本發(fā)明構(gòu)思涉及集成電路(IC)器件制造裝置，更具體地，涉及用于曝光裝置的保護(hù)膜(pellicle)以及包括該保護(hù)膜的光掩模組件，該曝光裝置配置為制造IC器件。

背景技術(shù)：

在制造IC器件的工藝中，光刻工藝被用于在晶片上形成電路圖案。在光刻工藝中，光掩模用于將期望的圖案轉(zhuǎn)移到晶片上。當(dāng)光掩模被來自周圍環(huán)境的異物諸如顆粒污染或由于周圍環(huán)境而變形時，缺陷會出現(xiàn)在光掩模的圖案轉(zhuǎn)移到其的晶片上。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了提高在制造IC器件的工藝期間的生產(chǎn)率，至少一些示例實施方式公開了一種能夠保護(hù)用于光刻工藝的光掩模免受異物或周邊環(huán)境影響的系統(tǒng)。

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種保護(hù)膜，該保護(hù)膜可以在光掩模的保存、運輸和使用期間保護(hù)光掩模免受污染。本發(fā)明構(gòu)思還可以提供一種在保護(hù)膜被用于曝光工藝時的高分辨率且機械穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明構(gòu)思提供一種包括保護(hù)膜的光掩模組件，該保護(hù)膜可以提供關(guān)于極紫外(EUV)光或電子束(e-beam)的高分辨率并具有機械穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少一個示例實施方式，提供一種包括保護(hù)膜隔膜(pellicle membrane)的保護(hù)膜。該保護(hù)膜隔膜包括多孔膜，該多孔膜包括多個納米線，該多個納米線彼此交叉地形成圖案。

多孔膜可以限定沿多孔膜的厚度方向延伸的多個孔。所述多個納米線限定所述多個孔使得所述多個孔可以沿線性路徑和非線性路徑中的至少一種延伸。在一些示例實施方式中，所述多個納米線限定所述多個孔使得所述多個孔可以包括多個不規(guī)則圖案化的通孔。在至少一些示例實施方式中，所述多個納米線限定所述多個孔使得形成在多孔膜中的所述多個孔可以包括多個規(guī)則地圖案化的通孔。

所述多個納米線中的至少一些可以具有第一部分和第二部分。所述多個納米線的第一部分可以與第二部分成一體，以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

所述多個納米線中的至少一些可以在壓力下附接到彼此并且所述多個納米線中的所述至少一些可以提供該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

所述多個納米線的每個可以具有圓形截面形狀、橢圓形截面形狀和多邊形截面形狀中的一種。

所述多個納米線可以縱向地處于展開狀態(tài)和折疊狀態(tài)中的至少一個，以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

在至少一些示例實施方式中，所述多個納米線可以包括單一元素。在至少一些其它的示例實施方式中，所述多個納米線的每個可以包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)，該異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括至少兩種不同的元素。

所述多個納米線可以包括從由硅(Si)、碳(C)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、釕(Ru)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、硅氮化物(Si₃N₄)、二氧化硅(SiO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、釔鋇銅氧化物(YBCO)和硅碳化物(SiC)以及其組合組成的組選出的材料。

在至少一些示例實施方式中，所述多個納米線的每個可以包括用n型摻雜劑或p型摻雜劑摻雜的元素。

所述多個納米線的每個可以在所述多個納米線的每個的厚度方向上具有約5nm(納米)至約100nm的寬度。多孔膜可以具有約50nm至約4μm(微米)的厚度。

所述多個納米線中的至少一些可以包括芯線和殼線，殼線圍繞芯線。芯線可以包括第一材料并且殼線可以包括第二材料，第一材料可以不同于第二材料。

保護(hù)膜隔膜還可以包括蓋層，該蓋層覆蓋所述多孔膜的至少一個表面。在一些示例實施方式中，蓋層可以覆蓋多孔膜的第一表面和多孔膜的第二表面，并且多孔膜的第一表面和第二表面在多孔膜的相反兩側(cè)。在一些示例實施方式中，蓋層可以包括第一材料，多孔膜包括第二材料，其中第一材料不同于第二材料。蓋層可以包括從由碳化硅(SiC)、二氧化硅(SiO₂)、硅氮化物(Si₃N₄)、硅氮氧化物(SiON)、釔氧化物(Y₂O₃)、釔氮化物(YN)、硼碳化物(B₄C)、鋇氮化物(BaN)、鉬(Mo)、釕(Ru)和銠(Rh)以及其組合組成的組選出的第一材料。

保護(hù)膜還可以包括支撐保護(hù)膜隔膜的保護(hù)膜框架。該保護(hù)膜框架可以通過粘合層附接到多孔膜。該保護(hù)膜隔膜還可以包括蓋層，該蓋層覆蓋多孔膜的第一表面。該保護(hù)膜框架可以通過粘合層附接到蓋層。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，提供一種包括保護(hù)膜和光掩模的光掩模組件。該保護(hù)膜可以包括保護(hù)膜隔膜，該保護(hù)膜隔膜可以包括多孔膜，該多孔膜包括多個納米線，該多個納米線彼此交叉地形成圖案以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。該光掩模可以包括一表面，其中保護(hù)膜被固定到光掩模的該表面。

所述多個納米線限定多個孔使得所述多個孔沿線性路徑和非線性路徑中的至少一個延伸。

在至少一些示例實施方式中，所述多個納米線限定所述多個孔使得所述多個孔中的至少一些可以不規(guī)則地成形且不規(guī)則地圖案化?？蛇x地，所述多個納米線限定所述多個孔使得所述多個孔形成多個規(guī)則圖案化的空間。

在光掩模組件中，保護(hù)膜隔膜還可以包括覆蓋多孔膜的第一表面的蓋層。

保護(hù)膜還可以包括保護(hù)膜框架，該保護(hù)膜框架包括第一端和第二端，第一端可以被固定到保護(hù)膜隔膜，第二端可以被固定到光掩模的所述表面。

根據(jù)至少一些示例實施方式，一種保護(hù)膜隔膜包括多孔膜以及在多孔膜中的多個納米線，該多孔膜包括第一表面。所述多個納米線可以形成多孔膜。所述多個納米線中的第一納米線與第二納米線成一體，第一納米線和第二納米線可以彼此交叉地形成圖案。第一表面可以比所述多個納米線的每個厚。所述多個納米線的每個可以包括圓形截面形狀、橢圓形截面形狀和多邊形截面形狀中的一種。所述多個納米線可以限定沿多孔膜的厚度方向延伸的多個孔?？蛇x地，所述多個納米線可以限定所述多個孔使得所述多個孔沿線性路徑和非線性路徑中的至少一種延伸。

附圖說明

本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它的特征及優(yōu)點將從本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的更具體描述而明顯，如附圖中示出的，其中相同的附圖標(biāo)記在不同的視圖中始終表示相同的部件。附圖不必按比例繪制，而是重點在于示出本發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中：

圖1是根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的截面圖；

圖2A至2D是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的多孔薄膜的示意性平面圖；

圖3A至3H是可構(gòu)成根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的多孔薄膜的納米線的透視圖；

圖4A至4F是可構(gòu)成根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的多孔薄膜的納米線的透視圖；

圖5是根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的截面圖；

圖6是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法的示例的流程圖；

圖7A至7E是通過使用可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法來制造保護(hù)膜隔膜的方法的工藝操作的截面圖；

圖8是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法的另一示例的流程圖；

圖9A和9B是通過使用可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法來形成保護(hù)膜隔膜的方法的工藝操作的截面圖；

圖10是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法的另一示例的流程圖；

圖11是通過使用可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法來形成保護(hù)膜隔膜的方法的截面圖；

圖12A至12E是可被包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的形成方法的工藝操作的截面圖；

圖13是可與根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜結(jié)合的光掩模的示例的示意性平面圖；

圖14是根據(jù)示例實施方式的光掩模組件的截面圖；

圖15是根據(jù)示例實施方式的光掩模組件的截面圖；

圖16是根據(jù)示例實施方式的集成電路(IC)器件制造裝置的構(gòu)造的示意性截面圖；

圖17是根據(jù)示例實施方式的IC器件的制造方法的流程圖；

圖18A和18B是示出關(guān)于根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的保護(hù)膜隔膜中包括的多孔薄膜的多個納米線的密度和該多孔薄膜的厚度的極紫外(EUV)透射率的評估結(jié)果的曲線；

圖19是示出根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的包括多個納米線的保護(hù)膜隔膜的帶外(OoB)反射率與比較示例的OoB反射率之間的比較結(jié)果的曲線；

圖20是包括通過使用根據(jù)示例實施方式的IC器件制造裝置制造的IC器件的存儲卡的方框圖；以及

圖21是包括存儲卡的存儲系統(tǒng)的方框圖，該存儲卡包括通過根據(jù)示例實施方式的制造IC器件的方法制造的IC器件。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，附圖中示出本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施方式。然而，示例實施方式可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實施方式。而是，提供這些示例實施方式使得本公開將全面和完整，并將本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的厚度被夸大。附圖中的相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因此將省略其描述。

