本公開涉及光刻裝置、圖案形成方法和用于制造產(chǎn)品的方法。

背景技術(shù)：

用于在基板上形成圖案的光刻裝置被用于制造半導(dǎo)體設(shè)備和平板顯示器。光刻裝置的示例包括曝光裝置和壓印裝置。需要光刻裝置的高生產(chǎn)率和小型化技術(shù)。與其上安裝的基板或原版(original)一起被驅(qū)動(dòng)的臺(tái)架(stage)因此需要被以高速度和高精度驅(qū)動(dòng)。對(duì)于高速度和高精度臺(tái)架控制，通過使用高分辨率激光干涉計(jì)和用作激光的目標(biāo)并且具有高精度的平坦度的反射鏡來測(cè)量臺(tái)架的位置。隨著臺(tái)架的驅(qū)動(dòng)范圍增加，反射鏡在長度上增加。這已導(dǎo)致諸如難以實(shí)現(xiàn)高精度的平坦度以及成本的增加的問題。

作為處理這樣的問題的方法，日本專利申請(qǐng)公開No.2002-319541討論了用于通過切換多個(gè)激光干涉計(jì)來執(zhí)行位置測(cè)量的技術(shù)。根據(jù)日本專利申請(qǐng)公開No.2002-319541，在多個(gè)激光干涉計(jì)可以同時(shí)進(jìn)行測(cè)量的區(qū)域中，使用和切換多個(gè)激光干涉計(jì)。以這樣的方式，實(shí)現(xiàn)了跨臺(tái)架的整個(gè)驅(qū)動(dòng)范圍的位置測(cè)量和位置控制。

光刻裝置在對(duì)基板執(zhí)行處理之前執(zhí)行Z方向上的焦點(diǎn)測(cè)量處理以獲得焦點(diǎn)偏移。光刻裝置還執(zhí)行X方向和Y方向上的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理以獲得對(duì)準(zhǔn)偏移。光刻裝置然后將獲得的焦點(diǎn)和對(duì)準(zhǔn)偏移反映在臺(tái)架控制上，并且對(duì)基板執(zhí)行處理。如果通過使用多個(gè)激光干涉計(jì)執(zhí)行Z方向上的焦點(diǎn)測(cè)量處理，那么在臺(tái)架驅(qū)動(dòng)的坐標(biāo)系中確定切換激光干涉計(jì)的位置。利用反映在臺(tái)架控制上的對(duì)準(zhǔn)偏移，可由此通過在焦點(diǎn)測(cè)量處理中和在對(duì)基板的處理中使用不同的激光干涉計(jì)來測(cè)量同一處理目標(biāo)(例如，射擊(shot))。

在多次對(duì)同一基板執(zhí)行同一處理的情況下，可通過使用不同的激光干涉計(jì)測(cè)量同一處理目標(biāo)。例如，如果多次執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理，那么可根據(jù)前一處理結(jié)束時(shí)臺(tái)架的位置在多個(gè)處理中在不同的方向上驅(qū)動(dòng)臺(tái)架。因此，甚至同一處理目標(biāo)(例如，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)可由此通過使用不同的激光干涉計(jì)測(cè)量。

并且，在對(duì)具有同一射擊布局的不同基板執(zhí)行同一處理的情況下，可通過使用不同的激光干涉計(jì)測(cè)量基板上的相同位置處的相應(yīng)的處理目標(biāo)。例如，在對(duì)相應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理的情況下，可根據(jù)每個(gè)基板與基板臺(tái)架之間的位置偏離量的差異和基板臺(tái)架的驅(qū)動(dòng)方向上的差異通過使用不同的激光干涉計(jì)測(cè)量不同基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

激光干涉計(jì)和反射鏡由于制造誤差而具有唯一的特性。根據(jù)唯一的特性，通過不同的激光干涉計(jì)測(cè)量的同一目標(biāo)可在測(cè)量結(jié)果中產(chǎn)生誤差。這樣的測(cè)量誤差改變臺(tái)架控制的特性。

因此，如果對(duì)同一處理目標(biāo)或相應(yīng)的處理目標(biāo)執(zhí)行多個(gè)處理，那么對(duì)于臺(tái)架控制使用不同的激光干涉計(jì)可導(dǎo)致臺(tái)架控制的特性的變化以使臺(tái)架控制的精度下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開針對(duì)的是能夠抑制臺(tái)架控制的精度的下降的光刻裝置、圖案形成方法和用于制造產(chǎn)品的方法。

根據(jù)本公開的一方面，提供在基板上形成圖案的光刻裝置，該光刻裝置包括：移動(dòng)單元，所述移動(dòng)單元被配置為與安裝在其上的原版或基板一起移動(dòng)；多個(gè)測(cè)量單元，所述多個(gè)測(cè)量單元被配置為獲得關(guān)于所述移動(dòng)單元的位置的信息，各測(cè)量單元的測(cè)量區(qū)域彼此重疊；以及控制單元，所述控制單元被配置為基于位于重疊測(cè)量區(qū)域中的切換位置來切換被用于獲得關(guān)于所述移動(dòng)單元的位置的信息的測(cè)量單元，其中，在對(duì)所述原版上或基板上的多個(gè)處理目標(biāo)中的一個(gè)處理目標(biāo)執(zhí)行多個(gè)處理的情況下，所述控制單元使切換位置能夠改變并且控制測(cè)量單元，使得在執(zhí)行所述多個(gè)處理中所述測(cè)量單元中的同一個(gè)測(cè)量單元被使用。

根據(jù)本公開的其它方面，這里討論一個(gè)或多個(gè)另外的光刻裝置、一個(gè)或多個(gè)圖案形成方法和一個(gè)或多個(gè)用于制造產(chǎn)品的方法。從以下參照附圖的示例性實(shí)施例的描述，本公開的進(jìn)一步特征將變得清楚。

