本發(fā)明涉及根據(jù)專利權(quán)利要求1的方法以及根據(jù)專利權(quán)利要求8的相對(duì)應(yīng)的裝置。

背景技術(shù)：

納米印壓光刻技術(shù)（NIL）為造型方法，在其中納米結(jié)構(gòu)由以能夠硬化的材料、例如漆的壓模來(lái)造型。在此不僅可實(shí)現(xiàn)造型大量的納米結(jié)構(gòu)系統(tǒng)，而且可實(shí)現(xiàn)通過(guò)分步重復(fù)或滾動(dòng)方法（Rolle-Verfahren）來(lái)在大的面上制造高精密的納米結(jié)構(gòu)。由此能夠執(zhí)行高分辨率的表面結(jié)構(gòu)。在原理上人們將熱的NIL（hot-embossing NIL）和基于UV（紫外線）的NIL方法之間區(qū)分開(kāi)。

由于光阻漆的粘性，通過(guò)毛細(xì)作用將壓模的中間空間完全填滿有光阻漆。在UV-NIL的情況下將壓模在室溫的情況下擠壓到能夠流動(dòng)的漆中，而在熱的NIL方法中必須將熱塑性的漆在提高的溫度（在玻璃轉(zhuǎn)變溫度之上）的情況下擠壓到漆中。壓模在冷卻之后才又被去除。在UV-NIL中，能夠利用更小的壓靠壓力來(lái)工作并且程序能夠在室溫的情況下進(jìn)行。UV漆在利用UV輻射來(lái)照射的情況下交聯(lián)成穩(wěn)定的聚合物（硬化）。也就是說(shuō)，結(jié)構(gòu)化能夠以“軟的”聚合物壓模以及以硬的壓模來(lái)執(zhí)行。帶有作為壓模材料的聚合物的軟的UV-NIL（soft UV-NIL）根據(jù)應(yīng)用為關(guān)于利用硬的壓模來(lái)結(jié)構(gòu)化的通常成本適宜的備選方案。軟的UV-NIL（也就是說(shuō)帶有聚合物壓模）還以硬的聚合物壓模執(zhí)行。石英的彈性模量為大約100GPa。比較而言，聚合物（硬的和軟的聚合物）的彈性模量小了直到幾個(gè)數(shù)量級(jí)，因此所述聚合物相較于石英被稱為“軟的”（軟光刻技術(shù)）。

在NIL方法中最重要的參數(shù)是溫度（特別是在熱壓印NIL中）、壓入壓力和在漆和壓模之間的附著。為了減少在漆和壓模之間的高的附著，壓模表面應(yīng)該具有盡可能低的表面能量（與漆或阻抗物相互作用）。

根據(jù)應(yīng)用，3D結(jié)構(gòu)化的漆能夠本身用作功能的單元或用作用于下面的蝕刻步驟的掩模。

剛好在大的面的情況下難以將壓力均勻地在整個(gè)的接觸面上進(jìn)行分布以及平衡不規(guī)則性。因此能夠?qū)е虏痪鶆虻慕Y(jié)構(gòu)化。為了執(zhí)行較大的面的結(jié)構(gòu)化，利用輥?zhàn)觼?lái)壓印或備選地利用更小的壓模逐漸地通過(guò)偏移壓模使得整個(gè)的表面結(jié)構(gòu)化（“step-and-repeat”方法）。

納米印壓用于制造帶有在光的衍射極限之下的分辨率的多覆層結(jié)構(gòu)和（成本適宜的）納米結(jié)構(gòu)（例如在硅技術(shù)中集成的電路）。在整個(gè)的晶片處執(zhí)行大面積的納米印壓程序?qū)崿F(xiàn)了將成本、消耗和時(shí)間消耗保持得較低。

在NIL中能夠出現(xiàn)的壓印缺陷為例如裂紋、不均勻地填充的壓模結(jié)構(gòu)（因此例如空氣雜質(zhì)）、和不均勻的漆覆層厚度。在漆和壓模之間的附著是重要的。否則導(dǎo)致形變或裂紋。軟的和還有硬的壓模能夠在NIL程序期間由于施加的壓力來(lái)變形。此外（臟）顆粒是非常危險(xiǎn)的。此后位于例如漆和壓模之間的顆粒導(dǎo)致在顆粒的整個(gè)的周圍中的缺陷。

在低的nm范圍（≤50nm）中的高分辨率的結(jié)構(gòu)化是NIL的最重要的優(yōu)點(diǎn)之一。然而在低于20nm范圍中的結(jié)構(gòu)的復(fù)制仍舊是一種挑戰(zhàn)。

通常必須（尤其在更大的晶片的情況下）將多個(gè)壓印步驟依次地實(shí)施，以便實(shí)現(xiàn)期望的尺寸準(zhǔn)確度。但隨著這些實(shí)施方式的問(wèn)題是，保證利用壓模的許多壓印步驟相對(duì)彼此的精確的對(duì)齊。通常使用對(duì)齊標(biāo)記或配合標(biāo)記，它們布置在基體上和/或在壓模上。不同的層彼此相疊的高度準(zhǔn)確的、調(diào)節(jié)的壓印是不可能的或僅僅以大的消耗而可能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的任務(wù)是，提供用于壓印納米結(jié)構(gòu)的方法和裝置，利用它們能夠使得大面積的基體盡可能在沒(méi)有重復(fù)的程序步驟的情況下以盡可能小的結(jié)構(gòu)來(lái)壓印。

所述任務(wù)利用專利權(quán)利要求1和8的特征來(lái)解決。本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中給出。還落到本發(fā)明的范圍內(nèi)的是由在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)和/或附圖中給出的特征的至少兩個(gè)的所有的組合。在給出的數(shù)值范圍中還應(yīng)該將處在提及的極限之內(nèi)的數(shù)值作為極限數(shù)值視為公開(kāi)并且應(yīng)該能夠以任意的組合來(lái)要求。只要關(guān)于裝置來(lái)公開(kāi)的特征也能夠被解釋為方法特征，那么所述特征也應(yīng)該視為根據(jù)方法的并且反之亦然。

本發(fā)明的基本思想是，通過(guò)預(yù)緊納米結(jié)構(gòu)壓模和/或基體首先僅僅將壓模面的部分面與納米結(jié)構(gòu)壓模接觸并且接著、尤其通過(guò)釋放納米結(jié)構(gòu)壓模，來(lái)引起自動(dòng)地接觸接觸面，其中，優(yōu)選地使得整個(gè)的壓模面在不重復(fù)之前提及的步驟的情況下來(lái)壓印。

本發(fā)明尤其涉及將大面積的UV-NIL納米印壓程序利用硬的納米結(jié)構(gòu)壓模來(lái)執(zhí)行的儀器和方法。

本發(fā)明尤其涉及執(zhí)行大面積的納米印壓程序的儀器和方法。大面積的納米印壓程序（直到18''基體或更多）利用硬的UV透明的納米結(jié)構(gòu)壓模（典型地以晶片規(guī)格）來(lái)執(zhí)行。在此使得結(jié)構(gòu)化的納米結(jié)構(gòu)壓模與全平面預(yù)上漆的基體接觸。上漆能夠與壓印程序分開(kāi)地在專有的模塊中執(zhí)行。印壓尤其在真空下或于周圍環(huán)境壓力的情況下在惰性氣體大氣下進(jìn)行。壓印前部能夠可選地利用在中央或基體邊緣中的促動(dòng)器來(lái)開(kāi)始。通過(guò)壓印前部的展開(kāi)，使得結(jié)構(gòu)化的壓模表面壓入于在基體上的能夠硬化的材料、尤其阻抗漆中并且納米結(jié)構(gòu)壓模的結(jié)構(gòu)被復(fù)制。程序能夠優(yōu)選地用于與精確的調(diào)節(jié)（SmartView Alignment）組合地來(lái)壓印第一覆層或第二層。

