專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，特別涉及一種具有能產(chǎn)生高密度放電的放電室結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(下文稱作“PDP”)是一種利用等離子體放電的顯示設(shè)備。由等離子體放電發(fā)射的真空紫外(下文稱作“VUV”)光激發(fā)熒光層，然后該熒光層發(fā)射可見光?？梢姽庥脕盹@示圖像。近來，PDP已作為一種尺寸為60英寸或更大但厚度僅為10cm或更薄的超薄寬屏設(shè)備被實現(xiàn)。此外，因為它是一種自發(fā)光發(fā)射設(shè)備例如陰極射線管(CRT)，所以PDP具有良好的色彩再現(xiàn)性。此外，PDP沒有因其視角問題產(chǎn)生的圖像失真。另外，與液晶顯示器(LCD)相比，PDP制造方法更為簡單，從而PDP的生產(chǎn)成本較低且生產(chǎn)率較高。因此，PDP有望成為下一代的工業(yè)和家用電視的顯示設(shè)備。
自20世紀(jì)70年代以來，已開發(fā)了各種結(jié)構(gòu)的PDP。近年來，三電極表面放電型PDP已得到了廣泛的應(yīng)用。在三電極表面放電型PDP中，包括掃描和維持電極的兩個電極被設(shè)置在一個基板上，并且一個尋址電極以與掃描和維持電極交叉的方向設(shè)置在另一個基板上。這兩個基板相互隔離以提供放電空間。放電空間填充放電氣體。一般地，在三電極表面放電型PDP中，由尋址放電來確定放電的存在。具體地說，在分別控制的掃描電極和與掃描電極相對的尋址電極之間對向放電時，產(chǎn)生尋址放電，并且在設(shè)置在同一基板上的掃描和維持電極之間表面放電時，產(chǎn)生與亮度有關(guān)的維持放電。
近來，42英寸的XGA(1024×768)分辨率的PDP已經(jīng)用于商業(yè)生產(chǎn)。此外，需求一種Full-HD(高清晰度)分辨率的PDP。為實現(xiàn)Full-HD(1920×1080)分辨率即高顯示密度的PDP，必須要大大減少放電室的尺寸。
在傳統(tǒng)的三電極表面放電型PDP中，放電室尺寸的減少會導(dǎo)致電極的長度和面積的減少。結(jié)果，會伴隨著放電效率和亮度降低以及放電點火電壓增加的問題。因此，為實現(xiàn)高顯示密度的PDP，就需要一種不同于傳統(tǒng)放電結(jié)構(gòu)的新放電結(jié)構(gòu)，其中，當(dāng)對向放電時產(chǎn)生尋址放電，并且當(dāng)在顯示電極之間的表面放電時產(chǎn)生維持放電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體顯示面板，其具有可使產(chǎn)生的維持放電作為一對顯示電極之間的對向放電的放電室結(jié)構(gòu)以克服因使用小尺寸放電室引起的問題。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種等離子體顯示面板包括第一基板和第二基板，相互面對；多個障肋，分隔在第一和第二基板之間的放電空間以限定多個放電室；尋址電極，在預(yù)定的方向上相互平行地延伸；第一和第二電極，以與尋址電極的方向交叉的方向設(shè)置在第二基板上，第一和第二電極，與尋址電極隔開且被設(shè)置與多個放電室的每個相對應(yīng)；和熒光層，涂覆在多個放電室上；其中第一和第二電極在從第二基板向第一基板的方向突出，且相互面對以提供其間的空間。
根據(jù)本發(fā)明，第一和第二電極與尋址電極形成在不同的層上。
此外，在第一和第二電極的橫截面，第一和第二電極的橫截面的高度可大于其寬度。此外，第一和第二電極可由金屬電極實現(xiàn)。
此外，第一介電層被形成以覆蓋在第二基板上的尋址電極，并且第二介電層被形成以包圍設(shè)置在第一介電層上的第一和第二電極。
此外，形成在面對第一基板的第一和第二電極的頂面上的第二介電層的厚度，可大于形成在第一和第二電極面對的表面上的第二介電層的厚度。
此外，尋址電極的每個包括沿多個放電室的放電室的一個邊緣延伸的匯流電極，和從匯流電極朝著放電室的對立邊緣凸出的凸出電極。
凸出電極可呈矩形形狀。此外，凸出電極在一端具有凹進(jìn)部分，該凹進(jìn)部分可通過在一個或更多凸出電極的角部提供的凸出而形成。另外，凹進(jìn)部分可呈弧形形狀。
此外，凸出電極的形成方式是凸出電極靠近第二電極的區(qū)域大于靠近第一電極的區(qū)域。此外，凸出電極的形成方式是凸出電極的區(qū)域在從第一電極向第二電極延伸的方向上逐漸增加。最后，凸出電極設(shè)置在第二電極附近。