附圖說明

圖1是示出曝光裝置的配置的示圖。

圖2是示出其中布置多個(gè)測(cè)量單元的配置的示圖。

圖3是示出測(cè)量單元的測(cè)量區(qū)域和切換位置的示圖。

圖4是曝光過程處理的流程圖。

圖5是示出晶片與頂部(top)臺(tái)架之間的位置關(guān)系的示圖。

圖6是示出焦點(diǎn)測(cè)量處理中的臺(tái)架位置的示圖。

圖7是示出切換位置被改變時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。

圖8是示出測(cè)量各射擊的測(cè)量單元的編號(hào)的示圖。

圖9是示出在頂部臺(tái)架在+X方向上移動(dòng)時(shí)測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。

圖10是示出切換位置被改變時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。

圖11是示出用于測(cè)量Y方向上的臺(tái)架位置的兩個(gè)激光干涉計(jì)的示圖。

圖12是示出應(yīng)用多個(gè)激光干涉計(jì)的標(biāo)線片(reticle)臺(tái)架的示圖。

圖13是示出應(yīng)用多個(gè)激光干涉計(jì)的標(biāo)線片臺(tái)架的上表面的示圖。

圖14是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的曝光處理時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。

圖15是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)測(cè)量各射擊的測(cè)量單元的編號(hào)的示圖。

圖16是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)在頂部臺(tái)架在-X方向上移動(dòng)時(shí)測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施例。以下的示例性實(shí)施例涉及其中曝光裝置被用作光刻裝置的示例。在附圖中，類似的部件由相同的附圖標(biāo)記標(biāo)出。將省略其重復(fù)的描述。

以下將描述第一示例性實(shí)施例。圖1是示出曝光裝置的配置的示圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例的曝光裝置包括光源單元(未示出)。光源的示例包括高壓汞燈和準(zhǔn)分子激光器。如果光源是準(zhǔn)分子激光器，那么光源單元不必處于曝光裝置的腔室內(nèi)部，而可被外部附接到裝置。從光源單元發(fā)射的光經(jīng)由照明單元32照明未示出的標(biāo)線片(原版或掩膜)。標(biāo)線片具有要被轉(zhuǎn)印到晶片(基板)上的圖案，感光材料被施加到晶片(基板)。標(biāo)線片被安裝在標(biāo)線片臺(tái)架33(移動(dòng)單元)上。標(biāo)線片臺(tái)架33經(jīng)由標(biāo)線片卡盤(chuck)(未示出)吸附并保持標(biāo)線片。例如，標(biāo)線片臺(tái)架33被配置為可通過線性馬達(dá)(未示出)移動(dòng)。

投影單元34將在標(biāo)線片上繪制的圖案投影到放置在晶片卡盤26上的晶片(未示出)上。投影單元34被鏡筒支撐體35支撐。主體活動(dòng)底座(active mount)36在抑制振動(dòng)的同時(shí)支撐鏡筒支撐體35。主體活動(dòng)底座36還阻擋來自地面的振動(dòng)。主體活動(dòng)底座36和臺(tái)架活動(dòng)底座37被安裝在定位表面板(surface plate)38上。

聚焦傳感器20包括用于將光(多個(gè)射束)投影在晶片上的光投影系統(tǒng)、用于接收來自晶片的反射光的光接收系統(tǒng)和檢測(cè)來自光接收系統(tǒng)的光并且向控制單元301輸出檢測(cè)信號(hào)的檢測(cè)單元。光投影系統(tǒng)和光接收系統(tǒng)在Y方向上被布置，其中投影單元34的發(fā)射部分的附近位于其間。光投影系統(tǒng)利用斜入射光照射晶片，并且光接收系統(tǒng)在相對(duì)側(cè)捕獲反射光。控制單元301基于通過聚焦傳感器20獲得的檢測(cè)信號(hào)確定晶片在Z方向上的位移量。

固定鏡子21和22是意圖用于Z方向上的測(cè)量的鏡子。固定鏡子21和22被固定到鏡筒支撐體35。附接到頂部臺(tái)架27上的移動(dòng)鏡子39包括兩個(gè)反射表面，從而集成了意圖用于Z方向上的測(cè)量的鏡子30和意圖用于X方向上的測(cè)量的鏡子29。

X臺(tái)架31可在X方向上移動(dòng)。Y臺(tái)架40可在Y方向上移動(dòng)。臺(tái)架表面板41支撐Y臺(tái)架40和X臺(tái)架31。臺(tái)架活動(dòng)底座37抑制由于X臺(tái)架31和Y臺(tái)架40的移動(dòng)而出現(xiàn)的臺(tái)架表面板41的振動(dòng)，并且阻擋來自地面的振動(dòng)。X臺(tái)架31和Y臺(tái)架40以X臺(tái)架31和Y臺(tái)架40不與臺(tái)架表面板41接觸的這樣的方式經(jīng)由靜壓軸承(未示出)被臺(tái)架表面板41支撐。

X線性馬達(dá)42是用于在X方向上移動(dòng)X臺(tái)架31的臺(tái)架驅(qū)動(dòng)線性馬達(dá)。X線性馬達(dá)42的動(dòng)子(mover)被布置在X臺(tái)架31上，并且X線性馬達(dá)42的定子被布置在臺(tái)架表面板41上。定子可以以定子不與臺(tái)架表面板41接觸的這樣的方式經(jīng)由靜壓軸承(未示出)在臺(tái)架表面板41上被支撐?？商娲?，定子可以被固定到臺(tái)架表面板41。還設(shè)置用于在Y方向上移動(dòng)Y臺(tái)架40的臺(tái)架驅(qū)動(dòng)Y線性馬達(dá)(未示出)。Y線性馬達(dá)的動(dòng)子被布置在Y臺(tái)架40上，并且其定子被布置在X臺(tái)架31上，由此在X臺(tái)架31與Y臺(tái)架40之間產(chǎn)生Y方向上的驅(qū)動(dòng)力。

