本公開涉及一種在蒸發(fā)靶標(biāo)材料以產(chǎn)生在電磁光譜的極紫外(“euv”)部分中的輻射的系統(tǒng)中使用的光學(xué)器件。

背景技術(shù)：

例如具有大約50nm或更小波長的電磁輻射(也有時(shí)稱作軟x射線)、以及包括在大約13.5nm波長的光的極紫外光可以用于光刻工藝中，以在諸如硅晶片之類的襯底中產(chǎn)生極小的特征。在此以及他處使用術(shù)語“光”，即使應(yīng)該理解的是，使用該術(shù)語描述的輻射可以不在光譜的可見部分中。

用于產(chǎn)生euv光的方法包括將靶標(biāo)材料從液體狀態(tài)轉(zhuǎn)換為等離子體狀態(tài)。靶標(biāo)材料優(yōu)選地包括具有在光譜的euv部分中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射譜線的至少一個(gè)元素，例如氙、鋰、錫、或一些其他材料。在通常稱作激光產(chǎn)生等離子體(“l(fā)pp”)的一個(gè)這種方法中，通過使用激光束照射并且因此蒸發(fā)具有所需譜線發(fā)射元素，以在照射區(qū)域中形成等離子體從而產(chǎn)生所需的等離子體。

靶標(biāo)材料可以采取許多形式，其可以是固態(tài)或者是熔化的。如果是熔化的，其可以以若干不同方式而分配，諸如以連續(xù)束流或作為離散微滴的束流。作為示例，以下所討論的靶標(biāo)材料是熔化的錫，其分配作為離散微滴的束流。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，可以使用其他靶標(biāo)材料、靶標(biāo)材料的物理相、以及用于靶標(biāo)材料的輸送模式。

在等離子體中離子的去激發(fā)和復(fù)合期間所產(chǎn)生的高能輻射從等離子體全方向地傳播。在一個(gè)普通設(shè)置中，定位形式為近法線入射反射鏡的euv光學(xué)器件(通常稱作“聚光反射鏡”或簡單地“收集器”)以會聚、引導(dǎo)、以及在一些設(shè)置中聚焦光至中間位置。會聚的光可以隨后從中間位置中繼傳輸至其所使用的位置，例如，至一組掃描器光學(xué)器件并且最終至晶片，在該情形中euv輻射將用于半導(dǎo)體光刻。

靶標(biāo)材料由靶標(biāo)材料分配器引入照射區(qū)域中。為靶標(biāo)材料分配器提供液態(tài)或固態(tài)形式的靶標(biāo)材料。如果提供固態(tài)形式的靶標(biāo)材料，靶標(biāo)材料分配器熔化靶標(biāo)材料。靶標(biāo)材料分配器隨后將熔化的靶標(biāo)材料分配至包含了照射區(qū)域的真空腔室中。

蒸發(fā)靶標(biāo)材料的工藝過程產(chǎn)生碎片。如果允許碎片到達(dá)收集器表面，則該碎片可以降低收集器的反射率。在一些系統(tǒng)中，在真空腔室中使用壓力范圍在0.5至3mbar下的h2氣體以用于碎片減緩。在缺乏氣體的情形下，在真空壓力中，如果無法充分地保護(hù)收集器免受從等離子體射出的碎片，則這將是困難的。氫氣對于具有大約13.5nm波長的euv輻射是相對透明的，并且因此對于在其他候選氣體諸如he、ar或在大約13.5nm波長處呈現(xiàn)較高吸收的其他氣體而言是優(yōu)選的。

將h2氣體引入真空腔室中以減速由等離子體所產(chǎn)生靶標(biāo)材料的高能碎片(離子、原子和線束)。通過與氣體分子的碰撞而減速碎片。為此目的，使用與碎片軌道相反的h2氣體流。這用于減小由將靶標(biāo)材料沉積、注入、和/或?yàn)R射至收集器的光學(xué)涂層上和中所引起的損傷。使用該方法，相信能夠在等離子體位置與收集器表面之間距離內(nèi)在這些壓力下通過許多氣體碰撞而將具有數(shù)kev能量的高能粒子減速降低至氣體的熱能。

將h2氣體引入真空腔室中的另一原因是促進(jìn)收集器表面的清潔。h2氣體可以解離為氫基h*。氫基h*接著幫助從收集器表面移除靶標(biāo)材料的沉積物。例如，在錫作為靶標(biāo)材料的情形中，氫基參與了在收集器表面上的反應(yīng)，導(dǎo)致形成可以泵抽去除的揮發(fā)性錫烷(snh4)。為了使得該化學(xué)路徑有效，優(yōu)選的是在收集器表面上存在低h復(fù)合率(基團(tuán)復(fù)合以形成h2分子的速率)以使得氫基可應(yīng)用而替代與sn組合以形成snh4。通常，非金屬化合物例如氮化物、碳化物、硼化物和氧化物與純金屬相比具有較低的h復(fù)合率。

如上所述，用于保護(hù)收集器30(圖2)的表面免受來自照射點(diǎn)28的碎片的一個(gè)措施包括使得氣體諸如分子氫之類的流跨過收集器表面。該氣流偏轉(zhuǎn)碎片，從而減小碎片至收集器30表面上的通量。優(yōu)選的是，氣流跨越收集器表面是均勻的以使得整個(gè)收集器表面可以同時(shí)地等同地受益于由氣流所提供的保護(hù)。在其中從收集器的中心和外周均分配氣流的設(shè)計(jì)中，需要?dú)怏w行進(jìn)多于300mm以維持跨越收集器表面的流。該要求使其難以維持均勻的流。其他設(shè)計(jì)諸如“淋浴噴頭”收集器垂直于收集器表面輸送氣流并且因此不要求維持均勻的平行流，但是也并未提供切向或平行于收集器表面的流的益處。

因此需要一種將以促進(jìn)跨收集器表面的均勻流的方式而引入平行于收集器表面的氣流的氣體輸送系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

