本申請要求2014年6月4日提交的美國臨時申請序號62/007,554的權(quán)益，該美國臨時申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入，如同完全地在本文中陳述一樣。背景光學(xué)器件，例如光學(xué)發(fā)射器、光學(xué)檢測器、光學(xué)放大器及類似器件，可以經(jīng)由光學(xué)表面發(fā)射或接收光。對于多種這樣的器件，光學(xué)表面可以是或可以包括電子部件或可以對環(huán)境條件敏感的其他部件。通常包括發(fā)光二極管(LED)、激光二極管和光傳感器的諸如光電子學(xué)的某些光學(xué)器件可以包括固態(tài)電子部件，該固態(tài)電子部件如果未被保護可以對電短路或來自環(huán)境條件的其他損害是易感的。即使可能不是即刻易感的光學(xué)器件如果未被保護也可能隨時間而劣化。因此，已經(jīng)開發(fā)了對光學(xué)表面提供至少一些保護以免于環(huán)境因素影響的薄膜。概述已經(jīng)開發(fā)了防護膜和用于制造這樣的防護膜的方法，該防護膜可以有助于從光學(xué)器件中的光萃取(lightextraction)。特別地，已經(jīng)開發(fā)了在有機硅薄膜上產(chǎn)生印記的工藝，這可以改進從光學(xué)器件中的光萃取。印記可以在通過將具有相關(guān)的印記的釋放襯墊壓制到有機硅薄膜上來制造包含光學(xué)器件和有機硅薄膜的光學(xué)組件期間產(chǎn)生。有機硅可以是熱熔性有機硅組合物，如本文公開的。釋放襯墊的壓制可以是在加熱工藝期間例如在層壓期間。因此，有機硅薄膜的壓印可以與有機硅薄膜至光學(xué)器件的層壓同時發(fā)生，這導(dǎo)致“一次(one-time)”生產(chǎn)工藝，允許各種部件相對于彼此被定位在夾具中，例如真空室，并且輸出端(output)產(chǎn)生光學(xué)組件。圖1是在示例性實施方案中的光學(xué)組件100的側(cè)部斷面圖(sideprofile)。圖2A-2E是在示例性實施方案中的用于制造光學(xué)組件100的工藝的圖示。圖3A和圖3B是在各個示例性實施方案中的示例性釋放襯墊的頂部斷面圖。圖4是在示例性實施方案中的用于制造光學(xué)組件的流程圖。詳述圖1是在示例性實施方案中的光學(xué)組件100的側(cè)部斷面圖。在各個示例性實施方案中，光學(xué)組件包括光學(xué)器件102和電引線104，電引線104被構(gòu)造成提供與光學(xué)器件102的電連接性，例如以提供電流以導(dǎo)致LED發(fā)光或檢測來自光學(xué)檢測器的輸出。光學(xué)器件102包括光學(xué)表面106，光可以從光學(xué)表面106被發(fā)射或被檢測。光學(xué)器件102和電引線104被封裝在有機硅薄膜108中，有機硅薄膜108在各個實例中可以根據(jù)本文公開的方法被應(yīng)用。雖然有機硅薄膜特別地由如本文公開的各種材料制成，但有機硅薄膜108可以是或可以包括當(dāng)前存在的或可以被開發(fā)的任何合適的封裝劑。有機硅薄膜108包括相對于光學(xué)表面106是遠側(cè)的遠側(cè)表面110。遠側(cè)表面110已經(jīng)被壓印以產(chǎn)生突出物112的圖案。突出物112可以是隆起、波紋、脊或其他相關(guān)的凸出部。雖然如所圖示的突出物112是呈圖案并且具有規(guī)則的形狀，但突出物112可以是未被圖案化的并且可以具有不規(guī)則的形狀。此外，突出物112中的某些或全部可以被在遠側(cè)表面110中的淺凹(dimple)、凹坑(divot)、或其他凹口替換。圖2A-2E是在示例性實施方案中的用于制造光學(xué)組件100的工藝的圖示。雖然工藝關(guān)于光學(xué)組件100被描述，但應(yīng)理解，本文描述的原理可以應(yīng)用于制造多種光學(xué)組件中的任何光學(xué)組件。在圖2A中，使夾具200準(zhǔn)備好接納光學(xué)器件102和有機硅薄膜108。在圖示的實例中，夾具是真空層壓機，真空層壓機包括真空室202、膜204和熱源206，例如加熱板工作臺(hotplatetable)。膜204可以由任何合適的材料制成，包括但不限于橡膠。在各個實例中，夾具200不必包括部件202、204、206中的某些或全部，并且代替地，可以包括用于固定光學(xué)器件102的機構(gòu)和壓制機構(gòu)，例如柱塞或可以被用于將物體壓制到有機硅薄膜108中的其他器件，如本文中將公開的。在圖2B中，光學(xué)器件102和有機硅薄膜108被定位在夾具200內(nèi)并且釋放襯墊208被定位在有機硅薄膜108的遠側(cè)表面110與膜204之間。壓印表面211面向有機硅薄膜108的遠側(cè)表面110。在各個實例中，釋放襯墊208由塑料形成，例如乙烯四氟乙烯(ETFE)。在各個實例中，有機硅薄膜108在這一點上不被附接至或以其他方式大體上固定至光學(xué)器件102；這樣的固定可以來自層壓或如本文公開的其他工藝。因此，有機硅薄膜108可以相對于光學(xué)器件102是松散的或可以相對于光學(xué)器件102被輕微地或以其他方式被非永久地固定，例如采用緊固件或粘合劑?？蛇x擇地，有機硅薄膜108可以已經(jīng)被固定至光學(xué)器件102，例如通過現(xiàn)有的層壓工藝或其他機構(gòu)，通過該其他機構(gòu)，有機硅薄膜108可以在長期內(nèi)或永久地被固定至光學(xué)器件102。在圖2C中，夾具200被關(guān)閉并且真空被應(yīng)用于膜204的第一側(cè)210和第二側(cè)212兩者上。在所圖示的實例中，膜204用來將第一側(cè)和第二側(cè)210、212相對于彼此隔離，這允許真空在每一側(cè)210、212上獨立地拉動。在圖2D中，真空在第一側(cè)210上被釋放而在第二側(cè)212上被維持。在第一側(cè)210上釋放真空導(dǎo)致膜204壓在釋放襯墊208上，這導(dǎo)致在釋放襯墊208上的壓印圖案被賦予至有機硅薄膜108上。在實例中，夾具200被保持在真空下持續(xù)從約四(4)分鐘至約二十(20)分鐘的時間并且在約一百三十五(135)℃的溫度下。在某些實例中，夾具在真空下、在約一百五十(150)℃的溫度下被保持持續(xù)約十(10)分鐘。在圖2E中，真空在第二側(cè)212上被釋放并且夾具200打開。光學(xué)組件100包括有機硅薄膜108，有機硅薄膜108包括如從釋放襯墊208所賦予的圖案。雖然所圖示的夾具200包括用于一(1)個光學(xué)器件102和所得的光學(xué)組件100的空間，但夾具200可以具有用于多個光學(xué)器件102的容量并且以同時地產(chǎn)生多個光學(xué)組件100。在實例中，光學(xué)器件102具有二百六十(260)微米乘五百八十五(585)微米的尺寸和九十(90)微米的厚度。光學(xué)器件102可以是包括多個光學(xué)器件102的板的部分，例如包括一百(100)個光學(xué)器件102的五十(50)乘五十(50)毫米的板。在這樣的實例中，夾具200可以被構(gòu)造成接納光學(xué)器件102的整個板。在實例中，有機硅薄膜108是約四百(400)微米厚。有機硅薄膜108和/或釋放襯墊208可以是單個片材以覆蓋光學(xué)器件102中的某些或全部的光學(xué)表面106，或可以對于每個光學(xué)器件102是分立的。在其中有機硅薄膜108是單個片材的實例中，片材可以具有約三十五(35)毫米的直徑。在多個實例中，夾具200可以被替換為或補充有多個壓制機構(gòu)中的任何壓制機構(gòu)，該壓制機構(gòu)將允許抵靠有機硅薄膜108壓制釋放襯墊208以在有機硅薄膜108上賦予印記。這樣的壓制機構(gòu)可以直接作用于釋放襯墊208，即，通過使光學(xué)器件102和/或有機硅薄膜108大體上固定并且抵靠有機硅薄膜108主動地壓制釋放襯墊208；可以直接作用于光學(xué)器件102和/或有機硅薄膜108，即，通過使釋放襯墊208大體上固定并且抵靠釋放襯墊主動壓制光學(xué)器件102和/或有機硅薄膜108；或可以直接作用于釋放襯墊208和光學(xué)器件102和/或有機硅薄膜108二者。此外，如上文所提到的，在各個實例中，夾具200不包括熱源206并且不必將有機硅薄膜108層壓或以其他方式固定或附接至光學(xué)器件102。更確切地說，在各個實例中，夾具200可以僅僅是用于將印記賦予至有機硅薄膜108上的壓機。圖3A和圖3B分別是在各個示例性實施方案中的示例性釋放襯墊208A和208B的頂部斷面圖。所圖示的釋放襯墊208A、208B作為代表性的實例被提供并且是非限制性的。釋放襯墊208A包括在表面302上的柱300的規(guī)則圖案，表面302被構(gòu)造成當(dāng)有機硅薄膜108和釋放襯墊208A被定位在夾具200中時面向有機硅薄膜108的遠側(cè)表面110。釋放襯墊208A可以被用于制造如圖1中所圖示的有機硅薄膜108的突出物112。在實例中，釋放襯墊208A由環(huán)烯烴聚合物(COP)形成，環(huán)烯烴聚合物具有約二百三十(230)納米的Φ(phi)、約二百(200)納米的柱高度、約四百(400)納米的柱節(jié)距(pillarpitch)、和約200微米的薄膜厚度。當(dāng)釋放襯墊208A被使用時，釋放襯墊208A可以在真空中、在一百三十五(135)℃下抵靠有機硅薄膜108被壓制持續(xù)約二十(20)分鐘。所得光學(xué)組件100可以具有約一百二十(120)納米至約一百六十(160)納米的深度的突出物112。釋放襯墊208B包括微網(wǎng)眼圖案(micromeshpattern)304。在各個實例中，微網(wǎng)眼圖案具有三百二十五的網(wǎng)眼計數(shù)和約二百八十(280)微米的線徑(wirediameter)。微網(wǎng)眼圖案304可以通過在一百五十(150)℃下將金屬微網(wǎng)眼熱壓至如本文公開的釋放襯墊208B的材料上例如持續(xù)一(1)分鐘來形成。另外或可選擇地，釋放襯墊208B可以是金屬微網(wǎng)眼并且可以被直接應(yīng)用于如本文公開的有機硅薄膜108。多種其他的釋放襯墊208被預(yù)期。