本發(fā)明能夠與建立的工業(yè)的上漆方法組合使用、如例如旋涂方法。上漆能夠與壓印程序分開(kāi)地在專有的模塊中執(zhí)行。因此基體的上漆是快速的、無(wú)缺陷的、全平面的、沒(méi)有顆粒的并且標(biāo)準(zhǔn)化，這還在壓印步驟中帶來(lái)生產(chǎn)量?jī)?yōu)點(diǎn)。在真空中的或于周圍環(huán)境壓力中在惰性氣體下的壓印對(duì)于減少的壓印缺陷（例如空氣雜質(zhì)等）和在納米結(jié)構(gòu)壓模和基體之間的更容易的分離而言是可行的。這種新的技術(shù)的重要的優(yōu)點(diǎn)是，同樣全平面地上漆的基體在周圍環(huán)境壓力的情況下能夠無(wú)缺陷地來(lái)接觸。

另外的優(yōu)點(diǎn)：

- 無(wú)形變，

- 在低于10nm范圍中的結(jié)構(gòu)的復(fù)制，

- 與對(duì)齊組合以用于不同的層彼此相疊地例如借助于SVA（SmartView? Alignment（智慧視組合））方法的高度準(zhǔn)確的、調(diào)節(jié)的壓印，

- 更高的分辨率是可行的。

本發(fā)明尤其涉及用于將結(jié)構(gòu)、尤其微米或更優(yōu)選地納米結(jié)構(gòu)從UV透明的納米結(jié)構(gòu)壓模傳遞到（全）平面的上漆的基體的平坦側(cè)上的方法和裝置，帶有：在基體吸納面上吸納基體的基體保持器；納米結(jié)構(gòu)壓模的能夠平行于基體吸納面對(duì)齊的并且處于相對(duì)于所述基體吸納面的結(jié)構(gòu)面；以及垂直于基體吸納面和垂直于納米結(jié)構(gòu)壓模的結(jié)構(gòu)面作用的促動(dòng)器。

本發(fā)明基于借助于硬的UV透明的壓模進(jìn)行大面積的納米印壓程序。納米結(jié)構(gòu)壓模還能夠?qū)τ陔姶诺妮椛涞钠渌膮^(qū)域是透明的。晶片是指基體或產(chǎn)品基體、例如半導(dǎo)體晶片。所述晶片也是指帶有開(kāi)孔的基體如HDD(硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)。產(chǎn)品基體還能夠?yàn)樵趦蓚?cè)結(jié)構(gòu)化的或程序化的（prozessierte）產(chǎn)品基體。基體能夠具有每個(gè)形狀、優(yōu)選地圓的、矩形的或方形的、更優(yōu)選地以晶片規(guī)格。基體的直徑為多于2英寸、優(yōu)選地多于4英寸、更優(yōu)選地多于6英寸、還更優(yōu)選地多于8英寸、最優(yōu)選地多于12英寸、所有最優(yōu)選地多于18英寸。方形的玻璃基體具有5mmx5mm至20mmx20mm或更大的尺寸。矩形的玻璃基體尤其具有5mmx7mm至25mmx75mm或更大的尺寸。納米結(jié)構(gòu)壓模能夠具有每個(gè)形狀、優(yōu)選地圓的、矩形的或方形的、更優(yōu)選地晶片規(guī)格。納米結(jié)構(gòu)壓模的直徑優(yōu)選地在很大程度上與基體的直徑相一致。

納米結(jié)構(gòu)壓模優(yōu)選地由硬的UV透明的材料如石英/二氧化硅形成，更優(yōu)選地其為UV透明的聚合物壓模如尤其聚二甲基硅氧烷、聚四氟乙烯、全氟化的聚醚、聚乙烯醇、聚氯乙烯、乙烯四氟乙烯、所有最優(yōu)選地其為硬的UV透明的聚合物。根據(jù)本發(fā)明的壓模材料在壓印材料在基體處的UV硬化的情況下優(yōu)選地對(duì)于使壓印材料交聯(lián)的電磁的輻射的波長(zhǎng)范圍而言是至少部分地透明的。光學(xué)的透明度在此尤其大于0%、優(yōu)選地大于20%、更優(yōu)選地大于50%、最優(yōu)選地大于80%、所有最優(yōu)選地大于95%。對(duì)于光學(xué)的透明度的波長(zhǎng)范圍尤其處在100nm和1000nm之間、優(yōu)選地在150nm和500nm之間、更優(yōu)選地在200nm和450nm之間、最優(yōu)選地在250nm和450nm之間。

UV透明的和/或IR透明的納米結(jié)構(gòu)壓模能夠具有每個(gè)形狀、優(yōu)選地圓的、矩形的或方形的、更優(yōu)選地晶片規(guī)格。納米結(jié)構(gòu)壓模的直徑優(yōu)選地與基體的直徑基本上相一致。納米結(jié)構(gòu)壓模能夠具有位于面向待處理的基體表面的一側(cè)上的、正向的和/或反向的輪廓。

特別重要的是基體和納米結(jié)構(gòu)壓模的放下/接觸，因?yàn)樵诖四軌虺霈F(xiàn)誤差，其中，誤差能夠累計(jì)并且因此不能夠遵守可再現(xiàn)的調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度。這導(dǎo)致巨大的廢品。在基體和納米結(jié)構(gòu)壓模的對(duì)齊的接觸面的接觸的關(guān)鍵的步驟中，期望越來(lái)越精確的調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度或小于100μm的、尤其小于10μm的、優(yōu)選地小于1μm的、所有最優(yōu)選地小于100nm的、最優(yōu)選地小于10nm的偏移。在這些對(duì)齊準(zhǔn)確度的情況下必須考慮許多影響因素。

本發(fā)明的裝置能夠視為首次在專利文件AT405775B中提到的裝置的進(jìn)一步改進(jìn)。在文件AT405775B中描述用于對(duì)齊地聚集盤(pán)形的半導(dǎo)體基體的方法和裝置。在新的根據(jù)本發(fā)明的裝置中將基體和納米結(jié)構(gòu)壓模對(duì)齊地聚集，從而用于利用硬的壓模的納米印壓壓印程序的接近和調(diào)節(jié)控制地來(lái)執(zhí)行。儀器優(yōu)選地具有用于在平行對(duì)齊的壓模和基體之間的無(wú)接觸的楔誤差平衡（Keilfehlerausgleich）的系統(tǒng)（參見(jiàn)文件WO2012/028166A1）。

尤其本發(fā)明的思想在于，通過(guò)兩個(gè)中的至少一個(gè)、優(yōu)選地納米結(jié)構(gòu)壓模以尤其同心于納米結(jié)構(gòu)壓模的接觸面的中間M徑向向外伸延的預(yù)緊在接觸之前來(lái)加載并且接著僅僅影響接觸的開(kāi)始，而在接觸一區(qū)段、尤其壓模的中間M之后，釋放納米結(jié)構(gòu)壓模并且自動(dòng)地由于其預(yù)緊而受控地壓印處于相對(duì)的基體的方式，使得基體和納米結(jié)構(gòu)壓模盡可能協(xié)調(diào)并且同時(shí)準(zhǔn)自動(dòng)地來(lái)接觸。預(yù)緊通過(guò)借助于變形器件的納米結(jié)構(gòu)壓模的變形來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中，根據(jù)發(fā)明信息WO2013/023708A1，變形器件尤其基于其形狀來(lái)作用于背離壓印側(cè)的一側(cè)并且變形能夠相應(yīng)地通過(guò)使用不同的、能夠替換的變形器件來(lái)控制?？刂仆ㄟ^(guò)壓力或力進(jìn)行，變形器件利用它們作用于納米結(jié)構(gòu)壓模。