以下展示一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的簡化發(fā)明內(nèi)容以便于提供對實(shí)施例的基本理解。該發(fā)明內(nèi)容并非是所有預(yù)期實(shí)施例的廣泛概述，也并非意在標(biāo)識所有實(shí)施例的關(guān)鍵或決定性要素，也并未描繪任何或所有實(shí)施例的范圍。其單純目的是以簡化的形式展示一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的一些概念以作為稍后所展示的更詳細(xì)說明書的前奏。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，收集器被配置作為間隔開以在相鄰的琢面之間形成間隙的琢面集合體。間隙用作氣流跨過收集器表面的入口，從而平行于收集器表面而引入氣流。琢面可以形成具有沿垂直(z軸線)方向變化的偏移，從而可以最小化與氣體分布的局部化相關(guān)聯(lián)的反射面積損失。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種反射式euv光學(xué)器件，包括了第一琢面和第二琢面，第一琢面包括反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第一部分，以及第二琢面包括反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第二部分，第一琢面由間隙與第二琢面分隔。第一琢面可以沿平行于反射式euv光學(xué)器件的光軸的方向而與第二琢面分隔，并且可以沿基本上切向于其中第一琢面與第二琢面疊置所在的反射表面的方向而與第二琢面疊置。反射式euv光學(xué)器件可以基本上圍繞中心光軸旋轉(zhuǎn)對稱，在該情形中第一琢面和第二琢面基本上是環(huán)形的。反射式euv光學(xué)器件也可以包括與間隙流體連通的增壓室(plenum)。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種具有反射表面的反射式euv光學(xué)器件，反射表面由具有由相應(yīng)間隙所分隔的相鄰琢面的多個(gè)琢面構(gòu)成。多個(gè)琢面中的至少一個(gè)琢面沿平行于euv光學(xué)器件的光軸的方向與相鄰琢面分隔，并且沿基本上切向于反射表面的方向疊置相鄰琢面，琢面在反射表面處疊置相鄰琢面。反射式euv光學(xué)器件可以基本上圍繞中心光軸旋轉(zhuǎn)對稱，在該情形中琢面基本上是環(huán)形的。多個(gè)環(huán)形琢面一起構(gòu)成了基本上整個(gè)反射表面。反射式euv光學(xué)器件也可以包括與間隙流體連通的增壓室。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種包括反射式euv光學(xué)器件的euv光源，反射式euv光學(xué)器件包括構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第一部分的第一琢面，以及構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第二部分的第二琢面，第一琢面與第二琢面由間隙分隔。euv光源也包括與間隙流體連通的氣體源。第一琢面可以沿平行于反射式euv光學(xué)器件的光軸的方向與第二琢面分隔，并且第一琢面可以沿基本上切向于第一琢面疊置了第二琢面所在的反射表面的方向而疊置第二琢面。反射式euv光學(xué)器件可以基本上圍繞中心光軸旋轉(zhuǎn)對稱，在該情形中第一琢面和第二琢面基本上是環(huán)形的。反射式euv光學(xué)器件也可以包括與間隙流體連通的增壓室。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種包括腔室以及在腔室中的反射式euv光學(xué)器件的euv光源。反射式euv光學(xué)器件基本上圍繞中心光軸旋轉(zhuǎn)對稱，并且包括構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第一部分的第一環(huán)形琢面，以及構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第二部分的第二環(huán)形琢面，第一琢面由環(huán)形入口與第二琢面分隔，反射式euv光學(xué)器件進(jìn)一步包括與環(huán)形入口流體連通的增壓室。如在該說明書中此處和其他處所使用的那樣，當(dāng)設(shè)置兩個(gè)元件或者在它們之間具有物理硬件連接時(shí)兩個(gè)元件流體連通，從而諸如氣體之類的流體可以從一個(gè)流至另一個(gè)，完全不受阻或者經(jīng)受約束。反射式euv光學(xué)器件也包括與增壓室流體連通并且在比腔室中壓力更高壓力下的氣體源。第一環(huán)形琢面沿平行于反射式euv光學(xué)器件的中心光軸的方向與第二環(huán)形琢面分隔，并且第一環(huán)形琢面可以沿基本上切向于第一環(huán)形琢面疊置第二環(huán)形琢面所在處的反射表面的方向而與第二環(huán)形琢面疊置，以形成環(huán)形入口。環(huán)形入口被配置用于從源沿切向于的反射表面的方向引導(dǎo)氣體，在反射表面處第一環(huán)形琢面與第二環(huán)形琢面疊置。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種euv光源，包括腔室以及在腔室中的反射式euv光學(xué)器件，反射式euv光學(xué)器件圍繞中心光軸基本上旋轉(zhuǎn)對稱并且包括多個(gè)環(huán)形琢面，包括反射式euv光學(xué)器件的反射表面的相應(yīng)部分，多個(gè)環(huán)形琢面一起構(gòu)成了基本上整個(gè)反射表面，每個(gè)環(huán)形琢面由多個(gè)環(huán)形入口中的相應(yīng)入口沿平行于反射式euv光學(xué)器件的中心光軸的方向與相鄰環(huán)形琢面間隔開，氣體源與多個(gè)環(huán)形入口流體連通，并且在比腔室中壓力更高的壓力下以使得氣體從源流出并且通過環(huán)形入口流入腔室中，每個(gè)環(huán)形琢面沿基本上切向于其中環(huán)形琢面與相鄰環(huán)形琢面疊置所在的反射表面的方向而與至少一個(gè)相鄰環(huán)形琢面疊置，以形成多個(gè)環(huán)形入口中的一個(gè)環(huán)形入口，多個(gè)環(huán)形入口因此被配置用于沿切向于環(huán)形表面疊置所在反射表面的方向而從源引導(dǎo)氣體。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種產(chǎn)生euv光的方法，方法包括提供具有包括反射式euv光學(xué)器件的步驟，反射式euv光學(xué)器件具有包括反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第一部分的第一琢面、以及包括反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第二部分的第二琢面，第一琢面由間隙與第二琢面分隔，并且氣體從氣體源穿過間隙切向地流動經(jīng)過反射式euv光學(xué)器件的反射表面的第二部分。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于產(chǎn)生用于反射式euv光學(xué)器件的氣體護(hù)套(gassheath)的方法，euv光學(xué)器件基本上圍繞中心光軸旋轉(zhuǎn)對稱，方法包括提供euv光學(xué)器件的步驟，具有居中在光軸上的多個(gè)基本上圓形的入口并且引導(dǎo)以使得氣體流出入口以流過euv光學(xué)器件的反射表面，以及提供氣體至多個(gè)基本上圓形的入口。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種構(gòu)造反射式euv光學(xué)器件的方法，包括步驟：提供基座，提供多個(gè)基本上圓環(huán)形狀的反射元件，每個(gè)具有與其他環(huán)形反射元件的內(nèi)直徑不同的內(nèi)直徑以及與其他環(huán)形反射元件的外直徑不同的外直徑；以及在基座上以公牛眼排列安裝多個(gè)基本上圓環(huán)形反射元件以使得多個(gè)基本上圓環(huán)形反射元件具有共同的中心和共同的焦點(diǎn)，以及使得對于任意兩個(gè)相鄰的圓環(huán)形反射元件，安裝更靠近光軸的圓環(huán)形反射元件的外直徑大于安裝遠(yuǎn)離光軸的圓環(huán)形反射元件的內(nèi)直徑，并且安裝靠近光軸的圓環(huán)形反射元件的外邊緣沿光軸的方向疊置遠(yuǎn)離光軸安裝的圓環(huán)形反射元件的內(nèi)邊緣以在安裝靠近光軸的圓環(huán)形反射元件的外邊緣與安裝遠(yuǎn)離光軸的圓環(huán)形反射元件的內(nèi)邊緣之間形成氣體可以流過其中的間隙。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種euv光學(xué)系統(tǒng)，包括由多個(gè)反射琢面構(gòu)成的第一反射光學(xué)器件，第一光學(xué)器件的琢面被配置并被設(shè)置為足夠的數(shù)目，從而第一光學(xué)器件用作euv光學(xué)系統(tǒng)中的收集器并且作為euv光學(xué)系統(tǒng)中的場琢面反射鏡。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的對于激光產(chǎn)生等離子體euv光源的全面廣泛概念的示意性而非按比例示圖。

