專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板，并且具體地涉及一種可以在一種簡單的工藝中以減少的成本制造的且可以將等離子體放電時在板中產生的熱分散至外部的等離子體顯示板。
背景技術：
利用電學的氣體放電顯示圖像的等離子體顯示板(PDP)具有如高亮度和寬視角的卓越的顯示性能。通過當對在放電單元中的電極施加直流或交流時在放電單元中產生的氣體放電，PDP產生可見光。在放電期間產生紫外線，該紫外線激發(fā)在放電單元中設置的熒光材料，且通過發(fā)射可見光，被激發(fā)的熒光材料去激發(fā)。
圖1是圖示傳統(tǒng)的反射PDP的局部透視圖，且圖2是圖示圖1的反射PDP的內部結構的垂直剖面圖。在圖2中，為了清楚地顯示PDP的內部結構，旋轉90°顯示后基板。
請參考圖1和2，設置前基板10和后基板20彼此面對，且通過多個在后基板20上的分離肋24保持兩者之間的預定距離。因此，形成由前基板10、后基板20和分離肋24包圍的放電空間。
在前基板10的內表面上形成導致表面放電的多個保持電極對11a和11b。保持電極對11a和11b由如銦錫氧化物(ITO)的透明導電材料形成以通過前基板10透射可見光。而且，在每個保持電極對11a和11b上形成具有窄寬度的總線電極對12a和12b以減小保持電極對11a和11b的電性電阻?？偩€電極對12a和12b由如Ag、Al或Cu的金屬形成。通過第一介電層13埋覆保持電極對11a和11b以及總線電極對12a和12b，且在第一介電層13上形成保護層14。
在后基板20的內表面上垂直于保持電極對11a和11b形成多個地址電極21，且通過第二介電層23埋覆地址電極21。而且，在第二介電層23上形成彼此平行且由預定的距離分開的具有預定高度的分離肋24。在每個放電單元中在分離肋24的側表面和第二介電層23上形成熒光層25。
但是，具有以上結構的傳統(tǒng)的PDP具有以下問題。
首先，依據增加PDP尺寸的最新趨勢，需要制造大基板。但是為了制造大基板，需要大規(guī)模生產的設備，因此增加了制造成本。而且，因高故障率其產率低。
其次，在等離子體放電期間產生的熱可以惡化運行特性以及PDP的壽命。因此，需要改進PDP以有效地發(fā)散等離子體放電期間產生的熱。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種可以在一種簡單的工藝中以減少的成本制造的且可以將等離子體放電時在板中產生的熱分散至外部的等離子體顯示板。
依據本發(fā)明的一方面，提供有一種PDP，包括前基板和與前基板保持預定距離的后基板；在前基板和后基板之間形成的多個分離肋；在放電空間中導致等離子體放電的放電產生單元；和由于放電產生可見光的熒光層，其中后基板包括至少兩個彼此連接的后基板部分。


通過參考附圖和本發(fā)明的示范性實施例的詳細描述，本發(fā)明的以上和其它特征的優(yōu)點將變得更加明顯易懂，其中圖1是圖示傳統(tǒng)的反射PDP的局部透視圖；圖2是圖示圖1的反射PDP的內部結構的垂直剖面圖；圖3是本發(fā)明的第一實施例的反射PDP的分解透視圖；圖4是圖3的反射PDP的垂直剖面圖；圖5是本發(fā)明的第二實施例的反射PDP的分解透視圖；圖6是圖5的反射PDP的垂直剖面圖；圖7是本發(fā)明的第三實施例的透射PDP的分解透視圖；圖8是圖7的透射PDP的垂直剖面圖；圖9是本發(fā)明的第四實施例的透射PDP的分解透視圖；和圖10是圖9的透射PDP的垂直剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將參考顯示了本發(fā)明的示范性實施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明。
圖3是本發(fā)明的第一實施例的反射PDP的分解透視圖，且圖4是圖3的反射PDP的垂直剖面圖。在圖4中，為了清楚地顯示PDP的內部結構，旋轉90°顯示后基板。
請參考圖3和4，設置前基板30和后基板40彼此面對，且通過多個在后基板40上形成的分離肋44保持兩者之間的預定間隙。因此，形成由前基板30、后基板40和分離肋44包圍的放電空間48，且在每個放電空間48中形成導致等離子體放電的放電產生單元。放電產生單元包括可以包括至少保持電極和地址電極之一的放電電極。
在前基板30的內表面上形成多個彼此平行的第一和第二保持電極對31a和31b。第一和第二保持電極對31a和31b由如ITO的透明導電材料形成，以便通過前基板30透射可見光。通過第一介電層33埋覆第一和第二保持電極對31a和31b。
在后基板40的內表面上垂直于第一和第二保持電極對31a和31b形成多個地址電極41，且通過第二介電層43埋覆地址電極41。而且，在第二介電層43上形成彼此平行且由預定的距離分開的具有預定高度的分離肋44。在每個放電單元中在分離肋44的側表面和第二介電層43上形成熒光層45。
