本發(fā)明屬于空間光學(xué)系統(tǒng)先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。

背景技術(shù)：

大口徑復(fù)雜曲面(非球面、離軸非球面、自由曲面等)反射鏡是空間對地高分辨率光學(xué)遙感器的核心元件。由于面形精度要求極高，復(fù)雜曲面反射鏡的加工、檢測都面臨巨大挑戰(zhàn)。其加工和檢測水平是光學(xué)制造能力的重要體現(xiàn)。

光學(xué)復(fù)雜曲面的面形誤差檢測方法主要是衍射光學(xué)補(bǔ)償法。衍射式補(bǔ)償法采用計(jì)算全息圖(Computer Generated Hologram,CGH)作為補(bǔ)償器。和傳統(tǒng)補(bǔ)償器相比，CGH檢測方法理論上可產(chǎn)生任意波前，同時(shí)具有設(shè)計(jì)殘差小、結(jié)構(gòu)簡單、無組裝誤差、制作周期短、設(shè)計(jì)靈活等優(yōu)點(diǎn)。

根據(jù)制作工藝不同，CGH可分為振幅型和位相型兩種。振幅型CGH所使用衍射級次的衍射效率較低，僅適用于檢測表面粗糙度很好的拋光表面。而位相型CGH所使用衍射級次的衍射效率能達(dá)到40％以上，因而較振幅型CGH具有更大的應(yīng)用范圍。但位相型CGH的制作工藝對設(shè)備精度要求較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中位相型CGH的制作工藝對設(shè)備精度要求較高的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供基板；

在所述基板的一個(gè)表面形成截止膜；

在所述截止膜背離所述基板的表面制作形成刻蝕膜；

對所述刻蝕膜進(jìn)行刻蝕，以形成計(jì)算全息圖；

其中，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率。

優(yōu)選地，所述截止膜的刻蝕速率與所述刻蝕膜的刻蝕速率比小于1/100。

優(yōu)選地，所述在所述基板的一個(gè)表面形成截止膜具體為：

采用熱蒸發(fā)工藝、磁控濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在所述基板的一個(gè)表面形成截止膜。

優(yōu)選地，所述對所述刻蝕膜進(jìn)行刻蝕，以形成計(jì)算全息圖，具體包括：

在所述刻蝕膜表面形成光刻膠層；

在所述光刻膠層上進(jìn)行曝光；

對所述光刻膠層進(jìn)行顯影，形成計(jì)算全息圖形；

對所述計(jì)算全息圖形對應(yīng)的刻蝕膜進(jìn)行刻蝕；

清洗所述刻蝕膜的表面，去除殘留光刻膠，以形成計(jì)算全息圖。

優(yōu)選地，所述在所述光刻膠層上進(jìn)行曝光具體為：

改變激光直寫機(jī)的光刻物鏡與待加工半導(dǎo)體器件表面之間的距離，并調(diào)整所述激光直寫機(jī)中相應(yīng)的光路，采用所述激光直寫機(jī)在所述光刻膠層上進(jìn)行曝光。

優(yōu)選地，所述對所述計(jì)算全息圖形對應(yīng)的刻蝕膜進(jìn)行刻蝕具體為：

采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)對所述計(jì)算全息圖形對應(yīng)的刻蝕膜進(jìn)行刻蝕。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