圖2是用于圖1的系統(tǒng)的光源的功能框圖。

圖3a和圖3b是根據(jù)本發(fā)明第一方面和第二方面的琢面euv光學(xué)器件的相應(yīng)示意性剖面?zhèn)纫晥D。

圖4a和圖4b分別是圖3a和圖3b的琢面euv光學(xué)器件的一部分的放大圖。

圖5a和圖5b分別是可以用作圖3a和圖3b的多面光學(xué)器件的琢面euv光學(xué)器件的平面圖。

圖6是琢面euv光學(xué)器件的額外實(shí)施例的平面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在參照附圖描述各個(gè)實(shí)施例，其中遍及全文使用相同的參考數(shù)字以涉及相同的元件。在以下說明書中，為了解釋說明的目的，闡述若干具體細(xì)節(jié)以便于促進(jìn)對一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的全面理解。然而，可以明顯的是，在一些或全部情況中，可以不采用以下所述的具體設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)而實(shí)施如下所述的任何實(shí)施例。在其他情形中，以框圖案式示出廣泛已知的結(jié)構(gòu)和器件以便于促進(jìn)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的描述。以下展示了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的簡化摘要以便于提供對實(shí)施例的基本理解。該摘要并非是所有預(yù)期實(shí)施例的廣泛概述，也并非意在標(biāo)識所有實(shí)施例的關(guān)鍵或決定性要素也并未描繪任何或所有實(shí)施例的范圍。

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備。設(shè)備包括被配置用于調(diào)節(jié)輻射束b的照明系統(tǒng)il。設(shè)備也包括被構(gòu)造用于支撐圖案化裝置(例如掩模)ma并連接至被配置用于根據(jù)某些參數(shù)而精確地定位圖案化裝置的第一定位器pm的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模工作臺)mt；被構(gòu)造用于固定襯底(例如涂覆了抗蝕劑的晶片)w并連接至被配置用于根據(jù)某些參數(shù)精確地定位襯底的第二定位器pw的襯底工作臺(例如晶片工作臺)wt；以及被配置用于將由圖案化裝置ma賦予輻射束b的圖案投影至襯底w的目標(biāo)部分c(例如包括一個(gè)或多個(gè)裸片)上的投影系統(tǒng)(例如折射或反射式投影透鏡系統(tǒng))ps。

照明系統(tǒng)il可以包括用于引導(dǎo)、定形或控制輻射的各種類型光學(xué)部件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學(xué)部件、或者其任意組合。

支撐結(jié)構(gòu)mt以取決于圖案化裝置的朝向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)、以及其他條件諸如例如圖案化裝置是否固定在真空環(huán)境中的方式而固定圖案化裝置。支撐結(jié)構(gòu)mt可以使用機(jī)械、真空、靜電或其他夾持技術(shù)以固定圖案化裝置。支撐結(jié)構(gòu)mt可以是框架或工作臺，例如，如果需要的話其可以是固定或可移動的。支撐結(jié)構(gòu)mt可以確保投影裝置在所需位置處，例如相對于投影系統(tǒng)。

參照圖1，照明系統(tǒng)il從輻射源so接收輻射束。源so和照明系統(tǒng)il、以及如果需要的話與束輸送系統(tǒng)一起可以稱作輻射系統(tǒng)。

照明系統(tǒng)il可以包括用于調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)節(jié)器。通常，可以調(diào)節(jié)在照明系統(tǒng)的光瞳面中強(qiáng)度分布的至少外側(cè)和/或內(nèi)側(cè)徑向范圍。此外，照明系統(tǒng)il可以包括各種其他部件，諸如積分器和收集器。照明系統(tǒng)可以用于調(diào)節(jié)輻射束，以在其截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。

輻射束b入射在圖案化裝置(例如掩模)ma上，掩模被固定在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模工作臺)mt上，并且由圖案化裝置而圖案化。通過橫越圖案化裝置ma，輻射束b穿過將束聚焦至襯底w的目標(biāo)部分c上的投影系統(tǒng)ps。借助于第二定位器pw和位置傳感器if2(例如干涉儀裝置，線性編碼器或電容性傳感器)，可以精確地移動襯底工作臺wt，例如以便于在輻射束b的路徑中定位不同的目標(biāo)部分c。類似地，第一定位器pm和另一位置傳感器if1可以用于相對于輻射束b的路徑而精確地定位圖案化裝置ma，例如在從掩模庫機(jī)械檢索之后，或者在掃描期間。

