專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及作為顯示設備而被人所知的等離子體顯示裝置。
背景技術：
近年來，作為雙向信息終端，人們對大畫面、壁掛電視的期望越來越高。用于這種設備的顯示設備有液晶顯示面板、場至發(fā)射顯示器、場至發(fā)光顯示器等很多種顯示器。在這些顯示設備中的等離子體顯示面板(以下稱做PDP)是自發(fā)光型、可以顯示漂亮的圖像、容易實行大畫面化，因此作為可視性優(yōu)良的薄型顯示設備而被人們關注，正在推進其高精細化和大畫面化。
這種PDP的驅動方式大體上可分為AC型和DC型。放電方式有兩種，即，面放電型和對置放電型。由于高精細化、大畫面化及制造的簡便性的要求，現階段以AC型且面放電型的PDP為主流。
圖20表示以往PDP面板結構的一個例子。如該圖20所示，PDP由前面面板1和背面面板2構成。
前面面板1由透明的前面?zhèn)然?、多個顯示電極6、電介質層7、及保護膜8構成。前面?zhèn)然?是由利用浮區(qū)提純法(浮法)制成的硼硅鈉系玻璃等構成的玻璃基板。顯示電極6由成對的掃描電極4和維持電極5構成，并在前面?zhèn)然?上排列多對，形成條狀。電介質層7以覆蓋該顯示電極6組(群)的方式形成，在該電介質層7上形成有由MgO構成的保護膜8。
另外，掃描電極4及維持電極5分別由成為放電電極的透明電極4a、5a和與該透明電極4a、5a電連接的總線電極4b、5b構成。總線電極4b、5b由Cr/Cu/Cr或Ag等形成。
背面面板2由背面?zhèn)然?、地址電極10、電介質層11、條狀的多個隔板12、及熒光體層13構成。地址電極10形成在與前面?zhèn)然?相對配置的背面?zhèn)然?上，且形成在與顯示電極6正交的方向上。電介質層11以覆蓋地址電極10的方式形成。多個隔板12形成在電介質層11上，且形成在地址電極10之間，與地址電極10平行。熒光體層13形成在該隔板12的側面和電介質層11的表面。另外，用于彩色顯示的熒光體層13通常依次配置紅、綠、藍三色。
這些前面面板1和背面面板2以使顯示電極6和地址電極10正交的方式隔著微小的放電空間相對配置，其周圍被密封部件密封。然后向該放電空間注入將氖(Ne)和氙(Xe)等混合而成的放電氣體，以66500Pa(500Torr)左右的壓強注入，由此就制成了PDP。
該放電空間被隔板12分成多個區(qū)劃。顯示電極4以使在該隔板12之間形成多個成為單位發(fā)光區(qū)域的放電單元的方式設置。顯示電極6與地址電極10以正交的方式配置。
該PDP利用施加在地址電極10與顯示電極6的周期性的電壓產生放電，并通過該放電產生的紫外線照射熒光體層13來轉換成可見光，從而進行圖像顯示。
如圖21所示，掃描電極4與維持電極5在矩陣顯示的各線A中以隔著(夾著)放電間隙14相鄰的方式在列方向交替地排列。在此，由隔板12、一對掃描電極4和維持電極5包圍的區(qū)域形成作為單位發(fā)光區(qū)域的放電單元15。另外，有時為了提高對比度而在非發(fā)光區(qū)域16形成黑條(ブラックストライプ)。
為了發(fā)展這種PDP，需要進一步的高亮度化、高效率化、低功耗化、及低成本化。為了實現PDP的高效率化，需要控制各發(fā)光像素區(qū)域的放電。特別是在垂直于顯示電極6的放電的擴散中，由于總線電極4b、5b遮擋從熒光體發(fā)出的光，因此抑制放電擴散至被遮擋的部分的方法很有效。
作為這種提高效率的方法之一，例如有特開平8-250029號公報所記載的通過加厚總線電極4b、5b上的電介質層7的膜厚來抑制被總線電極4b、5b遮擋的部分的放電的方法。
但是，上述以往的結構雖然能夠抑制垂直于顯示電極方向的放電卻不能抑制平行于顯示電極方向的放電，平行于顯示電極方向的放電會擴散至隔板附近。此時，隔板會使電子溫度下降、產生電子與離子的復合，從而使效率下降。

發(fā)明內容
本發(fā)明的等離子體顯示裝置具有以在基板之間形成被隔板隔開的放電空間的方式相對配置的一對前面?zhèn)然搴捅趁鎮(zhèn)然?；一對顯示電極，由放電電極和給該放電電極供電的總線電極構成，該放電電極在前面?zhèn)然迳蠈γ總€顯示線隔著放電間隙相對配置使得在隔板之間形成放電單元；以及，以覆蓋顯示電極的方式形成的電介質層；其中，電介質層在每個放電單元的放電空間側的表面至少形成有一個凹部，放電電極是在凹部的底部區(qū)域以隔著放電間隙而對置的方式從總線電極向放電間隙突出而形成的。