頂部臺(tái)架27被安裝在Y臺(tái)架40上。頂部臺(tái)架27可通過致動(dòng)器(未示出)相對(duì)于Y臺(tái)架40細(xì)微地移動(dòng)。激光干涉計(jì)23是用于測(cè)量鏡筒支撐體35與其上被安裝晶片的頂部臺(tái)架27之間的Y方向上的相對(duì)位置、并且用于測(cè)量頂部臺(tái)架27的姿態(tài)的激光干涉計(jì)。類似地，設(shè)置用于測(cè)量鏡筒支撐體35與頂部臺(tái)架27之間的X方向上的相對(duì)位置、并且用于測(cè)量頂部臺(tái)架27的姿態(tài)的激光干涉計(jì)24(圖1中未示出，參見圖2)。并且，用于測(cè)量鏡筒支撐體35與頂部臺(tái)架27之間的Z方向上的相對(duì)位置的激光干涉計(jì)25被固定到X臺(tái)架31。激光干涉計(jì)25測(cè)量從X臺(tái)架31經(jīng)由固定鏡子21和22到移動(dòng)鏡子39的距離。也可通過使用布置在Y臺(tái)架40中的Z位移傳感器43測(cè)量頂部臺(tái)架27的位置。Z位移傳感器43是與激光干涉計(jì)25分開設(shè)置的位移傳感器。Z位移傳感器43的示例包括線性編碼器和電容傳感器。Z位移傳感器43在三個(gè)位置處測(cè)量頂部臺(tái)架37相對(duì)于Y臺(tái)架40的位移，并且由此可測(cè)量頂部臺(tái)架27在Z方向和傾斜方向上的位移。應(yīng)當(dāng)注意，在圖1中示出三個(gè)Z位移傳感器43中的兩個(gè)。另一個(gè)Z位移傳感器43沒有被示出。

晶片卡盤26被安裝在頂部臺(tái)架27上并且保持晶片。頂部臺(tái)架27在Z方向、θ方向、ωX方向和ωY方向上定位晶片卡盤26。

由晶片卡盤26保持的晶片由此通過X臺(tái)架31、Y臺(tái)架40、頂部臺(tái)架27和晶片卡盤26的驅(qū)動(dòng)而被移動(dòng)。X臺(tái)架31、Y臺(tái)架40、頂部臺(tái)架27和晶片卡盤26將被統(tǒng)稱為晶片臺(tái)架(移動(dòng)單元)。移動(dòng)單元的配置不限于前述配置。

控制單元301是諸如計(jì)算機(jī)的信息處理裝置，并且包括中央處理單元(CPU)和存儲(chǔ)器等?？刂茊卧?01控制曝光裝置的各種單元和設(shè)備，并且執(zhí)行各種算術(shù)運(yùn)算。控制單元301可以由多個(gè)信息處理裝置配置。

圖2是示出其中布置多個(gè)測(cè)量單元的配置的示圖。在本示例性實(shí)施例中，使用可測(cè)量重疊區(qū)域的兩個(gè)激光干涉計(jì)以測(cè)量單個(gè)方向(Z方向)上的臺(tái)架位置。

干涉計(jì)25a和25b是用于測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置的兩個(gè)干涉計(jì)。干涉計(jì)25a和25b均被安裝在X臺(tái)架31上。激光干涉計(jì)25a和25b被布置為使得從激光干涉計(jì)25a和25b發(fā)射的射束與XY平面垂直?？商娲兀涫ㄟ^諸如鏡子的光學(xué)元件被引導(dǎo)為垂直。在本示例性實(shí)施例中，從激光干涉計(jì)25a和25b發(fā)射的射束經(jīng)由固定鏡子21a、21b、22a和22b被分別使得入射在各自具有與XY平面平行的反射表面的鏡子30a和30b上，由此頂部臺(tái)架27在Z方向上的位置被測(cè)量。這里，第一測(cè)量單元包括激光干涉計(jì)25b和形成從激光干涉計(jì)25b發(fā)射的激光束的激光光束路徑的固定鏡子21b和22b以及鏡子30b。第二測(cè)量單元包括激光干涉計(jì)25a和形成從激光干涉計(jì)25a發(fā)射的激光束的激光光束路徑的固定鏡子21a和22a以及鏡子30a。每個(gè)測(cè)量單元檢測(cè)激光光束路徑的路徑長度的變化，以獲得關(guān)于頂部臺(tái)架27(鏡子30a或30b的反射表面)的位置的信息，諸如Z方向上的位置、速度和加速度。

在控制單元301中，CPU 302從第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元獲得測(cè)量值，并且將測(cè)量值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器303(存儲(chǔ)單元)中。CPU 302根據(jù)頂部臺(tái)架27在X方向上的位置執(zhí)行第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元之間的切換控制。以這種方式，可在避開阻擋投影單元34的透鏡鏡筒的測(cè)量光的障礙物的同時(shí)測(cè)量頂部臺(tái)架27在Z方向上的位置。在切換控制中，控制單元301將測(cè)量值從CPU 302到目前為止已通過其進(jìn)行測(cè)量的測(cè)量單元傳遞到CPU 302將要通過其進(jìn)行測(cè)量的測(cè)量單元。測(cè)量值被切換的頂部臺(tái)架27的位置位于兩個(gè)激光干涉計(jì)25a和25b均能夠進(jìn)行測(cè)量的測(cè)量區(qū)域(重疊測(cè)量區(qū)域)中。通過適當(dāng)?shù)厍袚Q測(cè)量單元，控制單元301持續(xù)不斷地輸出頂部臺(tái)架27在Z方向上的位置的測(cè)量值。