裝置能夠有利地還在真空中或還于周圍環(huán)境壓力的情況下在惰性氣體下來(lái)運(yùn)行，由此有利地避免壓印缺陷、如例如空氣雜質(zhì)。如果裝置在真空中運(yùn)行，則壓力小于500mbar、優(yōu)選地小于100mbar、最優(yōu)選地小于10mbar、所有最優(yōu)選地小于1mbar。

一種優(yōu)選地存在的氣體大氣能夠減緩接觸過(guò)程并且因此阻止接觸面過(guò)早地或在多個(gè)部位處同時(shí)地到達(dá)接觸，這會(huì)導(dǎo)致形變。另一方面能夠?qū)е職怏w雜質(zhì)。因此必要的并且有意義的是，優(yōu)化程序并且將尤其周圍環(huán)境壓力在接觸期間匹配納米結(jié)構(gòu)壓模和基體的實(shí)際。

基體和納米結(jié)構(gòu)壓模在相應(yīng)的樣本保持器處的固定的一種非常頻繁使用的類型借助于真空或負(fù)壓來(lái)進(jìn)行。基體和納米結(jié)構(gòu)壓模在平坦的硬化的表面上（到所述表面中銑削有真空道）通過(guò)負(fù)壓或真空來(lái)固定。用于基體的樣本保持器（基體吸納設(shè)備）在整個(gè)的面上或在面的外區(qū)上具有真空道。有利地負(fù)壓通道同心地、尤其圓形地，相對(duì)于吸納設(shè)備的中央Z、尤其完全地伸延。由此實(shí)現(xiàn)均勻的固定。此外能夠在需要時(shí)使得吸納面的輪廓相對(duì)于吸納面的吸納平面后置，從而形成如下凹處，其減小或改變支承面。因此還能夠在兩側(cè)使用結(jié)構(gòu)化的或程序化的基體（產(chǎn)品基體）。

用于納米結(jié)構(gòu)壓模的樣本保持器尤其具有用于在邊緣區(qū)域中的真空道和促動(dòng)器的孔眼。在此將至少一個(gè)中斷吸納面的負(fù)壓通道設(shè)置在吸納輪廓的外部的環(huán)區(qū)段中。根據(jù)需要能夠減小吸納設(shè)備的吸納面，從而在基體和樣本保持器之間獲得更小的接觸面。

基體和納米結(jié)構(gòu)壓模在相應(yīng)的樣本保持器處的固定的另外的可行性為通過(guò)夾持器的機(jī)械的固定或靜電的固定。同樣使用帶有銷的樣本保持器（英語(yǔ)pin chuck）。還能夠使用專用粘合劑。

基體吸納設(shè)備的一種根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式此外實(shí)現(xiàn)基體尤其晶片的處理、在其上帶有液態(tài)的覆層。液態(tài)的覆層尤其為液態(tài)的壓印漆，所述壓印漆在接觸期間位于分界面中。

上漆能夠尤其與壓印程序分開(kāi)地在專有的模塊中執(zhí)行。因此能夠在受控的條件下使用標(biāo)準(zhǔn)化的上漆方法，這在接著的壓印步驟中帶來(lái)生產(chǎn)量?jī)?yōu)點(diǎn)?；w全平面地在上漆腔室中利用納米印壓漆預(yù)上漆。覆層的施加尤其利用旋轉(zhuǎn)、噴灑或噴墨方法以及沉浸式涂層或輥動(dòng)涂層方法（Walzenbeschichtungsverfahren）進(jìn)行。可選地接著蒸發(fā)溶劑并且使得晶片轉(zhuǎn)移到壓印腔室中。

用于待壓印的基體表面或基體涂層的材料能夠尤其為能夠UV硬化的物質(zhì)或能夠熱硬化的物質(zhì)如聚合物或漆。在UV納米印壓光刻技術(shù)中使得納米結(jié)構(gòu)壓模在室溫的情況下擠壓到能夠流動(dòng)的漆中，而在熱的方法中使得熱塑性的漆在提高的溫度的情況下擠壓到漆中。硬化根據(jù)漆材料優(yōu)選地通過(guò)UV光但還可行地通過(guò)IR(紅外線)光進(jìn)行。更一般地能夠?qū)⒂不ㄟ^(guò)電磁的輻射、通過(guò)熱、通過(guò)流、通過(guò)磁場(chǎng)或其它的方法來(lái)執(zhí)行。硬化根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選地基于基本材料的聚合。在此將聚合通過(guò)所謂的引發(fā)劑來(lái)啟動(dòng)。

粘附增強(qiáng)劑的施加或附加的抗粘附涂層或分離器件的施加在納米結(jié)構(gòu)壓模處根據(jù)一種有利的實(shí)施方式來(lái)設(shè)置。納米結(jié)構(gòu)壓模涂層有抗粘附覆層，以便附加地在根據(jù)本發(fā)明的納米結(jié)構(gòu)壓模和基體涂層（壓印物質(zhì)）之間實(shí)現(xiàn)減小附著。優(yōu)選地抗粘附覆層為帶有相對(duì)于基體涂層的相應(yīng)低的附著性質(zhì)的有機(jī)的分子。涂層的覆層厚度尤其小于1mm、優(yōu)選地小于100μm、更優(yōu)選地小于10μm、最優(yōu)選地小于1μm、所有最優(yōu)選地小于100nm、最優(yōu)選地小于10nm。小的覆層厚度積極影響使用的電磁的輻射的穿透性，所述輻射例如用于UV硬化。用作分離器件的是例如自組織的單覆層（SAM）或多覆層。借助于等離子體的表面活化能夠想到為另外的預(yù)處理步驟。

在裝置的一種根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中通過(guò)集成燈室，其利用UV光、尤其穿過(guò)納米結(jié)構(gòu)壓模來(lái)照射，以便利用UV光實(shí)現(xiàn)硬化壓印漆。納米結(jié)構(gòu)壓模、以及必要時(shí)還有壓模保持件的其它的毗鄰的組成部分由UV和/或IR透明的材料制成。

基體和納米結(jié)構(gòu)壓模在排空和/或惰性氣體掃氣過(guò)程期間保持分離，其中，透明的納米結(jié)構(gòu)壓模在上面（結(jié)構(gòu)化的一側(cè)朝下）并且基體在下面來(lái)保持。納米結(jié)構(gòu)壓模的變形的控制通過(guò)壓力或力進(jìn)行，利用它們使得變形器件作用于納米結(jié)構(gòu)壓模。在此有利的是，減少吸納設(shè)備與納米結(jié)構(gòu)壓模的有效的吸納面，從而納米結(jié)構(gòu)壓模僅僅部分地由吸納設(shè)備支撐、優(yōu)選地僅僅在邊緣處支撐。以這種方式通過(guò)在邊緣處的更小的接觸面在納米結(jié)構(gòu)壓模和壓模保持器或壓模吸納設(shè)備之間獲得更小的附著。這實(shí)現(xiàn)以盡可能小的松開(kāi)力小心地并且可靠地松開(kāi)納米結(jié)構(gòu)壓模。納米結(jié)構(gòu)壓模的松開(kāi)因此是能夠控制的，尤其通過(guò)減少在吸納面處的負(fù)壓。