當(dāng)參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明時，本發(fā)明的更全面的解釋及其所附的優(yōu)點將更加清楚，同時也更易于理解，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板(PDP)的局部分解透視圖；圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP的電極和放電室的局部俯視示意圖；圖3是沿圖1中的A-A線截取的裝配的PDP的局部分解剖視圖；圖4顯示了在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP和傳統(tǒng)的三電極表面放電型PDP中，真空紫外(VUV)光效率關(guān)于放電維持電壓的曲線圖；圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的PDP的電極的局部俯視示意圖；圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的PDP的電極的局部俯視示意圖；圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的PDP的電極的局部俯視示意圖；圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的PDP的電極的局部俯視示意圖；圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實施例的PDP的電極的局部俯視示意圖；以及圖10是AC三電極表面放電型PDP的局部分解透視圖。
具體實施例方式
將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例。盡管本發(fā)明有許多不同形式的實施例，但是本發(fā)明不應(yīng)該限于所提出的實施例而被構(gòu)建。當(dāng)然，提供的這些實施例為使說明書完整且完全，而且會將本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的標(biāo)號表示相同的元件，因此將省略對它們的描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖；圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的電極和放電室的局部俯視示意圖；以及圖3是沿圖1中的A-A線截取的裝配的PDP的局部分解剖視圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板包括第一基板10(下文稱作“后基板”)和第二基板20(下文稱作“前基板”)。后基板10和前基板20相互面對?；?0和20被定位在其之間創(chuàng)建放電空間。放電空間被障肋16隔開以限定多個放電室18。熒光層19被設(shè)置以涂覆障肋16的側(cè)壁和放電室18的下表面。熒光層19吸收真空紫外(VUV)光且發(fā)射可見光。放電空間的放電室充滿放電氣體。例如，放電氣體是Xe和Ne的混合氣體。
尋址電極32在某個方向(圖中的y方向)相互平行地設(shè)置在前基板20的內(nèi)表面上。介電層28設(shè)置在前基板20的內(nèi)表面上以覆蓋尋址電極32。尋址電極32由預(yù)定的距離相互隔開。
顯示電極25以與尋址電極32接近被設(shè)置。顯示電極25通過介電層28被電絕緣并且與尋址電極32隔開。
另一方面，介電層14設(shè)置在后基板10的內(nèi)表面上。障肋16設(shè)置在介電層14上。障肋16的每個包括第一和第二障肋元件16a和16b。第一障肋元件16a沿平行于尋址電極32的方向延伸，且第二障肋元件16b沿與第一障肋元件16a交叉的方向延伸，以使放電室18的每個被分隔成獨立的放電空間。障肋結(jié)構(gòu)并不局限于上述結(jié)構(gòu)。例如，在本發(fā)明中可實現(xiàn)條紋結(jié)構(gòu)，其中，縱向障肋平行于尋址電極被設(shè)置。此外，其它障肋結(jié)構(gòu)可在本發(fā)明中被實現(xiàn)。
另一方面，障肋16可直接形成在后基板10的內(nèi)表面上而沒有介電層插入在其間。
參見圖2，顯示電極25的每個包括第一電極21(下文稱作“維持電極”)和第二電極23(下文稱作“掃描電極”)。維持電極21和掃描電極23沿著與尋址電極32交叉的方向延伸。維持電極21用以在維持期期間施加放電電壓。掃描電極23用以在復(fù)位、尋址和維持期中施加放電電壓。掃描電極23參與了復(fù)位、尋址和維持期的所有放電。維持電極21主要參與在維持期期間的放電。電極的功能根據(jù)施加到電極的放電電壓而變化。因此，電極并不局限于上述功能。
在此實施例中，尋址電極32的每個包括凸出電極32a和匯流電極32b。匯流電極32b沿放電室18的一個邊緣延伸。凸出電極32a從匯流電極32b朝放電室18的相對的邊緣凸出。凸出電極32a是由例如氧化銦錫(ITO)制成的透明電極以增加PDP的孔徑比。優(yōu)選地，匯流電極32b是金屬電極。這樣可通過補(bǔ)償凸出電極32a的高電阻來增加匯流電極32b的傳導(dǎo)性。如圖3所示，凸出電極32a呈矩形形狀。
參見圖3，在此實施例中，維持電極21和尋址電極23在一個方向(圖中的z方向)從前基板20向后基板10凸出。此外，維持電極21和掃描電極23相互面對以限定其間的空間。對向放電產(chǎn)生在維持電極21和掃描電極23之間的空間中。