這種結構可以提高發(fā)光效率并能夠使面板驅動穩(wěn)定。


圖1是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的概略結構剖面立體圖；圖2是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的前面面板的一部分的立體圖；圖3是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖4是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖5是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖6是用于說明本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的放電狀態(tài)的前面面板的概略結構剖面圖；圖7是用于說明以往的離子體顯示器的放電狀態(tài)的前面面板的概略結構剖面圖；圖8A、圖8B、圖8C是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖9A、圖9B是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖10A、圖10B是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖11是本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的前面面板的一部分的立體圖；圖12是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖13是用于說明本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的放電狀態(tài)的前面面板的概略結構剖面圖；圖14是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖15是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖16A、16B是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖17A、圖17B、圖17C是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖18A、圖18B是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖；圖19A、圖19B、圖19C是表示本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的凹部形狀的前面面板的一部分的立體圖；圖20是表示以往等離子體顯示裝置的概略結構剖面立體圖；圖21是表示以往等離子體顯示裝置的主要部分配置關系的平面圖。
具體實施例方式
下面利用

本發(fā)明一實施方式的等離子體顯示裝置。另外，在各圖中，對相同的結構要素賦予同樣的參考標號。
實施方式1圖1是表示用于本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的等離子體顯示面板(PDP)的面板結構的一個例子的剖面立體圖。
如圖1所示，PDP由前面面板21和背面面板22構成。
前面面板21由透明的前面?zhèn)然?3、多個顯示電極26、電介質層27、及保護層28構成。前面?zhèn)然?3例如是用浮區(qū)提純法(浮法)制成的硼硅鈉系玻璃等構成的玻璃基板。多個顯示電極26形成在前面?zhèn)然?3上，由隔著放電間隙24而對置排列而形成的放電電極25a和為了給該放電電極25a供電而與其電連接的總線電極25b構成。電介質層27以覆蓋該顯示電極26的方式形成，在電介質層27上形成有由氧化鎂(MgO)構成的保護層28。另外，多個顯示電極26由掃描電極和維持電極成對地構成。
背面面板22由背面?zhèn)然?9、地址電極30、電介質層31、條狀的多個隔板32、及熒光體層33構成。