圖2更詳細(xì)示出了諸如可以用于圖1的設(shè)備中的源so的實(shí)施例。源so從在等離子體形成位置或照射區(qū)域28處所形成的等離子體而產(chǎn)生euv輻射。通過引導(dǎo)激光束至諸如sn、in、gd之類的合適的靶標(biāo)材料或由靶標(biāo)材料分配器24引入腔室26中的一些其他材料而產(chǎn)生等離子體。激光束使得靶標(biāo)材料被蒸發(fā)，由此產(chǎn)生了等離子體。如所述，該類型源可以稱作激光產(chǎn)生等離子體或lpp源。lpp光源so可以包括用于產(chǎn)生光脈沖鏈并且輸送光脈沖至腔室26中的系統(tǒng)22。如下詳細(xì)所述，每個(gè)光脈沖可以沿著束路徑從系統(tǒng)22前行至腔室26中以照明在照射區(qū)域28處的相應(yīng)靶標(biāo)微滴。應(yīng)該注意的是，如在此所使用，照射區(qū)域是發(fā)生靶標(biāo)材料照射的區(qū)域，并且當(dāng)實(shí)際上不發(fā)生照射時(shí)有時(shí)甚至是照射區(qū)域。在接下來的示例中，將使用靶標(biāo)材料分配器24的示例，其以靶標(biāo)材料的微滴的形式而分配靶標(biāo)材料。然而，應(yīng)該知曉的是，靶標(biāo)材料分配器24也可以以其他形式分配靶標(biāo)材料，包括靶標(biāo)材料的連續(xù)束流。

適用于圖2中所示系統(tǒng)so的合適的激光器可以包括脈沖式激光器裝置，例如脈沖氣體放電co2激光器裝置，產(chǎn)生在9.3μm或10.6μm下的輻射，例如采用dc或rf激勵(lì)，工作在例如10kw或更高的相對較高功率以及例如50khz或更高的高脈沖重復(fù)率。在一個(gè)特別的實(shí)施方式中，激光器可以是軸流rf泵浦co2激光器，具有多級放大的振蕩器-放大器配置(例如主振蕩器/功率放大器(mopa)或功率振蕩器/功率放大器(popa))并且具有由q開關(guān)振蕩器所發(fā)起的、具有較低能量和較高重復(fù)率的種子脈沖，例如能夠100khz工作。從振蕩器，可以隨后在到達(dá)照射區(qū)域28之前放大、定形和/或聚焦激光器脈沖。連續(xù)泵浦的co2放大器可以用于系統(tǒng)so。例如，具有振蕩器和三個(gè)放大器的合適的co2激光器裝置(o-pa1-pa2-pa3配置)公開在2008年10月21日提交的美國專利序列號7,439,530中，在此通過全文引用的方式將其內(nèi)容并入本文。備選地，激光器可以配置作為所謂的“自瞄準(zhǔn)”激光器系統(tǒng)，其中微滴用作光學(xué)空腔的一個(gè)反射鏡。在一些“自瞄準(zhǔn)”設(shè)置中，也可以不需要振蕩器。自瞄準(zhǔn)激光器系統(tǒng)公開在2009年2月17日提交的美國專利序列號7,491,954中并且請求保護(hù)，在此通過全文引用的方式將其全部內(nèi)容并入本文。

取決于應(yīng)用，其他類型的激光器也可以是合適的，例如，工作在高功率和高脈沖重復(fù)率下的受激準(zhǔn)分子激光器或分子氟激光器。其他示例包括例如具有光線、棒桿、厚片、或盤形活性媒介的固態(tài)激光器，具有一個(gè)或多個(gè)腔室例如振蕩器腔室以及一個(gè)或多個(gè)放大腔室(具有并聯(lián)或串聯(lián)的放大腔室)的其他激光器架構(gòu)、主振蕩器/功率振蕩器(mopo)設(shè)置、主振蕩器/功率環(huán)形放大器(mopra)設(shè)置、或以一個(gè)或多個(gè)受激準(zhǔn)分子激光器、分子氟或co2激光器或振蕩器腔室為種子的固態(tài)激光器可以是合適的。其他設(shè)計(jì)也可以是合適的。

如圖2中進(jìn)一步所示，靶標(biāo)材料分配器24將靶標(biāo)材料輸送至腔室26的內(nèi)部中至照射區(qū)域或等離子體位置28，其中靶標(biāo)材料將與一個(gè)或多個(gè)光脈沖例如零、一個(gè)或多個(gè)預(yù)脈沖以及此后一個(gè)或多個(gè)主脈沖相互作用，以最終產(chǎn)生等離子體并產(chǎn)生euv輻射。euv發(fā)光元素例如錫、鋰、氙等可以形式為液態(tài)微滴和/或包含在液態(tài)微滴內(nèi)的固態(tài)顆粒。例如，元素錫可以用作純錫，作為錫化合物例如snbr4、snbr2、snh4，作為錫合金例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或者其組合。取決于所使用的材料，靶標(biāo)材料可以在包括室溫或近室溫(例如錫合金snbr4)、升高的溫度(例如純錫)、或在低于室溫的溫度(例如snh4)的各種溫度下出現(xiàn)在照射區(qū)域28，并且在一些情形中可以是相對揮發(fā)性的例如snbr4。關(guān)于這些材料在lppeuv光源中使用的更多細(xì)節(jié)在2008年12月16日提交的美國專利no.7,465,946中提供，在此通過引用的方式將其全部內(nèi)容并入本文。在一些情形中，電荷放置在靶標(biāo)材料上以準(zhǔn)許操縱靶標(biāo)材料朝向或遠(yuǎn)離照射區(qū)域28。