基板；

位于所述基板的一個(gè)表面的截止膜；

位于所述截止膜背離所述基板表面的刻蝕膜，所述刻蝕膜包括鏤空區(qū)和非鏤空區(qū)，所述非鏤空區(qū)為計(jì)算全息圖形；

其中，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率。

優(yōu)選地，所述截止膜的刻蝕速率與所述刻蝕膜的刻蝕速率比小于1/100。

優(yōu)選地，所述截止膜的材料為五氧化二鉭或者二氧化鈦。

優(yōu)選地，所述截止膜的厚度小于等于30nm，大于0nm。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件制作方法中，在形成刻蝕膜之前增加一層截止膜，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的速率。在對所述刻蝕膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕速率快的部分，刻蝕膜首先被刻蝕完成，此時(shí)開始刻蝕截止膜；而刻蝕速率較小的部分繼續(xù)刻蝕所述刻蝕膜，由于截止膜的刻蝕速率低于刻蝕膜的刻蝕速率，因此，刻蝕膜被刻蝕較快的部分在截止膜部分等待刻蝕較慢的部分到達(dá)截止膜。當(dāng)刻蝕較慢的刻蝕膜被刻蝕掉時(shí)，結(jié)束整個(gè)刻蝕加工過程，以形成計(jì)算全息圖。由于截止膜的存在使得刻蝕膜被刻蝕的均勻性得到改善，進(jìn)而決定了刻蝕深度的均勻性。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件制作方法中將刻蝕膜的刻蝕深度均勻性轉(zhuǎn)化為刻蝕膜的生長均勻性，由于刻蝕膜的生長均勻性相對于刻蝕膜的刻蝕深度均勻性更容易實(shí)現(xiàn)，從而降低了CGH的制作工藝對刻蝕設(shè)備精度的要求。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件采用上面所述的半導(dǎo)體器件的制作方法制作而成，由于截止膜的存在，使得半導(dǎo)體器件的刻蝕深度具有較高的均勻性，從而使得本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件相對于現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件，提高了制作精度，進(jìn)而能夠提高作為檢測器件的半導(dǎo)體器件的檢測精度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的制作方法流程圖；

圖2本發(fā)明實(shí)施例提供的在基板上鍍截止膜的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的在截止膜上制作刻蝕膜的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的在刻蝕膜上涂光刻膠后的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光后的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯影后的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的經(jīng)過反應(yīng)離子刻蝕后的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有計(jì)算機(jī)全息圖案的半導(dǎo)體器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

現(xiàn)有技術(shù)中位相型CGH的制作過程一般分為掩模制備和反應(yīng)離子刻蝕兩個(gè)步驟。位相型CGH的基板多采用兩面精密拋光的石英玻璃。當(dāng)采用反應(yīng)離子刻蝕加工石英玻璃時(shí)，刻蝕深度均勻性是重要的誤差源，直接決定了位相型CGH的制作精度。通過調(diào)整反應(yīng)離子刻蝕的氣體成分和工藝參數(shù)，可以在有限的范圍內(nèi)提高深度刻蝕的均勻性，但無法實(shí)現(xiàn)優(yōu)于1％的刻蝕深度均勻性。

基于此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，如圖1所示，包括如下步驟：

S101：提供基板；

本實(shí)施例中不限定基板的具體材質(zhì)，可選地，本實(shí)施例中基板為石英玻璃板，優(yōu)選地，使用高精度拋光機(jī)雙面拋光所述石英玻璃板的表面。本實(shí)施例中，在拋光過程中，不斷檢測基板的等厚性，即所述基板上下兩個(gè)端面之間的平行度，經(jīng)過拋光后將石英玻璃板的等厚性控制在6nm以內(nèi)，以便于提高半導(dǎo)體器件的性能。

S102：在所述基板的一個(gè)表面形成截止膜；

請參見圖2，在基板1的表面形成截止膜2，本實(shí)施例中，截止膜的刻蝕速率低于后續(xù)在截止膜表面生長的刻蝕膜的刻蝕速率，因此，所述截止膜能夠降低刻蝕速率，使得刻蝕深度均勻性提高。

可選地，截止膜2的材料為五氧化二鉭或者二氧化鈦。需要說明的是，本實(shí)施例中由于在半導(dǎo)體器件制作完成后，所述截止膜仍然存在，因此，為避免增加截止膜后對半導(dǎo)體器件的厚度有所增加，本實(shí)例中在保證截止膜2的截止作用基礎(chǔ)上，截止膜2的厚度優(yōu)選為小于等于30nm，大于0nm。需要說明的是，根據(jù)截止膜的刻蝕速率不同，截止膜的厚度也可以不同，截止膜的厚度，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)中刻蝕速率的不同而選擇，本實(shí)施例中對此不做贅述。

本實(shí)施例中采用鍍膜機(jī)在基板1的一個(gè)表面制作形成一層截止膜2，所述鍍膜機(jī)可以為熱蒸發(fā)、磁控濺射或者化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以上鍍膜設(shè)備均能夠達(dá)到很好的生長均勻性，也即，本實(shí)施例中截止膜可以采用熱蒸發(fā)工藝、磁控濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在基板的一個(gè)表面形成。