在實例中，釋放襯墊208包括隨機的或以其他方式不規(guī)則排列的空腔，該空腔被構(gòu)造成在有機硅薄膜108上產(chǎn)生隨機排列的突出物112。釋放襯墊可以包括蛾眼型圖案并且由金屬形成?？涨豢梢跃哂屑s二百一十二(212)納米的深度和約一百三十(130)納米的節(jié)距。在多個實例中，與沒有有機硅薄膜108的光學(xué)器件102的約1,740毫瓦特的LOP相比，包括具有所得排列的突出物112的有機硅薄膜108的光學(xué)組件100可以具有約1,772毫瓦特的LOP，或約1.8％的改進。圖4是在示例性實施方案中的用于制造光學(xué)組件的流程圖。在多個實例中，光學(xué)組件是光學(xué)組件100。另外或可選擇地，方法可以被應(yīng)用于制造任何合適的光學(xué)組件。在操作400處，光學(xué)器件被固定在夾具中，光學(xué)器件具有光學(xué)表面，其中有機硅薄膜關(guān)于光學(xué)表面被定位，有機硅薄膜具有相對于光學(xué)表面的遠側(cè)表面。在實例中，有機硅薄膜包含含有機硅的熱熔性組合物。在實例中，含有機硅的熱熔性組合物包含有機硅氧烷嵌段共聚物。在實例中，有機硅薄膜的厚度大于光學(xué)器件的厚度。在操作402處，釋放襯墊被定位，其中襯墊表面面向有機硅薄膜，釋放襯墊包括在襯墊表面上的印記。在實例中，釋放襯墊的印記包括至少一個柱或一個空腔，柱或空腔具有從約十(10)納米至約五百(500)微米的主要尺寸(primarydimension)。在實例中，釋放襯墊的印記包括多個大體上相等大小的空腔或柱，空腔形成大體上規(guī)則的圖案。在實例中，釋放襯墊包括金屬和塑料中的至少一種。在操作404處，釋放襯墊抵靠有機硅薄膜被壓制，從而導(dǎo)致釋放襯墊的印記被賦予至有機硅薄膜的遠側(cè)表面，在遠側(cè)表面中產(chǎn)生表面印記。在實例中，夾具包括真空室和膜，并且其中壓制釋放襯墊包括采用真空室在膜的第一側(cè)與膜的第二側(cè)之間產(chǎn)生壓差并且導(dǎo)致膜抵靠有機硅薄膜壓制釋放襯墊。對膜的材料沒有限制。有機薄膜、圖案化的薄膜和金屬薄膜，釋放襯墊是作為膜可適用的。在操作406處，采用熱源將熱應(yīng)用于有機硅薄膜以將有機硅薄膜層壓至光學(xué)器件。在實例中，應(yīng)用熱與壓制釋放襯墊是至少部分地同時發(fā)生的。有機硅組合物通常，當(dāng)在未反應(yīng)的A-階段中的熱固性樹脂的部分發(fā)生反應(yīng)時，樹脂可以進入B-階段，在B-階段中，可交聯(lián)的官能團的部分發(fā)生反應(yīng)。在A-階段和B-階段中，樹脂可以經(jīng)由加熱在粘度上被減小、被軟化、或被液化。如果反應(yīng)繼續(xù)，樹脂進入完全固化的C-階段。根據(jù)本發(fā)明的多個實施方案的可固化的有機硅組合物是處于對應(yīng)于“A-階段”或“B-階段”的狀態(tài)，并且特別地，是熱塑性的，因為包含在室溫下是固體的組分的可固化的有機硅組合物被使用。因此可能的是，“塑性地(plastically)”加工熱熔性可固化的有機硅組合物以用于根據(jù)本發(fā)明層壓。如本文使用的術(shù)語“熱熔性”和“可熱熔”通常指的是在室溫(25℃)下是固體但在加熱時軟化或熔化而進入粘稠的流體或液體狀態(tài)的物質(zhì)，例如熱熔性粘合劑，其代表為基于乙烯乙酸乙烯酯的粘合劑。本發(fā)明的多個實施方案的組合物是“熱熔性”組合物或含有機硅的“熱熔性”組合物，并且因此可以在室溫(25℃)下是固體。對本發(fā)明的組合物的形式?jīng)]有特別的限制；例如，其可以采取粉末、粒劑、小球、片劑、薄膜或片材的形式。在某些實施方案中，本發(fā)明的多個實施方案的組合物具有如通過JISK6253定義的在25℃下的至少50、至少60或至少70的A型硬度計硬度(typeAdurometerhardness)。在某些實施方案中，本發(fā)明的組合物在100℃下是流體或在100℃下具有不大于10、不大于5或不大于1的A型硬度計硬度。如果組合物在100℃下是流體，則對其粘度沒有特別的限制；最小值為0.01Pa·s或0.1Pa·s。如果組合物在100℃下是流體，則最大粘度可以是1,000Pa·s、100Pa·s或10Pa·s?？蛇x擇地，如果組合物在100℃下是流體，則從緊接關(guān)閉模具后(固化時間：0秒)直至300秒的最小扭矩值，當(dāng)根據(jù)JISK6300-2“Rubber,unvulcanized--Physicalproperty--Part2:Determinationofcurecharacteristicswithoscillatingcuremeters”、使用例如動模流變儀(MDR)、在至少100℃的溫度下測量時，為不大于1kgf·cm或不大于0.1kgf·cm。因此，本發(fā)明的組合物可以有利地被用作在加熱時變形的熱塑性薄膜或片材。本發(fā)明的多個實施方案的組合物能夠在加熱時經(jīng)歷交聯(lián)和固化。在某些實施方案中，最小加熱溫度是約50℃、約80℃或約100℃。在某些實施方案中，最大加熱溫度是約200℃或約150℃。為了穩(wěn)定化密封物的形狀，本發(fā)明的多個實施方案的組合物具有的固化性質(zhì)使得，當(dāng)使用動模流變儀(MDR)、在加熱溫度范圍中測量時，從緊接開始測量以后直至達到1kgf·cm的扭矩的時間為不大于5分鐘、不大于3分鐘或不大于1分鐘。測量可以使用MDR、根據(jù)遵照J(rèn)ISK6300-2“Rubber,unvulcanized--Physicalproperty--Part2:Determinationofcurecharacteristicswithoscillatingcuremeters”的方法來進行。在某些實施方案中，本發(fā)明的多個實施方案的組合物自身或其固化的產(chǎn)物具有至少1.40的折射指數(shù)。折射指數(shù)可以使用例如阿貝折射計來測量。在這樣的情況下，用于阿貝折射計的光源的波長可以被改變以測量在期望的波長下的折射指數(shù)。在某些實施方案中，可固化的有機硅組合物及其固化的產(chǎn)物具有1.40或更大、從約1.50至約1.70或從約1.55至約1.60的在可見光波長下(在589nm下)的折射指數(shù)(在25℃下)。本發(fā)明的組合物自身或其固化的產(chǎn)物可以具有至少約80％、至少約90％或至少約95％(例如從約80％至約100％、約80％至約95％、約90％至約100％或約95％至約100％)的透光率(lighttransmissionrate)(在25℃下)。此透光率可以例如通過使用透光率(在25℃下)分光光度計、使用0.2cm的光路距離和450nm的波長來測量本發(fā)明的組合物或其固化的產(chǎn)物來計算。在某些實施方案中，本發(fā)明的組合物是例如包含固體有機聚硅氧烷并且在室溫下是固體的A-階段有機硅組合物、或可以經(jīng)由氫化硅烷化反應(yīng)被交聯(lián)和固化的B-階段有機硅組合物。特別地，在某些實施方案中，根據(jù)本發(fā)明的B-階段組合物經(jīng)由氫化硅烷化反應(yīng)被部分地交聯(lián)；在室溫下形成具有高硬度的固體，特定地硬橡膠樣的狀態(tài)；并且在高溫(例如100℃)下，呈現(xiàn)明顯軟化的形式，特定地軟橡膠樣的狀態(tài)，或液化。在某些實施方案中，本發(fā)明的組合物可以經(jīng)由氫化硅烷化反應(yīng)被交聯(lián)和固化。在某些實施方案中，組合物選自由以下組成的組：(1)未反應(yīng)的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物；(2)通過使未反應(yīng)的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物部分地交聯(lián)獲得的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物；和(3)包含以下的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物：具有結(jié)合硅原子的氫原子和/或烯基的交聯(lián)產(chǎn)物；和至少一種類型的氫化硅烷化反應(yīng)性組分，交聯(lián)產(chǎn)物通過使未反應(yīng)的氫化硅烷化反應(yīng)性有機硅組合物交聯(lián)來獲得。在某些實施方案中，未反應(yīng)的氫化硅烷化可固化的(反應(yīng)性的)有機硅組合物包含：(A)在25℃下是固體并且在分子中平均具有多于兩個烯基的至少一種類型的有機聚硅氧烷；(B)在分子中具有至少兩個結(jié)合硅原子的氫原子的至少一種類型的有機聚硅氧烷，其是以使得結(jié)合硅原子的氫原子的總摩爾濃度與在組分(A)中的烯基的總摩爾濃度的比率在0.2至4的范圍內(nèi)的量；和(C)氫化硅烷化催化劑，其是以足以實現(xiàn)氫化硅烷化反應(yīng)的量。對組分(A)的分子結(jié)構(gòu)沒有限制；實例包括直鏈結(jié)構(gòu)、部分支化的直鏈結(jié)構(gòu)、支鏈結(jié)構(gòu)、樹枝狀結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在組分(A)中的烯基的非限制性實例包括具有從2個至10個碳(例如2個至8個碳、2個至5個碳或2個至4個碳)的直鏈或支鏈的烯基，例如乙烯基、烯丙基、丙稀基、異丙烯基、丁烯基、戊烯基和己烯基。乙烯基或烯丙基是優(yōu)選的，并且乙烯基是更優(yōu)選的。任選地，組分(A)可以在分子中平均具有至少三個烯基。除了烯基，組分(A)可以包含被結(jié)合至硅原子并且具有從1個至20個碳原子的單價烴基。單價烴基的實例包括具有從1個至20個碳原子的烷基、具有從6個至20個碳原子的芳基、和具有從7個至20個碳原子的芳烷基。具有從1個至20個碳原子的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、環(huán)戊基、己基、環(huán)己基、庚基、和其他直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的烷基。單價烴基優(yōu)選地是甲基。