繼續(xù)參照圖2，光源so也可以包括一個(gè)或多個(gè)euv光學(xué)器件,諸如euv光學(xué)器件30。euv光學(xué)器件30可以是形式為法線入射反射器的聚光反射鏡，例如，實(shí)施作為多層反射鏡(mlm)，也即采用mo/si多層涂覆的sic襯底，具有沉積在每個(gè)界面處的額外的錫阻擋層以有效地阻擋熱誘發(fā)的層間擴(kuò)散。也可以使用其他襯底材料，諸如al或si。euv光學(xué)器件30可以形式為長橢球，具有孔口35以允許激光穿過并到達(dá)照射區(qū)域28。euv光學(xué)器件30可以例如形狀為橢球，具有在照射區(qū)域28處的第一焦點(diǎn)以及在所謂中間點(diǎn)40處的第二焦點(diǎn)(也稱作中間焦點(diǎn)40)，其中euv光可以從euv光源so輸出并且輸入至例如如上所述的集成電路光刻工具。

euv光源20也可以包括euv光源收集器系統(tǒng)60，其也可以包括激光燒結(jié)控制系統(tǒng)65，以及例如激光束定位系統(tǒng)(未示出)。euv光源20也可以包括靶標(biāo)位置檢測系統(tǒng)，其可以包括產(chǎn)生了指示靶標(biāo)微滴例如相對于照射區(qū)域28的絕對或相對位置的輸出、并且提供該輸出至靶標(biāo)位置檢測反饋系統(tǒng)62的一個(gè)或多個(gè)微滴成像器70。靶標(biāo)位置檢測反饋系統(tǒng)62可以使用該輸出以計(jì)算靶標(biāo)位置和軌道，由此可以計(jì)算靶標(biāo)誤差。可以基于逐個(gè)微滴、或者基于平均或一些其他基準(zhǔn)而計(jì)算靶標(biāo)誤差。靶標(biāo)誤差可以隨后提供作為至光源控制器60的輸入。作為響應(yīng)，光源控制器60可以產(chǎn)生控制信號諸如激光位置、方向或定時(shí)校正信號，并且提供該控制信號至激光束定位控制器(未示出)。激光束定位系統(tǒng)可以使用控制信號以控制激光器定位電路和/或控制激光束定位和成形系統(tǒng)(未示出)，例如以改變激光束焦斑在腔室26內(nèi)的位置和/或光焦度。

如圖2中所示，靶標(biāo)材料分配器24可以包括靶標(biāo)輸送控制系統(tǒng)90。靶標(biāo)輸送控制系統(tǒng)90可響應(yīng)于信號例如如上所述的靶標(biāo)誤差、或者從由系統(tǒng)控制器60所提供的靶標(biāo)誤差得到的一些量而可操作，以校正照射區(qū)域28內(nèi)靶標(biāo)微滴位置的誤差。這可以例如通過重新定位靶標(biāo)輸送機(jī)構(gòu)92釋放靶標(biāo)微滴的位置點(diǎn)而完成。靶標(biāo)輸送機(jī)構(gòu)92延伸至腔室26中并且也外部地提供靶標(biāo)材料和氣體以使得靶標(biāo)輸送機(jī)構(gòu)92中的靶標(biāo)材料在壓力之下。圖2也示出了進(jìn)入腔室26的氣體穿過其排出的氣體出口160。

如圖所示，來自源so的光穿過中間焦點(diǎn)40并進(jìn)入照明系統(tǒng)il。自然，中間焦點(diǎn)40可以在源so中、在照明系統(tǒng)il中、或者光學(xué)地插入在它們之間，也即離開源so的光在進(jìn)入照明系統(tǒng)il之前穿過中間焦點(diǎn)。照明系統(tǒng)il可以包括場琢面反射鏡42和光瞳琢面反射鏡47。場琢面反射鏡42和光瞳琢面反射鏡47可以被配置作為琢面反射鏡。例如，這些反射鏡可以具有約400個(gè)薄矩形形狀的反射鏡區(qū)段(琢面)。在制造這些反射鏡的過程中，可以單獨(dú)地拋光并定形這些琢面。

圖3a更詳細(xì)示出了收集器30的一個(gè)版本。收集器30包括同心琢面元件110、112、114、116和118的集合體安裝至其的支座100。圖3a的實(shí)施例示出了五個(gè)琢面元件，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將易于知曉可以使用其他數(shù)目的琢面元件。在圖3a的實(shí)施例中，琢面元件是環(huán)形，具有在聚光反射鏡30的光軸120上的環(huán)形或者每個(gè)琢面元件的中心。同樣，琢面元件被設(shè)置為使得它們可以具有對應(yīng)于照射區(qū)域28的、共同的焦點(diǎn)f。

圖3a示出了其中琢面元件是平坦的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將易于知曉，琢面元件也可以是彎曲的。以本領(lǐng)域已知的方式為琢面元件的正前表面也即面向焦點(diǎn)f的表面提供多層反射涂層。

琢面元件被設(shè)置為使得它們沿光軸120的方向相互偏移。琢面元件也被設(shè)置為使得它們沿切向于它們所疊置表面的方向而相互疊置。以此方式，在焦點(diǎn)f處產(chǎn)生的光總是照射反射表面以使得在多面設(shè)置中不存在反射率損失。

琢面元件的該設(shè)置在琢面元件之間產(chǎn)生間隙，一個(gè)間隙被標(biāo)注為間隙130。如圖可見，間隙130和其他間隙形成了通道或入口。圖3a的設(shè)置也包括與間隙流體連通的增壓室140。圖3a的配置也包括與增壓室140流體連通的氣體源150。在此以及在權(quán)利要求中，當(dāng)兩個(gè)元件被描述為“流體連通”時(shí)，這意味著諸如氣體之類的流體可以直接地或間接地在它們之間流動。

氣體源150在壓力之前提供氣體至增壓室130。在當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施例中，氣體是分子氫h2。氣體源的目的是設(shè)置流過增壓室140并流出間隙的氣體的流量。當(dāng)收集器30正常的布置在腔室26內(nèi)時(shí)，來自氣體源150的氣體的壓力被維持在腔室26中的壓力之上。由間隙的幾何結(jié)構(gòu)沿平行于或切向于琢面與間隙相鄰的表面的方向而引導(dǎo)流過間隙的氣體。以此方式，整個(gè)氣流產(chǎn)生了平行于或切向于收集器30表面而流動氣體的薄片或護(hù)套。該氣體護(hù)套保護(hù)收集器30的反射表面免受在照射位置28處產(chǎn)生的碎片包括離子，如上所述。此外，在氣體源150和增壓室140之間可以存在氣流控制器155以精確地控制氣體的量。