納米印壓程序優(yōu)選地利用促動(dòng)器（銷）可選地在基體中央M或基體邊緣R中開(kāi)始。在此使得UV透明的納米結(jié)構(gòu)壓模利用促動(dòng)器來(lái)局部彎曲（變形），以便使得第一接觸點(diǎn)（壓模面的部分面）利用在基體上的液態(tài)的壓印漆來(lái)界定。在到達(dá)第一接觸點(diǎn)之后，將在壓模吸納設(shè)備的真空道處的壓力中斷或，尤其對(duì)于每個(gè)真空道而言分離地來(lái)減少，從而松開(kāi)壓模并且壓印前部能夠自動(dòng)地在整個(gè)的壓模面上伸延。上部的樣本保持器的真空道優(yōu)選地布置在邊緣區(qū)域中，從而使得納米結(jié)構(gòu)壓模的松開(kāi)受控地、尤其通過(guò)減少在吸納面處的負(fù)壓來(lái)執(zhí)行。通過(guò)受控地減少負(fù)壓才促使納米結(jié)構(gòu)壓模從壓模吸納設(shè)備、尤其從邊緣區(qū)域處的分開(kāi)。

首先將透明的納米結(jié)構(gòu)壓模尤其在最高側(cè)樣本保持器（壓模吸納設(shè)備）處來(lái)裝載并且利用對(duì)齊系統(tǒng)來(lái)探測(cè)。接著裝載上漆的基體并且將兩個(gè)晶片利用對(duì)齊系統(tǒng)高度準(zhǔn)確地來(lái)調(diào)節(jié)以用于精確的對(duì)齊。專利文件DE102004007060 B3描述用于沿著它們的相對(duì)應(yīng)的表面連接兩個(gè)晶片、或待調(diào)節(jié)的面型的結(jié)構(gòu)部件的每個(gè)類型的裝置和方法。在此使得晶片精確地對(duì)齊。用于納米印壓壓印的裝置具有類似的特征，其中，在此相應(yīng)地將基體和納米結(jié)構(gòu)壓模精確地對(duì)齊：a） 用于吸納和對(duì)齊納米結(jié)構(gòu)壓模的第一設(shè)備（壓模吸納設(shè)備），b） 用于相對(duì)于納米結(jié)構(gòu)壓模來(lái)吸納和對(duì)齊基體的第二設(shè)備（基體吸納設(shè)備）。

接觸面的接觸和相對(duì)應(yīng)的表面的壓印借助于設(shè)備在壓印開(kāi)始部位處進(jìn)行。基體利用納米結(jié)構(gòu)壓模的納米印壓壓印沿著從壓印開(kāi)始部位到納米結(jié)構(gòu)壓模的側(cè)邊緣伸延的壓印前部通過(guò)納米結(jié)構(gòu)壓模與壓模吸納面分開(kāi)來(lái)進(jìn)行。

探測(cè)設(shè)備（沒(méi)有示出）根據(jù)一種有利的實(shí)施方式負(fù)責(zé)精確地對(duì)齊基體和納米結(jié)構(gòu)壓模，通過(guò)如下方式，即使得探測(cè)設(shè)備探測(cè)相對(duì)的位置，傳遞到控制單元處，所述控制單元接著促使基體和納米結(jié)構(gòu)壓模相對(duì)彼此的對(duì)齊。對(duì)齊手動(dòng)地或自動(dòng)地（優(yōu)選地）進(jìn)行，以小于100μm、優(yōu)選地小于10μm、還更優(yōu)選地小于1μm、所有最優(yōu)選地小于100nm，最優(yōu)選地小于10nm的不準(zhǔn)確度（英語(yǔ)misalignment）。

在納米印壓程序開(kāi)始之前，那么在基體和納米結(jié)構(gòu)壓模之間的間距減小到準(zhǔn)確定義的間距上。在根據(jù)本發(fā)明的壓印方法中基體和壓模不是平坦地相疊而置，而是首先在一個(gè)點(diǎn)例如基體的中間M中置于與彼此接觸，通過(guò)如下方式，即使得納米結(jié)構(gòu)壓模通過(guò)變形器件略微向著基體被擠壓并且在此變形。在（在處于相對(duì)的基體的方向上）松開(kāi)變形的即彎曲的納米結(jié)構(gòu)壓模之后由于壓印波（Pr?gewelle）的前進(jìn)（Voranschreiten）而沿著壓印前部進(jìn)行連續(xù)的且均勻的壓印。

在變形器件的范圍內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)、穿過(guò)吸納輪廓的壓力元件（促動(dòng)器），能夠?qū)毫鶆虻赜绕鋸闹醒隯起來(lái)施加。機(jī)械的解決方案，尤其通過(guò)釘或促動(dòng)器來(lái)優(yōu)選地設(shè)置。另外的變形器件如利用流體或氣體來(lái)加載根據(jù)本發(fā)明是可想到的。

在第一根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中將納米印壓程序利用在基體中央（中間M）中的促動(dòng)器來(lái)開(kāi)始并且壓印前部從中央、從內(nèi)向外、朝向晶片邊緣展開(kāi)。在此有利的是，讓由于操控促動(dòng)器（銷）或促動(dòng)器設(shè)備所引起的力F_a作用在納米結(jié)構(gòu)壓模的面重心中并且因此在在基體和納米結(jié)構(gòu)壓模之間的接觸面的面重心中。在此力F_a小于100kN、優(yōu)選地小于10kN、更優(yōu)選地小于1kN、最優(yōu)選地小于500N、最優(yōu)選地小于100N、所有最優(yōu)選地小于10N。

在第二根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中納米印壓程序利用在基體邊緣處的促動(dòng)器開(kāi)始并且壓印前部遠(yuǎn)離邊緣接觸點(diǎn)R展開(kāi)。在該實(shí)施方式中由于操控促動(dòng)器或促動(dòng)器設(shè)備所引起的力F_a作用在納米結(jié)構(gòu)壓模的面邊緣區(qū)域中。通過(guò)納米結(jié)構(gòu)壓模加載在吸納面的邊緣處（在納米結(jié)構(gòu)壓模的背側(cè)處）還可實(shí)現(xiàn)特別小心的松開(kāi)。

在這兩個(gè)實(shí)施方式中壓印前部至少主要自動(dòng)地在整個(gè)的壓模面上行進(jìn)，尤其僅僅由于納米結(jié)構(gòu)壓模的重力來(lái)促使。

接著在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中使得晶片堆疊運(yùn)送到卸載站上并且漆借助于UV光穿過(guò)透明的壓模來(lái)交聯(lián)。壓印漆（能夠硬化的材料）通過(guò)UV交聯(lián)來(lái)硬化。所使用的UV光可選地為寬帶的光或?qū)ｉT(mén)與在壓印漆中的所使用的光引發(fā)劑相協(xié)調(diào)。能夠硬化的材料的波長(zhǎng)范圍尤其在50nm和1000nm之間、優(yōu)選地在150nm和500nm之間、更優(yōu)選地在200nm和450nm之間。