S103：在所述截止膜背離所述基板的表面制作形成刻蝕膜；

請參見圖3，本實(shí)施例中，在截止膜2的上表面制作形成刻蝕膜3，此處所述上表面即為所述截止膜2上背離基板1的表面。

刻蝕膜3的制作工藝及制作設(shè)備與截止膜2的制作工藝及制作設(shè)備相同，可選地，刻蝕膜3采用鍍膜機(jī)制作形成，所述鍍膜機(jī)可以為熱蒸發(fā)、磁控濺射或者化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以上鍍膜設(shè)備均能夠達(dá)到很好的生長均勻性，也即，本實(shí)施例中刻蝕膜可以采用熱蒸發(fā)工藝、磁控濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在截止膜的表面形成。

需要說明的是，因?yàn)榭涛g到截止膜才停止刻蝕，所以刻蝕膜的厚度一定等于獲得的CGH光柵結(jié)構(gòu)溝槽的刻蝕深度。即刻蝕膜3的厚度由刻蝕完成后CGH團(tuán)的溝槽的深度決定，也即即刻蝕膜3的厚度等于最終刻蝕完成圖案溝槽的深度。

在鍍刻蝕膜時(shí)，即需要考慮鍍多厚的刻蝕膜，對于CGH圖案而言，刻蝕膜的厚度值是CGH設(shè)計(jì)人員根據(jù)光學(xué)參數(shù)給出的。從CGH設(shè)計(jì)角度考慮，CGH圖案的深度與CGH溝槽占空比有匹配關(guān)系，刻蝕膜的厚度一般在采用CGH作為補(bǔ)償器進(jìn)行檢測時(shí)用到的激光的半個(gè)波長左右即可。

本實(shí)施例中對刻蝕膜的材質(zhì)不做限定，可選地，刻蝕膜的材質(zhì)與基板的材質(zhì)相同，均可以優(yōu)選為二氧化硅(SiO₂)。

S104：對所述刻蝕膜進(jìn)行刻蝕，以形成計(jì)算全息圖；

本實(shí)施例中所述對所述刻蝕膜進(jìn)行刻蝕，以形成計(jì)算全息圖，具體包括：

S1041：在所述刻蝕膜表面形成光刻膠層；

請參見圖4，本實(shí)施例中采用涂膠機(jī)在刻蝕3背離截止膜2的表面均勻旋涂光刻膠，形成光刻膠層4?？蛇x地，選擇紫外正性光刻膠，光刻膠厚度控制在500nm左右。涂光刻膠完成后，還需要進(jìn)行前烘處理。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述光刻膠還可以是負(fù)性光刻膠，本實(shí)施例中對此不做限定。

S1042：在所述光刻膠層上進(jìn)行曝光；

請參見圖5，本實(shí)施例中在形成光刻膠層后，改變激光直寫機(jī)的光刻物鏡與待加工半導(dǎo)體器件表面之間的距離，并調(diào)整所述激光直寫機(jī)中相應(yīng)的光路，采用所述激光直寫機(jī)在所述光刻膠層上進(jìn)行曝光。光刻膠層被分為曝光部分和非曝光部分，從而在光刻膠的表面加工出所設(shè)計(jì)的CGH圖案。激光直寫技術(shù)，是利用聚焦的激光光束，由計(jì)算機(jī)控制聲光調(diào)制器、平臺(tái)或轉(zhuǎn)臺(tái)的運(yùn)動(dòng)，在光刻膠上進(jìn)行曝光。

檢測用CGH基板的厚度一般較大，通常為10mm～20mm，現(xiàn)有技術(shù)是先把CGH圖案加工到掩模板，然后使用掩模板將CGH圖案復(fù)制到CGH基板上。而現(xiàn)有激光直寫機(jī)無法加工如此厚的CGH基板，僅可加工厚度8mm以下的基板。經(jīng)過改造的激光直寫機(jī)才可以加工檢測用的CGH基板。對于沒有定制機(jī)器的用戶而言，只能采用掩模板復(fù)制的方法。

