本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種掩膜板。
背景技術(shù):
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進步,視覺資訊在人們的生活中的地位越來越重要,因而承載視覺資訊信息的平板顯示器件也在人們生活中占據(jù)了越來越重要的地位。這些平板顯示器件包括液晶顯示器件(LCD),有機發(fā)光二極管(OLED),場發(fā)射顯示(FED),等離子顯示(PDP)等。隨著人們生活水平的提高和科技的進步,人們對顯示面板的品質(zhì)需求也在逐漸提高,例如,高分辨率,高色域,快速響應(yīng)等。這些都對面板制造商的技術(shù)提出了嚴(yán)格的要求。
隨著顯示面板分辨率越來越高,顯示面板中的布線和過孔的尺寸也越來越小,并且由于過孔的特殊形狀(圓形、橢圓形,方形等)設(shè)計,相同尺寸下的過孔比線寬更加的難以分辨,這樣會出現(xiàn)過孔處光刻膠殘留的現(xiàn)象,造成過孔無法解析,影響產(chǎn)品的良品率。例如,如圖1和2所示,分別為應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板制作過孔的示意圖和現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板的俯視圖。掩膜板包括遮光區(qū)11和透光區(qū)12。遮光區(qū)11對應(yīng)的基板的其他部分的光刻膠14不會被光線照射,因此,這些光刻膠14保留。透光區(qū)12對應(yīng)過孔13。光線穿過透光區(qū)12照射過孔13內(nèi)的光刻膠,照射后的光刻膠可被腐蝕去除。由于上述的缺陷,過孔13處會出現(xiàn)殘留的光刻膠15,造成過孔13無法解析,影響產(chǎn)品的良品率。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明實施例提供一種掩膜板,以解決現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板用于制作過孔時易造成過孔處出現(xiàn)殘留的光刻膠的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種掩膜板,包括:遮光區(qū)和透光區(qū),所述掩膜板還包括:衍射區(qū),所述衍射區(qū)設(shè)置在所述透光區(qū)中,用于使透射光衍射。
進一步,所述衍射區(qū)包括:至少一個遮光部和至少一個透光部,其中,所述透光部的相對的兩側(cè)之間的距離為0.2~0.5μm。
進一步:所述遮光部的寬度為0.2~0.5μm。
進一步:當(dāng)所述遮光部的數(shù)量為一個,所述遮光部為環(huán)形時,所述透光部為所述環(huán)形的遮光部圍成的區(qū)域。
進一步:所述透光部的中心與所述透光區(qū)的中心重合。
進一步:當(dāng)所述遮光部的數(shù)量為兩個以上,所述遮光部為環(huán)形時,兩個以上的所述環(huán)形的遮光部依次套設(shè),所述透光部包括位于最內(nèi)圈的所述環(huán)形的遮光部圍成的區(qū)域以及相鄰套設(shè)的兩個所述環(huán)形的遮光部之間的區(qū)域。
進一步:位于最內(nèi)圈的所述環(huán)形的遮光部圍成的所述透光部的中心與所述透光區(qū)的中心重合。
進一步:兩個以上的所述環(huán)形的遮光部同心設(shè)置。
進一步:所述環(huán)形為圓環(huán)、正方形環(huán)或者長方形環(huán)。
進一步:當(dāng)所述遮光部的數(shù)量為兩個以上,所述遮光部為條形時,兩個以上的所述遮光部相互平行設(shè)置,所述透光部為相鄰的兩個所述遮光部之間的區(qū)域。
進一步:所述遮光部的數(shù)量為雙數(shù),所述透光部的數(shù)量為單數(shù)時,位于最中間的所述透光部的中心與所述透光區(qū)的中心重合。
進一步:所述透光區(qū)的邊緣與相鄰的所述遮光部之間的距離為1~2μm。
這樣,本發(fā)明實施例中,設(shè)置與過孔對應(yīng)的透光區(qū),并在透光區(qū)中設(shè)置衍射區(qū),使透射光發(fā)生衍射,從而增強過孔處的曝光強度,消除過孔處光刻膠的殘留,提高過孔的解析度,提高產(chǎn)品良品率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案,下面將對本發(fā)明實施例的描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板制作過孔的示意圖;