將理解，雖然術(shù)語“第一”、“第二”等可以在這里用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，如以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，而沒有脫離示例實施方式的教導(dǎo)。

將理解，當(dāng)一元件被稱為“連接”或“聯(lián)接”到另一元件時，它可以直接連接或聯(lián)接到另一元件，或者可以存在居間元件。相反，當(dāng)一元件被稱為“直接連接”或“直接聯(lián)接”到另一元件時，不存在居間元件。用于描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其它詞語應(yīng)當(dāng)以類似的方式解釋(例如，“在……之間”與“直接在……之間”，“相鄰”與“直接相鄰”，“在……上”與“直接在……上”)。當(dāng)在這里使用時，術(shù)語“和/或”包括一個或更多相關(guān)列舉項目的任意和所有組合。

為了便于描述，這里可以使用空間關(guān)系術(shù)語諸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……之上”、“上”等來描述如附圖中所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征的關(guān)系。將理解，除了附圖所描繪的取向之外，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為“在”其它元件或特征“下”或“下面”的元件可以取向為“在”所述其它元件或特征“上”。因此，術(shù)語“在……下面”可以涵蓋之上和之下兩種取向。裝置可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它取向)，這里使用的空間關(guān)系描述語被相應(yīng)地解釋。

這里使用的術(shù)語僅是為了描述特定實施方式的目的，而不意欲限制示例實施方式。當(dāng)在這里使用時，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表示。還將理解，如果在這里使用，術(shù)語“包括”、“包括……的”、“包含”和/或“包含……的”指定所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。表述諸如“……中的至少一個”，當(dāng)在一列元件之后時，修飾整列元件而不修飾該列中的單個元件。除非另外地限定，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有與示例實施方式所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。還將理解的，術(shù)語，諸如在通常使用的字典中定義的那些術(shù)語，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的背景中和本說明書中的含義一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化或過度正式的意義，除非這里明確地如此限定。

當(dāng)一些示例實施方式可以被另外地實施時，這里描述的各工藝步驟可以以另外的方式執(zhí)行。也就是，例如，以連續(xù)的順序描述的兩個工藝步驟可以大致被同時執(zhí)行或以相反的順序執(zhí)行。

由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的偏離是可預(yù)期的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式不應(yīng)被解釋為限于本申請中示出的區(qū)域的具體形狀。而是，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式將包括由例如制造引起的形狀偏差。當(dāng)在這里使用時，術(shù)語“和/或”包括一個或更多相關(guān)列舉項目的任意和所有組合。例如，當(dāng)術(shù)語“基板”在這里使用時，它應(yīng)當(dāng)被理解為基板自身或者基板和包括形成在基板上的預(yù)定(和/或選擇的(或期望的))層或膜的堆疊結(jié)構(gòu)兩者。此外，當(dāng)表述“基板的表面”在這里使用時，它應(yīng)當(dāng)被理解為基板自身的暴露表面、形成在基板上的預(yù)定(和/或選擇的(或者期望的))層和/或膜的外表面。當(dāng)術(shù)語“納米線”在這里使用時，它應(yīng)當(dāng)被理解為具有約100nm(納米)或更小的直徑以及幾μm(微米)或更大的長度的納米結(jié)構(gòu)。

為了將使用極紫外(EUV)光或電子束(e-beam)的光刻技術(shù)應(yīng)用到大規(guī)模生產(chǎn)，有多個問題需要被考慮。一個問題可以是控制在光刻工藝期間產(chǎn)生的異物引起的損壞。在光刻工藝期間產(chǎn)生的異物會污染光掩模，并且光掩模的污染會導(dǎo)致曝光工藝中的誤差以及光掩模的使用壽命的減短。具體地，例如，使用EUV光的光刻技術(shù)可以表現(xiàn)出比使用ArF(氟化氬)掃描器時高得多的分辨率。然而，由于使用EUV光的光刻技術(shù)使用具有短波長的光，所以會存在將光掩模上的缺陷轉(zhuǎn)移到將被曝光的晶片上的可能性。因此，例如，可以使用僅具有可允許的缺陷的EUV光掩模，并且光掩模上的顆粒被管理在可允許的水平或更低。

示例實施方式提供一種保護(hù)膜(pellicle)，該保護(hù)膜可以在曝光工藝期間保護(hù)光掩模免受外部有缺陷的元件影響，并限制和/或防止由異物引起的損壞。具體地，至少一個示例實施方式提供一種具有保護(hù)膜隔膜(pellicle membrane)的保護(hù)膜，該保護(hù)膜隔膜可以確保結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性并具有相對于EUV光的波長的高透射率。在示例實施方式中，保護(hù)膜可以限制和/或防止由于曝光工藝引起的熱損傷。即使沒有制備用于排氣的額外的排氣孔，保護(hù)膜也可以限制和/或防止污染物和/或外來顆粒被吸附并留在光掩模的精細(xì)圖案上。污染物和/或外來顆?？赡苡捎诠饣瘜W(xué)反應(yīng)而在光掩模上生長，其中該光化學(xué)反應(yīng)使用在光刻工藝期間照射的紫外(UV)光作為活化能，從而引起霾(haze)缺陷到光掩模的表面。

圖1是根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜100的截面圖。

參照圖1，保護(hù)膜100可以包括保護(hù)膜隔膜140和保護(hù)膜框架150。保護(hù)膜框架150可以支撐保護(hù)膜隔膜140。保護(hù)膜隔膜140可以包括多孔薄膜120。

保護(hù)膜框架150可以通過粘合層160附接到多孔薄膜120。保護(hù)膜隔膜140可以被均勻地保持以在保護(hù)膜框架150上具有自支撐(free-standing)結(jié)構(gòu)。

多孔薄膜120可以具有約50nm(納米)至約4μm(微米)的厚度D。

傳統(tǒng)地，使用極紫外(EUV)光的光刻工藝可以通過使用具有足夠薄的厚度的保護(hù)膜隔膜來透射EUV光而進(jìn)行。保護(hù)膜隔膜可以具有約幾nm至約20nm的小厚度。然而，在保護(hù)膜包括薄的保護(hù)膜隔膜的情況下，會難以在保護(hù)膜上穩(wěn)定地固定具有自支撐結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜隔膜。因此，為了改善保護(hù)膜隔膜的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性，可以使用額外的支撐結(jié)構(gòu)，諸如網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和/或格柵(grid)。然而，可形成保護(hù)膜隔膜的支撐結(jié)構(gòu)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和/或格柵會在曝光工藝期間導(dǎo)致圖像誤差。

相反地，根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜隔膜140中包括的多孔薄膜120可以具有約50nm至約4μm的相對大的厚度D(與常規(guī)保護(hù)膜隔膜相比)。由于多孔薄膜120具有相對大的厚度D，所以保護(hù)膜隔膜140可以向保護(hù)膜100提供機械穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。因此，可以不需要用于在保護(hù)膜框架150上穩(wěn)定地支撐保護(hù)膜隔膜140的額外支撐結(jié)構(gòu)。

根據(jù)至少一些示例實施方式，多孔薄膜120可以包括可彼此交叉布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線。

圖2A至2D是根據(jù)示例實施方式的具有各種結(jié)構(gòu)的多孔薄膜120A、120B、120C和120D的示意性平面圖，多孔薄膜120A、120B、120C和120D的每個可以被包括在圖1中示出的保護(hù)膜100中。

圖2A至2D示出具有特定形狀的多孔薄膜120A、120B、120C和120D以及多孔薄膜120的各種平面構(gòu)造。然而，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思，圖1中示出的多孔薄膜120的構(gòu)造不限于圖2A至2D中示出的示例。替代地，多孔薄膜120的形狀和平面形狀可以在本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)被不同地改變。

參照圖2A至2D，多個孔H1、H2、H3和H4可以分別形成在多孔薄膜120A、120B、120C和120D中。例如，圖2A中示出的孔H1可以在厚度方向(即Z方向)上穿過多孔薄膜120A。如圖2A至2D所示的多孔薄膜120A、120B、120C和120D可以分別由多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4形成。

由于可分別形成多孔薄膜120A、120B、120C和120D的多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4如圖2A至2D所示彼此交叉地布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，多個孔H1、H2、H3和H4可以分別通過由多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4限定的空間制備。

多個孔H1、H2、H3和H4可以在厚度方向上分別穿過多孔薄膜120A、120B、120C和120D。多個孔H1、H2、H3和H4可以每個具有被多孔薄膜120A、120B、120C和120D的前側(cè)表面暴露的第一端部以及被多孔薄膜120A、120B、120C和120D的背側(cè)表面暴露的第二端部。多個孔H1、H2、H3和H4可以分別在多孔薄膜120A、120B、120C和120D的厚度方向上沿線性路徑和非線性路徑中的至少一個穿過多孔薄膜120A、120B、120C和120D。

在一些示例實施方式中，如圖2A和2C所示，多個納米線NW1和NW3可以以各種斜率緩和地彎曲并彼此交叉布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。分別由多個納米線NW1和NW3提供的多個孔H1和H3可以不規(guī)則地成形和/或不規(guī)則地布置。