具有從6個至20個碳原子的芳基的實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、和蒽基。具有從7個至20個碳原子的芳烷基的實例包括芐基、苯乙基、和苯丙基。單價烴基的氫原子的部分可以被鹵素原子、羥基、環(huán)氧基或類似基團部分地取代。組分(A)的實例包括：在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷，在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基硅氧烷與二甲基硅氧烷的共聚物，在分子的兩端處用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基聚硅氧烷，在分子的兩端處用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷與甲基乙烯基硅氧烷的共聚物，環(huán)狀甲基乙烯基硅氧烷，環(huán)狀二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物，通過由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷單元、由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元和由式SiO4/2代表的硅氧烷單元構(gòu)成的共聚物，通過由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元和由式SiO4/2代表的硅氧烷單元構(gòu)成的共聚物，由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷單元、由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元、由式(CH3)2SiO2/2代表的硅氧烷單元和由式SiO4/2代表的硅氧烷單元的共聚物，以及上文中的兩種或更多種的混合物。優(yōu)選的是在分子的兩端處用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷、在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷與甲基乙烯基硅氧烷的共聚物、以及由式SiO4/2代表的硅氧烷單元和由式(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元的共聚物。在某些實施方案中，組分(A)可以是由以下平均單元式代表的含苯基的有機聚硅氧烷：(R13SiO1/2)a(R12SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e其中：R1是苯基、具有從1個至6個碳原子的烷基或環(huán)烷基、或具有從2個至6個碳原子的烯基，條件是從60mol％至80mol％的R1是苯基并且從10mol％至20mol％的R1是烯基；R2是氫原子或具有從1個至6個碳原子的烷基；并且“a”、“b”、“c”、“d”和“e”是滿足以下的數(shù)：0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.7，0.2≤c≤0.6，0≤d≤0.2，0≤e≤0.1，并且a+b+c+d＝1。R1的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。R1的環(huán)烷基的實例包括環(huán)戊基和環(huán)己基。R1的烯基的實例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基和己烯基。在某些實施方案中，R1代表苯基。在某些實施方案中，苯基含量是在60mol％至80mol％或從65mol％至80mol％的范圍內(nèi)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果苯基含量小于本文給出的范圍的最小值，則本發(fā)明的多個實施方案的組合物在高溫下可能存在不足的軟化。如果苯基含量超過本文給出的范圍的最大值，則本發(fā)明的多個實施方案的組合物或其固化的產(chǎn)物可能還存在透明度的損失和/或機械強度的降低。在某些實施方案中，R1代表烯基。在某些實施方案中，烯基含量是在10mol％至20mol％的范圍內(nèi)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果烯基含量小于本文給出的范圍的最小值，則在室溫下可能是不足夠地硬的。在某些情況下，如果烯基含量超過本文給出的范圍的最大值，則本發(fā)明的組合物在高溫下可能存在不足的軟化。R2的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基，其中甲基和乙基是優(yōu)選的。在式中，“a”是指示由通式R13SiO1/2代表的硅氧烷單元的分?jǐn)?shù)的數(shù)，并且“a”是滿足0≤a≤0.2且優(yōu)選地0≤a≤0.1的數(shù)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果“a”超過本文給出的范圍的最大值，則本發(fā)明的組合物可能在室溫下是不足夠地硬的。在式中，“b”是指示由通式R12SiO2/2代表的硅氧烷單元的分?jǐn)?shù)的數(shù)，并且“b”是滿足0.2≤b≤0.7且優(yōu)選地0.4≤b≤0.7的數(shù)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果“b”小于本文給出的范圍的最小值，則可能造成本發(fā)明的組合物在高溫下不足的軟化。在某些情況下，如果“b”超過本文給出的范圍的最大值，則本發(fā)明的組合物在室溫下可能具有不足的硬度。在式中，“c”是指示由通式R1SiO3/2代表的硅氧烷單元的分?jǐn)?shù)的數(shù)，并且“c”是滿足0.2≤c≤0.6且優(yōu)選地0.3≤c≤0.6的數(shù)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果“c”小于本文給出的范圍的最小值，則可能造成本發(fā)明的組合物在室溫下不足的硬度。在某些情況下，如果“c”超過本文給出的范圍的最大值，則可能造成本發(fā)明的組合物在高溫下不足的軟化。在式中，“d”是指示由通式SiO4/2代表的硅氧烷單元的分?jǐn)?shù)的數(shù)，并且“d”是滿足0≤d≤0.2且優(yōu)選地0≤d≤0.1的數(shù)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果“d”超過本文給出的范圍的最大值，則可能造成本發(fā)明的組合物在高溫下不足的軟化。在式中，“e”是指示由通式R2O1/2代表的單元的分?jǐn)?shù)的數(shù)，并且“e”是滿足0≤e≤0.1的數(shù)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果“e”超過本文給出的范圍的最大值，則可能造成本發(fā)明的組合物在室溫下不足的硬度。此外，在式中的“a”、“b”、“c”、和“d”的和是1。在某些實施方案中，組分(A)可以是以下的混合物：(A-1)從60質(zhì)量％至100質(zhì)量％的在25℃下是固體并且在分子中平均具有多于兩個烯基的支鏈的有機聚硅氧烷；和(A-2)從0至40質(zhì)量％的在25℃下是液體并且在分子中平均具有多于兩個烯基的直鏈或部分支鏈的有機聚硅氧烷。在某些實施方案中，組分(A-1)是組合物的主要組分，并且可以是已經(jīng)被描述為組分(A)的組分。在某些實施方案中，組分(A-2)是用于改進組合物的操控便利性和可加工性以及改變其在室溫下的硬度的組分，并且優(yōu)選地是由以下通式代表的含苯基的有機聚硅氧烷：R33SiO(R32SiO)mSiR33其中：R3是苯基、具有從1個至6個碳原子的烷基或環(huán)烷基、或具有從2個至6個碳原子的烯基，條件是從40mol％至70mol％的R3是苯基并且R3中的至少一個是烯基；并且“m”是從5至100的整數(shù)。R3的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。R3的環(huán)烷基的實例包括環(huán)戊基和環(huán)己基。R3的烯基的實例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基和己烯基。在某些實施方案中，R3代表苯基。在某些實施方案中，苯基含量是在40mol％至70mol％或從40mol％至60mol％的范圍內(nèi)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果苯基含量小于本文給出的范圍的最小值，則可能造成本發(fā)明的組合物在高溫下不足的軟化。在其他實施方案中，如果苯基含量超過本文給出的范圍的最大值，則可能造成本發(fā)明的固化的組合物的透明度的損失和/或機械強度的降低。此外，R3中的至少一個是烯基。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果沒有烯基，則可能造成組分未并入交聯(lián)反應(yīng)中和從本發(fā)明的組合物中滲出。在式中，“m”是在5至100的范圍內(nèi)的整數(shù)，并且優(yōu)選地是在10至50的范圍內(nèi)的整數(shù)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果“m”小于本文給出的范圍的最小值，則本發(fā)明的組合物的機械強度可能減小。在某些實施方案中，如果“m”超過本文給出的范圍的最大值，則本發(fā)明的組合物的操控便利性和可加工性可能減小。在某些實施方案中，組分(B)起交聯(lián)劑的作用，該交聯(lián)劑在25℃下具有在1mPa·s至1,000mPa·s的范圍內(nèi)、在1mPa·s至500mPa·s的范圍內(nèi)或在1mPa·s至100mPa·s的范圍內(nèi)的粘度。