地址電極30形成在與前面?zhèn)然?3相對配置的背面?zhèn)然?9上。電介質層31以覆蓋地址電極30的方式形成。條狀的多個隔板32形成在電介質層31上，且在地址電極30間與其平行地形成。熒光體層33形成在隔板32的側面和電介質層31的表面。另外，為了進行彩色顯示，上述熒光體層33通常依次配置紅、綠、藍三色。
前面面板21和背面面板22以使顯示電極26與地址電極30正交的方式夾著微小的放電空間相對配置，其周圍被密封部件密封。然后以66500Pa(500Torr)左右的壓強向該放電空間注入(封入)將氙(Xe)和氖(Ne)及/或氦(He)等混合而成的放電氣體。
該放電空間被隔板32分成多個區(qū)劃，在顯示電極26與地址電極30正交的部分形成作為單位發(fā)光區(qū)域的放電單元。
另外，有時為了提高對比度，在放電單元之間形成黑條。
PDP通過施加在地址電極30和顯示電極26上的周期性的電壓而產生放電，并通過該放電產生的紫外線照射熒光體層33來轉換成可見光，從而進行圖像顯示。
圖2是表示本發(fā)明實施方式1的等離子體顯示裝置的前面面板的一部分的立體圖。在圖2中，在以覆蓋顯示電極26的方式形成在前面基板23上的電介質層27的放電空間側的表面，每個放電單元都形成有凹部27a。
圖3表示該凹部27a與顯示電極26及隔板32之間的位置關系。如圖3所示，凹部27a形成在隔板32之間。
顯示電極26包括由透明電極構成的放電電極25a和給放電電極25a供電的總線電極25b。放電單元部的放電電極25a，按照對每個顯示線A以隔著放電間隙24而對置的方式，在與總線電極25b正交的方向突出而形成。即，放電單元部的放電電極25a位于凹部27a的底部區(qū)域。隔著放電間隙24而對置的部分的放電電極25a的寬度(W25a)與凹部27a的寬度(W27a)相等或比凹部27a的寬度窄。在圖3所示的例子中，放電單元部的放電電極25a的隔著放電間隙24而對置的部分的寬度(W25a)比凹部27a的寬度(W27a)窄。
在此，為了實現PDP的高效率化，需要控制各發(fā)光區(qū)域的放電。特別是在垂直于顯示電極26方向的放電的擴散中，由于總線電極25b遮擋從熒光體33發(fā)出的光而使其浪費，因此，控制放電以使其不能擴散到被遮擋的部分的方法很有效。
另外，不只是控制垂直于顯示電極26方向的放電可以提高效率，控制平行于顯示電極26方向的放電也可以提高效率。這是因為，若放電在平行于顯示電極26的方向擴散，擴散至隔板32附近，則在隔板32附近電子溫度會下降，從而導致效率降低。
另外，若在隔板32附近放電，則隔板32會帶負電，正離子會被引到隔板32上。因此會產生電子-離子之間的復合，且隔板32因離子的沖擊而被刻蝕。該被刻蝕的隔板32會降落并堆積在熒光體33上，使特性劣化。
但是在本實施方式中，在每個放電單元都形成有凹部27a，且該凹部27a位于相鄰的隔板32之間(即，凹部27a的寬度比相鄰的隔板32之間的距離窄)。如此形成凹部27a，可以將放電控制只在凹部27a的底部區(qū)域。即，可以抑制放電在垂直于顯示電極26的方向擴散至遮擋從熒光體33發(fā)出的光的總線電極25b的現象和在平行于顯示電極26的方向擴散至隔板32附近的現象等。另外，在凹部27a的側面也形成有MgO，因此凹部27a的側面不大可能被刻蝕。另外，放電單元部的放電電極25a位于凹部27a的底部區(qū)域，且以隔著放電間隙24而相互對置的方式在與總線電極25b正交的方向突出而形成，因此，放電單元部的放電電極25a與隔板32分離。因此，可以抑制電荷蓄積在隔板32附近，從而能夠進一步抑制隔板32附近的放電。
此時，若用透明電極形成該放電電極25a，則可以有效地取出熒光體33的發(fā)光。
與此相比，用與總線電極25b相同的不透明的金屬電極來構成放電電極25a時，可以降低成本。但是，此時放電電極25a會遮擋從熒光體33發(fā)出的光。但是可以通過不改變放電間隙24的尺寸而減小放電單元部的放電電極25a的面積的方法來改善取出發(fā)光的效率。圖4及圖5示出了這種結構的例子。
圖4所示的放電單元部的放電電極25a是將其分割成多個的形狀(例如長條狀)。圖5所示的放電單元部的放電電極25a是將圖3所示的放電電極25a的面挖通的中空形狀。如此減小放電單元部的放電電極25a的面積，不僅可以改善上述效率還能夠降低消耗電流。這在作為放電電極25a使用透明電極時也一樣。