此外，在維持電極21和掃描電極23的橫截面中，維持電極21和掃描電極23的橫截面的高度w2(z向的長度)大于其寬度w1(y向的長度)。即使在放電室的平面尺寸減少以使顯示密度增加到高密度顯示的大小的情況下，也能通過加長維持電極21和掃描電極23的高度來補(bǔ)償放電室的平面尺寸的減少。
在該實施例中，維持電極21、掃描電極23和尋址電極32形成在不同的層上且通過介電層28電絕緣。介電層28包括第一介電層28a和第二介電層28b。第一介電層28a被形成以覆蓋在前基板20上的尋址電極32。第二介電層28b被形成以包圍維持電極21和掃描電極23，其是設(shè)置在第一介電層28a上的顯示電極25。
第一介電層28a和第二介電層28b可由相同的材料制成。優(yōu)選地，維持電極21和掃描電極23由金屬材料制成。
對于包圍維持電極21和掃描電極23的第二介電層28b，在維持電極21和掃描電極23的頂面面對著后基板10形成的第二介電層28b的厚度d2大于在維持電極21和掃描電極23的面對的側(cè)面上形成的第二介電層28b的厚度d1。通過利用第二介電層28b的結(jié)構(gòu)，可防止在相鄰放電室的電極之間的誤放電。
為保護(hù)第一介電層28a和第二介電層28b在等離子體放電期間免受離子的碰撞，由MgO制成的保護(hù)層29被設(shè)置以覆蓋第一介電層28a和第二介電層28b。此外，因為保護(hù)層29關(guān)于碰撞離子具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)，所以它能提高放電效率。
圖4顯示了在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP和傳統(tǒng)的三電極表面放電型PDP中，真空紫外(VUV)光效率關(guān)于放電維持電壓的曲線圖。
在這個實驗中，使用了具有Full-HD型的PDP。如曲線圖所示，與傳統(tǒng)三電極表面放電型PDP的放電效率相比，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP的放電效率(VUV效率)增加38％。在傳統(tǒng)三電極表面放電型PDP中，放電電極對設(shè)置在前基板上以在其上產(chǎn)生表面放電，并且尋址電極設(shè)置在后基板上以在尋址和顯示電極之間產(chǎn)生對向放電。
在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP中，在放電室18中與放電有關(guān)的所有電極設(shè)置在第二基板20上。即，尋址電極32和顯示電極25(維持電極21和掃描電極23)設(shè)置在第二基板20上。結(jié)果，由障肋16隔開的放電空間可增加。接著，被涂覆熒光層的面積可增加從而放電效率能得以提高。此外，在熒光層上電荷的連帶累積可防止由于離子濺射引起的熒光層的壽命的縮短。
此外，與尋址放電相關(guān)的掃描電極23和尋址電極32相互接近地設(shè)置，從而可降低尋址電壓。在維持電極21和掃描電極23之間的對向放電導(dǎo)致高放電效率的長間隙放電，從而與傳統(tǒng)表面放電型PDP相比，根據(jù)本發(fā)明的PDP具有較高的放電效率。此外，根據(jù)本發(fā)明的PDP可具有高顯示密度的小尺寸的放電室，從而可以克服傳統(tǒng)表面放電型PDP的問題，尤其是放電效率的降低、亮度的降低以及放電點火電壓的增加。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明第二到第六實施例的PDP。在這些實施例中，PDP的基本結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施例的PDP的基本結(jié)構(gòu)相同。因此，省略對相同結(jié)構(gòu)的描述。這里的描述將主要集中在根據(jù)第二到第六實施例的尋址電極的凸出電極的結(jié)構(gòu)。
圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的PDP中的電極的局部俯視示意圖。
在該實施例中，尋址電極322的每個包括匯流電極322b和凸出電極322a。匯流電極322b沿放電室18的一個邊緣延伸。凸出電極322a從匯流電極322b朝著放電室18的相對邊緣凸出。凸出電極322a是由例如氧化銦錫(下文稱作“ITO”)制成的透明電極以增加PDP的孔徑比。優(yōu)選地，匯流電極322b是金屬電極，其通過補(bǔ)償凸出電極322a的高電阻來增加匯流電極322b的傳導(dǎo)性。在該實施例中，如圖5所示，凸出電極322a在一端具有凹進(jìn)部分C1。凹進(jìn)部分C1通過在凸出電極322a的各個角部提供兩個凸起形成。
由于凹進(jìn)部分C1，還可增加PDP的孔徑比。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的PDP中的電極的局部俯視示意圖。