在方法的最后，使得納米結(jié)構(gòu)壓模在壓印腔室中尤其與基體拉開(kāi)并且卸載基體。

在一種根據(jù)本發(fā)明的儀器中尤其集成程序步驟基體的涂層、調(diào)節(jié)、壓?。{米印壓光刻技術(shù)）、壓模和基體的出模，和可選地檢查（計(jì)量學(xué)）?？上氲降氖?，出模直接地在印壓階段中執(zhí)行，由此壓模保留在儀器中，而不同于根據(jù)例如文件AT405775B的用于晶片接合的儀器。儀器優(yōu)選地具有用于力監(jiān)視的傳感器以用于檢查出模步驟。此外尤其涉及預(yù)防，以便避免靜電荷。也就是說(shuō)根據(jù)本發(fā)明的用于利用硬的聚合物壓模納米印壓壓印基體的方法在一般的實(shí)施方式中尤其具有下列步驟：

a） 基體涂層或上漆，也就是說(shuō)借助于施加設(shè)備例如旋轉(zhuǎn)上漆儀器施加結(jié)構(gòu)材料（漆）到基體上，

b） 借助于調(diào)節(jié)設(shè)備調(diào)節(jié)基體（吸納設(shè)備）和納米結(jié)構(gòu)壓模（壓印設(shè)備），

c） 利用促動(dòng)器通過(guò)壓印設(shè)備壓印基體，

d） UV照射能夠硬化的材料并且出模納米結(jié)構(gòu)壓模和基體。

儀器尤其具有模塊組，帶有共同的、并且在需要時(shí)能夠相對(duì)于周圍環(huán)境大氣關(guān)閉的工作空間。在此模塊、例如上漆模塊（用于例如旋涂）、印壓模塊和卸載模塊能夠集群形或星形地圍繞帶有運(yùn)動(dòng)設(shè)備的中央模塊（機(jī)器人系統(tǒng)）來(lái)布置。出模能夠直接地在印壓階段中發(fā)生。同樣上漆能夠與壓印程序分離地在專有的模塊中執(zhí)行，這帶來(lái)巨大的生產(chǎn)量?jī)?yōu)點(diǎn)。為了在壓模和基體之間的更輕的分離和減少的壓印缺陷將壓印在印壓階段上在印壓模塊中在真空中和/或在惰性氣體下執(zhí)行。在惰性氣體大氣下的壓印能夠帶來(lái)優(yōu)點(diǎn)、如更好的化學(xué)的抗性、更好的附著和更快的UV硬化。備選地整個(gè)的工作空間能夠加載有惰性氣體和/或通過(guò)真空設(shè)備加載有真空作為定義的大氣。同樣施加過(guò)程（基體的涂層）能夠在上面描述的定義的大氣中來(lái)執(zhí)行。因此出現(xiàn)的氣體雜質(zhì)能夠在很大程度上避免或排除。

這種新的技術(shù)的重要的優(yōu)點(diǎn)是，全平面上漆的基體能夠在周圍環(huán)境壓力的情況下并且在惰性氣體大氣下無(wú)缺陷地接觸。

儀器的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，使得尤其借助于用于對(duì)齊兩個(gè)元件、也就是說(shuō)基體和納米結(jié)構(gòu)壓模的對(duì)齊方法實(shí)現(xiàn)帶有低于200nm調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度的在晶片平面上的高分辨率的結(jié)構(gòu)的調(diào)節(jié)的壓印。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式尤其實(shí)現(xiàn)無(wú)形變地并且大面積地壓印高分辨率的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)是，全平面上漆的基體于周圍環(huán)境壓力的情況下在惰性氣體下能夠無(wú)缺陷地接觸。此外可實(shí)現(xiàn)技術(shù)的自動(dòng)化，從而使得上漆和壓印快速地、均勻地、無(wú)缺陷地、免于外來(lái)顆粒地來(lái)執(zhí)行。

能夠利用所述方法制造的物品尤其為下一代的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）、如比特格式媒體（BPM）、偏光器、量子點(diǎn)、光子的結(jié)構(gòu)、光學(xué)的結(jié)構(gòu)、以及用于排序（Senquenzierung）的結(jié)構(gòu)（納米孔、納米點(diǎn)，等等）。用于帶有開(kāi)孔的基體（硬盤(pán)）的描述的方法的實(shí)施方案應(yīng)該專門(mén)地來(lái)提到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)、特征和細(xì)節(jié)由優(yōu)選的實(shí)施例的下面的描述以及按照附圖來(lái)得知。這在：

圖1a中：示出朝根據(jù)本發(fā)明的裝置的一種優(yōu)選的實(shí)施方式的壓模吸納設(shè)備的帶有剖面線A-A的俯視圖，

圖1b中：示出根據(jù)源自圖1a的剖面線A-A的橫截面視圖，

圖1c中：示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的橫截面視圖，

圖2a中：示出朝根據(jù)本發(fā)明的裝置的一種優(yōu)選的實(shí)施方式的基體吸納設(shè)備的帶有剖面線B-B的俯視圖，

圖2b中：示出根據(jù)源自圖2a的剖面線B-B的橫截面視圖；

圖2c中：示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的橫截面視圖、尤其用于在兩側(cè)結(jié)構(gòu)化的產(chǎn)品基體，

圖3a中：示出朝根據(jù)本發(fā)明的裝置的第二實(shí)施方式的基體吸納設(shè)備的帶有剖面線C-C的俯視圖，

圖3b中：根據(jù)源自圖3a的剖面線C-C的橫截面視圖，

圖3c中：示出朝帶有開(kāi)孔的基體的俯視圖、尤其用于制造硬盤(pán)或者說(shuō)硬盤(pán)（Harddisk），

圖4a中：示出朝根據(jù)本發(fā)明的裝置的第三實(shí)施方式的基體吸納設(shè)備帶有剖面線D-D的俯視圖，

圖4b中：示出根據(jù)源自圖4a的剖面線D-D的橫截面視圖，

圖5a中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第一根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中的橫截面視圖，

圖5b中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第二根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中的橫截面視圖，

圖5c中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第三根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中的橫截面視圖，

圖6a中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第四根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中的橫截面視圖，

圖6b中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第五根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中在壓模和基體保持器接近之后的橫截面視圖，

圖6c中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第六根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中的橫截面視圖，尤其在通過(guò)用于彈性地彎曲納米結(jié)構(gòu)壓模的促動(dòng)器來(lái)接觸納米結(jié)構(gòu)壓模并且使得納米結(jié)構(gòu)壓模與基體接觸期間，

圖6d中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第七根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中在沿著在壓模和基體之間的壓印前部的持續(xù)的壓印波期間的橫截面視圖，其中，納米結(jié)構(gòu)壓模與壓模吸納設(shè)備通過(guò)中斷在真空道中的真空來(lái)松開(kāi)，

圖6e中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在第八根據(jù)本發(fā)明的方法步驟中帶有結(jié)束的壓印前部的橫截面視圖，

圖7a中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在根據(jù)本發(fā)明的方法的第二實(shí)施方式中帶有在中央定位在壓模上的促動(dòng)器的橫截面視圖，

圖7b中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在方法的第二實(shí)施方式中在壓模和基體保持器接近之后的橫截面視圖，

圖7c中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在方法的第二實(shí)施方式中在通過(guò)促動(dòng)器接觸壓模期間的橫截面視圖，其中，通過(guò)促動(dòng)器進(jìn)行彈性地彎曲納米結(jié)構(gòu)壓模以及在納米結(jié)構(gòu)壓模和帶有開(kāi)孔的基體之間的接觸，