圖3a中所示的設(shè)置也包括排氣孔160(圖2中所示)以從增壓室140抽出氣體，并且也促進(jìn)均勻的氣流通過增壓室140。

圖3a的設(shè)置可以稱作“外在內(nèi)上(outeroverinner)”的設(shè)置，其中琢面與更靠近中心的相鄰琢面疊置。這導(dǎo)致氣流從圓周朝向中心，如圖3a中所示。也能夠具有“內(nèi)在外上”的設(shè)置，其中琢面疊置了遠(yuǎn)離中心的相鄰琢面。該設(shè)置示出在圖3b中。這導(dǎo)致氣流從圓周朝向中心，諸如圖3b中所示。

圖4a是在圖3a的收集器30中的間隙130的閉合示圖。如可以看到，由沿平行于由箭頭a所標(biāo)注的收集器30的光軸的方向在相鄰琢面112和114之間的偏移產(chǎn)生了間隙130?！把仄叫杏诠廨S的方向”包括(1)朝向平行于光軸或者沿與其相同的方向以及(2)朝向平行于或者沿與光軸相反的方向。應(yīng)該理解，在圖4中僅示出了琢面112和114的一部分。也可以想象琢面112和114之間的偏移沿由箭頭b所指示的方向而平行于朝向收集器30的焦點(diǎn)f的方向(并且因此也朝向照射區(qū)域28)。琢面11和114在增壓室140和腔室26的內(nèi)部之間設(shè)置氣體阻擋層。以比腔室26內(nèi)更高壓力引入增壓室140中的氣體因此允許沿由箭頭c所指示的方向流過間隙，其基本上切向于琢面114的表面。同理適用于由其他琢面之間偏移所產(chǎn)生的其他間隙。圖4b是圖3b的收集器中間隙130的封閉示圖。如易于理解的，一些考慮的所有均適用，除了間隙的“內(nèi)在外上”的幾何結(jié)構(gòu)使得氣體沿遠(yuǎn)離收集器30的中心的方向而離開間隙。

圖5a是可以用作圖3a的收集器30的琢面反射鏡的平面圖。如所示，每個(gè)琢面元件圍繞收集器30的光軸120被同心地設(shè)置。此外，每個(gè)琢面元件與至少一個(gè)相鄰的琢面元件疊置。作為特別的示例性琢面元件112，其在平面圖中為環(huán)形。其具有內(nèi)側(cè)邊緣111和外側(cè)邊緣113。外側(cè)邊緣以陰影示出，因?yàn)槠溆勺撩嬖?14的內(nèi)側(cè)邊緣而遮蔽。琢面元件112具有標(biāo)注為d1的、作為內(nèi)側(cè)邊緣111的寬度而獲取的內(nèi)側(cè)直徑，也即在構(gòu)成了琢面元件112的環(huán)形的中部中孔洞的寬度，以及標(biāo)注為d2的、作為琢面元件112的外側(cè)邊緣113的寬度的外側(cè)直徑。琢面元件112的內(nèi)側(cè)直徑d1小于相鄰琢面元件110的外側(cè)直徑。此外，琢面元件112的外側(cè)直徑d2大于相鄰琢面元件114的內(nèi)側(cè)直徑。如可以從圖5a看到，琢面元件的外側(cè)直徑隨著琢面元件距離光軸120的距離而逐漸地變大。同理適用于內(nèi)側(cè)直徑。

以上描述了其中外側(cè)元件疊置內(nèi)側(cè)元件的相鄰琢面元件的疊置模式。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員明顯的是，相鄰琢面元件的疊置模式可以不同于此。例如，內(nèi)側(cè)元件可以疊置外側(cè)元件。這示出在圖5b中。然而，優(yōu)選的是，不論使用什么疊置模式，從原子照射區(qū)域28的光的觀點(diǎn)看，在由琢面元件的集合體在反射表面中并未存在間斷，換言之，從該觀點(diǎn)看由疊置遮蔽了間隙。

如上所述，euv光學(xué)器件30可以由許多琢面的范圍構(gòu)成。當(dāng)前優(yōu)選的是存在至少兩個(gè)琢面以使得存在至少一個(gè)間隙。琢面的數(shù)目可以理論上范圍達(dá)到任何數(shù)目，具有增大琢面數(shù)目則提高了構(gòu)造euv光學(xué)器件30的復(fù)雜性的限制。例如，如上所述，場琢面反射鏡可以由400個(gè)琢面構(gòu)成。對于琢面數(shù)目的另一限制是即便采取如上所述的措施，存在反射率的損失，其隨著琢面數(shù)目而增大，因?yàn)樯踔廉?dāng)琢面疊置時(shí)，存在對于入射或反射的光線的陰影效應(yīng)。

也應(yīng)該注意，琢面均無需是相同形狀并且不必均具有相同的徑向?qū)挾取?/p>

使用琢面反射鏡用于收集器30的一個(gè)潛在優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)琢面反射鏡的琢面的數(shù)目增大并且開始接近用于場琢面反射鏡42所使用的琢面數(shù)目(例如大約400個(gè)琢面)時(shí)，用作收集器30的琢面反射鏡可以被配置用于均執(zhí)行聚光反射鏡30以及場琢面反射鏡42的光學(xué)功能，因此消除了對于分立的場琢面反射鏡42的需求。這是潛在地極其有利的，因?yàn)槊看畏瓷溟_，反射鏡可以以30％減少光的量，因此消除反射鏡可以以相同的量降低總的光損耗。如在此所使用，也即是說，可以配置琢面反射鏡以使得可以定形、設(shè)計(jì)尺寸并定向反射鏡的單個(gè)琢面以使得當(dāng)用作收集器30時(shí)反射鏡可以額外地執(zhí)行分立的場琢面反射鏡42的功能并且消除對其的需求。