下面利用圖6、圖7來說明放電區(qū)域的控制。圖6是用于說明實施方式1的等離子體顯示裝置的放電狀態(tài)的前面面板的概略結構剖面圖。圖7用于說明以往等離子體顯示裝置的放電狀態(tài)。
在圖7所示的沒有凹部的以往的結構中，電介質層27的膜厚是一定的，因此電容C在電介質層27的面上是一定的，放電B如圖7所示那樣擴散。因此，因如前所述的原因使效率降低。
與此相比，如圖6所示，在每個放電單元形成凹部27a，使該部分的電介質層27的膜厚變薄，電容C變大。這樣一來，用于放電的電荷就會集中地形成在凹部27a的底部區(qū)域。還有，因為形成有凹部27a的部分的電介質層27的膜厚比其他部分薄，所以放電從凹部27a的底部區(qū)域開始產生。
反過來說，因為凹部27a的底部區(qū)域以外的其他區(qū)域的電介質層27的膜厚變厚，所以該部分的電容變小。即，存在于電介質層27的膜厚厚的部分的電荷變少。另外，由于電介質層27的膜厚厚，所以放電電壓也會上升。
另外，按照凹部27a的形狀來使放電單元部的放電電極25a突出，與隔板32分離，因此還可以抑制蓄積在隔板32附近的電荷。
這些效果可以將放電A限制在凹部27a的底部區(qū)域，從而提高效率。另外，利用這個原理，只要改變凹部27a的尺寸，就可以任意地控制形成在該部分的電荷量。
另外，為了實現PDP的高效率化而提高放電氣體的Xe分壓的方法已是眾所周知的?？墒牵岣遆e分壓會使放電電壓上升，并且會使紫外線的產生量增多，容易引起亮度飽和。對此，有一種方法是通過加厚電介質層的膜厚來減小電介質層的電容，從而減少一次脈沖所形成的電荷。但是，此時隨著電介質曾的膜厚的增加電介質層自身的透過率會下降，因此效率會降低。另外，若只是增加膜厚，放電電壓會進一步增加。
但是本發(fā)明在向放電空間注入(封入)作為放電氣體的Xe和Ne及/或He的混合氣體的同時使Xe的分壓為5～30％。然后，利用凹部27a的形狀來控制電流，因此能夠防止因高Xe分壓而產生的亮度飽和。即，通過在各發(fā)光像素區(qū)域形成最佳尺寸的凹部27a來限制放電區(qū)域，從而能夠控制放電電流。另外，可以通過改變凹部27a的形狀或尺寸來任意地控制電流量。另外，本發(fā)明只在電介質層27進行上述電流控制，因此，可以在不改變電路和驅動方法的前提下使用高Xe分壓。
在此，凹部27a的形狀不限于圖3所示的長方形，不管是什么樣的形狀，只要其寬度(W27a)比放電電極25a的隔著放電間隙24而對置的部分的寬度(W25a)寬就可以。
圖8A～圖8C示出了凹部27a的其他形狀的例子。圖8A所示的凹部27a的形狀是角部倒圓的四角形。圖8B所示的凹部27a的形狀是梯形。圖8C所示的凹部的形狀是各部分呈圓弧狀的梯形，包括卵形和木桶形。
另外，若加大作為一方的顯示電極26的掃描電極側的凹部27a的面積，則在地址操作時掃描電極與地址電極30之間容易產生放電，從而能夠使面板的驅動容限變寬。圖9A和圖9B示出了這種結構的例子。在圖9A所示出的例子中，為了加大凹部27a與作為掃描電極而提供的顯示電極26對置的面積，以相對于放電間隙24偏向掃描電極側的方式形成了凹部27a。在圖9B所示出的例子中，為了增加上述效果，以使其一部分位于掃描電極的總線電極25b上的方式形成了凹部27a。另外，在這些結構中，凹部27a的形狀也可以做成圖8A～圖8C所示的形狀。
其中，在圖9B所示的結構中，總線電極25b部分的電介質層27的厚度會因凹部27a而變薄，因此該部分電介質層27的絕緣耐壓會下降。因此，凹部27a的位于總線電極25b上的部分應該盡可能形成得小。為了實現這個目的，使凹部27a的一部分突出，形成擴張凹部27b，使凹部27b與總線電極25b對置。例如，如圖10A所示那樣形成曲面形狀的擴張凹部27b。還有，如圖10B所示那樣形成尖狀的擴張凹部27b。
在上述說明中，凹部27a的形狀也可以是多角形、圓形、及橢圓形，只要能達到上述目的就可以，并不限于上述說明。
實施方式2下面利用

本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置。實施方式2的凹部的結構與實施方式1不同。下面以其不同的部分為中心進行詳細說明。另外，對與實施方式1所示部分相同的部分賦予相同的標號進行說明。
