本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板及其制作方法。

背景技術(shù)：

目前的顯示類型主要包括液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、等離子顯示(Plasma Display Panel，PDP)和電子墨水顯示等多種。其中，LCD液晶顯示器，具有壽命長(zhǎng)、光效高、輻射低、功耗低的特點(diǎn)，逐漸取代了傳統(tǒng)射線管顯示設(shè)備而成為了近年來(lái)顯示設(shè)備中的主流產(chǎn)品。OLED顯示器則以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼LCD顯示器之后的第三代顯示技術(shù)，可以廣泛用于智能手機(jī)、平板電腦、電視等終端產(chǎn)品。

現(xiàn)有的LCD顯示器、OLED顯示器或其它顯示器件，在制作過(guò)程中，通常會(huì)用到掩膜板，而掩膜板本身的制作通常又會(huì)涉及濺射、光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕等工藝步驟，同時(shí)也需要相匹配的其它掩模板進(jìn)行遮擋，使得掩模板的制作過(guò)程較為復(fù)雜，制作成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種掩膜板及其制作方法，以簡(jiǎn)化掩模板的制作工藝，降低掩模板的制作成本。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種掩模板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一透明襯底基板；

在所述透明襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層，其中，具有設(shè)定圖案的所述遮光層用于對(duì)光進(jìn)行部分遮擋。

優(yōu)選的，所述在所述透明襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層，具體包括：

在所述透明襯底基板上涂布遮光層薄膜；

去除設(shè)定區(qū)域的所述遮光層薄膜，形成所述遮光層的圖案。

優(yōu)選的，所述去除設(shè)定區(qū)域的所述遮光層薄膜，具體包括：

通過(guò)激光燒刻去除設(shè)定區(qū)域的所述遮光層薄膜。

優(yōu)選的，所述在所述透明襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層，具體包括：

在透明襯底基板上直接涂布具有設(shè)定圖案的遮光層。

優(yōu)選的，在所述透明襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層之后，所述制作方法還包括：

在所述遮光層上形成透明保護(hù)層薄膜。

優(yōu)選的，在所述透明襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層之后，所述制作方法還包括：

在所述遮光層上貼附玻璃蓋板，所述玻璃蓋板通過(guò)粘貼層與所述遮光層貼附。

優(yōu)選的，所述透明襯底基板上設(shè)置有遮光層，所述遮光層之上設(shè)置有玻璃蓋板，所述玻璃蓋板通過(guò)粘貼層與遮光層貼附；

所述在提供一透明襯底基板之前，所述制作方法還包括：

采用溶液刻蝕和/或激光燒刻工藝，去除玻璃蓋板與遮光層之間的粘帖層以及遮光層，形成所述透明襯底基板。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種掩模板，包括：透明襯底基板，以及設(shè)置在所述透明襯底基板上圖案化的遮光層。

優(yōu)選的，所述掩模板還包括：設(shè)置在所述遮光層上的透明保護(hù)層薄膜或玻璃蓋板。

優(yōu)選的，所述遮光層為紫外遮光層。

本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下：本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板的制作方法，包括在襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層，其中，具有設(shè)定圖案的遮光層，可以在部分區(qū)域使光透過(guò)，在其余區(qū)域?qū)膺M(jìn)行遮擋，實(shí)現(xiàn)掩模板的遮光作用，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板的制作方法，可以簡(jiǎn)化掩模板的制作工藝，降低掩模板的制作成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種掩模板的制備方法的流程圖；

圖2為本申請(qǐng)發(fā)明實(shí)施例提供的一種具體的掩模板的制備方法的流程圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種具體的掩模板的制備方法的流程圖；

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板的遮擋層圖案與顯示面板的對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例中，提供的透明襯底基板的示意圖；

圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例中，在透明襯底基板上制備遮光層薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例中，去除部分遮光層薄膜后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例中，沉積保護(hù)層薄膜后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種具體的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種具體的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

參見(jiàn)圖1，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種掩膜板的制作方法，包括：

步驟101，提供一透明襯底基板。

步驟102，在透明襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層，其中，具有設(shè)定圖案的遮光層用于對(duì)光進(jìn)行部分遮擋。