對組分(B)的分子結(jié)構(gòu)沒有限制；實例包括直鏈結(jié)構(gòu)、部分支化的直鏈結(jié)構(gòu)、支鏈結(jié)構(gòu)、樹枝狀結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或環(huán)狀結(jié)構(gòu)。組分(B)可以任選地在分子中具有至少三個結(jié)合硅的氫原子。除了結(jié)合硅原子的氫原子，組分(B)可以具有被結(jié)合至硅原子并且具有從1個至20個碳原子的單價烴基。單價烴基的實例包括具有從1個至20個碳原子的烷基、具有從6個至20個碳原子的芳基、和具有從7個至20個碳原子的芳烷基。在組分(B)中具有從1個至20個碳原子的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、環(huán)戊基、己基、環(huán)己基、庚基、和其他直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的烷基。單價烴基優(yōu)選地是甲基。具有從6個至20個碳原子的芳基的實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、和蒽基。具有從7個至20個碳原子的芳烷基的實例包括芐基、苯乙基、和苯丙基。單價烴基的氫原子的部分可以被鹵素原子、羥基、環(huán)氧基或類似基團部分地取代。組分(B)的實例包括在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氫聚硅氧烷，在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷與甲基氫硅氧烷的共聚物，在分子的兩端處用二甲基氫甲硅烷氧基封端的甲基氫聚硅氧烷，在分子的兩端處用二甲基氫甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷與甲基氫硅氧烷的共聚物，環(huán)狀甲基氫硅氧烷，環(huán)狀二甲基硅氧烷-甲基氫硅氧烷共聚物，由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷單元、由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元和由式SiO4/2代表的硅氧烷單元的共聚物，由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元和由式SiO4/2代表的硅氧烷單元的共聚物，由式(CH3)3SiO1/2代表的硅氧烷單元、由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元、由式(CH3)2SiO2/2代表的硅氧烷單元和由式SiO4/2代表的硅氧烷單元的共聚物，以及這些中的兩種或更多種的混合物；特別地，在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氫聚硅氧烷、在分子的兩端處用三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷和甲基氫硅氧烷的共聚物、以及由式SiO4/2代表的硅氧烷單元和由式H(CH3)2SiO1/2代表的硅氧烷單元的共聚物是優(yōu)選的。在某些實施方案中，組分(B)的單價烴基中的從30mol％至70mol％是苯基。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果苯基含量小于本文給出的范圍的最小值，則可能造成本發(fā)明的組合物在高溫下不足的軟化。如果苯基含量超過本文給出的范圍的最大值，則可能造成本發(fā)明的固化的組合物的透明度的損失和/或機械強度的降低。在某些實施方案中，組分(B)是由以下通式代表的有機三硅氧烷：(HR42SiO)2SiR42在某些實施方案中，R4是苯基、或具有從1個至6個碳原子的烷基或環(huán)烷基。R4的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。R4的環(huán)烷基的實例包括環(huán)戊基和環(huán)己基。在某些實施方案中，R4中的苯基含量是在30mol％至70mol％的范圍內(nèi)。在某些實施方案中，組分(B)含量是使得其中的結(jié)合硅原子的氫原子與在組分(A)中的烯基的總量的摩爾比是在0.2至4、優(yōu)選地從0.5至2、更優(yōu)選地從0.8至1.8且還更優(yōu)選地從0.5至1.5的范圍內(nèi)的量。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果組分(B)的含量在本文給出的范圍以外，則可能造成本發(fā)明的組合物在室溫下不足的硬度。組分(C)是氫化硅烷化反應(yīng)催化劑，其用于導(dǎo)致或促進組分(A)中的烯基與組分(B)中的結(jié)合硅原子的氫原子之間的氫化硅烷化反應(yīng)。組分(C)的實例包括基于鉑的催化劑、基于銠的催化劑和基于鈀的催化劑。由于促進本組合物的固化的能力，基于鉑的催化劑是優(yōu)選的?；阢K的催化劑的實例包括鉑細粉、氯鉑酸、氯鉑酸的醇溶液、鉑-烯基硅氧烷絡(luò)合物、鉑-烯烴絡(luò)合物和鉑-羰基絡(luò)合物，其中鉑-烯基硅氧烷絡(luò)合物是特別優(yōu)選的。烯基硅氧烷的實例包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環(huán)四硅氧烷、使這些烯基硅氧烷中的甲基的部分被乙基、苯基或類似物取代的烯基硅氧烷、以及使這些烯基硅氧烷中的乙烯基被烯丙基、己烯基或類似物取代的烯基硅氧烷。由于鉑-烯基硅氧烷絡(luò)合物的高穩(wěn)定性，1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷是特別優(yōu)選的。由于用于改進鉑-烯基硅氧烷絡(luò)合物的穩(wěn)定性的能力，推薦的是鉑-烯基硅氧烷絡(luò)合物與有機硅氧烷低聚物的組合，有機硅氧烷低聚物為諸如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環(huán)四硅氧烷、或類似的烯基硅氧烷、或二甲基硅氧烷低聚物。添加烯基硅氧烷是優(yōu)選的。對組分(C)含量沒有特別的限制，只要其是足以實現(xiàn)或促進在組分(A)中的烯基與組分(B)中的結(jié)合硅原子的氫原子之間的氫化硅烷化反應(yīng)的量，但其在某些實施方案中是使得在部分固化之前在組分中的金屬元素根據(jù)質(zhì)量單位相對于組合物的量是在從0.01ppm至500ppm、從0.01ppm至100ppm或從0.01ppm至50ppm的范圍內(nèi)的量。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果組分(C)的量小于本文描述的范圍的下限，則組合物可能呈現(xiàn)不充分地交聯(lián)的趨勢。在某些情況下，如果該量超過本文描述的范圍的上限，則可能發(fā)生根據(jù)本發(fā)明的組合物的變色。通過使未反應(yīng)的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物部分地交聯(lián)獲得的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物(2)可以通過在氫化硅烷化反應(yīng)性有機硅組合物的從50％至95％轉(zhuǎn)化率時停止氫化硅烷化反應(yīng)來獲得，所述氫化硅烷化反應(yīng)性有機硅組合物包含：(D)在分子中平均具有多于兩個烯基的至少一種類型的有機聚硅氧烷；(E)在分子中具有至少兩個結(jié)合硅原子的氫原子的至少一種類型的有機聚硅氧烷，其是以使得結(jié)合硅原子的氫原子的總摩爾濃度與在組分(D)中的烯基的總摩爾濃度的比率在0.2至4的范圍內(nèi)的量；和(F)氫化硅烷化催化劑，其是以足以實現(xiàn)氫化硅烷化反應(yīng)的量。本文描述的組分(A)至(C)可以被分別用于組分(D)至(F)。對未反應(yīng)的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物的粘度沒有特別的限制，該粘度可以在100mPa·s至1,000,000mPa·s或從500mPa·s至50,000mPa·s的范圍內(nèi)。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果該粘度小于本文給出的范圍的最小值，則本發(fā)明的組合物的機械強度可能減小。在某些情況下，如果該粘度超過本文給出的范圍的最大值，則本發(fā)明的組合物的操控便利性和可加工性可能減小。在某些實施方案中，組分(D)包含以下的混合物：(D-1)由以下平均單元式代表的有機聚硅氧烷：(R13SiO1/2)a(R12SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e其中R1是苯基、具有從1個至6個碳的烷基或環(huán)烷基、或具有從2個至6個碳的烯基，條件是從60mol％至80mol％的R1是苯基并且從10mol％至20mol％的R1是烯基；R2是氫原子或具有從1個至6個碳的烷基；并且“a”、“b”、“c”、“d”和“e”是滿足以下的數(shù)：0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.7，0.2≤c≤0.6，0≤d≤0.2，0≤e≤0.1，并且a+b+c+d＝1；和(D-2)由以下通式代表的有機聚硅氧烷：R33SiO(R32SiO)mSiR33其中R3是苯基、具有從1個至6個碳的烷基或環(huán)烷基、或具有從2個至6個碳的烯基，條件是從40mol％至70mol％的R3是苯基并且至少一個R3是烯基；并且“m”是從5至100的整數(shù)，此組分(D-2)的量是每100重量份的組分(D-1)從0至20重量份。組分(D-2)含量可以是在0至15重量份每100重量份的組分(D-1)的范圍內(nèi)的量，或在0至10重量份的范圍內(nèi)的量。雖然不希望受限于任何特定的理論，但相信，如果組分(D-2)含量超過本文給出的范圍的最大值，則可能造成本發(fā)明的組合物在高溫下不足的軟化。