在至少一些示例實施方式中，如圖2B和2D所示，多個納米線NW2和NW4可以不規(guī)則地布置成彼此交叉的直線(諸如針)以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。分別由多個納米線NW2和NW4提供的多個孔H2和H4可以不規(guī)則地成形和/或不規(guī)則地布置。

在至少一些示例實施方式中，如圖2C和2D所示，多個孔H3和H4中的至少一些可以分別布置為形成多個規(guī)則布置的空間，例如空間SP1和SP2。多個空間SP1和SP2可以分別具有約0.01μm(微米)至約0.1μm的寬度W1和W2，并以規(guī)則間距布置。然而，圖2C和2D中示出的多個空間SP1和SP2可以是非限制的示例，多個空間SP1和SP2的尺寸以及多個空間SP1和SP2之間的距離可以被不同地改變。

在至少一些示例實施方式中，分別構(gòu)成多孔薄膜120A、120B、120C和120D的多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4可以以約0.01g/cm³至約2g/cm³的密度彼此交叉布置。多孔薄膜120A、120B、120C和120D中的每單位面積的多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4的密度可以分別在多孔薄膜120A、120B、120C和120D的整個區(qū)域上是相同的?？蛇x地，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4的密度可以分別在多孔薄膜120A、120B、120C和120D的各區(qū)域中是不同的。在多孔薄膜120A、120B、120C和120D中的每單位面積的多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4的密度可以是體材料的密度的約20％或更少，該體材料為與多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4中包括的材料相同的材料。

在多孔薄膜120A、120B、120C和120D中，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4可以具有均勻的寬度和/或直徑，或不同的寬度和/或直徑。在至少一些示例實施方式中，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4可以在多個納米線的每個的厚度方向上具有在約5nm(納米)至約100nm的范圍內(nèi)選擇的寬度和/或直徑。

在至少一些示例實施方式中，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4中的至少一些可以分別彼此成一體并在多孔薄膜120A、120B、120C和120D中提供網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在一些示例實施方式中，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4中的至少一些可以分別在壓力下附著到彼此，并分別在多孔薄膜120A、120B、120C和120D中提供網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在至少一些其它示例實施方式中，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4可以在多個納米線的每個的縱長方向上處于展開狀態(tài)、折疊狀態(tài)和/或其組合，并分別為多孔薄膜120A、120B、120C和120D提供網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些示例實施方式，多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4可以具有各種截面形狀，例如包括但是不限于圓形截面形狀、橢圓形截面形狀或多邊形截面形狀。

圖3A至3H是根據(jù)示例實施方式的具有各種形狀的納米線的透視圖，其可以構(gòu)成圖1的多孔薄膜120中包括的多個納米線。

如圖3A至3H所示，圖1的多孔薄膜120中包括的多個納米線可以具有等同于和/或類似于從由(包括但是不限于)具有圓形截面形狀的納米線NWA、具有方形截面形狀的納米線NWB、具有六邊形截面形狀的納米線NWC、具有管形狀的納米線NWD、具有帶形狀的納米線NEW、具有多個孔隙PO的介孔納米線NWF、具有交叉結(jié)構(gòu)的納米線NWG、以及具有分支結(jié)構(gòu)(例如四腳錐體結(jié)構(gòu))的納米線NWH組成的組選擇的至少一種的結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式不限于圖3A至3H中示出的示例，多孔薄膜120可以包括具有各種形狀的納米線。

在至少一些示例實施方式中，多孔薄膜120中包括的多個納米線可以具有如圖3A至3H所示的納米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG以及NWH中的至少一種的結(jié)構(gòu)。圖3A至3H中示出的納米線可以在本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)改變和變化。

在至少一些示例實施方式中，圖1的多孔薄膜120中包括的多個納米線可以包括從由(包括但是不限于)硅(Si)、碳(C)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、釕(Ru)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、硅氮化物(Si₃N₄)、二氧化硅(SiO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、釔鋇銅氧化物(YBCO)、硅碳化物(SiC)和/或其組合組成的組選出的材料。

可形成圖1的多孔薄膜120的多個納米線(例如圖2A至2D中分別示出的多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4)可以包括單一元素和/或具有包括至少兩種不同元素的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

圖4A至4F是可構(gòu)成圖1的多孔薄膜120的納米線的結(jié)構(gòu)的示例實施方式的圖示。具體地，例如，圖4A至4F示出異質(zhì)納米線，其包括至少兩種不同的元素。

參照圖4A，圖1中示出的多孔薄膜120可以包括含有兩種材料的異質(zhì)納米線220A。納米線220A可以包括其中第一部分222A包含第一材料并且第二部分224A包含第二材料的結(jié)構(gòu)。第一部分222A和第二部分224A在納米線220A的縱長方向上交替地布置。第二材料可以不同于第一材料。

在至少一些示例實施方式中，第一部分222A可以包括與納米線220A的第二部分224A中包括的材料不同的材料。第一部分222A和第二部分224A的每個可以包括從由(包括但是不限于)Si、C、Ni、Pt、Au和Ru組成的組選擇的材料。也就是，例如，第一部分222A可以包括硅(Si)，第二部分224A可以包括碳(C)。

參照圖4B，圖1中示出的多孔薄膜120可以包括包含兩種材料的異質(zhì)納米線220B。納米線220B可以包括圓形或橢圓形的芯線222B以及殼線224B。圓形或橢圓形的芯線222B包含第一材料，殼線224B包含第二材料。殼線224B圍繞芯線222B。第二材料可以不同于第一材料。

在至少一些示例實施方式中，納米線220B的圓形或橢圓形的芯線222B和殼線224B的每個可以包括從由(包括但是不限于)Si、C、Ni、Pt、Au以及Ru組成的組選出的材料。也就是，例如，圓形或橢圓形的芯線222B可以包含硅(Si)，殼線224B可以包含碳(C)。

參照圖4C，圖1中示出的多孔薄膜120可以包括含有兩種材料的異質(zhì)納米線220C。納米線220C可以包括多邊形芯線222C以及殼線224C。芯線222C可以包含第一材料；殼線224C可以包含第二材料。殼線224C圍繞芯線222C。第二材料可以不同于第一材料。

在至少一些示例實施方式中，納米線220C的芯線222C和殼線224C的每個可以包括從由(包括但是不限于)Si、C、Ni、Pt、Au以及Ru組成的組選出的材料。也就是，例如，芯線222C可以包括用n型摻雜劑摻雜的氮化鎵(GaN)，殼線224C可以包括用p型摻雜劑摻雜的氮化鎵(GaN)。這里，n型摻雜劑可以是磷(P)和/或砷(As)，而p型摻雜劑可以是硼(B)。

圖4D、4E和4F分別示出具有三重芯-殼結(jié)構(gòu)的納米線220D、220E和220F。

參照圖4D至4F，納米線220D、220E和220F可以分別包括p型芯線222D、222E和222F。納米線220D、220E和220F還可以包括配置為分別圍繞p型芯線222D、222E和222F的本征殼線224D、224E和224F。納米線220D、220E和220F還可以包括配置為分別圍繞本征殼線224D、224E和224F的n型殼線226D、226E和226F。

參照圖4D，納米線220D可以包括六邊形的p型芯線222D、六邊形的本征殼線224D以及六邊形的n型殼線226D。

參照圖4E，納米線220E可以包括圓形或橢圓形的p型芯線222E、六邊形的本征殼線224E以及六邊形的n型殼線226E。

參照圖4F，納米線220F可以包括圓形或橢圓形的p型芯線222F、六邊形的本征殼線224F以及四邊形的n型殼線226F。

在至少一些示例實施方式中，納米線220D、220E和220F可以由硅(Si)形成。

圖3A至3H中示出的納米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG和NWH、圖4A至4F中示出的納米線220A、220B、220C、220D和220F、以及具有與其類似的結(jié)構(gòu)的納米線可以通過使用如在本申請中討論的各種方法合成。

在至少一些示例實施方式中，所述多個納米線可以通過使用(包括但是不限于)氣體顆粒生長方法、液體生長方法、固體顆粒制造方法、氣-液-固(VLS)生長方法或氧化物輔助生長(OAG)方法來合成。

在至少一些示例實施方式中，為了合成單元素納米線，用于一維(1D)生長的化學(xué)反應(yīng)可以通過使用1D板諸如多孔膜或納米纖維引起。1D生長可以通過使用金屬催化劑、激光和/或其組合被引起。1D生長可以通過使用氣液固(VLS)生長方法、溶液-液-固(SLS)生長方法和/或氣-固(VL)生長方法引起。

在制造二維(2D)硅納米線的示例中，光致抗蝕劑材料可以通過使用電子束光刻裝置在納米尺度的水平上被圖案化，并且硅材料可以通過使用圖案化的光致抗蝕劑作為掩模在納米尺度的水平上被蝕刻。

在形成多個納米線的方法的至少另一示例實施方式中，可以進(jìn)行VLS生長方法。例如，可以形成納米尺度的金屬催化劑，并且2D硅納米線可以通過在保持約900℃至約1000℃的相對高的溫度的同時注入反應(yīng)氣體(例如SiH₄(硅烷)氣體)而生長。