圖7d中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在方法的第二實(shí)施方式中于在納米結(jié)構(gòu)壓模和帶有開(kāi)孔的基體之間的持續(xù)的壓印波期間的橫截面視圖，其中，納米結(jié)構(gòu)壓模與壓模吸納設(shè)備通過(guò)中斷在真空道中的真空來(lái)松開(kāi)，

圖7e中：示出根據(jù)本發(fā)明的裝置在方法的第二實(shí)施方式中帶有結(jié)束的壓印前部的橫截面視圖，

圖8中：示出基體吸納設(shè)備在壓印之后的橫截面視圖，其中，晶片堆疊（基體連同置放的納米結(jié)構(gòu)壓模）尤其運(yùn)送到卸載站上并且能夠硬化的材料，尤其借助于UV光穿過(guò)透明的納米結(jié)構(gòu)壓模來(lái)交聯(lián)/硬化，

圖9a中：示出根據(jù)本發(fā)明的方法的一種實(shí)施方式的橫截面視圖，其中，基體和納米結(jié)構(gòu)壓模由在中央作用于納米結(jié)構(gòu)壓模的促動(dòng)器來(lái)加載，以及

圖9b中：示出根據(jù)本發(fā)明的方法的一種實(shí)施方式，其中，基體和納米結(jié)構(gòu)壓模由在基體的邊緣處作用于納米結(jié)構(gòu)壓模的促動(dòng)器來(lái)加載。

具體實(shí)施方式

在圖中將相同的結(jié)構(gòu)部件和帶有相同的功能的結(jié)構(gòu)部件利用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。

圖1a示出用于在吸納體1k上吸納根據(jù)本發(fā)明設(shè)置成用于壓印納米結(jié)構(gòu)13的納米結(jié)構(gòu)壓模5的裝置的壓模吸納設(shè)備1。吸納體1k具有如下結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)在吸納平面E中具有吸納面1u，這能夠在根據(jù)圖1b的橫截面視圖中良好地看出。在將納米結(jié)構(gòu)壓模5吸納到壓模吸納設(shè)備1上時(shí)僅僅吸納面1u與納米結(jié)構(gòu)壓模5的吸納側(cè)5a接觸。處于相對(duì)于吸納側(cè)5a布置了納米結(jié)構(gòu)壓模5的壓印側(cè)6。

吸納設(shè)備1的吸納面1u尤其匹配納米結(jié)構(gòu)壓模5的尺寸和周緣輪廓。（尤其UV透明的）納米結(jié)構(gòu)壓模5能夠具有每個(gè)形狀、尤其圓的、矩形的或方形的、優(yōu)選地標(biāo)準(zhǔn)晶片規(guī)格。

納米結(jié)構(gòu)壓模5的直徑優(yōu)選地在很大程度上與待壓印的基體7的直徑相一致或大于基體的直徑來(lái)選取。優(yōu)選地，納米結(jié)構(gòu)壓模5的直徑至少與基體7的直徑一樣大，更優(yōu)選地，納米結(jié)構(gòu)壓模5的直徑大了多于5mm、還更優(yōu)選地納米結(jié)構(gòu)壓模5的直徑比基體7的直徑大了多于10mm。后者根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選地是如下情況，即壓模吸納設(shè)備1（納米結(jié)構(gòu)壓模保持件）在壓印側(cè)6的起作用的壓印面之外設(shè)有真空道4，以便實(shí)現(xiàn)在基體7處的均勻的壓印。優(yōu)選地，納米結(jié)構(gòu)壓模5以最大50mm超出基體7。

吸納面1u在根據(jù)圖1a和1b的實(shí)施方式中為圓形并且吸納面1u的半徑R_u近似相應(yīng)于待壓印的基體7的半徑。用于納米結(jié)構(gòu)壓模5的吸納面1u的和用于基體7的吸納面2u的大小優(yōu)選地選取成與基體7的和/或納米結(jié)構(gòu)壓模5的直徑近似一樣大或略微更大?；w7的直徑優(yōu)選地相應(yīng)于在半導(dǎo)體工業(yè)中通常的2''、4''、6''、8''、12''或18''的直徑。

吸納體1k的半徑R_k能夠如在根據(jù)圖1b的實(shí)施方式中示出的那樣大于吸納面1u的半徑R_u、尤其由于相對(duì)于吸納面1u后置的環(huán)形的凸肩區(qū)段。

優(yōu)選地，僅僅將吸納面1u的外部的環(huán)區(qū)段9設(shè)置成用于借助于真空道4來(lái)固定納米結(jié)構(gòu)壓模5。根據(jù)本發(fā)明的方法如下來(lái)改善，即使得納米結(jié)構(gòu)壓模5的固定僅僅在吸納面1u的側(cè)邊緣的區(qū)域中進(jìn)行。通過(guò)減少在吸納面1u處的負(fù)壓，能夠控制地、尤其從環(huán)區(qū)段9起，來(lái)執(zhí)行與納米結(jié)構(gòu)壓模5的松開(kāi)。吸納面1u的環(huán)區(qū)段9從吸納面1u的外輪廓朝吸納面1u的中央延伸、尤其以0.1mm至50mm的寬度、優(yōu)選地以0.1mm至25mm的寬度。環(huán)區(qū)段9尤其以壓模直徑的1/100至1/5的寬度、優(yōu)選地以壓模直徑的1/50至1/10的寬度延伸。在根據(jù)圖1a的實(shí)施例中，將負(fù)壓通過(guò)真空設(shè)備（沒(méi)有示出）施加在兩個(gè)、尤其相對(duì)彼此同心伸延的負(fù)壓通道或真空道4處。

在圖1b中吸納面1u根據(jù)壓模吸納設(shè)備1的第一實(shí)施方式全平面地或者說(shuō)平地（除了真空道4以外）來(lái)構(gòu)造。

根據(jù)另一實(shí)施方式（圖1c），壓模吸納設(shè)備1'的第二實(shí)施方式的吸納體1k'相對(duì)于吸納平面E、尤其在吸納面1u'之內(nèi)來(lái)后置，從而形成至少一個(gè)凹處18。由此納米結(jié)構(gòu)壓模5的支承面，也就是說(shuō)吸納面1u'相對(duì)于根據(jù)圖1a的實(shí)施方式來(lái)變小。支承面能夠根據(jù)一種備選的實(shí)施方式通過(guò)蜂巢形的或圓形的、同心于中央布置的凹處來(lái)變小。凹處18的深度能夠根據(jù)一種有利的實(shí)施方式相應(yīng)于真空道4的深度。

納米結(jié)構(gòu)壓模5以及必要時(shí)還有其它的毗鄰的壓模保持件的組成部分優(yōu)選地由UV透明的材料形成。

圖2a示出用于在吸納體2k上吸納基體7的裝置的基體吸納設(shè)備2。吸納體2k能夠根據(jù)本發(fā)明的一種有利的實(shí)施方式進(jìn)行涂層。吸納體2k具有能夠平行于吸納平面E對(duì)齊的吸納面2u（圖2b）。

吸納設(shè)備2的吸納面2u優(yōu)選地至少在很大程度上匹配基體的尺寸。吸納設(shè)備2的吸納面2u在根據(jù)圖2a和2b的實(shí)施方式中為圓形并且吸納面2u的半徑R_u至少在很大程度上相應(yīng)于基體7的半徑?；w7的直徑優(yōu)選地相應(yīng)于在半導(dǎo)體工業(yè)中通常的2''、4''、6''、8''、12''或18''、優(yōu)選地18''或更大的直徑。