氫化硅烷化反應(yīng)的“轉(zhuǎn)化率”是組分(D)的烯基或組分(E)的結(jié)合硅原子的氫原子的消耗的程度；例如，80％轉(zhuǎn)化率可以指示，組分(D)的烯基或組分(E)的結(jié)合硅原子的氫原子中的80％已經(jīng)在氫化硅烷化反應(yīng)中被消耗。對用于控制轉(zhuǎn)化率的方法沒有特別的限制；例如，未反應(yīng)的氫化硅烷化可固化的有機硅組合物可以被加熱持續(xù)比較短的時間以產(chǎn)生從50％至95％的轉(zhuǎn)化率。在某些實施方案中，加熱溫度是從50℃至200℃或從80℃至150℃。在某些實施方案中，加熱時間是從1分鐘至20分鐘或從5分鐘至15分鐘。轉(zhuǎn)化率可以相對于例如發(fā)熱峰面積(heat-generatingpeakarea)被測量，發(fā)熱峰面積通過經(jīng)由差示掃描量熱法(DSC)測量未反應(yīng)的組合物作為參考來獲得。氫化硅烷化可固化的有機硅組合物(3)包含：(G)通過未反應(yīng)的氫化硅烷化反應(yīng)性有機硅組合物的氫化硅烷化反應(yīng)獲得的含烯基的交聯(lián)產(chǎn)物，所述未反應(yīng)的氫化硅烷化反應(yīng)性有機硅組合物包含：(G-1)在分子中平均具有多于兩個烯基的至少一種類型的有機聚硅氧烷；(G-2)在分子中具有至少兩個結(jié)合硅原子的氫原子的至少一種類型的有機聚硅氧烷，其是以使得結(jié)合硅原子的氫原子的總摩爾濃度與在組分(G-1)中的烯基的總摩爾濃度的比率在0.3至0.9的范圍內(nèi)的量；和(G-3)氫化硅烷化催化劑，其是以足以實現(xiàn)氫化硅烷化反應(yīng)的量；和(H)在分子中具有至少兩個結(jié)合硅原子的氫原子的至少一種類型的有機聚硅氧烷，其是以使得結(jié)合硅原子的氫原子的總摩爾濃度與在交聯(lián)產(chǎn)物中的烯基的總摩爾濃度的比率在0.1至2.0的范圍內(nèi)的量。上文描述的組分(A)、(B)、(C)和(E)可以分別被用于組分(G-1)、(G-2)、(G-3)和(H)。在某些實施方案中，以下條件中的一個或更多個被滿足：(G-1)是在分子中平均具有多于兩個烯基并且由以下平均組成式代表的有機聚硅氧烷：R4xSiO(4-x)/2其中R4獨立地代表被取代的或未被取代的單價烴基，條件是從0.1mol％至40mol％的R4是烯基；并且“x”是使得1≤x＜2的正數(shù)；(G-2)是由以下通式代表的二有機聚硅氧烷：HR52Si(R52SiO)nR52SiH其中R5獨立地代表不包含脂肪族不飽和鍵的被取代的或未被取代的單價烴基，并且“n”是從0至1,000的整數(shù)；和(H)是由以下平均組成式代表的有機氫聚硅氧烷：R5yHzSiO(4-y-z)/2其中R5如上文所定義，并且“y”和“z”是滿足以下的正數(shù)：0.7≤y≤2.1，0.001≤z≤1.0，并且0.8≤y+z≤2.6。單價烴基和烯基是如本文所描述的。不包含脂肪族不飽和鍵的單價烴基的實例包括具有從1個至20個碳原子的烷基、具有從6個至20個碳原子的芳基、和具有從7個至20個碳原子的芳烷基。具有從1個至20個碳原子的烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、環(huán)戊基、己基、環(huán)己基、庚基、和其他直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的烷基。單價烴基優(yōu)選地是甲基。具有從6個至20個碳原子的芳基的實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、和蒽基。具有從7個至20個碳原子的芳烷基的實例包括芐基、苯乙基、和苯丙基。單價烴基的氫原子的部分可以被鹵素原子、羥基、環(huán)氧基或類似基團部分地取代。在氫化硅烷化可固化的有機硅組合物(3)中，在某些實施方案中，組分(G-1)與(G-2)的相對量被調(diào)整使得在組分(G-2)中的結(jié)合硅原子的氫原子的總摩爾濃度與在組分(G-1)中的烯基的總摩爾濃度的比率是在0.3至0.9的范圍內(nèi)；因此，通過使未反應(yīng)的氫化硅烷化反應(yīng)性有機硅組合物(G)氫化硅烷化獲得的交聯(lián)產(chǎn)物具有未在氫化硅烷化反應(yīng)中消耗的烯基。因此可能的是，由于組分(H)的存在，使氫化硅烷化可固化的有機硅組合物(3)經(jīng)由氫化硅烷化反應(yīng)進一步交聯(lián)和固化。本發(fā)明的組合物可以包含作為任選的組分的反應(yīng)阻滯劑，反應(yīng)阻滯劑為例如乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、或另一種其他的炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔、或另一種烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環(huán)四硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環(huán)四硅氧烷、或苯并三唑。對反應(yīng)阻滯劑含量沒有限制，例如在相對于組合物的重量的1ppm至5,000ppm的范圍內(nèi)。本發(fā)明的組合物還可以包含助粘劑以便改進與各種基底的結(jié)合能力。助粘劑的實例包括但不限于：具有約4個至20個硅原子、具有三烷氧基甲硅烷氧基(例如三甲氧基甲硅烷氧基或三乙氧基甲硅烷氧基)或三烷氧基甲硅烷基烷基(例如三甲氧基甲硅烷基乙基或三乙氧基甲硅烷基乙基)和氫甲硅烷基(hydrosilyl)或烯基(例如乙烯基或烯丙基)的有機硅烷類或直鏈、支鏈或環(huán)狀的有機硅氧烷低聚物；具有約4個至20個硅原子、具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基、和甲基丙烯酰氧基烷基(例如3-甲基丙烯酰氧基丙基)的有機硅烷類或直鏈、支鏈或環(huán)狀的有機硅氧烷低聚物；具有約4個至20個硅原子、具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基和結(jié)合環(huán)氧基的烷基(例如3-縮水甘油醚氧基丙基、4-縮水甘油醚氧基丁基、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基、或3-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)丙基)的有機硅烷類或直鏈、支鏈或環(huán)狀的有機硅氧烷低聚物；以及氨基烷基三烷氧基硅烷與結(jié)合環(huán)氧基的烷基三烷氧基硅烷的反應(yīng)產(chǎn)物、和含環(huán)氧基的聚硅酸乙酯(ethylpolysilicate)。助粘劑的具體實例包括：乙烯基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、氫三乙氧基硅烷(hydrogentriethoxysilane)、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷與3-氨基丙基三乙氧基硅烷的反應(yīng)產(chǎn)物、硅烷醇基團鏈封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物與3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷的縮合反應(yīng)產(chǎn)物、硅烷醇基團鏈封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物與3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷的縮合反應(yīng)產(chǎn)物以及三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯。本發(fā)明的組合物還可以包含以下作為任選的組分：不同于組分(A)至(H)的有機聚硅氧烷；無機填料，例如二氧化硅、玻璃、礬土或氧化鋅；細粉狀有機樹脂，例如聚甲基丙烯酸酯樹脂；耐熱劑；染料；顏料；磷光劑；阻燃劑；溶劑；或類似物，至這樣的任選的組分沒有不利地影響本發(fā)明的多個實施方案的組合物的除了其他特征以外的光學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)的程度。在某些實施方案中，本發(fā)明的多個實施方案的組合物包含至少一種類型的有機聚硅氧烷嵌段共聚物。在某些實施方案中，有機聚硅氧烷嵌段共聚物在某些實施方案中包含：從40mol％至90mol％的由[R62SiO2/2]代表的二甲硅烷氧基單元；從10mol％至60mol％的由[R7SiO3/2]代表的三甲硅烷氧基單元；和從2mol％至25mol％的由[≡SiOH]代表的硅烷醇基團；其中每個R6獨立地代表C1-C30烴基；每個R7獨立地代表C1-C20烴基；二甲硅烷氧基單元[R62SiO2/2]存在于平均包含從10個至400個(例如50個至300個)二甲硅烷氧基單元[R62SiO2/2]的直鏈嵌段中；三甲硅烷氧基單元存在于具有至少500g/mol的分子量的非直鏈嵌段中；并且每個直鏈嵌段被結(jié)合至至少一個非直鏈嵌段。烴基的實例包括本文描述的單價烴基。有機聚硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/摩爾的重均分子量(Mw)，可選擇地至少40,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地至少50,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地至少60,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地至少70,000g/摩爾的重均分子量，或可選擇地至少80,000g/摩爾的重均分子量。