圖11是本發(fā)明實施方式2的等離子體顯示裝置的前面面板的一部分的立體圖。在圖11中，在覆蓋顯示電極26的電介質層27的放電空間側的表面，每個放電單元都形成了凹部27c和凹部27d兩個凹部。另外，圖12示出了該凹部27c、凹部27d與顯示電極26及隔板32之間的位置關系。如該圖12所示，凹部27c和凹部27d形成在隔板之間。
另外，顯示電極26包括按每個顯示線A隔著放電間隙24對置排列而形成的由透明電極構成的放電電極25a和用于給該放電電極25a供電的總線電極25b。放電單元部的放電電極25a以隔著放電間隙24而相互對置的方式在與總線電極25b正交的方向突出而形成。放電單元部的放電電極25a的一方位于凹部27c的底部區(qū)域，另一方與凹部27d的底部區(qū)域對置。隔著放電間隙24而相互對置的部分的放電電極25a的寬度W25a與凹部27c的寬度W27c及凹部27d的寬度W27d相等或比其窄。另外，在圖12所示的例子中，放電電極25a的隔著放電間隙24而對置的部分的寬度(W25a)比凹部27c和凹部27d的寬度(W27c、W27d)窄。
圖13是用于說明實施方式2的等離子體顯示裝置、即在電介質層27形成凹部27c和凹部27d兩個凹部時的效果的圖示。在圖13中，實線A表示放電。
在圖13中，形成凹部27c和凹部27d兩個凹部的部分的電介質層27的膜厚薄，因此該部分的電容C變大。因此，用于放電的電荷集中地形成在凹部27c和凹部27d的底部區(qū)域，從而能夠限制放電區(qū)域。
另外，如圖13所示，夾著放電間隙24形成了凹部27c和凹部27d兩個凹部，放電A夾著放電間隙24在凹部27c的底部區(qū)域與凹部27d的底部區(qū)域之間產生。因此，放電距離變長，放電氣體被激發(fā)的概率增加，從而既可以控制放電又可以提高效率。這比提高放電氣體中Xe的分壓的情況更有效。
圖14所示的放電單元部的放電電極25a是將其分割成多個的形狀。圖15所示的放電單元部的放電電極25a，是作為將圖12所示的放電電極25a挖成中空狀。如此減少放電電極的面積可以獲得與實施方式1中用圖4及圖5說明的效果相同的效果。
另外，凹部27c和凹部27d的形狀不限于圖12所示的長方形。不管什么樣的形狀，只要凹部27c和凹部27d的寬度比放電電極25a隔著放電間隙24而對置的部分的寬度寬就可以。
圖16A及圖16B示出了凹部27c和凹部27d的其他形狀的例子。圖16A所示的凹部27c和凹部27d的形狀是角部倒圓的四角形。圖16B所示的凹部27c和凹部27d的大小不同。
另外，通過加大與作為掃描電極而提供的顯示電極26對置的凹部27c或凹部27d的對置面積，可以在進行地址操作時使掃描電極與地址電極30之間容易產生放電。即，可以使面板的驅動容限變寬。圖17A～圖17C示出了這種結構的例子。圖17A所示的是通過將凹部27c形成得比凹部27d大的方法加大凹部27c與掃描電極對置的面積的結構例子。另外，在圖17B所示的結構例子中，凹部27c與凹部27d的大小雖然一樣，但以相對于放電間隙24偏向掃描電極側的方式形成，因此凹部27c與放電電極25a重疊的面積大于凹部27d與放電電極25a重疊的面積。另外，圖17C所示的結構例子中，為了增加上述效果而以使其一部分位于掃描電極的總線電極25b上的方式形成了凹部27c。另外，在這些結構中凹部27c和凹部27d的形狀也可以是圖16A、16B所示的形狀。
其中，在圖17C所示的結構中，總線電極25b部分的電介質層27的厚度會因凹部27c而變薄。因此，該部分的電介質層27的絕緣耐壓有可能會降低。因此，優(yōu)選地，凹部27c的與總線電極25b重疊的部分盡可能形成得小。為了實現這個目的，使凹部27c的一部分突出，形成擴張凹部27b，并使擴張凹部27b的底部區(qū)域位于總線電極25b。具體地說，例如圖18A示出了具有曲面形狀的擴張凹部27b的例子。還有，圖18B示出了具有尖狀的擴張凹部27b的例子。
另外，圖19A～圖19C示出了凹部的其他形態(tài)。在圖19A所示的例子中，對上述每個放電單元至少形成了一個連接凹部27c與凹部27d的溝槽27e。此時，既可以降低放電開始電壓又能夠增加放電距離。在圖19B所示的例子中，將凹部27c和凹部27d兩個凹部并排地形成在與總線電極25b正交的方向上。此時能夠降低放電開始電壓。還有，在圖19C所示的例子中，至少形成了一個將圖19B所示的凹部27c與凹部27d連接的一個溝槽27e。