在此實施例中，尋址電極323的每個包括匯流電極323b和凸出電極323a。匯流電極323b沿放電室18的一個邊緣延伸。凸出電極323a從匯流電極323b朝著放電室18的相對邊緣凸出。凸出電極323a是由例如ITO制成的透明電極以增加PDP的孔徑比。優(yōu)選地，匯流電極323b是金屬電極，其通過補(bǔ)償凸出電極323a的高電阻來增加匯流電極323b的傳導(dǎo)性。在該實施例中，如圖6所示，凸出電極323a在一端具有凹進(jìn)部分C2。凹進(jìn)部分C2呈弧形形狀。
由于凹進(jìn)部分C1，還可增加PDP的孔徑比。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的PDP中的電極的局部俯視示意圖。
在此實施例中，尋址電極324的每個包括凸出電極324a和匯流電極324b。匯流電極324b沿放電室18的一個邊緣延伸。凸出電極324a從匯流電極324b朝著放電室18的相對邊緣凸出。凸出電極324a是由例如ITO制成的透明電極以增加PDP的孔徑比。優(yōu)選地，匯流電極324b是金屬電極，其通過補(bǔ)償凸出電極324a的高電阻來增加匯流電極324b的傳導(dǎo)性。在該實施例中，如圖7所示，凸出電極324a是以這樣的方式形成的，即在掃描電極23附近的凸出電極324a的區(qū)域要大于在維持電極21附近的凸出電極324a的區(qū)域。由于凸出電極324a的階梯部分還可能降低使穿過掃描電極23和尋址電極324的放電點火電壓降低低于穿過維持電極21和尋址電極324的放電點火電壓。
圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的PDP中的電極的局部俯視示意圖。
在此實施例中，尋址電極325的每個包括凸出電極325a和匯流電極325b。匯流電極325b沿放電室18的一個邊緣延伸。凸出電極325a從匯流電極325b朝著放電室18的相對邊緣凸出。凸出電極325a是由例如ITO制成的透明電極以增加PDP的孔徑比。優(yōu)選地，匯流電極325b是金屬電極，其通過補(bǔ)償凸出電極325a的高電阻增加匯流電極325b的傳導(dǎo)性。在該實施例中，如圖8所示，凸出電極325a是以這樣的方式形成的，即凸出電極325a在從維持電極21向掃描電極23延伸的方向上逐漸增加。由于凸出電極325a的傾斜部分還可使穿過掃描電極23和尋址電極325的放電點火電壓降低到低于穿過維持電極21和尋址電極325的放電點火電壓的點。
圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實施例的PDP中的電極的局部俯視示意圖。
在此實施例中，尋址電極326的每個包括凸出電極326a和匯流電極326b。匯流電極326b沿放電室18的一個邊緣延伸。凸出電極326a從匯流電極326b朝著放電室18的相對邊緣凸出。為了增加PDP的孔徑比，凸出電極326a是由例如ITO制成的透明電極。優(yōu)選地，匯流電極326b是金屬電極，其通過補(bǔ)償凸出電極326a的高電阻來增加匯流電極326b的傳導(dǎo)性。此實施例可包括具有矩形形狀的凸出電極326a。特別地，如圖9所示，凸出電極326a被設(shè)置離掃描電極23要近于維持電極21。由于凸出電極326a的布置，可使穿過掃描電極23和尋址電極326的放電點火電壓降低低于穿過維持電極21和尋址電極326的放電點火電壓。
圖10是AC三電極表面放電型PDP的局部分解透視圖。PDP包括相互面對的前基板111和后基板112。尋址電極115設(shè)置在后基板112的內(nèi)表面上。介電層120被設(shè)置以覆蓋尋址電極115。多個障肋117設(shè)置在介電層120上以限定放電室119。障肋可設(shè)置成不同的結(jié)構(gòu)，例如條紋和矩陣結(jié)構(gòu)?？v向障肋117相互平行設(shè)置的條紋結(jié)構(gòu)可經(jīng)簡單處理制成。條紋結(jié)構(gòu)在排氣(evacuation)處理中具有優(yōu)點。在其中設(shè)置了縱向和橫向障肋117的矩陣結(jié)構(gòu)具有提高放電效率和亮度的優(yōu)點。紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)熒光層設(shè)置在由障肋117隔開的各個放電室內(nèi)。
成對的顯示電極113和114在與尋址電極115的方向交叉的方向被設(shè)置在前基板111的內(nèi)表面上。顯示電極113和114的每對包括各自的透明電極113a和114a，與各自的匯流電極113b和114b。由氧化鎂(MgO)制成的介電層121和保護(hù)層123順序地堆積在前基板111的整個表面上以覆蓋顯示電極113和114。
在后基板112的尋址電極115和成對的顯示電極113和114之間的交叉對應(yīng)與放電室119。
在本發(fā)明的等離子體顯示面板(PDP)中，由于尋址電極被設(shè)置在前基板上，所以可增加由障肋隔開的放電空間。此外，由于可增加涂覆的熒光層的面積，所以可提高放電效率。此外，由于電荷累積在熒光層上，所以可防止由于離子濺射引起的熒光層壽命的縮短。
此外，因為與尋址放電相關(guān)的掃描和尋址電極被設(shè)置成相互接近，所以可降低尋址電壓。此外，因為在尋址和掃描電極之間的對向放電導(dǎo)致高放電效率的長間隙放電，所以與傳統(tǒng)表面放電型PDP相比可獲得較高的放電效率。
