技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種集成電路用相位移光掩模制造方法，依次包括以下步驟：曝光、烘烤、顯影、蝕刻、去光阻、二次蝕刻、清洗、檢測(cè)、修補(bǔ)、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去鉻膜、二次去光阻、量測(cè)、第三次清洗、貼護(hù)膜、第二次檢測(cè)、出貨。本發(fā)明的集成電路用相位移光掩模制造方法，在傳統(tǒng)的制作流程中加一道檢查工序，可以在二次曝光前及時(shí)發(fā)現(xiàn)缺陷并進(jìn)行修補(bǔ)，因表面有鉻金屬層保護(hù)相移層，不會(huì)造成損傷，等缺陷修補(bǔ)完成之后，進(jìn)行后續(xù)工序，從而克服了傳統(tǒng)光掩膜容易因缺陷修補(bǔ)時(shí)常因掃描造成相移層損傷而造成掩膜的報(bào)廢的缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：王興平;華衛(wèi)群;尤春;張鵬;周家萬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫中微掩模電子有限公司
文檔號(hào)碼：201710009816
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.06
技術(shù)公布日：2017.05.31