另外，在上述說明中，舉了形成凹部27c和凹部27d兩個凹部的例子，但也可以形成兩個以上，并且凹部的形狀可以是多角形、圓形、和橢圓形，只要能夠達到上述目的就可以，不限于上述說明。
產業(yè)利用可行性本發(fā)明的等離子體顯示裝置既可以控制放電又能夠使地址期間的驅動穩(wěn)定。并且可以有效地利用通過使用高Xe分壓來提高效率的方法，能夠提高面板的效率、改善畫質。
權利要求
1.一種等離子體顯示裝置，其特征在于，包括以在基板之間形成被隔板隔開的放電空間的方式相對配置的一對前面?zhèn)然搴捅趁鎮(zhèn)然?；一對顯示電極，包括在上述前面?zhèn)然迳习疵總€顯示線隔著放電間隙而相對配置的放電電極和給該放電電極供電的總線電極，從而在上述隔板之間形成放電單元；以及以覆蓋上述顯示電極的方式形成的電介質層；其中，在上述電介質層，每個上述放電單元的上述放電空間側的表面至少形成了一個凹部；上述放電電極是在上述凹部的底部區(qū)域以隔著放電間隙而對置的方式從上述總線電極向上述放電間隙突出而形成的。
2.根據權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于在凹部的底部區(qū)域隔著放電間隙而對置的放電電極的寬度等于或小于凹部的寬度。
3.根據權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于在凹部的底部區(qū)域隔著放電間隙而對置的放電電極被分割成多個。
4.根據權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于在凹部的底部區(qū)域隔著放電間隙而對置的放電電極的電極面被挖通。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于放電電極是透明電極。
6.根據權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于注入放電空間的放電氣體是含有Xe和Ne及/或He的混合氣體，且Xe的分壓為5～30％。
7.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于凹部相對于放電間隙不對稱。
8.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于凹部以位于一方顯示電極上的部分的面積大于位于另一方顯示電極上的部分的面積的方式形成。
9.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于凹部以相對于放電間隙偏向一方的顯示電極側的方式形成。
10.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于凹部以其底部區(qū)域位于一方的顯示電極的總線電極上的方式形成。
11.根據權利要求10所述的等離子體顯示裝置，其特征在于上述凹部的一部分形成了擴張凹部，上述擴張凹部的底部區(qū)域位于一方的顯示電極的總線電極上。
12.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于形成兩個凹部，其中，一方的凹部的底部區(qū)域以位于一方的顯示電極的總線電極上的方式形成。
13.根據權利要求12所述的等離子體顯示裝置，其特征在于在一方的凹部的一部分形成了擴張凹部，上述擴張凹部的底部區(qū)域位于一方的顯示電極的總線電極上。
14.根據權利要求1至4中任意一項所述的等離子體顯示裝置，其特征在于形成兩個凹部，上述兩個凹部被至少一個溝槽部連接。
全文摘要
具有在前面基板上按每個顯示線(A)隔著放電間隙對置排列而形成的顯示電極(26)；以覆蓋顯示電極(26)的方式形成的電介質層；以及，通過顯示電極(26)之間的放電而進行發(fā)光的熒光體層。在電介質層的放電空間側的每個上述放電單元的表面至少形成一個凹部(27a)，在凹部(27a)的底部區(qū)域以隔著放電間隙(24)而對置的方式向放電間隙(24)突出而形成構成顯示電極的放電電極(25a)。
文檔編號H01J17/20GK1557010SQ0380110
公開日2004年12月22日 申請日期2003年4月17日 優(yōu)先權日2002年4月18日
發(fā)明者藤谷守男 申請人:松下電器產業(yè)株式會社