壓印掩膜版及納米壓印方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種壓印掩膜版及納米壓印方法，屬于壓印技術領域。本發(fā)明的壓印掩模版，包括壓印板，其具有工作區(qū)域和將工作區(qū)域包圍的邊緣區(qū)域；以及設置在壓印板的邊緣區(qū)域的遮光層。由于在本發(fā)明的壓印掩膜版的壓印板邊緣區(qū)域設置遮光層，因此在通過該壓印掩膜版進行大面積納米壓印中，與壓印板的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被遮光層遮擋，從而在紫外固化過程中不會被固化，只有與壓印板工作區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被固化，在顯影過程洗掉未固化的壓印膠，在下一次壓印過程中可以在完全貼合的位置進行壓印，拼接縫的大小只取決于對位精度，不會受到上一次壓印過程中與壓印板的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z影響，可以有效減小拼接縫，提高拼接精度。
【專利說明】
壓印掩膜版及納米壓印方法
技術領域
[0001]本發(fā)明屬于壓印技術領域，具體涉及一種壓印掩膜版及納米壓印方法。
【背景技術】
[0002]大面積高精度的納米壓印模版的制作費用昂貴，如何降低模版制作成本一直是人們研究的問題，為此，1999年，Willson等開發(fā)了步進-閃光紫外壓印技術。通常納米壓印只能復制與模版區(qū)域大小一致的結(jié)構(gòu)，步進-閃光紫外壓印用一個很小面積的納米壓印模版，通過多次壓印，移動對準拼接，實現(xiàn)大面積納米結(jié)構(gòu)的復制。
[0003]步進-閃光紫外壓印存在拼接精度不足的問題，這是由于壓印過程中會排擠出多余的光刻膠，在壓印圖形區(qū)域外會有無效區(qū)域，在下一次壓印時，就會造成較大的拼接縫，這是通過提高對準精度無法解決問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提供一種拼接縫小的壓印掩膜版及納米壓印方法。
[0005]解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種壓印掩模版，包括壓印板，所述壓印板具有工作區(qū)域和將所述工作區(qū)域包圍的邊緣區(qū)域;所述壓印掩模版還包括設置在所述壓印板的邊緣區(qū)域的遮光層。
[0006]優(yōu)選的是，在所述壓印板的工作區(qū)域的一側(cè)具有納米圖案單元;所述遮光層與所述納米圖案單元位于同一側(cè)。
[0007]優(yōu)選的是，在所述壓印板的工作區(qū)域的一側(cè)具有納米圖案單元;所述遮光層位于所述壓印板的邊緣區(qū)域背離所述納米圖案單元的一側(cè)。
[0008]優(yōu)選的是，所述壓印板的材料為透明材料。
[0009]進一步優(yōu)選的是，所述透明材料包括石英。
[0010]優(yōu)選的是，所述遮光層的材料為金屬。
[0011]進一步優(yōu)選的是，所述金屬包括鉻、鉬、鋁中的一任意種或多種的組合。
[0012]解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種納米壓印方法，其采用上述的壓印掩模版;所述壓印方法包括:
[0013]提供一基底，并在基底上涂覆壓印膠；
[0014]將所述壓印掩模版對準所述基底施壓，以使所述壓印掩模版壓印至所述壓印膠上；
[0015]通過紫外光對所述壓印掩模版進行照射，以使所述工作區(qū)域的位置的壓印膠固化；
[0016]將所述壓印掩模版與所述壓印膠分離；
[0017]去除未固化的壓印膠，完成一個壓印周期；
[0018]重復所述壓印周期若干次，以使所述基底上形成納米圖案陣列。
[0019]優(yōu)選的是，所述壓印膠的材料為紫外光固化材料。
[0020]優(yōu)選的是，所述紫外光固化材料為含硅的紫外光固化材料。
[0021 ]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0022]由于在本發(fā)明的壓印掩膜版的壓印板邊緣區(qū)域設置遮光層，因此在通過該壓印掩膜版進行大面積納米壓印的紫外固化過程中，與壓印板的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被遮光層遮擋，從而在紫外固化過程中不會被固化，只有與壓印板工作區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被固化，在顯影過程洗掉未固化的壓印膠，即去除與壓印板邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z，使得有用的納米圖案單元得以保留，在下一次壓印過程中可以在完全貼合的位置進行壓印，拼接縫的大小只取決于對位精度，不會受到上一次壓印過程中與壓印板的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z影響，可以有效減小拼接縫，提高拼接精度。