吸納體2k的半徑R_k能夠根據(jù)圖2b大于吸納面2u的半徑R_u。在根據(jù)圖2b的實(shí)施方式中，整個(gè)的吸納面2u設(shè)置成用于借助于真空道4來(lái)固定基體7。在根據(jù)圖2a的實(shí)施例中，通過(guò)真空設(shè)備（沒(méi)有示出）來(lái)施加負(fù)壓以用于將基體7固定在多個(gè)相對(duì)彼此同心伸延的、覆蓋吸納面2u的負(fù)壓通道或真空道4處。

在圖2c中根據(jù)吸納體2k'的第二實(shí)施方式不是全平面地實(shí)施吸納面2u'，而是設(shè)置有相對(duì)于吸納面2u'后置的、尤其由吸納面2u'包圍的、優(yōu)選地環(huán)繞的凹處19。所述凹處如下地改變基體7的支承面，即使得能夠使用尤其在兩側(cè)結(jié)構(gòu)化的或在兩側(cè)程序化的基體7。支承面能夠根據(jù)一種備選的實(shí)施方式通過(guò)蜂巢形的或圓形的、同心于中間布置的凹處19變小。凹處19的深度能夠根據(jù)一種有利的實(shí)施方式相應(yīng)于真空道4'的深度。

圖3a示出根據(jù)第三實(shí)施方式的用于帶有在基體7'的中間的開(kāi)孔20的基體7'的用于在吸納體2k''上吸納環(huán)形的基體7'（參見(jiàn)圖3c）的裝置的基體吸納設(shè)備2''。例如考慮硬盤(pán)（Harddisk）為帶有開(kāi)孔20的基體7'。吸納設(shè)備2''的吸納面2u''匹配基體7'的尺寸。吸納設(shè)備2''的吸納面2u''在根據(jù)圖3a和3b的實(shí)施方式中為圓形并且吸納面2u''的半徑R_u在很大程度上相應(yīng)于基體7'的半徑。

根據(jù)圖3b，僅僅將吸納面2u''的大約覆蓋一半的半徑R_u的、外部的環(huán)區(qū)段設(shè)置成用于借助于真空道4'來(lái)固定基體7'。因此基體7'通過(guò)真空設(shè)備（沒(méi)有示出）通過(guò)負(fù)壓固定在多個(gè)相對(duì)彼此同心伸延的、相應(yīng)于整個(gè)的環(huán)形的基體面的負(fù)壓通道或真空道4'處。

圖4a示出根據(jù)第四實(shí)施方式的用于帶有開(kāi)孔20的基體7'（圖3c）的用于在吸納體2k'''上吸納基體7'的裝置的另一基體吸納設(shè)備2'''。

用于固定基體7'的吸納面2u'''包含尤其與開(kāi)孔20相對(duì)應(yīng)的、相對(duì)于吸納面2u'''突出的核芯2h。用于基體7'的基體吸納設(shè)備2'''的核芯2h能夠具有不同的形狀、如例如圓、十字形、星形、橢圓形或有角的。核芯2h的高度尤其相應(yīng)于基體7'的厚度?；w7'的平均的厚度尤其處在20和10000μm之間、優(yōu)選地在100和2000μm之間、更優(yōu)選地在250和1000μm之間。吸納面2u'''和核芯2h能夠具有其它的尺寸從而還能夠固定其它的介質(zhì)。

吸納設(shè)備2'''的吸納面2u'''在根據(jù)圖4a和4b的實(shí)施方式中為圓形并且吸納面2u'''的半徑R_u在很大程度上相應(yīng)于基體7'的半徑。在根據(jù)圖4b的實(shí)施方式中僅僅將吸納面2u'''的外部的環(huán)區(qū)段設(shè)成用于借助于真空道4'來(lái)固定基體7'。帶有開(kāi)孔20的基體7'因此在根據(jù)圖4b的實(shí)施例中通過(guò)真空設(shè)備（沒(méi)有示出）通過(guò)負(fù)壓固定在兩個(gè)相對(duì)彼此同心伸延的、在外部的環(huán)區(qū)段處覆蓋吸納面2u的負(fù)壓通道或真空道4處。

圖5a示出用于吸納納米結(jié)構(gòu)壓模5和基體7的裝置的吸納設(shè)備1（根據(jù)圖1a的實(shí)施方式）和2（根據(jù)圖2a的實(shí)施方式）（在半導(dǎo)體工業(yè)中還稱為吸盤(pán)）。吸納設(shè)備1包含中央的開(kāi)口10用于穿過(guò)引導(dǎo)促動(dòng)器3（還參見(jiàn)圖1a）或促動(dòng)器設(shè)備（沒(méi)有示出）。

在該第一根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中，將壓印程序（納米印壓程序）利用在基體中央中的促動(dòng)器3來(lái)開(kāi)始。促動(dòng)器3能夠根據(jù)本發(fā)明具有不同的形狀或?qū)嵤┓桨?。代替作為促?dòng)器3的促動(dòng)器銷或釘備選地還能夠考慮利用流體或氣體來(lái)壓力加載。用于根據(jù)圖1a的促動(dòng)器3的開(kāi)口10能夠具有不同的大小和形狀。

圖5b示出帶有裝載到壓模吸納設(shè)備1上的、尤其UV透明的納米結(jié)構(gòu)壓模5的裝置。納米結(jié)構(gòu)壓模5的固定由經(jīng)由在壓模吸納設(shè)備1的外部的環(huán)區(qū)段中的真空道4的真空或負(fù)壓來(lái)進(jìn)行。

在根據(jù)圖5c的下一個(gè)程序步驟中，將基體7裝載到基體吸納設(shè)備2上并且通過(guò)經(jīng)由真空道4'的真空或負(fù)壓來(lái)固定，其中，施加在基體7上的能夠硬化的材料8以壓模面14向上、也就是說(shuō)在納米結(jié)構(gòu)壓模5的方向上指向?；w7和納米結(jié)構(gòu)壓模5在排空和/或惰性氣體掃氣過(guò)程期間保持分離（也就是說(shuō)還沒(méi)有接觸），其中，納米結(jié)構(gòu)壓模5在上面以壓印側(cè)6向下并且基體7在下面以能夠硬化的材料8向上地布置和對(duì)齊。

圖6a至6e示出在用于利用硬的、UV透明的納米結(jié)構(gòu)壓模5的大面積的納米印壓過(guò)程的方法和裝置的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的程序步驟。基體7和納米結(jié)構(gòu)壓模5首先高度準(zhǔn)確地來(lái)調(diào)節(jié)以用于精確的對(duì)齊并且在排空和/或惰性氣體掃氣過(guò)程期間保持分離（圖6a）。

如在圖6b中示出的那樣，在納米印壓程序開(kāi)始之前，將在基體7和納米結(jié)構(gòu)壓模5之間的間距h減少到準(zhǔn)確定義的間距h'上。在此間距h'尤其小于500μm、優(yōu)選地小于250μm、最優(yōu)選地小于100μm、所有最優(yōu)選地小于50μm。

借助于促動(dòng)器3將納米結(jié)構(gòu)壓模5和基體7盡可能點(diǎn)狀地在部分面15處接觸。在圖6c中示出的接觸通過(guò)由經(jīng)由促動(dòng)器3施加的壓力而引起的納米結(jié)構(gòu)壓模5的同心的變形進(jìn)行、尤其在納米結(jié)構(gòu)壓模5的中間。在此有利的是，由于操控促動(dòng)器3或促動(dòng)器設(shè)備（沒(méi)有示出）的所產(chǎn)生的力F_a施加在納米結(jié)構(gòu)壓模5的面重心中并且因此于在基體7和納米結(jié)構(gòu)壓模5之間的接觸面的面重心中。