圖3是示出測(cè)量單元的測(cè)量區(qū)域和切換位置的示圖。頂部臺(tái)架27在X方向上的驅(qū)動(dòng)范圍被分割成測(cè)量區(qū)域。第一測(cè)量區(qū)域是僅第一測(cè)量單元進(jìn)行測(cè)量的區(qū)域。重疊測(cè)量區(qū)域是第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元兩者均可進(jìn)行測(cè)量的區(qū)域。第二測(cè)量區(qū)域是僅第二測(cè)量單元進(jìn)行測(cè)量的區(qū)域。當(dāng)頂部臺(tái)架27的任意位置通過切換位置104時(shí)，第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元被切換。頂部臺(tái)架27的任意位置的示例包括頂部臺(tái)架27的左端、中央和右端。假定頂部臺(tái)架27的任意位置是右端。在圖3中，頂部臺(tái)架27的右端相對(duì)于切換位置104位于-X方向上的位置處。因此，圖3示出第一測(cè)量單元被用于測(cè)量的狀態(tài)。如果頂部臺(tái)架27在+X方向上被驅(qū)動(dòng)并且頂部臺(tái)架27的右端通過切換位置104，那么第一測(cè)量單元被切換到第二測(cè)量單元。雖然諸如X臺(tái)架31的構(gòu)成晶片臺(tái)架的元件也被驅(qū)動(dòng)，但是為了簡化圖3僅示出頂部臺(tái)架27。

圖4是曝光處理的流程圖。在本示例性實(shí)施例中，基板上的處理目標(biāo)被描述為射擊。在步驟S01中，被施加感光材料的晶片通過運(yùn)送手(未示出)被運(yùn)送到晶片卡盤26。如上所述，晶片卡盤26被安裝在頂部臺(tái)架27上。晶片卡盤26被附接使得其原點(diǎn)與頂部臺(tái)架27的原點(diǎn)重合。然而，實(shí)際上，在原點(diǎn)之間可存在誤差。

在步驟S02中，對(duì)運(yùn)送的晶片上的每個(gè)射擊在Z方向上執(zhí)行焦點(diǎn)測(cè)量處理以獲得焦點(diǎn)偏移。此時(shí)，為了逐個(gè)射擊地進(jìn)行測(cè)量，經(jīng)由與用于使基板曝光于標(biāo)線片的圖案的曝光處理(基板處理)相同的路徑驅(qū)動(dòng)晶片臺(tái)架。

在步驟S03中，獲得運(yùn)送的晶片在X方向和Y方向上的對(duì)準(zhǔn)偏移。如這里所采用的，對(duì)準(zhǔn)偏移指的是用于調(diào)整臺(tái)架原點(diǎn)與晶片原點(diǎn)之間的、X方向、Y方向和θZ方向上的偏離的每個(gè)晶片的偏移。可測(cè)量相對(duì)于射擊的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以獲得用于調(diào)整射擊原點(diǎn)在X方向、Y方向和θZ方向上的偏離的每個(gè)射擊的對(duì)準(zhǔn)偏移。步驟S02和步驟S03可被并行執(zhí)行。

圖5是示出晶片與頂部臺(tái)架27之間的位置關(guān)系的示圖。臺(tái)架原點(diǎn)和投影單元34的透鏡(投影透鏡；未示出)的原點(diǎn)一般在曝光裝置啟動(dòng)時(shí)彼此定位。如果放置在晶片卡盤26(圖5中未示出)上的晶片103的晶片原點(diǎn)102與頂部臺(tái)架27的臺(tái)架原點(diǎn)101重合，那么對(duì)準(zhǔn)偏移為零。實(shí)際上，如圖5所示，由于前述的晶片卡盤26和頂部臺(tái)架27的原點(diǎn)的誤差和發(fā)生自晶片103的運(yùn)送的誤差，晶片原點(diǎn)102和臺(tái)架原點(diǎn)101不重合。為了說明，圖5將臺(tái)架原點(diǎn)101和晶片原點(diǎn)102示出為具有大的偏離。偏離通常是小的。

在曝光處理之前，控制單元301然后不僅獲得焦點(diǎn)偏移而且也測(cè)量在晶片上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以測(cè)量X方向和Y方向上的相對(duì)偏離。在對(duì)準(zhǔn)鏡(圖1中未示出；參見以下要描述的圖9)下測(cè)量晶片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。對(duì)準(zhǔn)鏡是包括具有離開投影透鏡的光軸的光軸的離軸光學(xué)系統(tǒng)的顯微鏡。可以使用用于通過投影透鏡執(zhí)行測(cè)量的通過透鏡(TTL)顯微鏡作為對(duì)準(zhǔn)鏡。

參照回到圖4，在步驟S04中，獲得的對(duì)準(zhǔn)偏移反映在晶片臺(tái)架的控制(臺(tái)架控制)上。這使得能夠參照晶片原點(diǎn)102進(jìn)行臺(tái)架控制。

在步驟S05中，反映在步驟S02中獲得的焦點(diǎn)偏移并且對(duì)晶片上的每個(gè)射擊執(zhí)行曝光處理。

在步驟S06中，確定最后的晶片是否已被處理。如果最后的晶片已被處理(在步驟S06中為是)，那么處理結(jié)束。如果最后的晶片還沒有被處理(在步驟S06中為否)，那么處理返回到步驟S01并且運(yùn)送下一個(gè)晶片。

圖6是示出焦點(diǎn)測(cè)量處理中的臺(tái)架位置的示圖。與圖3類似，圖6的上部示出X方向上的第一測(cè)量區(qū)域、重疊測(cè)量區(qū)域、第二測(cè)量區(qū)域和切換位置104。圖6的上部進(jìn)一步在截面圖中示出頂部臺(tái)架27和晶片103，并且示出臺(tái)架原點(diǎn)101、晶片原點(diǎn)102和布局在晶片103上的射擊106。偏離量108代表頂部臺(tái)架27的臺(tái)架原點(diǎn)101與晶片103的晶片原點(diǎn)102之間的X方向上的偏離量。偏離量108用作X方向上的對(duì)準(zhǔn)偏移。圖6的下部示出晶片103的頂視圖，示出射擊106的位置。在頂部臺(tái)架27處于圖6所示的位置中的情況下執(zhí)行射擊106上的焦點(diǎn)測(cè)量處理。由于這里的頂部臺(tái)架27在切換位置104的-X方向上被定位，所以第一測(cè)量單元被用于測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置。頂部臺(tái)架27在參照臺(tái)架原點(diǎn)101的坐標(biāo)系中被驅(qū)動(dòng)。