在形成圖3F中示出的介孔納米線NWF的方法的示例中，可以使用在HF(氟化氫)水溶液或有機溶液中電化學(xué)地蝕刻硅基板的工藝。

在形成介孔納米線NWF的方法的另一示例實施方式中，可以使用在HNO₃/HF(硝酸/氟化氫)溶液中蝕刻硅基板的工藝。

在形成介孔納米線NWF的方法的另一示例實施方式中，例如銀(Ag)顆?？梢酝ㄟ^使用AgNO₃(硝酸銀)和氫氟(HF)酸的混合物在硅基板的表面上形成為蝕刻催化劑，并且銀顆粒形成在其上的硅基板可以通過使用包括HF/H₂O₂/H₂O(分別為氟化氫/過氧化氫/水)的溶液混合物蝕刻。

為了制造如圖4A至4F所示的包含至少兩種元素的異質(zhì)納米線，可以使用在金屬催化劑的納米顆粒上生長晶體的VLS生長方法。例如，異質(zhì)納米線可以通過在生長納米線的工藝期間改變前驅(qū)體材料的種類而被合成。在此情形下，例如，當(dāng)新的改變后的前驅(qū)體材料通過正生長的納米線和催化劑之間的界面生長并且沒有被吸附在納米線的表面上時，新的改變后的前驅(qū)體材料可以在納米線的軸向方向上生長。因此，可以獲得具有與如圖4A所示的納米線220A類似的結(jié)構(gòu)的軸向異質(zhì)納米線。在至少另一示例實施方式中，當(dāng)新的改變后的前驅(qū)體材料容易吸附在正生長的納米線的表面上時，可以獲得圖4B至4F中示出的納米線220B、220C、220D、220E和220F、或具有類似結(jié)構(gòu)的環(huán)繞異質(zhì)納米線。

在制造具有芯-殼結(jié)構(gòu)的納米線的方法的至少一示例中，可以使用通過用于形成殼的材料替換形成芯的納米線的表面的工藝。

在制造包括芯-殼結(jié)構(gòu)的納米線的工藝的至少一示例中，通過在極性溶劑中分散金屬納米線形成的金屬納米線分散溶液以及通過將金屬前驅(qū)體溶解在非極性溶劑中形成的金屬前驅(qū)體溶液可以被制備，并且金屬納米線分散溶液可以與金屬前驅(qū)體溶液混合。極性溶劑可以包括(包括但不限于)水(H₂O)、甲醇(CH₃OH)、乙醇(C₂H₆O)、異丙醇(C₃H₈O)、二甲基亞砜(C₂H₆OS)、二氯甲烷(CH₂Cl₂)以及四氫呋喃(C₄H₈O)中的至少一種。非極性溶劑可以包括二甲苯(C₈H₁₀)、甲苯(C₇H₈)、苯(C₆H₆)以及己烷(C₆H₁₄)中的至少一種。金屬納米線可以包括鎳(Ni)，但是不限于此。

在至少一些示例實施方式中，包括碳納米管(CNT)-硅納米線的芯-殼結(jié)構(gòu)和/或包括硅納米線-CNT的芯-殼結(jié)構(gòu)可以通過使用激光燒蝕工藝、VLS合成工藝、無電蝕刻工藝、熱化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝和/或其組合形成。也就是，例如，熱CVD工藝可以在供應(yīng)氫(H₂)氣體和CH₄(甲烷)氣體到硅納米線的同時在約1100℃的反應(yīng)溫度進(jìn)行約五分鐘。此后，合成的納米復(fù)合物可以被熱處理以去除非晶碳層并改善納米復(fù)合物的結(jié)晶性。

在至少一些示例實施方式中，SiC(碳化硅或金剛砂)納米線可以通過使用CNT(碳納米管)作為基質(zhì)并使用SiH₄(硅烷)和C₃H₈(丙烷)作為主源氣體而形成。金屬催化劑可以形成在硅基板上，并且其上形成金屬催化劑的硅基板可以通過使用NH₃(氨)被表面處理。之后，CNT可以通過在約700℃的溫度供應(yīng)碳源例如C₂H₂(乙炔)而生長。此后，獲得的所得結(jié)構(gòu)可以被傳輸?shù)缴漕l(RF)-感應(yīng)CVD(化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)，氫(H₂)氣體可以供應(yīng)到RF-感應(yīng)CVD系統(tǒng)，并且所得結(jié)構(gòu)可以在約1000℃的溫度被表面處理約五分鐘，從而可以生長SiC納米線。

返回參照圖1，形成在保護(hù)膜框架150的中心的開口150H可以具有約50mm(毫米)至約150mm的寬度150W。也就是，例如開口150H可以具有約50mm×50mm的正方形形狀、約50mm×80mm的矩形形狀和/或約110mm×140mm的矩形形狀；然而，開口150H的形狀不限于上述尺寸。

多孔薄膜120可以具有足夠大的尺寸以完全覆蓋開口150H。也就是，例如多孔薄膜120可以具有比開口150H的平面尺寸大的平面尺寸。例如，多孔薄膜120可以具有約60mm×60mm、約60mm×90mm和/或約120mm×150mm的平面尺寸；然而，多孔薄膜120的配置不限于上述尺寸。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，形成在保護(hù)膜框架150的中心的開口150H的平面形狀不限于四邊形形狀和/或矩形形狀。包括各種平面形狀構(gòu)造的保護(hù)膜框架150可以根據(jù)光掩?；宓男螤詈徒Y(jié)構(gòu)使用。也就是，例如，開口150H的平面形狀可以具有各種形狀構(gòu)造，諸如(包括但是不限于)三角形形狀、四邊形形狀、六邊形形狀或八邊形形狀。因此，保護(hù)膜框架150還可以具有與保護(hù)膜框架150的開口150H的平面形狀相對應(yīng)的各種形狀構(gòu)造(例如三角形形狀、四邊形形狀、六邊形形狀和/或八邊形形狀)。

在至少一些示例實施方式中，保護(hù)膜框架150可以包括金屬和/或聚合物。例如，保護(hù)膜框架150可以包括但是不限于碳、類金剛石碳(DLC)、鋁、不銹鋼和/或聚乙烯；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于上述金屬和/或聚合物。

在至少一些示例實施方式中，粘合層160可以包括粘合劑，諸如(包括但是不限于)丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂和/或氟樹脂；然而，本發(fā)明構(gòu)思關(guān)于粘合層可包括的粘合劑的類型不限于此。

在至少一些示例實施方式中，多孔薄膜120可以通過使用粘合層160被人工地附接到保護(hù)膜框架150。在至少一些其它示例實施方式中，將多孔薄膜120附接到保護(hù)膜框架150上的工藝可以通過使用機器的自動化工藝進(jìn)行。

如上所述，在保護(hù)膜100中，根據(jù)示例實施方式，多孔薄膜120可以包括彼此交叉布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線。因而，多孔薄膜120可以確保對于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性足夠的相對大的厚度并提供相對低的光密度。結(jié)果，具有例如在140nm(納米)或約140nm(納米)至在300nm或約300nm的波長的光的帶外(OoB)反射率，除了具有約6.75nm至約13.5nm的波長的EUV光或電子束的OoB反射率之外，可以被減小，并且分辨度可以提高。此外，由于保護(hù)膜隔膜140包括多孔薄膜120，其包括彼此交叉布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線，所以由于曝光工藝引起的熱損壞可以被限制和/或防止，并且可以不必在保護(hù)膜框架150中形成用于除氣的額外的排氣孔。因此，關(guān)于本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，保護(hù)膜100的制造可以是簡單且容易的，并且可以限制和/或防止霾缺陷在曝光工藝期間發(fā)生在光掩模的表面中。

圖5是根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜300的截面圖。在圖5中，相同的附圖標(biāo)記用于表示與圖1中相同的元件，并且其詳細(xì)描述被省略。

參照圖5，保護(hù)膜300可以包括多孔薄膜120和保護(hù)膜隔膜340。保護(hù)膜隔膜340包括覆蓋多孔薄膜120的至少一側(cè)表面的蓋層330。圖5示出其中蓋層330包括覆蓋多孔薄膜120的兩側(cè)表面的第一蓋層330A和第二蓋層330B的示例實施方式；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于上述結(jié)構(gòu)配置。在必要時，保護(hù)膜300可以僅包括覆蓋多孔薄膜120的面對保護(hù)膜框架150的表面的第一覆蓋層330A和/或僅包括覆蓋多孔薄膜120的另一表面的第二覆蓋層330B。第二覆蓋層330B是多孔薄膜120的面對保護(hù)膜框架150的表面的相反側(cè)。

蓋層330可以包括與多孔薄膜120中包括的材料不同的材料。在一些示例實施方式中，蓋層330可以包括從由(包括但是不限于)硅碳化物(SiC)、二氧化硅(SiO₂)、硅氮化物(Si₃N₄)、硅氮氧化物(SiON)、釔氧化物(Y₂O₃)、釔氮化物(YN)、硼碳化物(B₄C)、鋇氮化物(BaN)、鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)及其組合組成的組選出的材料。