本實(shí)施例中通過改變激光直寫機(jī)的光刻物鏡與待加工CGH基板表面之間的距離，并調(diào)整相應(yīng)的光路，從而采用激光直寫機(jī)直接加工CGH基板，節(jié)省了工藝環(huán)節(jié)，提高了線寬精度。

S1043：對所述光刻膠層進(jìn)行顯影，形成計(jì)算全息圖形；

請參見圖6，待對所述曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影后，清洗CGH圖案，再進(jìn)行后烘堅(jiān)膜處理。此工藝步驟后，殘留在刻蝕膜表面的光刻膠形成CGH圖案。

S1044：對所述計(jì)算全息圖形對應(yīng)的刻蝕膜進(jìn)行刻蝕；

本實(shí)施例中不限定對刻蝕膜進(jìn)行刻蝕時(shí)的具體刻蝕工藝，可選地，將帶有光刻膠形成CGH圖案的半導(dǎo)體器件半成品放入反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，進(jìn)行刻蝕加工。請參見圖7，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)對所述計(jì)算全息圖形對應(yīng)的刻蝕膜進(jìn)行刻蝕。

需要說明的是，由于本實(shí)施例中截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率。本實(shí)施例中不限定兩者之間的定量對應(yīng)關(guān)系。截止膜的刻蝕速率與刻蝕膜的刻蝕速率的刻蝕速率比越小，越容易獲得高刻蝕均勻性。當(dāng)截止膜的刻蝕速率與刻蝕膜的刻蝕速率的刻蝕速率比小于1/100時(shí)，非常有利于達(dá)到1％均勻性。優(yōu)選地，本實(shí)施例中，截止膜的刻蝕速率與刻蝕膜的刻蝕速率的刻蝕速率比小于1/100。

本實(shí)施例中刻蝕膜的材料可選為二氧化硅，截止膜的材料可選為五氧化二鉭或者二氧化鈦。所述截止膜的厚度小于等于30nm，大于0nm。

需要說明的是，本實(shí)施例采用的截止膜材料的反應(yīng)離子刻蝕速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于刻蝕膜材料的反應(yīng)離子刻蝕速率。當(dāng)位于半導(dǎo)體器件半成品表層的刻蝕膜材料刻蝕到截止膜材料時(shí)，刻蝕速率急劇下降，深度方向的刻蝕不再發(fā)生變化，截止膜材料起到了刻蝕截止的作用；由于截止膜的存在，刻蝕較快的部分首先達(dá)到截止膜，等待刻蝕較慢的部分到達(dá)截止膜。當(dāng)全部待刻蝕的刻蝕膜被完全刻蝕掉時(shí)，就可以結(jié)束整個(gè)反應(yīng)離子刻蝕加工過程。

傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的制作方法的刻蝕深度均勻性依賴于反應(yīng)離子刻蝕機(jī)本身的加工能力，通過調(diào)整反應(yīng)離子刻蝕的氣體成分和工藝參數(shù)，可以在有限的范圍內(nèi)提高深度刻蝕的均勻性，但無法實(shí)現(xiàn)優(yōu)于1％的刻蝕深度均勻性。而本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的制作方法將反應(yīng)離子刻蝕的均勻性轉(zhuǎn)化為刻蝕膜生長的均勻性，由于設(shè)備的工作原理決定，與反應(yīng)離子刻蝕機(jī)比，鍍膜機(jī)的厚度均勻性要容易保證，因此能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)于1％的刻蝕深度均勻性。

S1045：清洗所述刻蝕膜的表面，去除殘留光刻膠，以形成計(jì)算全息圖。

請參見圖8，待所有需要刻蝕掉的刻蝕膜都被完全去除后，即可完成反應(yīng)離子刻蝕加工。清洗所述刻蝕膜的表面，去除殘留在刻蝕膜上層的光刻膠，以形成計(jì)算全息圖5。