圖2是現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板的俯視圖;
圖3是應(yīng)用本發(fā)明實施例的掩膜板制作過孔的示意圖;
圖4是透射光在本發(fā)明實施例的掩膜板發(fā)生衍射的示意圖;
圖5是本發(fā)明實施例的掩膜板和現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板的曝光強度的對比示意圖;
圖6是本發(fā)明實施例的一種掩膜板的側(cè)視圖;
圖7是本發(fā)明實施例的另一種掩膜板的側(cè)視圖;
圖8是本發(fā)明實施例1的掩膜板的俯視圖;
圖9是本發(fā)明實施例2的掩膜板的俯視圖;
圖10是本發(fā)明實施例3的掩膜板的俯視圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲取的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
本發(fā)明實施例公開了一種掩膜板。如圖3所示,為應(yīng)用本發(fā)明實施例的掩膜板制作過孔的示意圖。該掩膜板包括:遮光區(qū)31、透光區(qū)32和衍射區(qū)33。具體的,該遮光區(qū)31、透光區(qū)32和衍射區(qū)33可設(shè)置在基板36的表面上。基板36為一種透明材料,一般可選擇石英玻璃。其中,根據(jù)需要形成的過孔34的形狀的不同,遮光區(qū)31可以包圍透光區(qū)32(如圖3所示),或者,遮光區(qū)31可以被透光區(qū)32包圍。遮光區(qū)31遮擋光線,從而不會改變該位置的光刻膠35的特性,遮光區(qū)31對應(yīng)的基板的位置處的光刻膠35不會被去除。遮光區(qū)31可通過在基板36的表面上設(shè)置黑色材料形成。該黑色材料可以為Cr,CrO2等黑色遮光金屬或者金屬氧化物。透光區(qū)32對應(yīng)過孔34。透光區(qū)32可通過在基板36的表面上不設(shè)置黑色材料形成。該透光區(qū)32的形狀一般可根據(jù)過孔34的形狀確定。光線可穿過透光區(qū)32照射過孔34處的光刻膠,使此處的光刻膠曝光,從而可將該部分光刻膠腐蝕去除。一般的,透光區(qū)32的中心正對過孔34的中心,從而可使透過的光線照射過孔34的全部區(qū)域。衍射區(qū)33設(shè)置在透光區(qū)32中,用于使透射光衍射。如圖4所示,為透射光在本發(fā)明實施例的掩膜板發(fā)生衍射的示意圖。
通過采用該掩膜板使透射光衍射,可增強曝光強度,有效改變照射的光刻膠的性質(zhì),從而可避免現(xiàn)有技術(shù)中易產(chǎn)生光刻膠殘留的問題,提高過孔34的解析度,提高產(chǎn)品良品率。如圖5所示,為本發(fā)明實施例的掩膜板和現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板的曝光強度的對比示意圖,其中,a表示本發(fā)明實施例的掩膜板的曝光強度,b表示現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板的曝光強度。從圖5可以看出,本發(fā)明實施例的掩膜板的曝光強度比現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板的曝光強度大。如圖3所示,應(yīng)用本發(fā)明實施例的掩膜板后,過孔34處沒有殘留的光刻膠。
具體的,如圖6和7所示,該衍射區(qū)33包括:至少一個遮光部331和至少一個透光部332。該遮光部331可通過在基板36的表面上設(shè)置黑色材料形成,該透光部332可通過在基板36的表面上不設(shè)置黑色材料形成。其中,透光部332的相對的兩側(cè)之間的距離S為0.2~0.5μm。該特定尺寸的透光部332可提高衍射效果。多個透光部332的相對的兩側(cè)之間的距離S可以相同,也可以不同。
優(yōu)選的,上述的遮光部331的形狀可為環(huán)形、條形等等。遮光部331的寬度L為0.2~0.5μm。該特定尺寸的遮光部331與特定尺寸的透光部332配合,可進一步提高衍射效果。多個遮光部331的寬度L可以相同,也可以不同。
優(yōu)選的,透光區(qū)32的邊緣與相鄰的遮光部331之間的距離D為1~2μm。該特定距離可進一步提高衍射效果。
下面以具體的實施例對本發(fā)明的掩膜板做進一步說明。
實施例1
如圖8所示,為本發(fā)明實施例1的掩膜板的俯視圖。實施例1的掩膜板的結(jié)構(gòu)與上述的掩膜板的結(jié)構(gòu)相同,包括:遮光區(qū)81、透光區(qū)82和衍射區(qū)83。衍射區(qū)83包括遮光部831和透光部832。