在到達(dá)第一接觸點(diǎn)之后，通過(guò)控制地減少負(fù)壓來(lái)引起納米結(jié)構(gòu)壓模5與壓模吸納設(shè)備1松開(kāi)，此后壓印前部12從中央、尤其同心地，展開(kāi)直到基體7的或壓模面14的邊緣。通過(guò)借助于納米結(jié)構(gòu)壓模5的變形來(lái)引入的預(yù)緊使得納米結(jié)構(gòu)壓模5以納米結(jié)構(gòu)壓模5的中間為出發(fā)點(diǎn)徑向向外直到周緣地與基體7接觸（還參見(jiàn)圖9a）。因此通過(guò)松開(kāi)使得壓模面14的其余面16接觸。

圖6e示出結(jié)束的壓印，在其中壓印前部12到達(dá)了基體7的邊緣?；w7和納米結(jié)構(gòu)壓模5近似全平面地接觸。接著能夠進(jìn)行根據(jù)圖8的硬化（參見(jiàn)下文）。

圖7a至7e示出在用于利用硬的、UV透明的納米結(jié)構(gòu)壓模5的大面積的納米印壓的方法和裝置的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的程序步驟。基體7在所述實(shí)施例中為根據(jù)圖3c的基體7'。

基體7'優(yōu)選地具有2.5英寸或3.5英寸的直徑。壓模7'具有4英寸或更大的直徑并且因此大于基體7'。吸納面1u在吸納體1k的外部的環(huán)區(qū)段中構(gòu)造成用于借助于真空道4來(lái)固定納米結(jié)構(gòu)壓模5（參見(jiàn)圖1b）。因此，吸納面1u的真空道4處在納米結(jié)構(gòu)壓模5的起作用的壓模面14之外。因?yàn)閹в虚_(kāi)孔20的基體7'比納米結(jié)構(gòu)壓模5具有更小的直徑，故用于保持納米結(jié)構(gòu)壓模5的真空道4處在待壓印的壓模面14之外。大小差別用于借助于真空道4來(lái)固定納米結(jié)構(gòu)壓模5。

如在圖7b中示出的那樣，在納米印壓程序開(kāi)始之前，使得在基體7和納米結(jié)構(gòu)壓模5之間的間距h減少到準(zhǔn)確定義的間距h'上。在此間距h'尤其小于500μm、優(yōu)選地小于250μm、最優(yōu)選地小于100μm、所有最優(yōu)選地小于50μm。

在圖7c中示出的接觸通過(guò)由經(jīng)由促動(dòng)器3施加的在納米結(jié)構(gòu)壓模5的中間的壓力而引起的納米結(jié)構(gòu)壓模5的同心的變形進(jìn)行。在此有利的是，由于操控促動(dòng)器3或促動(dòng)器設(shè)備（沒(méi)有示出）的所產(chǎn)生的力F_a施加在納米結(jié)構(gòu)壓模5的面重心中并且因此于在基體7'和納米結(jié)構(gòu)壓模5之間的接觸面的面重心中。

接觸面由于基體7'的中間的開(kāi)孔20為壓模面14的環(huán)形的部分面15'，其中，壓印前部12在開(kāi)孔20的邊緣處開(kāi)始。

在進(jìn)行環(huán)形的接觸之后，通過(guò)控制地減少真空道4的負(fù)壓來(lái)引起納米結(jié)構(gòu)壓模5與壓模吸納設(shè)備1的松開(kāi)。通過(guò)借助于納米結(jié)構(gòu)壓模5的變形來(lái)引入的預(yù)緊使得納米結(jié)構(gòu)壓模5以納米結(jié)構(gòu)壓模5的中間為出發(fā)點(diǎn)徑向向外直到基體7'的周緣地與基體7'接觸（還參見(jiàn)圖9a）。因此通過(guò)松開(kāi)使得壓模面14的其余面16'接觸。

一旦納米結(jié)構(gòu)壓模5接觸開(kāi)孔20的邊緣，則壓印前部12同心地朝向基體外邊緣展開(kāi)。圖7e示出結(jié)束的壓印前部12。因此基體7'和納米結(jié)構(gòu)壓模5除了開(kāi)孔20之外在整個(gè)的壓模面14處全平面地接觸。

圖8示出在卸載站上的晶片堆疊或基體壓模堆疊以及能夠硬化的材料8（尤其光阻物或漆）借助于UV光11的直接的交聯(lián)。更一般地，硬化能夠通過(guò)電磁的輻射、通過(guò)熱、通過(guò)流、通過(guò)磁場(chǎng)或其它的方法來(lái)執(zhí)行。優(yōu)選地，硬化穿過(guò)透明的納米結(jié)構(gòu)壓模5進(jìn)行。在另一實(shí)施方式中硬化還在印壓階段中執(zhí)行。在此硬化穿過(guò)透明的壓模吸納設(shè)備1、1'并且穿過(guò)透明的納米結(jié)構(gòu)壓模5進(jìn)行。

納米結(jié)構(gòu)壓模5從基體7、7'的硬化和出模能夠直接在壓印階段中發(fā)生。優(yōu)選地，帶有根據(jù)本發(fā)明的裝置的儀器具有帶有共同的、并且在需要時(shí)能夠相對(duì)于周圍環(huán)境大氣關(guān)閉的工作空間的模塊組。在此能夠?qū)⒛K、例如上漆模塊、印壓模塊和卸載模塊布置成集群形地或星形地圍繞帶有運(yùn)動(dòng)設(shè)備的中間模塊（機(jī)器人系統(tǒng)）。

所述方法實(shí)現(xiàn)在低于μm范圍中、優(yōu)選地在100nm之下、更優(yōu)選地在50nm之下、所有最優(yōu)選地在10nm之下的高分辨率的結(jié)構(gòu)化。

一種備選的實(shí)施方式在圖9b中示出。在此納米印壓程序利用促動(dòng)器3偏心地、尤其在基體邊緣處來(lái)開(kāi)始并且壓印前部12從接觸點(diǎn)處圓形地展開(kāi)。

根據(jù)第一和第二實(shí)施方式的壓印前部12的展開(kāi)方向在圖9a和9b中示意性地來(lái)對(duì)照。用于促動(dòng)器3的位置的示例在圖9a和9b中示出。

附圖標(biāo)記列表

1、1' 壓模吸納設(shè)備

1k、1k' 吸納體

1u、1u' 吸納面

2、2'、2''、2''' 基體吸納設(shè)備

2u、2u'、2u''、2u''' 吸納面

2k、2k'、2k''、2k''' 吸納體

2h 核芯

3 促動(dòng)器（銷）

4 真空道

4' 真空道

5 納米結(jié)構(gòu)壓模

5a 吸納側(cè)

6 壓印側(cè)

7、7' 基體

8 能夠硬化的材料

9 環(huán)區(qū)段

10 開(kāi)口

11 UV光

12 壓印前部方向

13 納米結(jié)構(gòu)

14、14' 壓模面

15、15' 部分面

16、16' 其余面

17 壓印設(shè)備（尤其具有壓模吸納設(shè)備和納米結(jié)構(gòu)壓模）

18 凹處

19 凹處

20 開(kāi)孔

A-A、B-B、C-C、D-D 剖面線

E 吸納平面

R_u環(huán)半徑

R_k吸納體的半徑

F_a力。