圖7是示出切換位置被改變時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。將使用與圖6中相同的附圖標(biāo)記。在頂部臺(tái)架27處于圖7所示的位置中的情況下執(zhí)行射擊106上的曝光處理。由于對(duì)準(zhǔn)偏移反映在臺(tái)架控制上，所以頂部臺(tái)架27在參照晶片原點(diǎn)102的坐標(biāo)系中被驅(qū)動(dòng)。與圖6的情況相比，頂部臺(tái)架27的位置在+X方向上移位偏離量108。換句話說，頂部臺(tái)架27的位置在偏移測(cè)量期間與射擊106的曝光處理期間之間改變對(duì)準(zhǔn)偏移。然后使切換位置104可改變，使得在射擊的焦點(diǎn)測(cè)量處理中使用的測(cè)量單元和在射擊的曝光處理中使用的測(cè)量單元相同。在圖4的步驟S04中，當(dāng)對(duì)準(zhǔn)偏移反映在臺(tái)架控制上時(shí)，切換位置104被改變?yōu)橐莆黄x量108的位置。更具體而言，切換位置104被改變?yōu)樵?X方向上移位偏離量108的切換位置105。由于這里的頂部臺(tái)架27在切換位置105的-X方向上被定位，所以第一測(cè)量單元被用于測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置。在射擊106的焦點(diǎn)測(cè)量處理中使用的測(cè)量單元和在射擊106的曝光處理中使用的測(cè)量單元因此相同。與射擊106類似，使切換位置104可改變，使得相對(duì)于所有的射擊在焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理中使用同一測(cè)量單元。雖然頂部臺(tái)架27被描述為在+X方向上移動(dòng)，但是頂部臺(tái)架27可在-X方向上移動(dòng)，在這種情況下，切換位置在-X方向上移位。如果獲得晶片103上的每個(gè)射擊的對(duì)準(zhǔn)偏移，那么在圖4的步驟S05中，可在曝光射擊之前通過射擊的對(duì)準(zhǔn)偏移以及偏離量108改變切換位置。

圖8是示出測(cè)量各射擊的測(cè)量單元的編號(hào)的示圖。標(biāo)記有“1”的射擊代表通過第一測(cè)量單元測(cè)量的射擊。標(biāo)記有“2”的射擊代表通過第二測(cè)量單元測(cè)量的射擊。如上所述，測(cè)量單元之間的切換位置被改變，使得在每個(gè)射擊的焦點(diǎn)測(cè)量處理中使用的測(cè)量單元和在該射擊的曝光處理中使用的測(cè)量單元相同。如由圖8中的各射擊上的測(cè)量單元的編號(hào)所指示的，如果執(zhí)行多個(gè)射擊的焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理，那么通過使用測(cè)量單元中的同一測(cè)量單元處理每單個(gè)射擊。

關(guān)于用于各射擊的測(cè)量單元的信息可被管理，并且切換位置可被改變使得通過使用同一測(cè)量單元處理每單個(gè)射擊。在圖4的步驟S02中，控制單元301將關(guān)于在每個(gè)射擊的焦點(diǎn)測(cè)量處理中使用的測(cè)量單元的信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器303中。在圖4的步驟S05中，控制單元301逐個(gè)射擊地從存儲(chǔ)器303讀取關(guān)于使用的測(cè)量單元的信息，并且改變切換位置使得在曝光處理中使用相同的測(cè)量單元。

在前述的描述中，使用第一和第二兩個(gè)測(cè)量單元。然而，本示例性實(shí)施例不限于兩個(gè)測(cè)量單元，并且當(dāng)存在多個(gè)測(cè)量單元被配置時(shí)它可被應(yīng)用。測(cè)量單元被描述為使用激光干涉計(jì)。然而，可使用諸如線性編碼器和電容傳感器的其它傳感器。

使用相同的測(cè)量單元的處理被描述為是焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理。然而，處理不限于此。例如，如果曝光處理之后跟著用于驅(qū)動(dòng)晶片臺(tái)架以測(cè)量每個(gè)射擊的曝光處理的結(jié)果的處理(用于測(cè)量基板處理的結(jié)果的處理)，那么為了提高測(cè)量結(jié)果的精度，可類似地使得要被使用的測(cè)量單元相同。

如果執(zhí)行多個(gè)處理，那么對(duì)一個(gè)處理目標(biāo)的處理對(duì)于臺(tái)架控制使用同一測(cè)量單元。這可以抑制由于臺(tái)架控制的特性的變化而導(dǎo)致的臺(tái)架控制的精度的下降。

(比較示例)

圖14是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的曝光處理期間的臺(tái)架位置的示圖。將使用與圖6中相同的附圖標(biāo)記。在頂部臺(tái)架27處于圖14所示的位置中的情況下執(zhí)行射擊106的曝光處理。由于對(duì)準(zhǔn)偏移反映在臺(tái)架控制上，所以頂部臺(tái)架27在參照晶片原點(diǎn)102的坐標(biāo)系中被驅(qū)動(dòng)。與圖6的情況相比，頂部臺(tái)架27的位置在+X方向上移位偏離量108。換句話說，頂部臺(tái)架27的位置在焦點(diǎn)偏移測(cè)量期間與射擊106的曝光處理期間之間改變對(duì)準(zhǔn)偏移。根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，由于這樣的位置偏離，頂部臺(tái)架27的位置在切換位置104的+X方向上被定位。Z方向上的臺(tái)架位置因此通過使用第二測(cè)量單元測(cè)量。

圖15是示出測(cè)量各射擊的測(cè)量單元的編號(hào)的示圖。標(biāo)記有“1”的射擊代表通過第一測(cè)量單元測(cè)量的射擊。標(biāo)記有“2”的射擊代表通過第二測(cè)量單元測(cè)量的射擊。標(biāo)記有“1、2”的射擊代表在焦點(diǎn)偏移測(cè)量期間通過第一測(cè)量單元測(cè)量并且在曝光處理期間通過第二測(cè)量單元測(cè)量的射擊。如上所述，如果測(cè)量單元的切換位置不改變，那么在焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理中通過使用不同的測(cè)量單元測(cè)量射擊中的一些。