此外，因為根據(jù)本發(fā)明的PDP可具有高顯示密度的小尺寸放電室，所以可克服傳統(tǒng)表面放電型PDP的問題，尤其是，放電效率的降低、亮度的降低，和放電點火電壓的增加。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例和修改示例，但本發(fā)明并不局限于公開的實施例和示例，在不脫離本發(fā)明的附屬權(quán)利要求、詳細(xì)描述和附圖的范圍的情況下，可作各種顯而易見的形式的修改。因此，如權(quán)利要求所限定的，在本發(fā)明的范圍內(nèi)包含這些修改是很自然的。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板；第二基板，定位以面對所述第一基板；多個障肋，分隔在所述第一和第二基板之間的放電空間以限定多個放電室；尋址電極，相互平行且在所述第二基板上的預(yù)定方向上延伸；第一和第二電極，設(shè)置在所述第二基板上且在與所述尋址電極的所述預(yù)定方向交叉的方向上延伸；所述第一和第二電極與所述尋址電極隔開，所述第一和第二電極被設(shè)置成與所述多個放電室相應(yīng)；以及熒光層，涂覆在所述多個放電室上；其中，所述第一和第二電極在從所述第二基板向所述第一基板的方向上延伸，并且相互面對以提供其間的空間。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二電極與所述尋址電極形成在不同的層內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二電極的橫截面的高度大于其寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二電極的每個包括金屬電極。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括第一介電層，其被形成以覆蓋在所述第二基板上的所述尋址電極；和第二介電層，其被形成以包圍設(shè)置在所述第一介電層上的所述第一和第二電極。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，形成在面對所述第一基板的所述第一和第二電極頂面上的所述第二介電層的厚度大于形成在面對所述第一和第二電極側(cè)面上的所述第二介電層的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的每個包括沿所述多個放電室的放電室的一個邊緣延伸的匯流電極；以及從所述匯流電極朝著所述放電室的相對邊緣凸出的凸出電極。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述匯流電極包括金屬電極。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述凸出電極包括透明電極。
10.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述凸出電極呈矩形形狀。
11.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述凸出電極在其一端有凹進(jìn)部分。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹進(jìn)部分通過在所述凸出電極的至少一個角提供凸出而形成。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中，所述凹進(jìn)部分呈弧形形狀。
14.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，在所述第二電極附近的所述凸出電極的區(qū)域大于在所述第一電極附近的所述凸出電極的區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中，所述凸出電極的區(qū)域在從所述第一電極向所述第二電極延伸的方向上逐漸增加。
16.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述凸出電極被設(shè)置成與所述第二電極靠近。
全文摘要
一種等離子體顯示面板包括第一和第二基板，相互面對；多個障肋，分隔在第一和第二基板之間的放電空間以限定多個放電室；尋址電極，相互平行且在預(yù)定的方向上延伸；第一和第二電極，以與尋址電極的方向交叉的方向設(shè)置在第二基板上，第一和第二電極與尋址電極隔開，第一和第二電極設(shè)置成與放電室的每個相應(yīng)；和熒光層，涂覆在放電室上。第一和第二電極在從第二基板向第一基板延伸的方向上凸出，且相互面對以提供其間的空間。
文檔編號H01J11/24GK1705068SQ20051007312
公開日2005年12月7日 申請日期2005年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月31日
發(fā)明者許民, 崔榮鍍, 水田尊久, 樸埈鏞, 宋守彬 申請人:三星Sdi株式會社