層且使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積形成。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，其中通過利用氟化氫和乙醇的混合溶液陽極化設(shè)置于所述基電極上方的所述硅層來形成所述多孔硅層。
29.如權(quán)利要求25所述的方法，其中通過利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層來形成所述被氧化的多孔硅層。
30.一種等離子體顯示板的制造方法，包括在基板的頂表面上形成多個(gè)維持電極且形成介電層，以使所述維持電極被掩埋于所述介電層中；蝕刻所述介電層以形成暴露所述維持電極的頂表面的溝槽；在所述維持電極的頂表面上形成硅層；將所述硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼?；以及氧化所述多孔硅層?br> 31.一種等離子體顯示板，包括上基板和下基板，其彼此面對(duì)且其間形成有放電空間；多個(gè)第一電極，其形成于所述下基板的頂表面上；第一介電層，其形成于所述下基板的頂表面上以使所述第一電極被掩埋于所述第一介電層中；多個(gè)第二電極，其形成于所述上基板的底表面上且在與所述第一電極相交的方向上；第二介電層，其形成于所述上基板的底表面上以使所述第二電極被掩埋于所述第二介電層中；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于所述第一介電層之上或所述第二介電層之下，或者形成于所述第一介電層之上和所述第二介電層之下，并且其對(duì)應(yīng)于所述第一電極或所述第二電極；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于所述上基板和所述下基板之間并將所述放電空間劃分為放電單元；以及熒光層，其形成于所述放電單元的內(nèi)壁上。
32.如權(quán)利要求31所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
33.如權(quán)利要求31所述的等離子體顯示板，其中在所述介電層和所述被氧化的多孔硅層之間形成有基電極。
34.一種等離子體顯示板，包括上基板和下基板，其彼此面對(duì)且其間形成有放電空間；多個(gè)第一電極，其形成于所述下基板的頂表面上；多個(gè)第二電極，其形成于所述上基板的底表面上且在與所述第一電極相交的方向上；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于所述第一電極上或所述第二電極上；多個(gè)阻擋肋，其設(shè)置于所述上基板和下基板之間并將所述放電空間劃分為放電單元；以及熒光層，其形成于所述放電單元的內(nèi)壁上。
35.如權(quán)利要求34所述的等離子體顯示板，其中其上形成有所述第一電極和所述第二電極間的被氧化的多孔硅層的電極是陰極電極。
36.如權(quán)利要求34所述的等離子體顯示板，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
37.一種平面燈，包括彼此面對(duì)的上面板和下面板；多個(gè)放電電極，其形成于所述上面板和所述下面板中的至少一個(gè)中；以及多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于其上形成有所述放電電極的面板中且對(duì)應(yīng)于所述放電電極。
38.如權(quán)利要求37所述的平面燈，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
39.如權(quán)利要求37所述的平面燈，其中在所述被氧化的多孔硅層的頂表面上或底表面上形成總線電極。
40.一種平面燈，包括上基板和下基板，其彼此面對(duì)且其間形成有放電空間；多個(gè)放電電極，其形成于所述上基板和所述下基板的至少一個(gè)的外表面上；多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于其上形成有所述放電電極的所述基板的內(nèi)表面上，所述被氧化的多孔硅層對(duì)應(yīng)于所述放電電極且平行于所述放電電極；多個(gè)隔離物，其設(shè)置于所述上基板和所述下基板之間；以及熒光層，其形成于所述放電空間的內(nèi)壁上。
41.如權(quán)利要求40所述的平面燈，其中所述被氧化的多孔硅層是被氧化的多孔多晶硅層或被氧化的多孔非晶硅層。
42.如權(quán)利要求40所述的平面燈，其中在所述被氧化的多孔硅層和其上形成有所述放電電極的所述基板的內(nèi)表面之間形成多個(gè)基電極。
43.一種平面燈的制造方法，包括在基板的底表面上形成多個(gè)放電電極且在所述基板的頂表面上形成多個(gè)基電極；在所述基板的頂表面上形成硅層以使所述基電極被掩埋在所述硅層中；將設(shè)置在所述基電極上方的硅層部分轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫坠鑼?；氧化所述多孔硅層；以及去除遺留在所述基板上的硅層部分。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其中通過在所述基板的頂表面上淀積基電極的材料并構(gòu)圖所述材料來形成所述基電極。
45.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述硅層是多晶硅層或非晶硅層，且利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積形成。
46.如權(quán)利要求43所述的方法，其中通過利用HF和乙醇的混合溶液陽極化設(shè)置在所述基電極上方的硅層部分來形成所述多孔硅層。
47.如權(quán)利要求43所述的方法，其中通過利用電化學(xué)氧化方法氧化所述多孔硅層來形成所述被氧化的多孔硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示板(PDP)和一種平面燈。所述等離子體顯示板包括彼此面對(duì)的下面板和上面板；多個(gè)尋址電極，其形成于所述下面板中；多個(gè)維持電極，其形成于所述上面板中；以及，多個(gè)被氧化的多孔硅層，其形成于所述上面板上并對(duì)應(yīng)于所述維持電極。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1722346SQ200510073888
公開日2006年1月18日 申請(qǐng)日期2005年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月13日
發(fā)明者孫承賢, 畑中秀和, 金永模, 李鎬年, 藏尚勛, 李圣儀, 樸亨彬, 金起永 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社