如上所述，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，同一射擊上的焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理對(duì)于臺(tái)架控制可使用不同的測(cè)量單元。根據(jù)各測(cè)量單元的特性的差異，可因此在測(cè)量結(jié)果中出現(xiàn)誤差。這有時(shí)導(dǎo)致臺(tái)架控制的特性的變化，使得臺(tái)架控制的精度下降。

將描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的曝光裝置。這里沒有提到的事項(xiàng)可依附第一示例性實(shí)施例。第一和第二測(cè)量單元與第一示例性實(shí)施例的那些類似。本示例性實(shí)施例描述存在用于切換測(cè)量單元的多個(gè)切換位置的情況。假定如第一示例性實(shí)施例中那樣，測(cè)量單元的切換由一個(gè)切換位置控制。在這樣的情況下，如果頂部臺(tái)架27在切換位置附近停止，那么由于控制偏離切換單元可被頻繁切換。測(cè)量單元的頻繁切換使得測(cè)量值不穩(wěn)定并且降低臺(tái)架控制的精度。為了抑制這樣的現(xiàn)象，可在一個(gè)方向上設(shè)置多個(gè)切換位置。注意，即使頂部臺(tái)架27處于同一位置中，根據(jù)頂部臺(tái)架27的移動(dòng)方向，用于在Z方向上測(cè)量頂部臺(tái)架27的測(cè)量單元也可以不同。如果多次執(zhí)行同一處理，那么根據(jù)前一處理結(jié)束時(shí)頂部臺(tái)架27的位置，對(duì)同一處理目標(biāo)執(zhí)行處理時(shí)頂部臺(tái)架27的移動(dòng)方向可不同。這也適用于在第一示例性實(shí)施例中描述的焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理。在本示例性實(shí)施例中，將描述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理。

使切換位置111和切換位置112可改變，使得不管頂部臺(tái)架27的移動(dòng)方向如何都使用同一測(cè)量單元以對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理。

圖9是示出頂部臺(tái)架27在+X方向移動(dòng)時(shí)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量期間的臺(tái)架位置的示圖。對(duì)準(zhǔn)鏡109測(cè)量晶片表面內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的位置。存在布置在晶片表面內(nèi)的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。圖9所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的一個(gè)。如果頂部臺(tái)架27在+X方向上移動(dòng)并且通過第一測(cè)量單元測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置，那么當(dāng)頂部臺(tái)架27的右端經(jīng)過切換位置111時(shí)，控制單元301將從第一測(cè)量單元切換到第二測(cè)量單元。

圖9示出頂部臺(tái)架27在+X方向上移動(dòng)并且通過第一測(cè)量單元測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置的情況。由于頂部臺(tái)架27的右端在切換位置111的-X方向上被定位，所以Z方向上的臺(tái)架位置通過第一測(cè)量單元測(cè)量。

圖10是示出切換位置被改變時(shí)的臺(tái)架位置的示圖。對(duì)準(zhǔn)鏡109測(cè)量晶片表面內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的位置。存在布置在晶片表面內(nèi)的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。圖10所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的一個(gè)。在頂部臺(tái)架27處于圖10所示的位置中的情況下執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理。由于頂部臺(tái)架27的右端在切換位置112的+X方向上被定位，所以Z方向上的臺(tái)架位置被假定通過第二測(cè)量單元測(cè)量。切換位置112然后被改變?yōu)榍袚Q位置113，使得當(dāng)頂部臺(tái)架27在+X方向上移動(dòng)時(shí)和當(dāng)在-X方向上移動(dòng)時(shí)對(duì)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110使用同一測(cè)量單元。

距離114是從切換位置112到切換位置113的移動(dòng)距離。從切換位置112移動(dòng)距離114的切換位置113可在對(duì)準(zhǔn)鏡109測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110時(shí)的頂部臺(tái)架27的右端的+X方向上且切換位置111的-X方向上。這里，當(dāng)頂部臺(tái)架27在-X方向上移動(dòng)時(shí)所使用的測(cè)量單元被描述為改變?yōu)楫?dāng)頂部臺(tái)架27在+X方向上移動(dòng)時(shí)所使用的第一測(cè)量單元。然而，當(dāng)頂部臺(tái)架27在+X方向上移動(dòng)時(shí)所使用的測(cè)量單元可改變?yōu)楫?dāng)頂部臺(tái)架27在-X方向上移動(dòng)時(shí)所使用的第二測(cè)量單元。在這樣的情況下，切換位置111被移動(dòng)到頂部臺(tái)架27的右端的-X方向上的位置。

與第一示例性實(shí)施例類似，關(guān)于用于各對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)量單元的信息可被管理，并且切換位置可被改變使得通過使用同一測(cè)量處理每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

本示例性實(shí)施例涉及對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理。然而，本示例性實(shí)施例不限于對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理，并且可被應(yīng)用于在第一示例性實(shí)施例中描述的焦點(diǎn)測(cè)量處理和曝光處理。本示例性實(shí)施例可類似地被應(yīng)用于對(duì)諸如頂部臺(tái)架27的晶片臺(tái)架上形成的基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量處理。基準(zhǔn)標(biāo)記的位置經(jīng)由投影單元34和/或?qū)?zhǔn)鏡109檢測(cè)，以測(cè)量晶片臺(tái)架的原點(diǎn)位置或?qū)?zhǔn)鏡109與投影單元34的光軸之間的距離。與對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理類似，可根據(jù)晶片臺(tái)架的移動(dòng)方向通過使用不同的測(cè)量單元測(cè)量同一基準(zhǔn)標(biāo)記。然后，在基準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量處理中，測(cè)量單元的切換位置可以被移動(dòng)以執(zhí)行控制，使得在同一基準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)量處理中使用同一測(cè)量單元。雖然測(cè)量單元被描述為使用激光干涉計(jì)，但是可使用諸如線性編碼器和電容傳感器的其它傳感器。

因此，如果晶片臺(tái)架在執(zhí)行處理中在多個(gè)方向上移動(dòng)，那么對(duì)一個(gè)處理目標(biāo)的處理對(duì)于臺(tái)架控制使用同一測(cè)量單元。這可以抑制由于臺(tái)架控制的特性的變化而導(dǎo)致的臺(tái)架控制的精度的下降。