【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明的實施例1中的壓印掩模板的平面圖；
[0024]圖2為本發(fā)明的實施例1的壓印掩模板的一種截面示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明的實施例1的壓印掩模板的另一種截面示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明的實施例的2的納米壓印方法的工藝流程圖；
[0027]圖5為本發(fā)明的實施例的2的納米壓印方法的流程圖。
[0028]其中附圖標記為:1、壓印板;2、遮光層。
【具體實施方式】
[0029]為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0030]實施例1:
[0031]如圖1所示，本實施例提供一種用于大面積納米壓印方法中的壓印掩膜版應，該掩膜版壓印掩模版包括壓印板I，該壓印板I具有工作區(qū)域和將所述工作區(qū)域包圍的邊緣區(qū)域;所述壓印掩模版還包括設置在所述壓印板I的邊緣區(qū)域的遮光層2。
[0032]由于在本實施例的壓印掩膜版的壓印板I邊緣區(qū)域設置遮光層2，因此在通過該壓印掩膜版進行大面積納米壓印的紫外固化過程中，與壓印板I的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被遮光層2遮擋，從而在紫外固化過程中不會被固化，只有與壓印板I工作區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被固化，在顯影過程洗掉未固化的壓印膠，即去除與壓印板I邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z，使得有用的納米圖案單元得以保留，在下一次壓印過程中可以在完全貼合的位置進行壓印，拼接縫的大小只取決于對位精度，不會受到上一次壓印過程中與壓印板I的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z影響，可以有效減小拼接縫，提高拼接精度。
[0033]其中，本實施例的壓印掩膜版中的遮光層2可以設置在與壓印板I的具有納米圖案單元的一側(cè)，如圖2所示;或者，遮光層2位于所述壓印板I的邊緣區(qū)域背離所述納米圖案單元的一側(cè)，如圖3所示。
[0034]其中，壓印板I的材料為透明材料。優(yōu)選的，壓印板I采用石英材質(zhì)。當然也可以采用其他材質(zhì)。
[0035]其中，遮光層2的材料為金屬。優(yōu)選的，遮光層2為鉻、鉬、鋁中的一任意種或多種的組合。當然，也可以采用其他金屬材料
[0036]實施例2:
[0037]結(jié)合圖4和5所示，本實施例提供一種納米壓印方法，在該方法中采用實施例1中的壓印掩膜版。該納米壓印方法具體包括如下步驟:
[0038]S1、提供一基底，并在基底上涂覆壓印膠。
[0039]具體的，在基底上，通過旋轉(zhuǎn)涂膠工藝將壓印膠涂覆在基底上。其中，壓印膠為紫外光固化材料，優(yōu)選含硅比例較高，粘度比較低，紫外固化所需劑量小，抗刻蝕性強的材料。S2、將所述壓印掩模版對準所述基底施壓，以使所述壓印掩模版壓印至所述壓印膠上。
[0040]具體的，在該步驟中，首先，先將壓印掩膜版與基底進行對位;之后，對壓印掩膜版通過氣體或固體施壓，將壓印掩模版上的納米圖案單元壓印至基底的壓印膠上。
[0041]S3、通過紫外光對所述壓印掩模版進行照射，以使所述工作區(qū)域的位置的壓印膠固化。
[0042]具體的，由于壓印掩膜版的工作區(qū)域無遮光層2，因此當紫外光通過壓印掩膜版照射至壓印膠時，使得壓印膠與壓印掩膜版的工作區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被固化。由于壓印掩膜版的邊緣區(qū)域設置遮光層2，因此使得壓印膠壓與印掩膜版的邊緣區(qū)域?qū)奈恢貌粫蛔贤夤庹丈?，從而這部分壓印膠不會被固化。
[0043]S4、將壓印掩模版與壓印膠分離。