保護(hù)膜框架150可以通過粘合層160附接到蓋層330。保護(hù)膜隔膜340可以被均勻地保持在保護(hù)膜框架150上以具有自支撐結(jié)構(gòu)。

圖6是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法的示例的流程圖。

圖7A至7E是通過使用圖6中示出的方法形成保護(hù)膜隔膜的方法的工藝操作的截面圖。

參照圖6和7A，在P402，犧牲層504可以形成在基板502上。

當(dāng)基板502的材料在用于去除犧牲層504的蝕刻氣氛中相對于犧牲層504具有蝕刻選擇性時，基板502的材料可以沒有任何特別限制地使用。也就是，例如基板502可以包括硅基板；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于關(guān)于基板502的上述特征。

犧牲層504可以包括但是不限于光致抗蝕劑材料、聚合物、鎳(Ni)箔、銅(Cu)箔和/或鎳/銅(Ni/Cu)箔。

參照圖6和7B，在P404，通過在溶劑510中分散多個納米線NW形成的納米線分散溶液512可以被涂覆在犧牲層504上。

納米線分散溶液512可以例如通過使用旋涂工藝被涂覆在犧牲層504上。

在至少一些示例實施方式中，形成納米線分散溶液512的溶劑510可以是去離子水(DIW)、有機溶劑、水溶劑和/或其組合。在至少一些示例實施方式中，溶劑510可以包括DIW和有機溶劑的混合物。在至少一些示例實施方式中，溶劑510可以包括：水；酒精，諸如，包括但不限于，甲醇、乙醇、異丙醇、丙醇、丁醇、和/或萜品醇；氨化物，諸如，包括但不限于，二甲基甲酰胺(C₃H₇NO)和二甲替乙酰胺；吡咯烷酮，諸如，包括但是不限于，N-甲基-2-吡咯烷酮和N-乙基吡咯烷酮；羥基酯，諸如，包括但是不限于，二甲基亞砜、γ-丁內(nèi)酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯，β-甲氧基異丁酸甲基、α-羥基異丁酸甲基；有機鹵化物，諸如，包括但是不限于，二氯乙烷、二氯苯以及三氯乙烷；硝基化合物，諸如，包括但是不限于，硝基甲烷和硝基乙烷；以及丁腈膠料，諸如，包括但是不限于，乙腈以及苯基氰；和/或其組合。

多個納米線NW可以具有從由如圖3A至3H所示的納米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG和NWH、如圖4A至4F所示的異質(zhì)納米線220A、220B、220C、220D、220E和220F、以及在本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的范圍內(nèi)改變和變化的各種納米線組成的組選出的至少一種結(jié)構(gòu)。

參照圖6和7C，在P406，例如溶劑510可以從納米線分散溶液512去除。

溶劑510的去除可以包括加熱溶劑510和/或保持溶劑510放置直到溶劑510揮發(fā)和/或蒸發(fā)。在至少一些示例實施方式中，用于去除溶劑510的退火工藝可以在約750℃至約1100℃的溫度進(jìn)行，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于在本段中敘述的上述特征。

在至少一些示例實施方式中，通過使用在P406的工藝去除溶劑510的操作可以被省略。

參照圖6和7D，在P408，多個納米線NW可以被熱處理(T)以形成具有包括多個納米線NW的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多孔薄膜520A。

在至少一些示例實施方式中，多個納米線NW的熱處理(T)可以在約750℃至約1100℃的溫度進(jìn)行；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于在本段中敘述的上述特征。

當(dāng)通過使用在P406的工藝去除溶劑510的操作被省略時，溶劑510(參照圖7B)可以在使用P408的工藝的熱處理T期間去除。此外，在多個納米線NW(參照圖7B和7C)當(dāng)中，彼此相鄰的納米線NW可以由于在P408的工藝而在熱處理工藝期間成一體。因此，可以形成多孔薄膜520A，該多孔薄膜520A包括成一體以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線NW。

形成在犧牲層504上的多孔薄膜520A中包括的多個納米線NW可以彼此交叉布置以形成如圖2A或圖2B所示的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

參照圖6和7E，在P410，多孔薄膜520A可以通過去除犧牲層504而與基板502分離。

當(dāng)犧牲層504包括光致抗蝕劑材料或聚合物時，例如犧牲層504可以通過使用能夠選擇性地去除犧牲層504的溶液(諸如，包括但是不限于顯影溶液或有機溶劑)被濕法去除。當(dāng)犧牲層504包括鎳(Ni)箔、銅(Cu)箔或鎳/銅(Ni/Cu)箔時，犧牲層504可以通過使用蝕刻劑去除。也就是，例如，三氯化鐵(FeCl₃)水溶液、過硫酸銨((NH₄)₂S₂O₈)水溶液或硝酸鈰銨(H₈N₈CeO₁₈)水溶液可以被用作蝕刻劑；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于在本段中敘述的上述特征。

在至少一些示例實施方式中，多孔薄膜520A可以通過去除犧牲層504而與基板502分離。此后，保留在多孔薄膜520A中的金屬雜質(zhì)可以通過使用蝕刻劑去除并通過使用有機溶劑(例如丙酮)或去離子水(DIW)被清洗。在至少一些示例實施方式中，用于去除金屬雜質(zhì)的蝕刻劑可以包括，但是不限于，鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、氫氟酸、王水和/或其組合，但是蝕刻劑的種類不限于此。

在多孔薄膜520A與基板502分離之后，多孔薄膜520A可以通過使用轉(zhuǎn)移膜(未示出)轉(zhuǎn)移，并可以進(jìn)行用于完成根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的形成的隨后工藝。

為了制造保護(hù)膜100，如圖1所示，保護(hù)膜框架150可以通過使用粘合層160附接到多孔薄膜520A的一個表面。

圖8是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的形成方法的另一示例的流程圖。

圖9A和9B是通過使用圖8中示出的方法形成保護(hù)膜隔膜的方法的工藝操作的截面圖。

現(xiàn)在將參照圖8、9A和9B描述形成保護(hù)膜隔膜的方法。在此情形下，相同的附圖標(biāo)記用于表示與圖6和圖7A至7E相同的元件，并且相同元件的重復(fù)描述被省略。

參照圖8和9A，可以如參照圖6和圖7A至7C的從P402至P406的工藝描述的進(jìn)行工藝。因此，在從納米線分散溶液512去除溶劑510的工藝之后，在P420的工藝中，壓力P可以被施加到保留在犧牲層504上的多個納米線NW，使得多個納米線NW中的相鄰納米線可以在壓力下附接到彼此。

壓力P可以在基板502的厚度方向上施加。按壓構(gòu)件570可以用于施加壓力P到多個納米線NW。當(dāng)按壓構(gòu)件570能夠傳輸外部施加的壓力P到多個納米線NW時，按壓構(gòu)件570的材料可以在沒有任何特別限制的情況下使用。

由于壓力P施加到多個納米線NW，如圖9B所示，可以形成多孔薄膜520B，該多孔薄膜520B包括在壓力下附接到彼此而形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線NW。

形成在犧牲層504上的多孔薄膜520B中包括的多個納米線NW例如可以彼此交叉布置以形成如圖2A或圖2B所示的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

此后，多孔薄膜520B可以通過使用在圖6的P410的工藝和參照圖7E描述的方法去除犧牲層504而與基板502分離。之后，為了制造圖1中示出的保護(hù)膜100，保護(hù)膜框架150可以通過使用粘合層160附接到多孔薄膜520B的一個表面。

圖10是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的制造方法的另一示例的流程圖。

圖11是通過使用圖10中示出的方法形成保護(hù)膜隔膜的方法的示例的截面圖。

現(xiàn)在將參照圖10和圖11描述形成保護(hù)膜隔膜的方法。在此情形下，相同的附圖標(biāo)記用于表示與圖1至9B中相同的元件，并且省略其重復(fù)描述。

參照圖10和11，可以如以上參照圖6和圖7A至7C的從P402至P406的工藝描述的進(jìn)行工藝。因此，在進(jìn)行從納米線分散溶液512去除溶劑510的工藝之后，在P430的工藝中，可以形成包括多個納米線NW的多孔薄膜520C。

多孔薄膜520C可以通過使用在圖6的P408的工藝或在圖8的P420的工藝形成。

此后，在P410的工藝中，多孔薄膜520C可以通過去除犧牲層504而與基板502分離。接著，在P432的工藝中，蓋層330可以形成在多孔薄膜520C的至少一個表面上。

圖11示出其中蓋層330包括覆蓋多孔薄膜520C的兩個表面的第一蓋層330A和第二蓋層330B的示例實施方式；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于圖11中示出的示例。必要時，可以形成第一覆蓋層330A和第二覆蓋層330B中的僅一個。

此后，圖5中示出的保護(hù)膜300例如可以通過使用覆蓋有蓋層330的多孔薄膜520C制造。為此，保護(hù)膜框架150可以通過使用粘合層160附接到蓋層330上。

圖12A至12E是可包括在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中的保護(hù)膜隔膜的形成方法的工藝操作的截面圖。在圖12A至12E中，相同的附圖標(biāo)記用于表示與圖1至11中相同的元件，并且省略其重復(fù)描述。