在某些實施方案中，有機硅氧烷嵌段共聚物具有從約20,000g/摩爾至約250,000g/摩爾或從約100,000g/摩爾至約250,000g/摩爾的重均分子量(Mw)，可選擇地從約40,000g/摩爾至約100,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地從約50,000g/摩爾至約100,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地從約50,000g/摩爾至約80,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地從約50,000g/摩爾至約70,000g/摩爾的重均分子量，可選擇地從約50,000g/摩爾至約60,000g/摩爾的重均分子量。在還其他實施方案中，有機硅氧烷嵌段共聚物的重均分子量是從40,000至100,000、從50,000至90,000、從60,000至80,000、從60,000至70,000、或從100,000至500,000、或從150,000至450,000、或從200,000至400,000、或從250,000至350,000、或從250,000至300,000g/摩爾。在還其他實施方案中，有機硅氧烷嵌段共聚物具有從40,000至60,000、從45,000至55,000或約50,000g/摩爾的重均分子量。在某些實施方案中，包含至少一種類型的有機聚硅氧烷嵌段共聚物的組合物具有至少1.4的折射指數(shù)，如使用ASTMD542確定的。在某些實施方案中，包含至少一種類型的有機硅氧烷嵌段共聚物的組合物具有從約1.4至約2.5，例如，從約1.5至約2.5；從約1.7至約2.4；從約1.4至約1.7；或從約1.9至約2.3的折射指數(shù)。可接受的有機聚硅氧烷嵌段共聚物的實例包括在WO2012/040457、WO2012/040453、WO2012/040367、WO2012/040305和WO2012/040302中公開的那些，它們通過引用并入，如同完全地在本文中陳述。在某些實施方案中，本發(fā)明涉及包含本發(fā)明的組合物的有機硅薄膜。至少20重量％的本發(fā)明的有機硅薄膜由所述組合物構(gòu)成，至少50重量％、至少70重量％、至少90重量％的薄膜由所述組合物構(gòu)成，或在某些實施方案中，所述薄膜僅由所述組合物構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的組合物和有機硅薄膜可以包含至少一種類型的磷光劑。兩種或更多種類型的磷光劑的組合也可以被使用。因此可能的是，如果例如根據(jù)本發(fā)明的多個實施方案的組合物或有機硅薄膜被用于密封發(fā)光體例如LED，則允許發(fā)射的光的波長被轉(zhuǎn)換，并且由LED或類似物發(fā)射的光的顏色被調(diào)整。此外，因為磷光劑被包括在片材內(nèi)，所以LED或其他發(fā)光體可以容易地被定位，并且其顏色容易地被調(diào)整。還可以在緊接調(diào)整發(fā)光顏色之后進行壓縮模制或?qū)訅阂杂行У孬@得密封物。此外，因為磷光劑不存在于液體中，所以在儲存期間沒有磷光劑的沉降，沉降將導(dǎo)致不均勻的濃度分布。磷光劑可以是任何已知的磷光劑，并且為了增加單層片材的厚度和有利地轉(zhuǎn)換波長，在某些實施方案中，磷光劑的最小含量是相對于根據(jù)本發(fā)明的組合物或有機硅薄膜的總重量的至少0.01重量％、至少0.1重量％或至少1重量％。在其他實施方案中，為了轉(zhuǎn)換波長同時減小單層片材的厚度，在某些實施方案中，磷光劑的最小含量是10重量％、20重量％或50重量％。在還其他實施方案中，為了轉(zhuǎn)換波長同時減小單層片材的厚度，在某些實施方案中，磷光劑的最大含量是95重量％、90重量％、80重量％或50重量％。在又其他實施方案中，為了轉(zhuǎn)換波長同時增加單層片材的厚度，磷光劑的最大含量是30重量％、20重量％或10重量％。磷光劑具有的粒度范圍使得在某些實施方案中，粒度是至少10nm、從10nm至100μm或100nm至30μm，所述粒度范圍是如例如經(jīng)由激光衍射法利用CILAS激光測量器件或類似物在顆粒分布測量中測量的。對根據(jù)本發(fā)明的有機硅薄膜的厚度沒有特別的限制；例如，從10μm至10mm或從20μm至5mm。磷光劑可以是能夠例如從LED吸收光并且將光轉(zhuǎn)變成不同的波長的任何磷光劑。實例包括以下中的一種或更多種：主要通過鑭系元素例如銪或鈰來活化的氮化物和氮氧化物磷光劑、主要通過鑭系元素例如銪或過渡金屬元素例如錳來活化的堿土鹵素磷灰石磷光劑、堿土金屬硼酸鹵素磷光劑、堿土金屬鋁酸鹽磷光劑、堿土硅酸鹽磷光劑、堿土硫化物磷光劑、堿土硫代鎵酸鹽磷光劑、堿土氮化硅磷光劑、鍺酸鹽磷光劑、主要通過鑭系元素例如鈰來活化的稀土鋁酸鹽磷光劑、稀土硅酸鹽磷光劑、主要通過鑭系元素例如銪來活化的有機和有機絡(luò)合物磷光劑、以及基于Ca-Al-Si-O-N的氮氧化物玻璃磷光劑?？山邮艿牧坠鈩┑木唧w實例在下文中列出，但本發(fā)明不限于此。主要通過鑭系元素例如銪或鈰來活化的氮化物磷光劑的實例包括M2Si5N8:Eu(其中M是選自鍶、鈣、鋇、鎂和鋅的至少一種)。除了M2Si5N8:Eu，其他實例包括MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu和M0.9Si7O0.1N10:Eu(其中M是選自鍶、鈣、鋇、鎂和鋅的至少一種)。主要通過鑭系元素例如銪或鈰來活化的氮氧化物磷光劑的實例包括MSi2O2N2:Eu(其中M是選自鍶、鈣、鋇、鎂和鋅的至少一種)。主要通過鑭系元素例如銪或過渡金屬元素例如錳來活化的堿土鹵素磷灰石磷光劑的實例包括M5(PO4)3X:R(其中M是選自鍶、鈣、鋇、鎂和鋅的至少一種；X是選自氟、氯、溴和碘的至少一種；并且R是選自銪、錳、或銪和錳的至少一種)。堿土金屬硼酸鹵素磷光劑的實例包括M2B5O9X:R(其中M是選自鍶、鈣、鋇、鎂和鋅的至少一種；X是選自氟、氯、溴和碘的至少一種；并且R是選自銪、錳、或銪和錳的至少一種)。堿土金屬鋁酸鹽磷光劑的實例包括SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(其中R是選自銪、錳、或銪和錳的至少一種)。堿土硫化物磷光劑的實例包括La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu和Gd2O2S:Eu。主要通過鑭系元素例如鈰來活化的稀土鋁酸鹽磷光劑的實例包括由以下組成式代表的YAG磷光劑：Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce和(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12。其他實例包括其中釔被鋱、镥或類似物部分地或完全地取代的磷光劑，例如Tb3Al5O12:Ce和Lu3Al5O12:Ce。其他磷光劑包括ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn和MGa2S4:Eu(其中M是選自鍶、鈣、鋇、鎂和鋅的至少一種；并且X是選自氟、氯、溴和碘的至少一種)。代替銪或除了銪之外，上文提及的磷光劑可以還包含選自以下的至少一種：鋱、銅、銀、金、鉻、釹、鏑、鈷、鎳和鈦?；贑a-Al-Si-O-N的氮氧化物玻璃磷光劑是由作為基質(zhì)材料的氮氧化物玻璃構(gòu)成并且包含根據(jù)CaO的從20mol％至50mol％CaCO3、從0mol％至30mol％Al2O3、從25mol％至60mol％SiO、從5mol％至50mol％AIN和從0.1mol％至20mol％的稀土氧化物或過渡金屬氧化物(這五種組分的總和是100mol％)的磷光劑。由作為基質(zhì)材料的氮氧化物玻璃構(gòu)成的磷光劑包含不大于15重量％的氮，并且熒光玻璃優(yōu)選地除了稀土氧化物離子還包含從0.1mol％至10mol％的另一種稀土元素離子，其構(gòu)成作為助活化劑的稀土氧化物的敏化劑。還可以使用不同于上文描述的并且具有類似的性質(zhì)和作用的另一種磷光劑。根據(jù)本發(fā)明的多個實施方案的組合物或有機硅薄膜可以通過以下制造：將根據(jù)本發(fā)明的組合物與一種或更多種的無機顆粒和/或必要時的上述磷光劑混合，并且加熱獲得的混合物持續(xù)比較短的時間以使其部分地交聯(lián)。加熱溫度是從50℃至200℃或從80℃至150℃。加熱時間是從1分鐘至20分鐘或從5分鐘至15分鐘。根據(jù)本發(fā)明的組合物或混合物形成本發(fā)明的有機硅薄膜，該有機硅薄膜經(jīng)由氫化硅烷化反應(yīng)被部分地交聯(lián)并且在室溫下是具有高硬度的固體，并且是交聯(lián)產(chǎn)物，該交聯(lián)產(chǎn)物在高溫下，例如100℃或高于100℃，軟化或液化。本發(fā)明還涉及包含至少一個包含根據(jù)本發(fā)明的組合物的層的層壓材料，例如包含有機硅薄膜和至少一個其他片材的層壓材料。對根據(jù)本發(fā)明的層壓材料的厚度沒有特別的限制；例如，從10μm至10mm、從100μm至8mm或從0.5mm至5mm。對其他片材(當(dāng)存在時)的厚度沒有特別的限制，其可以具有與根據(jù)本發(fā)明的有機硅薄膜相同的厚度，或按需要可以是較薄的，在此情況下厚度為，例如，從0.1μm至3mm或從1μm至2mm。其他片材(當(dāng)存在時)可以是用于支撐有機硅薄膜的支撐體片材。支撐體片材可以是單層的片材、或多層的片材，其中多個薄膜被分層。該其他片材還可以是用于防止塵土和類似物以免附著至有機硅薄膜的防護片材。對支撐體片材的材料沒有特別的限制，只要其能夠支撐有機硅薄膜。對防護片材的材料沒有特別的限制，只要其能夠從有機硅薄膜被剝離。支撐體片材材料和防護片材材料的實例包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂、三乙酸纖維素及類似物。表面處理劑例如含氟的脫模劑或含有機硅的脫模劑可以被應(yīng)用于支撐體片材或防護片材的表面。支撐體片材可以在壓縮模制或?qū)訅褐盎蚱陂g被剝離。支撐體片材可以與有機硅組合物層同時被機械加工；在此情況下，片材可以在機械加工之后從有機硅組合物層被剝離，或可以使其結(jié)合至有機硅組合物層。該其他片材，當(dāng)存在時，可以包含至少一種類型的非熱熔性可固化的有機硅組合物，例如在2014年12月20日提交的PCT申請第PCT/US2013/077074號中描述的有機硅組合物，該PCT申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入，如同完全地在本文中陳述。