本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件制作方法中，在形成刻蝕膜之前增加一層截止膜，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的速率。在對所述刻蝕膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕速率快的部分，刻蝕膜首先被刻蝕完成，此時(shí)開始刻蝕截止膜；而刻蝕速率較小的部分繼續(xù)刻蝕所述刻蝕膜，由于截止膜的刻蝕速率低于刻蝕膜的刻蝕速率，因此，刻蝕膜被刻蝕較快的部分在截止膜部分等待刻蝕較慢的部分到達(dá)截止膜。當(dāng)刻蝕較慢的刻蝕膜被刻蝕掉時(shí)，結(jié)束整個(gè)刻蝕加工過程，以形成計(jì)算全息圖。由于截止膜的存在使得刻蝕膜被刻蝕的均勻性得到改善，進(jìn)而決定了刻蝕深度的均勻性。

本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件，如圖8所示，包括：基板1；位于所述基板1的一個(gè)表面的截止膜2；位于所述截止膜2背離所述基板表面的刻蝕膜，所述刻蝕膜包括鏤空區(qū)和非鏤空區(qū)，所述非鏤空區(qū)為計(jì)算全息圖形5；其中，所述截止膜的刻蝕速率低于所述刻蝕膜的刻蝕速率?？蛇x地，所述截止膜的刻蝕速率與所述刻蝕膜的刻蝕速率比小于1/100。

本實(shí)施例中不限定基板1的具體材質(zhì)，可選地，本實(shí)施例中基板1為石英玻璃板，并使用高精度拋光機(jī)雙面拋光所述石英玻璃板的表面。本實(shí)施例中，在拋光過程中，不斷檢測基板的等厚性，即所述基板上下兩個(gè)端面之間的平行度，經(jīng)過拋光后將石英玻璃板的等厚性控制在6nm以內(nèi)，以便于提高半導(dǎo)體器件的性能，對于檢測用半導(dǎo)體器件而言，提高了半導(dǎo)體器件的制作精度，能夠提高檢測用半導(dǎo)體器件的檢測精度。

本實(shí)施例中也不限定截止膜2的具體材質(zhì)，可選地，截止膜2的材料為五氧化二鉭或者二氧化鈦。為避免增加截止膜后對半導(dǎo)體器件的厚度有所增加，本實(shí)例中在保證截止膜2的截止作用基礎(chǔ)上，截止膜2的厚度優(yōu)選為小于等于30nm，大于0nm。需要說明的是，根據(jù)截止膜的刻蝕速率不同，截止膜的厚度也可以不同，截止膜的厚度，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)中刻蝕速率的不同而選擇，本實(shí)施例中對此不做贅述。

本實(shí)施例中采用鍍膜機(jī)在基板1的一個(gè)表面制作形成一層截止膜2，所述鍍膜機(jī)可以為熱蒸發(fā)、磁控濺射或者化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以上鍍膜設(shè)備均能夠達(dá)到很好的生長均勻性，也即，本實(shí)施例中截止膜可以采用熱蒸發(fā)工藝、磁控濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在基板的一個(gè)表面形成。

刻蝕膜的制作工藝及制作設(shè)備與截止膜2的制作工藝及制作設(shè)備相同，可選地，刻蝕膜采用鍍膜機(jī)制作形成，所述鍍膜機(jī)可以為熱蒸發(fā)、磁控濺射或者化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以上鍍膜設(shè)備均能夠達(dá)到很好的生長均勻性，也即，本實(shí)施例中刻蝕膜可以采用熱蒸發(fā)工藝、磁控濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在截止膜的表面形成。

所述刻蝕膜包括鏤空區(qū)和非鏤空區(qū)，所述非鏤空區(qū)為計(jì)算全息圖形5，即在截止膜背離基板1的表面上形成了計(jì)算全息圖形?？蛇x的，本實(shí)施例中所述半導(dǎo)體器件為采用計(jì)算全息圖的補(bǔ)償器。

本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件，采用上一實(shí)施例中所述的半導(dǎo)體器件的制作方法制作而成，由于截止膜的存在，使得半導(dǎo)體器件的刻蝕深度具有較高的均勻性，從而使得本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件相對于現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件，提高了制作精度，進(jìn)而能夠提高作為檢測器件的半導(dǎo)體器件的檢測精度。且所述半導(dǎo)體器件的制作工藝對刻蝕設(shè)備精度要求也降低，使得半導(dǎo)體器件的刻蝕工藝的控制更加簡單。

需要說明的是，本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。