參照圖12A，犧牲引導(dǎo)圖案584可以形成在基板502上。

犧牲引導(dǎo)圖案584可以具有與參照圖7A描述的犧牲層504基本上類似的構(gòu)造，除了犧牲引導(dǎo)圖案584包括向上突出并規(guī)則地布置的多個引導(dǎo)柱586之外。多個引導(dǎo)柱586可以布置為對應(yīng)于參照圖2C和2D描述的多個空間SP1和SP2。

參照圖12B，如參照圖7B所述的，通過例如在溶劑510中分散多個納米線NW形成的納米線分散溶液512可以涂覆在犧牲引導(dǎo)圖案584上。

例如，旋涂工藝可以用于在犧牲引導(dǎo)圖案584上涂覆納米線分散溶液512。納米線分散溶液512可以用納米線分散溶液512涂覆以具有比形成在犧牲引導(dǎo)圖案584上的多個引導(dǎo)柱586的高度低的高度。

參照圖12C，溶劑510可以以與參照圖7C描述的相同的方式從納米線分散溶液512去除。

參照圖12D，多個納米線NW可以以與參照圖7B描述的方式類似的方式被熱處理?？蛇x地，壓力可以以與參照圖9A描述的方式類似的方式施加到保留在犧牲引導(dǎo)圖案584上的多個納米線NW。因此，可以形成具有包括多個納米線NW的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多孔薄膜520D。

多孔薄膜520D可以具有與圖2C中示出的多孔薄膜120C或圖2D中示出的多孔薄膜120D類似的構(gòu)造。

參照圖12E，犧牲引導(dǎo)圖案584可以通過使用與參照圖7E描述的去除犧牲層504的方法相同的方法從圖12D的所得結(jié)構(gòu)去除，使得多孔薄膜520D可以與基板502分離。

此后，保留在多孔薄膜520D中的金屬雜質(zhì)可以通過使用蝕刻劑去除并通過使用有機溶劑(例如丙酮)或去離子水(DIW)漂洗。

在多孔薄膜520D與基板502分離之后，多孔薄膜520D可以通過使用轉(zhuǎn)移膜(未示出)轉(zhuǎn)移，并可以進(jìn)行用于完成根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜的形成的隨后工藝。在一些示例實施方式中，類似于圖1和5中示出的保護(hù)膜100和300的制造工藝，保護(hù)膜框架150可以通過使用粘合層160附接到多孔薄膜520D的一個表面，從而制造包括多孔薄膜520D的保護(hù)膜。

圖13是可與根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜結(jié)合的光掩模PM的示例的示意性平面圖。

圖13中示出的光掩模PM可以是配置為通過使用曝光工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶片(未示出)上并制造集成電路(IC)器件(例如半導(dǎo)體器件)的反射光掩模。在一些示例實施方式中，光掩模PM可以是基于多反射鏡結(jié)構(gòu)的反射光掩模，其用于使用EUV波長范圍(例如約13.5nm的曝光波長)的光刻工藝。

光掩模PM的前側(cè)表面FR可以包括例如配置為將期望用于形成構(gòu)成IC的單元器件的主圖案轉(zhuǎn)移到晶片的芯片區(qū)域的主圖案區(qū)域MP。前側(cè)表面FR還可以包括配置為將輔助圖案轉(zhuǎn)移到晶片的劃線道區(qū)域的輔助圖案區(qū)域AP以及圍繞主圖案區(qū)域MP和輔助圖案區(qū)域AP的黑邊界區(qū)域BB。

主圖案元件P1可以形成在主圖案區(qū)域MP中。主圖案元件P1可以構(gòu)成配置為將期望用于形成IC的圖案轉(zhuǎn)移到晶片的芯片區(qū)域的主圖案。

輔助圖案(而不是構(gòu)成期望IC的圖案)可以形成在輔助圖案區(qū)域AP中。輔助圖案可以被期望用于制造IC的工藝中，但是可以不保留在最終的IC中。也就是，例如輔助圖案可以包括配置為將對準(zhǔn)標(biāo)記圖案轉(zhuǎn)移到晶片的劃線道區(qū)域的輔助圖案元件P2。

黑邊界區(qū)域BB可以是沒有用于將圖案轉(zhuǎn)移到晶片上的圖案元件的無圖案區(qū)域。

圖14是根據(jù)示例實施方式的光掩模組件600A的截面圖。

參照圖14，光掩模組件600A可以包括光掩模PM和保護(hù)膜100。保護(hù)膜100被固定到光掩模PM的前表面FR上的黑邊界區(qū)域BB。

為了將保護(hù)膜100固定到光掩模PM的黑邊界區(qū)域BB，粘合層530可以插置在保護(hù)膜100的保護(hù)膜框架150的一表面與光掩模PM的黑邊界區(qū)域BB之間，該保護(hù)膜框架150的表面與保護(hù)膜框架150的附接有保護(hù)膜隔膜140的表面相反。

保護(hù)膜框架150可以具有通過粘合層160固定到保護(hù)膜隔膜140以支撐保護(hù)膜隔膜140的一端以及通過粘合層530固定到光掩模PM的表面的另一端。

保護(hù)膜100的詳細(xì)描述可以從參照圖1提供的描述推知。

在至少一些示例實施方式中，粘合層530可以包括但是不限于硅酮樹脂、氟樹脂、丙烯酸樹脂或聚(苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯)基樹脂；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于在本段中敘述的上述特征。

圖15是根據(jù)另一示例實施方式的光掩模組件600B的截面圖。

參照圖15，光掩模組件可以包括例如光掩模PM以及固定到光掩模PM的前側(cè)表面FR上的黑邊界區(qū)域BB的保護(hù)膜300。保護(hù)膜300的詳細(xì)描述可以從參照圖5提供的描述推知。

為了將保護(hù)膜300固定到光掩模PM的黑邊界區(qū)域BB，粘合層530可以插置在保護(hù)膜框架150的附接保護(hù)膜隔膜340的表面的相反表面與光掩模PM的黑邊界區(qū)域BB之間。

圖14和15示出其中圖14和15中示出的光掩模組件600A和600B的每個包括用于如圖13所示的使用約13.5nm的曝光波長的光刻工藝的反射光掩模PM；然而本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，包括但是不限于，可以采用透射光掩模(例如用于使用KrF(氟化氪)準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF(氟化氬)準(zhǔn)分子激光(193nm)或氟(F₂)準(zhǔn)分子激光(157nm)的曝光工藝的光掩模)來代替反射光掩模PM。

圖16是根據(jù)示例實施方式的IC器件制造裝置800的構(gòu)造的示意性截面圖。圖16示出包括配置為在真空中通過使用EUV光將形成在光掩模上的圖案(或被稱為“標(biāo)線”)的圖像縮小并轉(zhuǎn)錄到投影光學(xué)系統(tǒng)中的晶片的曝光裝置。

參照圖16，IC器件制造裝置800可以包括掩模臺區(qū)域800A、投影光學(xué)系統(tǒng)區(qū)域800B以及晶片臺區(qū)域800C。

掩模臺區(qū)域800A中包括的掩模臺810可以包括掩模臺支撐結(jié)構(gòu)812以及固定到掩模臺支撐結(jié)構(gòu)812的掩模保持系統(tǒng)818。掩模保持系統(tǒng)818可以用于固定光掩模PM。在一些示例實施方式中，掩模保持系統(tǒng)818可以包括靜電吸盤，并且掩模保持系統(tǒng)818可以由于電磁力而吸附并保持光掩模PM。

保護(hù)膜820可以被固定到光掩模PM上。保護(hù)膜820可以包括參照圖1和5描述的保護(hù)膜100和300中的一個或在本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)變形和變化的保護(hù)膜。

掩模臺810可以被掩模臺支撐結(jié)構(gòu)812支撐，并在由箭頭A1指示的掃描方向上移動被固定的光掩模PM。投影光學(xué)系統(tǒng)840可以位于投影光學(xué)系統(tǒng)區(qū)域800B中并配置為將形成在光掩模PM上的圖案轉(zhuǎn)移到晶片臺區(qū)域800C中的晶片W。晶片W可以被固定到晶片臺850上的晶片吸盤852。晶片吸盤852可以在由箭頭A2指示的掃描方向上移動晶片W。

包括掩模臺810的掩模臺區(qū)域800A、包括投影光學(xué)系統(tǒng)840的投影光學(xué)系統(tǒng)區(qū)域800B以及包括晶片臺850的晶片臺區(qū)域800C可以通過閘閥(gate valve)862A和862B彼此分離。真空排氣系統(tǒng)864A、864B和864C可以分別連接到掩模臺區(qū)域800A、投影光學(xué)系統(tǒng)區(qū)域800B和晶片臺區(qū)域800C，并獨立地控制壓力。

傳送手871可以安裝在晶片臺區(qū)域800C與加載鎖定室(loadlock chamber)800D之間以加載或卸載晶片W。真空排氣系統(tǒng)864D可以連接到加載鎖定室800D。晶片W可以在大氣壓力下被暫時地保持在晶片加載端口800E中。傳送手872可以安裝在加載鎖定室800D與晶片加載端口800E之間以加載和/或卸載晶片W。閘閥876A可以插置在晶片臺空間800C與加載鎖定室800D之間。閘閥876B可以插置在加載鎖定室800D和晶片加載端口800E之間。