依據本發(fā)明，PDP的后基板40包括至少兩個彼此連接的后基板部分40a和40b。由后基板部分40a和40b形成的連接線47平行于地址電極41。在連接線47上可以形成分離肋44。
依據本發(fā)明，因為以至少兩個連接在一起的后基板部分40a和40b形成后基板40，所以不需要生產大基板的大規(guī)模生產設備。由此，在傳統(tǒng)的制造設備中可以生產本發(fā)明的基板。而且，可以改進與制造大尺寸基板相關的高制造成本和低產率。
后基板部分40a和后基板部分40b可以通過焊接或在后基板部分40a和40b上通過帶或螺釘固定的連接元件連接。
后基板部分40a和40b可以由金屬形成，其在制造成本和工藝的簡單性上有優(yōu)勢。
依據本發(fā)明的另一實施例，還可以在后基板40和地址電極41之間以及后基板40和第二介電層43之間形成平坦化層46。因為由通過后基板部分40a和40b形成的連接線47引起的內表面可能不均勻，所以平坦化層46平坦化后基板40的內表面。在平坦化層46上形成地址電極41和第二介電層43。而且，當后基板部分40a和40b由如金屬的導電材料形成時，平坦化層46可以作為地址電極41和后基板部分40a和40b之間的絕緣層。
平坦化層46由如PbO、SiO2或Si3N4的介電材料形成至1-200μm的厚度。
圖5是本發(fā)明的第二實施例的反射PDP的分解透視圖，且圖6是圖5的反射PDP的垂直剖面圖。在圖6中，為了清楚地顯示PDP的內部結構，旋轉90°顯示后基板。
現(xiàn)將描述本發(fā)明的第二實施例。在第二實施例的描述中，將描述新的元件且與第一實施例中相同的元件將通過與圖3和4的對應元件的相同的附圖標記指示。
請參考圖5和6，在第二實施例中，在后基板部分40a和40b的外表面上還包括多個用于發(fā)散熱的冷卻針柵49。冷卻針柵49增加了后基板部分40a和40b的外表面與空氣的接觸面積，由此有效地發(fā)散在等離子體放電期間產生的熱至外部。因此，可以克服由于在等離子體放電期間產生的熱引起的傳統(tǒng)的PDP的運行特性和壽命的惡化。
冷卻針柵49可以由金屬形成且與后基板部分40a和40b連接或制造為一整體。
圖7是本發(fā)明的第三實施例的透射PDP的分解透視圖，且圖8是圖7的透射PDP的垂直剖面圖。在圖8中，為了清楚地顯示PDP的內部結構，旋轉90°顯示后基板。
請參考圖7和8，設置前基板50和至少兩個后基板部分60a和60b彼此面對，且通過多個在前基板50上形成的分離肋54保持兩者之間的預定間隙。因此，形成由前基板50、后基板部分60a和60b以及分離肋54包圍的放電空間68，且在每個放電空間68中形成導致等離子體放電的放電產生單元。放電產生單元包括放電電極，其可以包括至少保持電極和地址電極之一。
在前基板50的內表面上形成通過預定的距離分開且彼此平行的多個地址電極51。地址電極51由如ITO的透明材料形成，以便通過前基板50透射可見光。通過第一介電層53埋覆地址電極51。在第一介電層53上形成通過預定的距離分開的且彼此平行的具有預定高度的多個分離肋54。在每個放電單元中在分離肋54的側表面和第一介電層53上形成通過等離子體放電產生可見光的熒光層55。
在后基板部分60a和60b的內表面上形成多個彼此平行且垂直于地址電極51的第一和第二保持電極對61a和61b。通過第二介電層63埋覆第一和第二保持電極對61a和61b。
依據本發(fā)明，至少兩個后基板部分60a和60b彼此連接，且由后基板部分60a和60b的連接形成的連接線67平行于第一和第二保持電極對61a和61b。
依據本發(fā)明的第三實施例，預先在每個后基板部分60a和60b上形成第一和第二保持電極對61a和61b以及第二介電層63，且然后連接后基板部分60a和60b。因此，可簡化制造PDP的工藝，由此減少制造成本且增加產率。
可以通過焊接或通過帶或螺釘在后基板部分60a和60b上固定的連接元件連接后基板部分60a與后基板部分60b。
后基板部分60a和60b可以由金屬形成，其在制造成本和工藝的簡單性上有優(yōu)勢。
依據本發(fā)明的另一實施例，還可以在后基板部分60a和60b與第一和第二保持電極對61a與61b之間以及后基板部分60a和60b與第二介電層63之間形成介電層(未顯示)。在該介電層上形成第一和第二保持電極對61a與61b和第二介電層63。當后基板部分60a和60b由如金屬的導電材料形成時，該介電層可以作為第一和第二保持電極對61a和61b與后基板部分60a和60b之間的絕緣層。該介電層由如PbO、SiO2或Si3N4的介電材料形成至1-200μm的厚度。