實施例在本文中描述三種非限制性類型的模具。模具類型-A：納米柱圖案模具COP(環(huán)烯烴聚合物)薄膜FLP230/200/460-120(Φ230nm，圖案高度200nm，節(jié)距400nm，0.2mm薄膜厚度，購自KyodoInternational,Inc)。模具類型-B：隨機的蛾眼型圖案金屬模具，(由TokaiSeimitsuKogyoCo.,LTD生產(chǎn)，圖案高度：212nm，圖案節(jié)距：130nm)。模具類型-C：微網(wǎng)眼,(網(wǎng)眼計數(shù)325，線徑280μm)。下文在多個非限制性實施例中描述的LED器件是MA5050-A2，(大?。?0×50mm，在板上具有100個LED晶片)，而沒有圍繞LED晶片區(qū)域的白色的罩。在LED器件MA5050上的LED晶片的大小是260μm×585μm，90μm厚。以下的表1總結(jié)了在本文提供的多個非限制性實施例中描述的圖案化的有機硅薄膜。表1實施例1：熱熔性有機硅薄膜12L的3頸圓底燒瓶裝載有544g甲苯和216克的苯基-T樹脂(Phenyl-TResin)(FW＝136.6g/摩爾Si；35.0g,0.256摩爾Si)。燒瓶配備有溫度計、Teflon攪拌槳和迪安-斯達克裝置，迪安-斯達克裝置被預(yù)裝填有甲苯并且被附接至水冷的冷凝器。然后應(yīng)用氮氣層。油浴被用于加熱燒瓶在回流下持續(xù)30分鐘。隨后，燒瓶被冷卻至約108℃(罐溫度(pottemperature))。然后制備甲苯(176g)與硅烷醇封端的PhMe硅氧烷(140dp,FW＝136.3g/摩爾Si,1.24摩爾％SiOH,264g)的溶液并且該硅氧烷用50/50MTA/ETA(平均FW＝231.2g/摩爾Si,4.84g,0.0209摩爾Si)、在手套箱中(同一天)、在氮氣下通過將50/50MTA/ETA添加至該硅氧烷并且在室溫下混合持續(xù)2小時來封端。然后在108℃下將封端的硅氧烷添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液并且回流持續(xù)約2小時。在回流之后，使溶液冷卻回至約108℃并且添加另外的量的50/50MTA/ETA(平均FW＝231.2g/摩爾Si,38.32g,0.166摩爾Si)，并且然后使溶液回流持續(xù)另外的2小時。然后使溶液冷卻至90℃并且添加33.63g的DI水。然后將溶液在回流下加熱持續(xù)一小時并且經(jīng)由共沸蒸餾除去水。然后加熱溶液持續(xù)另外的3小時并且然后冷卻至100℃。隨后，添加4.8克的DarcoG60炭黑并且將溶液在攪拌下冷卻至室溫并且在室溫下攪拌過夜。并且然后通過5.0μm過濾器被壓力過濾以分離固體組合物。然后將固體組合物，50.01g，溶解于甲苯中以形成58.2％固體溶液。然后添加0.15克的1重量百分?jǐn)?shù)的DBU催化劑/甲苯溶液并且該溶液在30℃和13托下蒸餾持續(xù)2小時以獲得36.05g(80.7％固體溶液)。隨后，此溶液以約1mm厚度被澆鑄在PET薄膜上，接著在氮氣下干燥超過4天。然后，在真空烘箱中將過量的溶劑在真空下、在50℃下進一步除去持續(xù)2小時。通過在80℃下壓制該固體組合物獲得具有400μm厚度的熱熔性有機硅薄膜1。實施例2：熱熔性有機硅薄膜2(B-階段的)添加75質(zhì)量份的由平均單元式(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45代表的甲基乙烯基聚硅氧烷、25質(zhì)量份的由式(HMe2SiO)2SiPh2代表的三硅氧烷、10質(zhì)量份的由ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2代表的甲基苯基聚硅氧烷、鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量為使得存在根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的40ppm的金屬鉑)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液、和乙炔基己醇(其量相當(dāng)于根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的600ppm)，并且混合至均勻以制備在25℃下具有8,630mPa·s的粘度的液體氫化硅烷化可固化的有機硅組合物。將所獲得的有機硅組合物傾倒至1cm厚的模具中，在壓機中、在100℃下加熱持續(xù)30分鐘，并且冷卻，這之后，在25℃下的A型硬度的測量得到的結(jié)果為68。將所獲得的有機硅組合物在熱壓機中、在100℃下加熱持續(xù)30分鐘以獲得400微米厚的透明的熱熔性有機硅薄膜2。實施例3：熱熔性有機硅薄膜3將在25℃下是固體的35質(zhì)量份的由以下平均單元式代表的有機聚硅氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.44(SiO4/2)0.52、在25℃下是液體的11質(zhì)量份的由下式代表的有機聚硅氧烷：Me2ViSiO(SiMe2O)80SiMe2Vi和在25℃下是液體的4質(zhì)量份的由下式代表的有機聚硅氧烷：Me2HSiO(SiMe2O)30SiMe2H溶解于50質(zhì)量份的二甲苯中。添加鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量為使得金屬鉑的量為根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的5ppm)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液，并且在燒瓶中在100℃下加熱持續(xù)6小時。經(jīng)由FT-IR，沒有檢測到結(jié)合硅原子的氫原子，這確證氫化硅烷化反應(yīng)的進程。將在25℃下是液體的四質(zhì)量份的由以下平均式代表的有機聚硅氧烷：Me3SiO(SiMeHO)20SiMe3和乙炔基己醇(其量相當(dāng)于根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的1,000ppm)添加至獲得的溶液，并且將全部混合，這之后，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀在80℃下除去二甲苯以制備氫化硅烷化可固化的有機硅組合物。通過在100℃下壓制該液體氫化硅烷化可固化的有機硅組合物來獲得具有400μm厚度的熱熔性有機硅薄膜3。實施例4：熱熔性有機硅薄膜4將在25℃下是固體的43質(zhì)量份的由以下平均單元式代表的有機聚硅氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75和在25℃下是液體的7質(zhì)量份的1,1,5,5-六甲基-3,3-二苯基三硅氧烷溶解于50質(zhì)量份的甲苯中。添加鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量為使得金屬鉑的量為根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的5ppm)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液，并且在燒瓶中在100℃下加熱持續(xù)6小時。經(jīng)由FT-IR，沒有檢測到結(jié)合硅原子的氫原子，這確證氫化硅烷化反應(yīng)的進程。將在25℃下是液體的六質(zhì)量份的由以下平均單元式代表的有機聚硅氧烷：(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40和乙炔基己醇(其量相當(dāng)于根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的1,000ppm)添加至獲得的溶液，并且將全部混合，這之后，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀在80℃下除去甲苯以制備氫化硅烷化可固化的有機硅組合物。通過在100℃下壓制該液體氫化硅烷化可固化的有機硅組合物來獲得具有400μm厚度的熱熔性有機硅薄膜4。實施例5：熱熔性有機硅薄膜5(A-階段的)將在25℃下是固體的43質(zhì)量份的由以下平均單元式代表的有機聚硅氧烷：(Me2ViSiO2/2)0.10(Me2SiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75和在25℃下是液體的7質(zhì)量份的由下式代表的有機聚硅氧烷：(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40溶解于50質(zhì)量份的甲苯中。添加鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(其量為使得金屬鉑的量為根據(jù)質(zhì)量的相對于組合物的總量的5ppm)的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液和0.001質(zhì)量份的1,3-雙(二苯基膦基)丙烷并且混合，這之后，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀在60℃下除去甲苯，從而制備固體氫化硅烷化可固化的有機硅組合物。所獲得的固體氫化硅烷化可固化的有機硅組合物使用100℃壓機壓縮以獲得400微米厚的熱熔性有機硅薄膜5。實施例6在LED器件MA5050-A2(大?。?0×50mm，在板上具有100個LED晶片，而沒有圍繞LED晶片區(qū)域的白色的罩)上接觸熱熔性有機硅薄膜1。LED器件和熱熔性有機硅薄膜1被設(shè)定在真空層壓機(產(chǎn)品名稱：Laminator0505S,由NisshinboMechatronicsInc.生產(chǎn))中。將圖案化的COP薄膜(模具類型-A)定位在熱熔性有機硅薄膜1上，其中在COP薄膜上的圖案面向熱熔性有機硅薄膜1。