傳送手873可以安裝在掩模臺區(qū)域800A的掩模臺810與掩模加載鎖定室800F之間以加載和/或卸載光掩模PM。真空排氣系統(tǒng)864E可以連接到掩模加載鎖定室800F。光掩模PM可以在大氣壓力下被暫時地保持在掩模加載端口800G中。傳送手874可以安裝在掩模加載鎖定室800F與掩模加載端口800G之間以加載和/或卸載光掩模PM。閘閥886A可以被插入在掩模臺區(qū)域800A與掩模加載鎖定室800F之間。閘閥886B可以被插入在掩模加載鎖定室800F與掩模加載端口800G之間。

光掩模PM可以容納在光掩模載體880中并從外部傳輸?shù)絀C器件制造裝置800。此外，光掩模PM可以容納在光掩模載體880中并傳輸?shù)窖谀＜虞d端口800G。因此，可以有效地限制和/或防止光掩模PM與外部環(huán)境的不必要的接觸以及被外部顆粒污染。

光掩模載體880可以包括內(nèi)盒(inner pod)882和配置為提供容納內(nèi)盒882的空間的外盒(outer pod)884。內(nèi)盒882和外盒884的每個可以是基于標(biāo)準(zhǔn)(SEMI標(biāo)準(zhǔn)E152-0709)的標(biāo)準(zhǔn)機械接口(SMIF)盒。外盒884可以被稱為“SMIF光罩盒”。當(dāng)光掩模PM在不同的制造臺之間和/或在不同的位置之間傳送時，外盒884可以用于保護(hù)光掩模PM。內(nèi)盒882可以用于在光掩模PM在真空氣氛中、傳輸?shù)窖谀Ｅ_810和/或在其附近時保護(hù)光掩模PM。當(dāng)周圍環(huán)境的壓力從大氣狀態(tài)降低到真空狀態(tài)和/或從真空狀態(tài)升高到大氣狀態(tài)時，污染顆?？梢栽跍u流中流動。結(jié)果，光掩模PM周圍漂浮的污染顆粒可能污染光掩模PM。內(nèi)盒882可以保護(hù)光掩模PM免受上述環(huán)境影響，并保護(hù)光掩模PM直到光掩模PM在真空氣氛中或直到光掩模PM被傳輸?shù)窖谀Ｅ_810和/或在掩模臺810附近。

在半導(dǎo)體器件制造工藝的曝光工藝中，形成在光掩模(或光罩)上的圖案可以在其上形成抗蝕劑膜的晶片上被投影曝光，使得潛在的圖案可以形成在抗蝕劑膜上。抗蝕劑圖案可以通過使用顯影工藝形成在晶片上。然而，當(dāng)異物例如顆粒存在于光掩模上時，異物可能與圖案一起被轉(zhuǎn)移到晶片上并導(dǎo)致圖案故障。

使用超精細(xì)圖案制造半導(dǎo)體器件的工藝(例如大規(guī)模集成(LSI)或超大規(guī)模集成(VLSI))可以通過使用縮小投影曝光裝置進(jìn)行，形成在光掩模上的圖案可以通過該縮小投影曝光裝置被縮小投影到形成在晶片上的抗蝕劑膜上以在抗蝕劑膜上形成潛像圖案。隨著半導(dǎo)體器件的安裝密度增大，已經(jīng)期望電路圖案的小型化。因此，在曝光工藝中對曝光線寬的縮小的需求增加。結(jié)果，已經(jīng)發(fā)展了使用具有進(jìn)一步減小的波長的曝光光線的曝光技術(shù)以提高曝光裝置的分辨率。迄今，已經(jīng)發(fā)展了i線(365nm)、KrF(氪二氟化物)準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF(氟化氬)準(zhǔn)分子激光(193nm)以及氟(F₂)準(zhǔn)分子激光(157nm)曝光技術(shù)。近年來，已經(jīng)發(fā)展了使用具有用于從在6.75nm或約6.75nm至在13.5nm或約13.5nm的軟X射線范圍的波長的EUV光或電子束的曝光裝置。當(dāng)曝光光線的波長減小至EUV光或電子束的波長水平時，由于空氣在大氣壓力下不透射光，所以會需要將曝光的光路安置在高真空環(huán)境中。因此，光學(xué)系統(tǒng)、掩模臺和晶片臺可以在具有比F₂曝光裝置高的密封性的真空室中，并且加載鎖定室可以安裝在用于晶片和光掩模的每個的入口/出口端口處，使得在保持真空度的同時，晶片或光掩?？梢员患虞d到真空室中或被從真空室卸載。

EUV曝光工藝可以通過使用反射光掩模進(jìn)行，該反射光掩模包括提供在前部層的其上形成圖案區(qū)域的表面上的多層反射層。

當(dāng)曝光光線的波長被減小到EUV光的波長范圍時，迄今在不使用保護(hù)膜的情況下進(jìn)行曝光工藝，因為選擇用于EUV的透明材料受到限制。可選地，已經(jīng)通過使用包括薄的保護(hù)膜隔膜的保護(hù)膜進(jìn)行了曝光工藝，該保護(hù)膜隔膜由于在曝光工藝期間的熱而被嚴(yán)重地?fù)p壞并具有低拉伸強度。此外，為了滿足EUV的透射率，會需要具有幾十nm或更小的非常小的厚度的保護(hù)膜隔膜作為保護(hù)膜隔膜。然而，由于具有非常小的厚度的保護(hù)膜隔膜具有非常低的物理硬度并相對于深紫外(DUV)光具有相對高的反射率，所以保護(hù)膜隔膜會在曝光工藝期間使分辨率退化。此外，當(dāng)使用包括具有小厚度的保護(hù)膜隔膜的保護(hù)膜時，由于保護(hù)膜隔膜的弱的拉伸強度，會很難使保護(hù)膜隔膜處于自支撐狀態(tài)。此外，保護(hù)膜可能在曝光工藝期間非常容易受到熱損傷，并且不能限制和/或防止光掩模被顆粒污染。

根據(jù)示例的IC器件制造裝置800可以在使用EUV光源的曝光工藝期間通過使用保護(hù)膜820來保護(hù)光掩模PM。根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜820可以包括多孔薄膜120(參照圖1和5)，該多孔薄膜120包括彼此交叉布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線。因此，根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜820可以確保對于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性足夠的相對大的厚度并具有相對低的光密度。結(jié)果，具有例如約140nm至約300nm的波長的光的OoB反射率可以降低以提高曝光工藝的分辨率。此外，由于采用了多孔薄膜120，所以可以不需要在保護(hù)膜框架150中形成額外的排氣孔。因此，制造保護(hù)膜的工藝可以是簡單且容易的。因此，在曝光工藝期間，可以有效地限制和/或防止由于保護(hù)膜隔膜的退化引起的故障的發(fā)生，并且具有期望形狀的圖案可以被有效地轉(zhuǎn)移到將被曝光的晶片W的精確位置。

圖17是根據(jù)示例實施方式的制造IC器件的方法的流程圖。

參照圖17，在P902的工藝中，可以提供包括特征層的晶片。

在至少一些示例實施方式中，特征層可以是形成在晶片上的導(dǎo)電層和/或絕緣層。例如，特征層可以包括金屬、半導(dǎo)體或絕緣材料。在一些其它的示例實施方式，特征層可以是晶片的一部分。

在P904，光致抗蝕劑膜可以形成在特征層上。在至少一些示例實施方式中，光致抗蝕劑膜可以包括EUV(6.75nm或13.5nm)抗蝕劑材料。在至少一些其它的示例實施方式中，光致抗蝕劑膜可以包括F₂準(zhǔn)分子激光(157nm)抗蝕劑材料、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)抗蝕劑材料或KrF準(zhǔn)分子激光(248nm)抗蝕劑材料。光致抗蝕劑膜可以包括正性光致抗蝕劑和/或負(fù)性光致抗蝕劑。

在至少一些示例實施方式中，為了形成包括正性光致抗蝕劑的光致抗蝕劑膜，以下可以被旋涂在特征層上：包括具有酸不穩(wěn)定基團(tuán)的光敏聚合物的光致抗蝕劑成分、潛性酸和溶劑。

在至少一些示例實施方式中，光敏聚合物可以包括(甲基)丙烯酸基聚合物。(甲基)丙烯酸基聚合物可以是脂肪族(甲基)丙烯酸基聚合物。例如，光敏聚合物可以是(包括但是不限于)聚甲基丙烯酸甲酯((CC₅O₂H₈)_n)、聚(t-丁基甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(降冰片基甲基丙烯酸)、(甲基)丙烯酸基聚合物的重復(fù)單元的二元或三元共聚物、和/或其混合物。此外，上述光敏聚合物可以被各種酸不穩(wěn)定保護(hù)基團(tuán)取代。保護(hù)基團(tuán)可以包括但是不限于叔丁氧基羰基(t-BOC)、四氫吡喃基、三甲代甲硅烷基、苯氧乙基、環(huán)己烯基、叔丁氧基羰基甲基、叔丁基、金剛烷基或降冰片基基團(tuán)，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。