圖9是本發(fā)明的第四實施例的透射PDP的分解透視圖，且圖10是圖9的透射PDP的垂直剖面圖。
在本發(fā)明的第四實施例中，將描述新的元件且與以前的實施例中相同的元件將通過與圖7和8的對應元件的相同的附圖標記指示。
請參考圖9和10，在第四實施例中，在后基板部分60a和60b的外表面上還包括多個用于發(fā)散熱的冷卻針柵69。冷卻針柵69增加了后基板部分60a和60b的外表面與空氣的接觸面積，由此有效地發(fā)散在等離子體放電期間產生的熱至外部。因此，可以解決由于在等離子體放電期間產生的熱引起的傳統(tǒng)的PDP的運行特性和壽命的惡化。
冷卻針柵69可以由金屬形成且與后基板部分60a和60b連接或制造為一整體。
依據本發(fā)明，通過使用其中后基板包括至少兩個彼此連接的后基板部分的PDP結構可以減少制造傳統(tǒng)的大基板的成本和工作。因此，可以簡化制造PDP的工藝，由此減少制造成本且增加產率。
而且，通過提供增加后基板部分的外表面與空氣之間的接觸面積的冷卻針柵，可以有效地發(fā)散在等離子體放電期間產生的熱。
雖然參考本發(fā)明的示范性實施例具體地顯示和描述了本發(fā)明，本領域的一般技術人員應當理解，在不背離如所附權利要求中所界定的本發(fā)明的精神和范圍內，可以在此做出形式和細節(jié)上的不同的改變。
權利要求
1.一種等離子體顯示板，包括前基板和與所述前基板保持預定的距離的后基板；多個分離肋，形成于所述前基板和所述后基板之間；放電產生單元，其在放電空間中導致等離子體放電；和熒光層，由于放電產生可見光，其中所述后基板包括至少兩個彼此連接的后基板部分。
2.如權利要求1的等離子體顯示板，其中所述后基板部分由金屬形成。
3.如權利要求1的等離子體顯示板，其中所述后基板部分通過焊接連接。
4.如權利要求1的等離子體顯示板，其中所述后基板部分通過帶連接。
5.如權利要求1的等離子體顯示板，還包括平坦化所述后基板的平坦化層，在平坦化之前，由于所述后基板部分之間的連接線，所述后基板的內表面是非均勻的。
6.如權利要求5的等離子體顯示板，其中所述平坦化層由介電體形成。
7.如權利要求6的等離子體顯示板，其中所述平坦化層由選自PbO、SiO2和Si3N4構成的組中的材料組成。
8.如權利要求7的等離子體顯示板，其中所述平坦化層形成至1-200μm的厚度。
9.如權利要求1的等離子體顯示板，還包括在所述后基板的外表面上的用于散發(fā)熱的冷卻針柵。
10.如權利要求9的等離子體顯示板，其中所述冷卻針柵連接所述后基板。
11.如權利要求9的等離子體顯示板，其中所述冷卻針柵與所述后基板形成為一整體。
12.如權利要求9的等離子體顯示板，其中所述冷卻針柵由金屬形成。
13.如權利要求1的等離子體顯示板，其中所述放電產生單元包括多個在所述前基板的內表面上彼此平行形成的第一和第二保持電極對。
14.如權利要求13的等離子體顯示板，其中通過第一介電層埋覆所述第一和第二保持電極對。
15.如權利要求13的等離子體顯示板，其中所述放電產生單元還包括多個形成的地址電極以在所述后基板的內表面橫跨所述第一和第二保持電極。
16.如權利要求15的等離子體顯示板，其中通過第二介電層埋覆所述地址電極。
17.如權利要求15的等離子體顯示板，其中通過連接所述后基板部分形成的連接線平行于所述地址電極。
18.如權利要求17的等離子體顯示板，其中在所述連接線上形成所述分離肋。
19.如權利要求1的等離子體顯示板，其中所述等離子產生單元還包括多個在所述前基板上由預定距離分開的且彼此平行的地址電極。
20.如權利要求19的等離子體顯示板，其中通過第一介電層埋覆所述地址電極。
21.如權利要求19的等離子體顯示板，其中所述放電產生單元還包括多個在橫跨所述地址電極的方向上彼此平行形成的第一和第二保持電極對。
22.如權利要求21的等離子體顯示板，其中通過第二介電層埋覆所述第一和第二保持電極對。
23.如權利要求21的等離子體顯示板，其中通過所述后基板部分的連接形成的連接線平行于所述第一和第二保持電極對。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示板，該等離子體顯示板包括前基板和與前基板保持預定距離的后基板；在前基板和后基板之間形成的多個分離肋；在放電空間中導致等離子體放電的放電產生單元；和由于放電產生可見光的熒光層，其中后基板包括至少兩個彼此連接的后基板部分。該等離子體顯示板可以在一種簡單的工藝中以減少的成本制造且可以將等離子體放電時在板中產生的熱發(fā)散至外部。
文檔編號H01J11/24GK1734700SQ200510073728
公開日2006年2月15日 申請日期2005年5月20日 優(yōu)先權日2004年8月3日
發(fā)明者金永模, 畑中秀和, 李鎬年, 孫承賢, 藏尚勛, 李圣儀, 金起永, 樸亨彬 申請人:三星Sdi株式會社