(比較示例)

圖16是示出頂部臺(tái)架27在-X方向上移動(dòng)時(shí)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記測(cè)量期間的臺(tái)架位置的示圖。使用與圖9中相同的附圖標(biāo)記。在圖16中，在頂部臺(tái)架27在+X方向上移動(dòng)并且控制單元301從第一測(cè)量單元切換到第二測(cè)量單元之后，頂部臺(tái)架27在-X方向上移動(dòng)。根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，如果使用第二測(cè)量單元以測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置，那么當(dāng)頂部臺(tái)架27的右端在-X方向上移動(dòng)并且經(jīng)過切換位置112時(shí)，控制單元301從第二測(cè)量單元切換到第一測(cè)量單元。在圖16中，頂部臺(tái)架27的右端在切換位置112的+X方向上被定位，并且通過第二測(cè)量單元測(cè)量Z方向上的臺(tái)架位置。

如上所述，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，即使在用于在頂部臺(tái)架27處于同一位置中的情形下測(cè)量同一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量處理中，也可根據(jù)頂部臺(tái)架27的移動(dòng)方向通過使用不同的測(cè)量單元執(zhí)行臺(tái)架控制。根據(jù)各測(cè)量單元的特性的差異，可在測(cè)量結(jié)果中出現(xiàn)誤差。這有時(shí)導(dǎo)致臺(tái)架控制的特性的變化，使得臺(tái)架控制的精度下降。

將描述根據(jù)第三示例性實(shí)施例的曝光裝置。這里沒有提到的事項(xiàng)可依附第一和第二示例性實(shí)施例。第一和第二測(cè)量單元與第一示例性實(shí)施例的那些類似。第三示例性實(shí)施例描述對(duì)具有同一射擊布局的多個(gè)晶片執(zhí)行諸如曝光處理的處理的示例。

如果對(duì)多個(gè)晶片執(zhí)行曝光處理，那么希望通過使用同一測(cè)量單元處理相應(yīng)的射擊，例如晶片上的相同位置中的那些射擊。原因在于，臺(tái)架控制的特性的變化可以被抑制，以減少晶片之間的曝光結(jié)果的變化。

如果處理多個(gè)晶片，那么圖5所示的晶片原點(diǎn)102與臺(tái)架原點(diǎn)101之間的位置偏離量可在晶片之間變化。即使在同一處理中，晶片臺(tái)架(頂部臺(tái)架27)的驅(qū)動(dòng)方向也可在晶片之間變化。通過如第一和第二示例性實(shí)施例那樣使得第一和第二測(cè)量單元的切換位置可改變的方法，同一測(cè)量單元可能不能夠被用于對(duì)不同晶片上的相應(yīng)的處理目標(biāo)的處理。

控制單元301然后切換測(cè)量單元，使得對(duì)于多個(gè)晶片之間的相應(yīng)的射擊上的處理(曝光處理)使用同一測(cè)量單元。

出于該目的，控制單元301從存儲(chǔ)器303讀取關(guān)于要用于射擊的測(cè)量單元的信息，并且基于該信息切換測(cè)量單元?？刂茊卧?01獲得關(guān)于用于被處理的第一晶片上的射擊的測(cè)量單元的信息，并且將該信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器303中。可替代地，圖1所示的曝光裝置還可包括鍵盤、鼠標(biāo)和/或其它輸入設(shè)備(輸入單元)，并且用戶可從輸入設(shè)備(未示出)輸入關(guān)于要用于射擊的測(cè)量單元的信息并且將該信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器303中。例如，如圖8所示，信息是其中使用的測(cè)量單元的編號(hào)與射擊相關(guān)聯(lián)的信息。曝光裝置還可包括用于經(jīng)由電通信線路執(zhí)行與外部裝置的電通信的未示出的通信設(shè)備(通信單元)，并且從經(jīng)由電通信線路連接的測(cè)量裝置、服務(wù)器或其它外部裝置(未示出)獲得信息并將該信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器303中。在任何情況下，在圖4的步驟S02和步驟S05中，控制單元301從存儲(chǔ)器303讀取關(guān)于要用于射擊的測(cè)量單元的信息，并且選擇要在曝光處理中使用的測(cè)量單元。以這樣的方式，可以選擇測(cè)量單元，使得在不僅同一晶片上的射擊而且具有同一射擊布局的晶片上的相應(yīng)射擊的曝光處理中使用同一測(cè)量單元。即，可以選擇測(cè)量單元，使得對(duì)于甚至不同晶片之間的相應(yīng)的處理目標(biāo)的處理使用同一測(cè)量單元。

因此，不同晶片之間的相應(yīng)的處理目標(biāo)通過對(duì)于臺(tái)架控制使用同一測(cè)量單元處理。這可以抑制由于臺(tái)架控制的特性的變化而導(dǎo)致的臺(tái)架控制的精度的下降。

將描述根據(jù)第四示例性實(shí)施例的曝光裝置。這里沒有提到的事項(xiàng)可依附第一、第二和第三示例性實(shí)施例。本示例性實(shí)施例描述存在用于測(cè)量Y方向上的臺(tái)架位置的多個(gè)激光干涉計(jì)的情況。