在具體實(shí)施時(shí)，對(duì)于在透明襯底基板上形成設(shè)定圖案的遮光層，可以是先通過(guò)涂布或旋涂工藝在襯底基板上整體形成遮光層薄膜，即在襯底基板的全部區(qū)域覆蓋一層遮光層薄膜，再去除該遮光層薄膜上設(shè)定區(qū)域的遮光層薄膜，進(jìn)而形成具有設(shè)定圖案的遮光層；也可以是通過(guò)涂布工藝在襯底基板上直接涂布形成具有所需圖案的遮光層，即在襯底基板上需要涂布遮光層薄膜的區(qū)域直接涂布遮光層薄膜。關(guān)于在襯底基板上形成具有設(shè)定圖案的遮光層，進(jìn)而以形成掩模板的方法，以下分別進(jìn)行舉例說(shuō)明。

如圖2所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種具體的掩膜板的制作方法，包括：

步驟201，提供一透明襯底基板。

步驟202，在透明襯底基板上涂布遮光層薄膜。

步驟203，去除設(shè)定區(qū)域的遮光層薄膜，形成遮光層的圖案。在具體實(shí)施時(shí)，可以通過(guò)激光燒刻去除設(shè)定區(qū)域的遮光層薄膜。

如圖3所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種具體的掩膜板的制作方法，包括：

步驟301，提供一透明襯底基板。

步驟302，在透明襯底基板上直接涂布具有設(shè)定圖案的遮光層。

在具體實(shí)施時(shí)，為了防止掩膜板的遮光層在使用過(guò)程中由于和其它物體接觸時(shí)產(chǎn)生劃痕或沾染顆粒物，影響掩膜板的遮光性能，優(yōu)選的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板，在遮光層上還沉積有保護(hù)層薄膜或貼附有玻璃蓋板。具體的，若選擇在遮光層上沉積保護(hù)層薄膜對(duì)遮光層進(jìn)行保護(hù)，則具體保護(hù)層薄膜的材質(zhì)可以是二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、氧化銦錫(ITO)中的一種。若選擇通過(guò)玻璃蓋板對(duì)遮光層進(jìn)行保護(hù)，則在遮光層上還形成粘貼層，玻璃蓋板可以通過(guò)該粘貼層與遮光層粘貼。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板，其使用的透明襯底基板可以未經(jīng)使用過(guò)的新的透明襯底基板，而考慮到節(jié)約資源，降低掩模板的制作成本，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板的透明襯底基板可以循環(huán)使用，即，透明襯底基板也可以是采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板的制作方法制作形成的掩模板在經(jīng)去除其上的各薄膜層后形成的透明襯底基板，即，本申請(qǐng)實(shí)施例的掩模板的制作方法，在提供一透明襯底基板之前，還包括：采用溶液刻蝕和/或激光燒刻工藝，去除玻璃蓋板與遮光層之間的粘帖層以及遮光層，形成所述透明襯底基板。其中，若選取的遮光層與粘帖層的材料的性能較為相近，則可以同一種溶液同時(shí)去除粘帖層與遮光層，或采用一合適能量的激光以同時(shí)去除粘帖層與遮光層，當(dāng)然，若選取的遮光層與粘帖層的性能差異較大，則可以采用第一次溶液刻蝕工藝去除粘帖層，再通過(guò)第二次溶液刻蝕工藝區(qū)域遮光層，或通過(guò)調(diào)整不同的激光能量以分別去除粘貼層和遮光層。