每個(gè)琢面包括其上放置了多層反射表面的襯底。優(yōu)化多層反射表面以在感興趣的波長(大約13.5nm)反射光。琢面也可以以本領(lǐng)域已知的方式而包括在襯底和多層反射表面之間的平滑層，以及在多層反射表面的頂部上的蓋帽層。

設(shè)計(jì)琢面之間間隙的形狀以使得引導(dǎo)離開間隙的氣體以在相鄰琢面的表面之上均勻地流動。氣體可以包括雙原子氫h2，其可以變得解離成氫基h*。氣體自身也可以包括氫基h*。氫基h*隨后在收集器表面上與靶標(biāo)材料反應(yīng)，此處為錫，以形成snh4(錫烷)。優(yōu)選地設(shè)置并分布?xì)怏w以使得靠近每個(gè)琢面的正前面具有新鮮氣體的供應(yīng)。也優(yōu)選地設(shè)置并分布?xì)怏w以使得每個(gè)區(qū)域基本上與由間隙所限定的氣體入口相等距離而遠(yuǎn)離。

選擇相鄰琢面之間的疊置的量，從而從照射區(qū)域28的角度看遮蔽琢面之間的間隙。也選擇疊置的量以為間隙提供足夠的橫向范圍因此間隙有效地切向于相鄰琢面的表面而引導(dǎo)氣體。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該理解的是，疊置的量可以在位置之間變化，也即，疊置不必在范圍上均相同。

圖6示出了作為可以使用的琢面幾何結(jié)構(gòu)的另一示例的、被配置作為平行板條陣列的聚光反射鏡30。具體地在圖6中示出了具有第一條帶狀琢面200，與第二條帶狀琢面210相鄰，其接著與第三條帶狀琢面220相鄰。在所示的示例中，第一條帶狀琢面200疊置并且沿垂直于附圖平面的方向間隔遠(yuǎn)離第二條帶狀琢面210以在它們之間形成間隙，氣體流如由箭頭230所示穿過間隙流過條帶狀琢面210的表面。

圖4a的幾何結(jié)構(gòu)考慮適用于圖6的配置。間隙由相鄰琢面之間的相應(yīng)偏移而形成，但是沿垂直于琢面的橫向邊緣的方向。同樣，每個(gè)琢面元件與至少一個(gè)相鄰的琢面元件疊置。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，相鄰琢面元件的疊置模式可以不同于此。例如，內(nèi)側(cè)元件可以疊置外側(cè)元件，或者可以使用交替疊置模式。然而，優(yōu)選的是，不論使用什么疊置模式，從原子照射區(qū)域28的光的角度看，在由琢面元件的集合體所展示的反射表面中不存在間斷，換言之，從該角度看，可以由疊置遮蔽間隙。

如上所述，euv光學(xué)器件30可以由若干琢面構(gòu)成。當(dāng)前優(yōu)選的是，存在至少兩個(gè)琢面，因此存在至少一個(gè)間隙。琢面的數(shù)目可以理論上范圍高達(dá)任何數(shù)目，具有的限制在于琢面數(shù)目的增多提高了構(gòu)造euv光學(xué)器件30的復(fù)雜性。例如，如所述，場琢面反射鏡可以由高達(dá)400個(gè)琢面構(gòu)成。對于琢面數(shù)目的另一限制是即便采用如上所述的措施，隨琢面數(shù)目增多而存在反射率的損失，因?yàn)樯踔廉?dāng)琢面疊置時(shí)存在對于入射或反射的光線的陰影效應(yīng)。

也應(yīng)該注意，琢面不必均是相同形狀也不必均具有相同的徑向?qū)挾取?/p>

與圖3a的配置相同，使用如圖6中所示琢面反射鏡作為收集器30的一個(gè)潛在優(yōu)點(diǎn)是，當(dāng)琢面反射鏡的琢面數(shù)目增大并且開始接近應(yīng)該用于場琢面反射鏡42的琢面數(shù)目(例如約400個(gè)琢面)時(shí)，可以配置用作收集器30的琢面反射鏡以執(zhí)行聚光反射鏡30以及場琢面反射鏡42的光學(xué)功能，因此消除了對于分立場琢面反射鏡42的需求。這是潛在地極其有利的，因?yàn)槊看畏瓷潆x開反射鏡可以以高達(dá)約40％而減少光的量，因此消除反射鏡可以以相同的量降低總的光損耗。如在此所使用，也即是說，可以配置琢面反射鏡以使得可以設(shè)計(jì)反射鏡的單個(gè)琢面的形狀、尺寸和朝向以使得當(dāng)用作收集器30時(shí)反射鏡可以額外地執(zhí)行分立的場琢面反射鏡42的功能并且消除對其的需求。

每個(gè)琢面包括其上布置了多層反射表面的襯底。優(yōu)化多層反射表面以在約13.5nm的感興趣波長反射光。琢面也可以以本領(lǐng)域已知的方式而包括在襯底和多層反射表面之間的平滑層，以及在多層反射表面頂部上的蓋帽層。設(shè)計(jì)琢面之間間隙的形狀以使得引導(dǎo)離開間隙的氣體以在相鄰琢面的表面之上流動以確保來自等離子體的euv輻射將雙原子氫h2解離為氫基h*，其隨后與靶標(biāo)材料此處為錫在表面上反應(yīng)以形成snh4(錫烷)。優(yōu)選地設(shè)置并分布間隙，從而靠近每個(gè)琢面的正前表面存在新鮮h2的供應(yīng)。也優(yōu)選地設(shè)置并分布間隙以使得每個(gè)區(qū)域基本上與由間隙所限定的h2入口相同距離而遠(yuǎn)離。

選擇相鄰琢面之間疊置的量，從而從照射區(qū)域28的角度看遮蔽了琢面之間的間隙。也選擇疊置的量以為間隙提供足夠的橫向范圍，從而間隙有效地切向于相鄰琢面的表面而引導(dǎo)氣體。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該理解的是，疊置的量可以在位置之間改變，也即，疊置可以不必范圍上均相同。