[0044]在該步驟中，也就是將壓印掩模版從壓印膠中取出，此時壓印膠上已經(jīng)被壓印上了納米圖案單元。
[0045]S5、去除未固化的壓印膠，完成一個壓印周期。
[0046]具體的，通過顯影工藝，去除與印掩膜版的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z，至此完成一個壓印周期。
[0047]S6、重復所述壓印周期若干次，以使所述基底上形成納米圖案陣列。
[0048]由于在本實施例的納米壓印方法應用了實施例1中的壓印掩膜版，即在壓印掩膜版的壓印板I邊緣區(qū)域設置有遮光層2，因此在通過該壓印掩膜版進行大面積納米壓印的紫外固化過程中，與壓印板I的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被遮光層2遮擋，從而在紫外固化過程中不會被固化，只有與壓印板I工作區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z被固化，在顯影過程洗掉未固化的壓印膠，即去除與壓印板I邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z，使得有用的納米圖案單元得以保留，在下一次壓印過程中可以在完全貼合的位置進行壓印，拼接縫的大小只取決于對位精度，不會受到上一次壓印過程中與壓印板I的邊緣區(qū)域?qū)恢玫膲河∧z影響，可以有效減小拼接縫，提高拼接精度。
[0049]在此需要說明的，在本實施例中的納米壓印方法中所形成的納米圖案陣列也可以作為一張大型的掩模板，通過該掩模板對壓印膠進行壓印，形成與步驟SI?S6中形成的納米圖案陣列相同的圖案，無需多次壓印，一次就可以完成納米圖案陣列，因此可以提高生產(chǎn)效率。
[0050]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種壓印掩模版，包括壓印板，其特征在于，所述壓印板具有工作區(qū)域和將所述工作區(qū)域包圍的邊緣區(qū)域;所述壓印掩模版還包括設置在所述壓印板的邊緣區(qū)域的遮光層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印掩模版，其特征在于，在所述壓印板的工作區(qū)域的一側(cè)具有納米圖案單元;所述遮光層與所述納米圖案單元位于同一側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印掩模版，其特征在于，在所述壓印板的工作區(qū)域的一側(cè)具有納米圖案單元;所述遮光層位于所述壓印板的邊緣區(qū)域背離所述納米圖案單元的一側(cè)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印掩模版，其特征在于，所述壓印板的材料為透明材料。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓印掩模版，其特征在于，所述透明材料包括石英。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印掩模版，其特征在于，所述遮光層的材料為金屬。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓印掩模版，其特征在于，所述金屬包括鉻、鉬、鋁中的一任意種或多種的組合。8.—種納米壓印方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7中任一項所述的壓印掩模版;所述壓印方法包括: 提供一基底，并在基底上涂覆壓印膠； 將所述壓印掩模版對準所述基底施壓，以使所述壓印掩模版壓印至所述壓印膠上； 通過紫外光對所述壓印掩模版進行照射，以使所述工作區(qū)域的位置的壓印膠固化； 將所述壓印掩模版與所述壓印膠分離； 去除未固化的壓印膠，完成一個壓印周期； 重復所述壓印周期若干次，以使所述基底上形成納米圖案陣列。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米壓印方法，其特征在于，所述壓印膠的材料為紫外光固化材料。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米壓印方法，其特征在于，所述紫外光固化材料為含硅的紫外光固化材料。。
【文檔編號】G03F7/00GK105974732SQ201610596067
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月26日
【發(fā)明人】周婷婷, 姚繼開, 關峰, 王英濤, 何曉龍, 張斌
【申請人】京東方科技集團股份有限公司