本發(fā)明涉及一種光掩模及其制造方法，具體涉及一種集成電路用相位移光掩模制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路制作過(guò)程通常需要經(jīng)過(guò)多次光刻工藝，例如，在半導(dǎo)體基底的介質(zhì)層上開(kāi)鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形等。隨著大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)光掩模的質(zhì)量，包括各種掩模精度、缺陷密度和光掩模的耐用性能等都提出了極高的要求。由于光掩模的質(zhì)量是影響集成電路功能和芯片成品率的重要因素之一。為保證光掩模的質(zhì)量，必須對(duì)光掩模的缺陷密度、精度及圖形質(zhì)量等進(jìn)行嚴(yán)格的控制。

傳統(tǒng)的光掩膜通常在掩膜制作完成后對(duì)該待檢光掩模進(jìn)行清洗，隨后再進(jìn)行圖形檢查以確定該待檢光掩模是否合格，如果合格則送入貼膜機(jī)進(jìn)行貼膜后出貨，否則進(jìn)一步判斷是否可以采用修補(bǔ)設(shè)備進(jìn)行修補(bǔ)，但在缺陷修補(bǔ)過(guò)程中，常因掃描造成相移層損傷而造成掩膜的報(bào)廢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有的光掩膜通常在掩膜制作完成后對(duì)掩膜進(jìn)行檢查，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)進(jìn)行缺陷修補(bǔ)，但在缺陷修補(bǔ)過(guò)程中，常因掃描造成相移層損傷而造成掩膜的報(bào)廢的缺陷，提供一種一種集成電路用相位移光掩模制造方法。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：

一種集成電路用相位移光掩模制造方法，依次包括以下步驟：曝光、烘烤、顯影、蝕刻、去光阻、二次蝕刻、清洗、檢測(cè)、修補(bǔ)、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去鉻膜、二次去光阻、量測(cè)、第三次清洗、貼護(hù)膜、第二次檢測(cè)、出貨。

本發(fā)明的集成電路用相位移光掩模制造方法，在傳統(tǒng)的制作流程中加一道檢查工序，可以在二次曝光前及時(shí)發(fā)現(xiàn)缺陷并進(jìn)行修補(bǔ)，因表面有鉻金屬層保護(hù)相移層，不會(huì)造成損傷，等缺陷修補(bǔ)完成之后，進(jìn)行后續(xù)工序，從而克服了傳統(tǒng)光掩膜容易因缺陷修補(bǔ)時(shí)常因掃描造成相移層損傷而造成掩膜的報(bào)廢的缺陷。

具體實(shí)施方式

以下對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例

一種集成電路用相位移光掩模制造方法，依次包括以下步驟：曝光、烘烤、顯影、蝕刻、去光阻、二次蝕刻、清洗、檢測(cè)、修補(bǔ)、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去鉻膜、二次去光阻、量測(cè)、第三次清洗、貼護(hù)膜、第二次檢測(cè)、出貨。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。