在至少一些示例實施方式中，潛性酸可以包括但是不限于光生酸劑(PAG)、熱生酸劑(TAG)和/或其組合。在至少一些示例實施方式中，PAG可以包括能夠在暴露到從EUV光(1nm至31nm)、F2準(zhǔn)分子激光(157nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)以及KrF準(zhǔn)分子激光器(248nm)中選出的任一種光時產(chǎn)生酸的材料。PAG可以包括但是不限于鎓鹽、鹵化物、硝基芐基酯、烷基磺酸鹽、重氮萘醌(C₁₀H₆N₂O)、亞氨基磺酸鹽、二砜、重氮甲烷和/或磺酰氧基酮。

在圖17的P906，根據(jù)示例實施方式的光掩模組件可以被加載到曝光裝置中。

在至少一些示例實施方式中，光掩模組件可以是參照圖14和15描述的光掩模組件600A和600B以及在本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的范圍內(nèi)改變和/或變化的光掩模組件中的任一個。

在至少一些示例實施方式中，光掩模組件可以被加載到圖16中示出的IC器件制造裝置800的掩模加載端口800G中。

在圖17的P908，光掩模組件可以被固定到掩模臺。

在至少一些示例實施方式中，掩模臺可以是圖16中示出的IC器件制造裝置800的掩模臺810。

在P910，形成在晶片上的光致抗蝕劑膜可以通過使用光掩模曝光。

在至少一些示例實施方式中，曝光工藝可以在反射曝光系統(tǒng)中進(jìn)行，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，曝光工藝可以通過使用透射曝光系統(tǒng)進(jìn)行。

在P912，光致抗蝕劑圖案可以通過顯影被曝光的光致抗蝕劑膜形成。

在P914，特征層可以通過光致抗蝕劑圖案被處理。

在至少一些示例實施方式中，為了通過使用在P914的工藝處理特征層，特征層可以通過使用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模被蝕刻以形成精細(xì)特征圖案。

在至少一些示例實施方式中，為了通過使用在P914的工藝處理特征層，雜質(zhì)離子可以通過使用光致抗蝕劑圖案作為離子注入掩模而被注入到特征層中。

在至少一些示例實施方式中，為了通過使用在P914的工藝形成特征層，額外的工藝膜可以形成在通過在P912的工藝中形成的光致抗蝕劑圖案曝光的特征層上。工藝膜可以包括導(dǎo)電膜、絕緣膜、半導(dǎo)體膜和/或其組合。

圖18A和18B是示出關(guān)于根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中包括的保護(hù)膜隔膜中包括的多個納米線的密度和該保護(hù)膜隔膜中包括的多孔薄膜的厚度的極紫外(EUV)透射率的評估結(jié)果的曲線。

圖18A示出在多孔薄膜中包括的多個納米線包括碳(Carbon,C)的情形下EUV透射率的評估結(jié)果。圖18B示出在多孔薄膜中包括的多個納米線包括硅(Silicon,Si)的情形下EUV透射率的評估結(jié)果。

一般地，由于EUV光具有約13.5nm的相對短的波長，所以大部分材料可以表現(xiàn)出高的EUV光吸收率。然而，由于保護(hù)膜隔膜中包括的多個納米線彼此交叉布置以形成規(guī)則或不規(guī)則的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所以根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜隔膜可以具有非常低的表面密度和高的透光率。

從圖18A和18B的結(jié)果可以確定，當(dāng)保護(hù)膜隔膜具有約1μm的相對大的厚度時，通過根據(jù)示例實施方式的方法使用包括碳(C)或硅(Si)的多個納米線制造的保護(hù)膜隔膜具有非常高的EUV透射率。

圖19是示出在根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜中包括的包含多個納米線的保護(hù)膜隔膜的帶外(OoB)反射率與比較示例1和2的OoB反射率之間的比較結(jié)果的曲線。

在圖19中，“實施方式”示出在保護(hù)膜隔膜包括通過根據(jù)示例實施方式的方法使用多個硅納米線制造的多孔薄膜的情形下具有約1μm(微米)的相對大的厚度的硅多孔薄膜的評估結(jié)果?！氨容^示例1”示出具有約16nm(納米)的厚度的體碳(C)膜的評估結(jié)果，“比較示例2”示出具有約57nm的厚度的體硅膜的評估結(jié)果。

從圖19的結(jié)果可以看出，DUV光(約190nm至約300nm)的反射率在“實施方式”中比在“比較示例1”和“比較示例2”中低。因此，可以看出，由于根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜包括包含多孔薄膜的保護(hù)膜隔膜，該多孔薄膜具有彼此交叉布置以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多個納米線，所以可以在使用EUV光的曝光工藝中獲得比在使用包括體材料的保護(hù)膜隔膜時高的分辨率。

圖20是包括通過使用根據(jù)示例實施方式的IC器件制造裝置制造的IC器件的存儲卡1200的方框圖。

存儲卡1200可以包括配置為產(chǎn)生命令和地址信號C/A的存儲控制器1220以及存儲器1210例如快閃存儲器(包括但是不限于一個快閃存儲器件或多個快閃存儲器件)。存儲控制器1220可以包括配置為發(fā)送命令和地址信號C/A到主機或從主機接收命令和地址信號C/A的主機接口1223、以及配置為再次發(fā)送命令和地址信號C/A到存儲器1210或從存儲器1210接收命令和地址信號C/A的存儲接口1225。主機接口1223、控制器1224和存儲接口1225可以經(jīng)由公共總線1228而與控制器存儲器(例如SRAM)1221和處理器(例如CPU)1222通信。

存儲器1210可以從存儲控制器1220接收命令和地址信號，響應(yīng)該命令和地址信號而在存儲器1210中的至少一個存儲器件中存儲數(shù)據(jù)，以及從至少一個存儲器件搜索數(shù)據(jù)。每個存儲器件可以包括多個可尋址的存儲器單元以及解碼器，該解碼器配置為在編程和讀取操作期間接收命令和地址信號并產(chǎn)生行信號和列信號以訪問可尋址的存儲器單元中的至少一個。

包括存儲控制器1220和存儲器1210的存儲卡1200的每個部件可以包括通過使用根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜、根據(jù)示例實施方式的光掩模組件、或包括該保護(hù)膜和光掩模組件的IC器件制造裝置制造的IC器件，其中存儲控制器1220包括控制器存儲器1221、處理器1222、主機接口1223、控制器1224、存儲接口1225。此外，包括存儲控制器1220和存儲器1210的存儲卡1200的每個部件可以包括通過如參照圖17描述的制造IC器件的方法制造的IC器件，其中存儲控制器1220包括控制器存儲器1221、處理器1222、主機接口1223、控制器1224、存儲接口1225。

圖21是采用存儲卡1310的存儲系統(tǒng)1300的方框圖，該存儲卡1310包括通過使用根據(jù)示例實施方式的制造IC器件的方法制造的IC器件。

存儲系統(tǒng)1300可以包括可經(jīng)由公共總線1360相互通信的處理器1330(例如CPU)、隨機存取存儲器(RAM)1340、用戶接口1350以及調(diào)制解調(diào)器1320。存儲系統(tǒng)1300的每個元件可以經(jīng)由公共總線1360發(fā)送信號到存儲卡1310和從存儲卡1310接收信號。包括存儲卡1310、處理器1330、RAM 1340、用戶接口1350以及調(diào)制解調(diào)器1320的存儲系統(tǒng)1300的每個部件可以包括通過使用根據(jù)示例實施方式的保護(hù)膜、根據(jù)示例實施方式的光掩模組件、或包括該保護(hù)膜和光掩模組件的IC器件制造裝置制造的IC器件。存儲系統(tǒng)1300可以包括通過使用參照圖17描述的制造IC器件的方法制造的IC器件。

存儲系統(tǒng)1300可以應(yīng)用在各種電子應(yīng)用的領(lǐng)域中。例如，存儲系統(tǒng)1300可以應(yīng)用于固態(tài)驅(qū)動器(SSD)、CMOS圖像傳感器(CIS)以及計算機應(yīng)用芯片組。

存儲系統(tǒng)1300可以通過使用具有各種形狀的封裝中的任一種來封裝，例如所述封裝包括但是不限于球柵陣列(BGA)、芯片級封裝(CSP)、帶引線的塑料芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級制造的封裝(WFP)以及晶片級處理的堆疊封裝(WSP)，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。

應(yīng)當(dāng)理解，這里描述的示例性實施方式應(yīng)當(dāng)僅以說明性的含義來理解，而不是為了限制的目的。對根據(jù)示例實施方式的每個器件或方法內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)當(dāng)通常被認(rèn)為可用于根據(jù)示例實施方式的其它器件或方法中的其它類似的特征或方面。盡管已經(jīng)參照示例實施方式具體示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變而沒有脫離權(quán)利要求書限定的精神和范圍。

本申請要求于2015年8月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0109574號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用被整體結(jié)合于此。