因此，已經(jīng)公開了反射式euv光學(xué)器件30，包括構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件30的反射表面的第一部分的第一琢面，以及構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件30的反射表面的第二部分的第二琢面114。第一琢面112由間隙130與第二琢面114分隔。第一琢面112與第二琢面114分隔，并且第一琢面112沿基本上切向于第一琢面110與第二琢面112疊置所在的反射表面的方向而與第二琢面114疊置。

在一個(gè)所公開的實(shí)施例中，反射euv光學(xué)器件30優(yōu)選地圍繞其中心光軸120基本上旋轉(zhuǎn)對稱，并且第一琢面112和第二琢面114基本上是環(huán)形的。設(shè)置也包括與間隙130流體連通的增壓室140。在另一所公開的實(shí)施例中，反射式euv光學(xué)器件30優(yōu)選地是平行條帶狀琢面的陣列。

關(guān)于另一方式，已經(jīng)公開了一種具有反射表面的反射式euv光學(xué)器件30，反射表面由多個(gè)琢面110-118構(gòu)成，具有由相應(yīng)間隙所分隔的相鄰琢面。多個(gè)琢面中的至少一個(gè)琢面沿平行于euv光學(xué)器件30的光軸120的方向與相鄰琢面分隔，并且沿基本上切向于琢面疊置相鄰琢面所在的反射表面的方向而疊置相鄰琢面。多個(gè)環(huán)形琢面優(yōu)選地一起構(gòu)成了反射式euv光學(xué)器件30的基本上整個(gè)反射表面。

如圖所述，euv光學(xué)器件30在光源so的操作期間放置在腔室26中。euv光學(xué)器件30包括與琢面之間的間隙流體連通的增壓室140。增壓室140接著與氣體源150流體連通，因此使得氣體源與間隙流體連通。將來自氣體源的壓力建立為高于腔室26內(nèi)的壓力。以此方式，間隙用作將氣體驅(qū)逐至腔室26中的氣體入口。這些間隙的總形狀將是環(huán)形或環(huán)的形狀設(shè)置，其中琢面自身是環(huán)形或環(huán)的形狀。間隙的普通配置將是朝向通常平行于或切向于相鄰琢面的表面的入口或通道。以此方式，配置間隙或環(huán)形入口以沿切向于鄰接間隙的反射表面的方向而從源150引導(dǎo)氣體。

也已經(jīng)公開了一種產(chǎn)生euv光的方法，包括：提供如上所述的反射式euv光學(xué)器件30，以及流動氣體切向地經(jīng)過與間隙相鄰的反射式euv光學(xué)器件30的反射表面的一部分而從氣體源150穿過間隙。

也已經(jīng)公開了一種產(chǎn)生用于反射式euv光學(xué)器件30的氣體護(hù)套的方法，包括：提供如上所述的euv光學(xué)器件30作為居中在euv光學(xué)器件30的光軸120上的基本上圓形的入口的集合體并引導(dǎo)使得氣體流出入口以流動跨越euv光學(xué)器件30的反射表面。

可以通過提供支座100并且提供多個(gè)基本上圓環(huán)形反射元件而構(gòu)造如上所述圖5a和圖5b的euv光學(xué)器件30，圓環(huán)形反射元件諸如均具有不同于其他環(huán)狀反射元件的內(nèi)直徑的內(nèi)直徑(環(huán)中部圓形孔洞的直徑)以及不同于其他環(huán)狀反射元件的外直徑的外直徑(環(huán)的總直徑)。

多個(gè)基本上圓環(huán)形反射元件以“公牛眼(bull’s-eye)”排列安裝在支座上以使得多個(gè)基本上圓環(huán)形反射元件具有共同的中心以及共同的焦點(diǎn)。多個(gè)基本上圓環(huán)形反射元件也安裝在支座上以使得對于任何兩個(gè)相鄰的圓環(huán)形反射元件，安裝更靠近光軸的圓環(huán)形反射元件的外直徑大于安裝遠(yuǎn)離光軸的圓環(huán)形反射元件的內(nèi)直徑。這示出在圖5a中。

如所述，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置的一個(gè)潛在優(yōu)點(diǎn)在于，如果使用足夠數(shù)目的反射琢面以構(gòu)成反射光學(xué)器件，可以配置和設(shè)置琢面以使得第一光學(xué)器件用作聚光反射鏡以及用作euv光學(xué)系統(tǒng)中場琢面反射鏡。

安裝更靠近光軸的圓環(huán)形反射元件的外邊緣沿光軸的方向疊置遠(yuǎn)離光軸安裝的圓環(huán)形反射元件的內(nèi)邊緣。這在安裝更靠近光軸的圓環(huán)形反射元件的外邊緣、與安裝遠(yuǎn)離光軸的圓環(huán)形反射元件的內(nèi)邊緣之間形成了氣體可以流過其中的間隙。

如上所述圖6的euv光學(xué)器件30可以通過提供支座100并且提供多個(gè)基本上條帶形反射元件諸如琢面200－210而構(gòu)造。多個(gè)基本上條帶形反射元件以并排設(shè)置安裝在支座上以使得多個(gè)基本上條帶形反射元件具有共同的焦點(diǎn)。

以上說明書包括多個(gè)實(shí)施例的示例。自然，為了描述前述實(shí)施例的目的無法描述部件或方法的每個(gè)可想象的組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識到，各個(gè)實(shí)施例的許多其他組合和排列是可能的。因此，所述實(shí)施例意在包括落入所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所有這些改變、修改和變形。進(jìn)一步，在詳細(xì)說明書或權(quán)利要求中使用術(shù)語“包含”這個(gè)意義上，當(dāng)用作權(quán)利要求中過渡詞語時(shí)構(gòu)造“包括”，該術(shù)語意在以類似于術(shù)語“包括”的方式是包括性的。進(jìn)一步，盡管可以以單數(shù)描述或請求保護(hù)所述方面和/或?qū)嵤├囊?，預(yù)期了復(fù)數(shù)形式，除非明確地規(guī)定限定于單數(shù)。此外，任何方面和/或?qū)嵤├娜炕蛞徊糠挚梢杂糜谌魏纹渌矫婧?或?qū)嵤├娜炕蛞徊糠郑橇硗庖?guī)定。