關(guān)于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板的遮光層的圖案，其可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定，例如，若本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板用于在OLED顯示器件的封裝過(guò)程中對(duì)OLED顯示器件的封裝膠進(jìn)行固化，例如，參見(jiàn)圖4所示，OLED顯示面板100為長(zhǎng)方形(圖4中以一整塊面板包括兩塊顯示面板為例進(jìn)行說(shuō)明)，每一顯示面板包括顯示區(qū)11以及包圍該顯示區(qū)的非顯示區(qū)12，其中，封裝膠13形成在該顯示區(qū)11以及非顯示區(qū)12之間的區(qū)域，則，制作的掩膜板200在對(duì)OLED顯示器件遮擋時(shí)，需要在OLED顯示器件的顯示區(qū)11對(duì)紫外光進(jìn)行遮擋，而對(duì)OLED顯示器件存在封裝膠13的區(qū)域進(jìn)行紫外光照射，即，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板200的遮光層的圖案，包括用于對(duì)顯示面板100的封裝膠13進(jìn)行紫外光照的透光區(qū)域23，以及用于遮擋顯示面板100的顯示區(qū)11和非顯示區(qū)域12的遮光區(qū)域22，即，在制作遮光層的圖案時(shí)，將與OLED顯示面板100的封裝膠13區(qū)域?qū)?yīng)的透光區(qū)域23的遮光層薄膜去除，而在與封裝膠13對(duì)應(yīng)的透光區(qū)域23以外區(qū)域的遮光層薄膜全部保留。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的遮光層的材質(zhì)，其可以根據(jù)具體需要遮擋的光進(jìn)行選擇，例如，若本申請(qǐng)實(shí)施例制作的掩膜板用于對(duì)紫外光進(jìn)行遮擋，則遮光層的材質(zhì)可以是在現(xiàn)有的光刻膠中摻入窄帶隙半導(dǎo)體納米材料形成的紫外遮光層，具體的窄帶隙半導(dǎo)體材質(zhì)可以為二氧化鈦或氧化鋅。

為了更清楚的理解本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板的制作方法，以形成OLED顯示器件在封裝過(guò)程中所使用的紫外掩膜板為例，結(jié)合圖5-10對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板的制作方法進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)舉例說(shuō)明。

步驟一，提供一與待遮光OLED顯示面板尺寸大小相等的透明襯底基板21，具體透明襯底基板21的材質(zhì)可以玻璃，提供的透明襯底基板的示意圖如圖5所示。

步驟二，在透明襯底基板21上整體涂布遮光層薄膜20。涂布遮光層薄膜20后的掩模板的示意圖如圖6所示。

步驟三，對(duì)遮光層薄膜20的與OLED顯示面板的封裝膠區(qū)域?qū)?yīng)的透光區(qū)域23進(jìn)行激光光刻，以去除與封裝膠對(duì)應(yīng)區(qū)域的遮光層薄膜。去除與封裝膠對(duì)應(yīng)區(qū)域的遮光層薄膜后的示意圖如圖7所示。

步驟四，在圖案化后的遮光層上沉積ITO保護(hù)層薄膜24。沉積保護(hù)層薄膜后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖如圖8所示。

圖9為沉積保護(hù)層薄膜后形成的掩模板的整體結(jié)構(gòu)圖，其中，掩模板包括透明襯底基板21，遮光層220(包括透光區(qū)域23與遮光區(qū)域22)，保護(hù)層薄膜24。圖10為在襯底基板上粘帖玻璃蓋板后形成的掩模板的整體結(jié)構(gòu)圖，其中，掩模板包括透明襯底基板21，遮光層220(包括透光區(qū)域23與遮光區(qū)域22)，粘帖層25，玻璃蓋板26。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種掩膜板，該掩膜板包括透明襯底基板，以及設(shè)置在透明襯底基板上圖案化的遮光層。

優(yōu)選的，該遮光層為紫外遮光層。

優(yōu)選的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩膜板還包括，設(shè)置在遮光層上的透明保護(hù)層薄膜或玻璃蓋板。

綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例有益效果如下：本申請(qǐng)?zhí)峁┑难谀０宓闹谱鞣椒?，包括在襯底基板上形成具有預(yù)設(shè)圖案的遮光層，其中，具有預(yù)設(shè)圖案的遮光層，可以在部分區(qū)域使光透過(guò)，在其余區(qū)域進(jìn)行遮光，實(shí)現(xiàn)掩模板的遮光作用，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的掩模板的制作方法，可以簡(jiǎn)化紫外掩模板的制作工藝，降低紫外掩模板的制作成本。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。