然后，第一室和第二室的空氣被抽真空。當(dāng)?shù)诙冶煌L(fēng)時，熱熔性有機硅薄膜1被層壓在LED器件上，通過圖案化的COP薄膜在135℃下壓制持續(xù)20分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑1。在釋放圖案化的COP薄膜后，在有機硅封裝劑1上觀察到納米圖案化的表面的具有特定特性的弱的藍色或綠色光反射。有機硅封裝劑1的表面通過SPM(掃描探針顯微鏡)掃描。獲得的SPM圖像示出，表面具有許多納米大小的淺凹。有機硅封裝劑1的橫截面通過SEM(掃描電鏡)觀察。壓印的淺凹的深度為約120nm至160nm。實施例7通過經(jīng)由真空熱壓機、在150℃下、在ETFE釋放薄膜上壓制隨機的蛾眼型圖案金屬模具(模具類型B)來獲得ETFE釋放薄膜1。在LED器件MA5050-A2(大?。?0×50mm，在板上具有100個LED晶片，而沒有圍繞LED晶片區(qū)域的白色的罩)上接觸熱熔性有機硅薄膜1。LED器件和熱熔性有機硅薄膜1被設(shè)定在真空層壓機(產(chǎn)品名稱：Laminator0505S,由NisshinboMechatronicsInc.生產(chǎn))中。將ETFE釋放薄膜1定位在熱熔性有機硅薄膜1上，其中ETFE釋放薄膜1的圖案面向熱熔性有機硅薄膜1。然后，第一室和第二室的空氣被抽真空。當(dāng)?shù)诙冶煌L(fēng)時，熱熔性有機硅薄膜1被層壓在LED器件上，通過ETFE釋放薄膜1在135℃下壓制持續(xù)20分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑2。在將釋放薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑2的壓印的表面圖案。實施例8在LED器件MA5050-A2(大?。?0×50mm，在板上具有100個LED晶片，而沒有圍繞LED晶片區(qū)域的白色的罩)上接觸熱熔性有機硅薄膜1。LED器件和熱熔性有機硅薄膜1被設(shè)定在真空層壓機(產(chǎn)品名稱：Laminator0505S,由NisshinboMechatronicsInc.生產(chǎn))中。將平坦的ETFE薄膜定位在熱熔性有機硅薄膜1上。然后，第一室和第二室的空氣被抽真空。當(dāng)?shù)诙冶煌L(fēng)時，熱熔性有機硅薄膜1被層壓在LED器件上，通過ETFE薄膜在135℃下壓制持續(xù)20分鐘。在將ETFE薄膜釋放后，所獲得的LED組件在烘箱中、在170℃下固化持續(xù)3小時。將金屬網(wǎng)眼(模具類型-C)置于有機硅封裝劑上，然后將該網(wǎng)眼通過真空層壓機在135℃下壓制。在將金屬網(wǎng)眼釋放后，獲得在LED組件中的有機硅封裝劑3。通過光學(xué)顯微鏡觀察到有機硅封裝劑3的壓印的表面圖案。實施例9通過經(jīng)由真空熱壓機、在150℃下、在ETFE釋放薄膜上壓制微網(wǎng)眼(模具類型C)來獲得ETFE釋放薄膜2。在LED器件MA5050-A2(大?。?0×50mm，在板上具有100個LED晶片，而沒有圍繞LED晶片區(qū)域的白色的罩)上接觸熱熔性有機硅薄膜1。LED器件和熱熔性有機硅薄膜1被設(shè)定在真空層壓機(產(chǎn)品名稱：Laminator0505S,由NisshinboMechatronicsInc.生產(chǎn))中。將ETFE釋放薄膜2定位在熱熔性有機硅薄膜1上，其中ETFE釋放薄膜2的圖案面向熱熔性有機硅薄膜1。然后，第一室和第二室的空氣被抽真空。當(dāng)?shù)诙冶煌L(fēng)時，熱熔性有機硅薄膜1被層壓在LED器件上，通過ETFE釋放薄膜2在135℃下壓制持續(xù)20分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑4。在將釋放薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑4的壓印的表面圖案。實施例10通過與實施例9中描述的相同的工藝，代替熱熔性有機硅薄膜1，熱熔性有機硅薄膜2在150℃下被層壓在LED器件上持續(xù)10分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑5。在將釋放薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑5的壓印的表面圖案。實施例11通過與實施例9中描述的相同的工藝，代替熱熔性有機硅薄膜1，熱熔性有機硅薄膜3在150℃下被層壓在LED器件上持續(xù)10分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑6。在將釋放薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑5的壓印的表面圖案。實施例12通過與實施例9中描述的相同的工藝，代替熱熔性有機硅薄膜4，熱熔性有機硅薄膜3在150℃下被層壓在LED器件上持續(xù)10分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑7。在將釋放薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑7的壓印的表面圖案。實施例13通過與實施例9中描述的相同的工藝，代替熱熔性有機硅薄膜5，熱熔性有機硅薄膜5在150℃下被層壓在LED器件上持續(xù)10分鐘。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑8。在將釋放薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑8的壓印的表面圖案。參考實施例1通過與實施例6中描述的相同的工藝，代替圖案化的COP薄膜，熱熔性有機硅薄膜1通過平坦的ETFE薄膜被層壓。獲得在LED器件上的有機硅封裝劑9。在將ETFE薄膜釋放后，通過SPM觀察到有機硅封裝劑9的平坦的表面。實施例13：光輸出(LOP)測量在實施例7和參考實施例1中獲得的LED組件的LOP通過HalfMoon(由OtsukaElectronicsCo.,LTD生產(chǎn))測量。在層壓工藝前，在實施例7和參考實施例1中使用的LED器件的LOP在電流700mA下分別為1740mW和1744mW。在層壓后，LOP分別為1772和1762。計算LOP比率(層壓后的LOP/層壓前的LOP)。在實施例7中的LED組件的LOP比在參考實施例1中的LOP更好。表2參考實施例1實施例7層壓前的LOP(mW)17441740層壓后的LOP(mW)17621772LOP的比率(層壓后/層壓前)(％)101.0101.8本文中描述并且要求保護的本發(fā)明的實施方案不應(yīng)當(dāng)被限制在本文公開的具體實施方案的范圍中，因為這些實施方案意圖作為本公開內(nèi)容的若干方面的說明。任何等效的實施方案意圖在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)。事實上，除了本文中示出和描述的實施方案以外，實施方案的多種修改將從前述的描述中對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得明顯。這樣的修改也意圖落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明在本文中已經(jīng)被寬泛地且一般地描述。落在一般的公開內(nèi)容內(nèi)的每種較窄的種類和亞屬分組(subgenericgrouping)也形成本發(fā)明的部分。這包括本發(fā)明的一般性描述，條件是或負(fù)面限制是，從種屬(genus)中移除任何主題而不管被刪除的材料是否在本文中被明確地列舉。此外，在本發(fā)明的特征或方面關(guān)于馬庫什組被描述的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，本發(fā)明因此還關(guān)于馬庫什組中的任何單獨的成員或成員的亞組被描述。如本文中和所附權(quán)利要求中使用的，單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”、和“該(the)”包括復(fù)數(shù)指示物，除非上下文另外清楚地指出。因此，例如，提及“反應(yīng)器(areactor)”，包括多個反應(yīng)器，例如一系列的反應(yīng)器。在此文件中，術(shù)語“或”被用于指非排他性的或，使得“A或B”包括“A但沒有B”、“B但沒有A”和“A和B”，除非另有指示。以范圍格式表達的值應(yīng)以靈活的方式解釋為不僅包括作為范圍的極限值明確敘述的數(shù)值，而且包括該范圍內(nèi)涵蓋的所有單獨的數(shù)值或子范圍，如同每個數(shù)值和子范圍被明確地敘述。例如，“約0.1％至約5％”或“約0.1％至5％”的范圍應(yīng)被解釋為不僅包括約0.1％至約5％，而且包括在指示的范圍內(nèi)的單獨的值(例如，1％、2％、3％和4％)和子范圍(例如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。陳述“約X至Y”具有與“約X至約Y”相同的含義，除非另有指示。類似地，陳述“約X、Y或約Y”具有與“約X、約Y或約Z”相同的含義，除非另有指示。在本文描述的方法中，步驟可以以任何順序進行而不偏離本發(fā)明的原理，除非當(dāng)時間次序或操作次序被清楚地敘述。此外，指明的步驟可以同時進行，除非明確的權(quán)利要求語言敘述了它們分開進行。例如，要求保護的進行X的步驟和要求保護的進行Y的步驟可以在單個操作內(nèi)同時進行，并且所得工藝將落在要求保護的工藝的字面上的范圍內(nèi)。如本文使用的術(shù)語“約”可以允許所陳述的值或所陳述的范圍極限的例如在10％內(nèi)、在5％內(nèi)或在1％內(nèi)的值或范圍的可變性程度。在本說明書中提及的所有出版物，包括非專利文獻(例如，科學(xué)期刊文章)、專利申請公布和專利，通過引用并入，如同每個被明確地且單獨地指示為通過引用并入。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3