其中,遮光部831的數(shù)量為一個。因此,為了形成衍射區(qū)83,該衍射區(qū)83的遮光部831為環(huán)形。該環(huán)形可以是圓環(huán)、正方形環(huán)或者長方形環(huán)等等。如圖8(a)所示,該環(huán)形為長方形環(huán);如圖8(b)所示,該環(huán)形為圓形環(huán)。透光部832為環(huán)形的遮光部831圍成的區(qū)域。
由于透光區(qū)82的中心一般與過孔的中心重合,并且過孔的底部的光刻膠易殘留,因此,優(yōu)選的,透光部832的中心與透光區(qū)82的中心重合,從而使透光部832的中心與過孔的中心重合,以便衍射后的透射光照射過孔的全部區(qū)域的光刻膠,特別是過孔的底部的光刻膠,從而可有效去除過孔處的光刻膠。
實施例2
如圖9所示,為本發(fā)明實施例2的掩膜板的俯視圖。實施例2的掩膜板的結(jié)構(gòu)與上述的掩膜板的結(jié)構(gòu)相同,包括:遮光區(qū)91、透光區(qū)92和衍射區(qū)93。衍射區(qū)93包括遮光部931和透光部932。
其中,遮光部931的數(shù)量為兩個以上,圖9示出的遮光部931的數(shù)量為兩個。該遮光部931為環(huán)形。該環(huán)形可以是圓環(huán)、正方形環(huán)或者長方形環(huán)等等。兩個以上的環(huán)形的遮光部931依次套設(shè),如圖9(a)所示,該環(huán)形為長方形環(huán);如圖9(b)所示,該環(huán)形為圓形環(huán)。透光部932包括位于最內(nèi)圈的環(huán)形的遮光部931圍成的區(qū)域以及相鄰套設(shè)的兩個環(huán)形的遮光部931之間的區(qū)域。
由于透光區(qū)92的中心一般與過孔的中心重合,并且過孔的底部的光刻膠易殘留,因此,優(yōu)選的,位于最內(nèi)圈的環(huán)形的遮光部931圍成的透光部932的中心與透光區(qū)92的中心重合,以便衍射后的透射光照射過孔的全部區(qū)域的光刻膠,特別是過孔的底部的光刻膠,從而可有效去除過孔處的光刻膠。
更優(yōu)選的,兩個以上的環(huán)形的遮光部931同心設(shè)置,從而進一步使衍射后的透射光均勻照射過孔的全部區(qū)域的光刻膠,使過孔的不同區(qū)域的曝光強度均勻。
實施例3
如圖10所示,為本發(fā)明實施例3的掩膜板的俯視圖。實施例3的掩膜板的結(jié)構(gòu)與上述的掩膜板的結(jié)構(gòu)相同,包括:遮光區(qū)101、透光區(qū)102和衍射區(qū)103。衍射區(qū)103包括遮光部1031和透光部1032。
其中,遮光部1031的數(shù)量為兩個以上。如圖10(a)所示,遮光部1031的數(shù)量為兩個;如圖10(b)所示,遮光部1031的數(shù)量為四個。遮光部1031為條形。兩個以上的遮光部1031相互平行設(shè)置。透光部1032為相鄰的兩個遮光部1031之間的區(qū)域。
由于透光區(qū)102的中心一般與過孔的中心重合,并且過孔的底部的光刻膠易殘留,因此,優(yōu)選的,遮光部1031的數(shù)量為雙數(shù),透光部1032的數(shù)量為單數(shù),才能使得位于最中間的透光部1032的中心與透光區(qū)102的中心重合,以便衍射后的透射光照射過孔的全部區(qū)域的光刻膠,特別是過孔的底部的光刻膠,從而可有效去除過孔處的光刻膠。
綜上,本發(fā)明實施例的掩膜板,通過在透光區(qū)中設(shè)置衍射區(qū),使透射光發(fā)生衍射,從而增強過孔處的曝光強度,消除過孔處光刻膠的殘留,提高過孔的解析度,改善產(chǎn)品良品率。
本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述,每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處,各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。
盡管已描述了本發(fā)明實施例的優(yōu)選實施例,但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念,則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以,所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明實施例范圍的所有變更和修改。
最后,還需要說明的是,在本文中,諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。
以上所述,僅為本發(fā)明的具體實施方式,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。