圖11是示出用于測(cè)量Y方向上的臺(tái)架位置的兩個(gè)激光干涉計(jì)的示圖。激光干涉計(jì)23d和23e是用于測(cè)量Y方向上的臺(tái)架位置的兩個(gè)激光干涉計(jì)。鏡子28a和23b均被安裝在頂部臺(tái)架27上。激光干涉計(jì)23d和23e被布置為使得從激光干涉計(jì)23d和23e發(fā)射的射束對(duì)于XY平面是水平的，或者被配置為使得射束通過諸如鏡子的光學(xué)元件被引導(dǎo)為水平。從各激光干涉計(jì)23d和23e發(fā)射的射束被使得入射在分別具有與XY平面垂直的反射表面的鏡子28a和28b上，由此獲得關(guān)于頂部臺(tái)架27在Y方向上的位置的信息。與第一示例性實(shí)施例類似，兩個(gè)激光干涉計(jì)23d和23e具有重疊測(cè)量區(qū)域。與第一示例性實(shí)施例類似，切換位置被改變，使得在對(duì)多個(gè)目標(biāo)(諸如射擊)執(zhí)行的多個(gè)處理中使用同一測(cè)量單元(激光干涉計(jì)和反射鏡)。如果多個(gè)測(cè)量單元不僅在Y方向上而且也在X方向上被配置，那么本示例性實(shí)施例類似地可應(yīng)用。雖然測(cè)量單元被描述為使用激光干涉計(jì)，但是可使用諸如線性編碼器和電容傳感器的其它傳感器。

因此，如果執(zhí)行多個(gè)處理，那么對(duì)一個(gè)處理目標(biāo)的處理對(duì)于臺(tái)架控制使用同一測(cè)量單元。這可以抑制由于臺(tái)架控制的特性的變化而導(dǎo)致的臺(tái)架控制的精度的下降。

將描述根據(jù)第五示例性實(shí)施例的曝光裝置。這里沒有提到的事項(xiàng)可依附第一、第二、第三和第四示例性實(shí)施例。本示例性實(shí)施例描述用于測(cè)量多個(gè)臺(tái)架位置的多個(gè)激光干涉計(jì)被應(yīng)用于標(biāo)線片臺(tái)架的情況。

圖12是示出應(yīng)用多個(gè)激光干涉計(jì)的標(biāo)線片臺(tái)架的示圖。激光干涉計(jì)45是用于測(cè)量標(biāo)線片臺(tái)架33在Y方向上的位置的一個(gè)干涉計(jì)。鏡子44被安裝在標(biāo)線片臺(tái)架33上。圖13是示出應(yīng)用多個(gè)激光干涉計(jì)的標(biāo)線片臺(tái)架33的上表面的示圖。存在兩個(gè)干涉計(jì)45和兩個(gè)鏡子44，包括激光干涉計(jì)45a和45b以及鏡子44a和44b。激光干涉計(jì)45a和45b是用于測(cè)量標(biāo)線片臺(tái)架33在Y方向上的位置的兩個(gè)激光干涉計(jì)。鏡子44a和44b均被安裝在標(biāo)線片臺(tái)架33上。從各激光干涉計(jì)45a和45b發(fā)射的射束被使得入射在分別具有與XY平面垂直的反射表面的鏡子44a和44b上，由此獲得關(guān)于標(biāo)線片臺(tái)架33在Y方向上的位置的信息。與第一示例性實(shí)施例類似，兩個(gè)激光干涉計(jì)45a和45b具有重疊測(cè)量區(qū)域。在執(zhí)行用于測(cè)量標(biāo)線片上的標(biāo)線片標(biāo)記的處理中，控制單元301選擇測(cè)量單元，使得在用于測(cè)量相同的或相應(yīng)的標(biāo)線片標(biāo)記的處理中使用同一測(cè)量單元。在用于測(cè)量標(biāo)線片臺(tái)架33上的基準(zhǔn)標(biāo)記的處理中，控制單元301選擇測(cè)量單元，使得在用于測(cè)量同一基準(zhǔn)標(biāo)記的處理中使用同一測(cè)量單元。當(dāng)多個(gè)測(cè)量單元不僅在Y方向上而且也在X和/或Z方向上被配置時(shí)，本示例性實(shí)施例可類似地被應(yīng)用。雖然測(cè)量單元被描述為使用激光干涉計(jì)，但是可使用諸如線性編碼器和電容傳感器的其它傳感器。

因此，如果執(zhí)行多個(gè)處理，那么對(duì)一個(gè)處理目標(biāo)的處理對(duì)于臺(tái)架控制使用同一測(cè)量單元。這可以抑制由于臺(tái)架控制的特性的變化而導(dǎo)致的臺(tái)架控制的精度的下降。

(用于制造產(chǎn)品的方法)

將描述用于制造諸如設(shè)備(半導(dǎo)體設(shè)備、磁記錄介質(zhì)或液晶顯示元件)、濾色器和硬盤的產(chǎn)品的方法。制造方法包括通過使用光刻裝置(諸如曝光裝置、壓印裝置和繪制裝置)在基板(晶片、玻璃板或膜狀基板)上形成圖案的步驟。制造方法還包括處理其上形成圖案的基板的步驟。這樣的處理步驟可包括去除圖案的殘留膜的步驟。處理步驟還可包括諸如利用圖案作為掩膜來蝕刻基板的步驟的其它傳統(tǒng)步驟。與傳統(tǒng)方法相比，根據(jù)本示例性實(shí)施例的用于制造產(chǎn)品的方法在產(chǎn)品的性能、質(zhì)量、生產(chǎn)率和生產(chǎn)成本上是有利的。

以上已描述了本公開的示例性實(shí)施例。將理解的是，本公開不限于這樣的示例性實(shí)施例，并且在其主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種改變和修改。例如，光刻裝置不限于使基板曝光以形成圖案的曝光裝置。光刻裝置可以是通過經(jīng)由帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)通過使用帶電粒子束(諸如電子束和離子束)在基板上執(zhí)行繪制來在基板上形成圖案的繪制裝置。光刻裝置可以是通過使用模子(原版)在基板上形成(模制)壓印材料(諸如樹脂)來在基板上形成圖案的壓印裝置。本公開的示例性實(shí)施例還可被應(yīng)用于不僅光刻裝置，而且包括用于保持原版或基板的臺(tái)架并且其性能受臺(tái)架控制的精度影響的裝置。根據(jù)第一、第二、第三、第四和第五示例性實(shí)施例的曝光裝置可不僅通過它們自身而且組合地實(shí)施。

根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可以提供抑制臺(tái)架控制的精度的下降的光刻裝置、圖案形成方法和用于制造產(chǎn)品的方法。

雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但要理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施例。隨附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以便包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。