用于局部區(qū)域壓印的非對稱模板形狀調(diào)節(jié)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于局部區(qū)域壓印的系統(tǒng)及方法，以使壓印模板非對稱地調(diào)整以容許在與該模板中心間隔開的位置處與基板上的一局部區(qū)域初始地接觸。
【專利說明】用于局部區(qū)域壓印的非對稱模板形狀調(diào)節(jié)
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請案根據(jù)351].5.(:.§119(6)(1)要求于2013年12月31日提出的美國臨時申請案第61/922,431號之權(quán)益;該文的全部內(nèi)容通過引用納入本文。
[0003]背景信息
[0004]納米制造包括制造具有100納米或更小的特征之極小結(jié)構(gòu)。納米制造已具有可觀影響的一應(yīng)用是用于加工集成電路。該半導(dǎo)體加工工業(yè)持續(xù)致力于較大的生產(chǎn)量，同時增加基板上形成的每單位面積之電路；因此納米制造變得日益重要。納米制造提供較佳的制造控制，同時容許持續(xù)地降低所形成結(jié)構(gòu)之最小特征尺寸。開發(fā)時已應(yīng)用納米制造的其他領(lǐng)域包括生物科技、光學(xué)技術(shù)、機械系統(tǒng)等。
[0005]今日所使用的一示例性納米制造技術(shù)是為通常所說的壓印光刻術(shù)(imprintlithography)。示例性壓印光刻制程于多數(shù)公開案中詳加說明，諸如美國專利第8，349，241號，美國專利公開案第2004/0065252號以及美國專利第6，936，194號，以上各文的全部內(nèi)容通過引用納入本文。
[0006]于每一前述的美國專利公開案及專利中揭示的壓印光刻技術(shù)包括于一可成型(可聚合)層中構(gòu)成浮雕(relief)圖案以及將與該浮雕圖案相對應(yīng)的一圖案轉(zhuǎn)印進入下面的基板。該基板可與一移動平臺耦合以達到需要的定位，有助于該圖案化制程。該圖案化制程使用一與該基板間隔開的模板，以及在該模板與該基板之間施用的一可成型液體。該可成型液體經(jīng)固化以構(gòu)成一堅硬層，該層具有圖案，所述圖案與該成型液體接觸之與該模板之表面的一形狀相符合(conform)。在固化后，該模板與該堅硬層分開，使得該模板與該基板是為間隔開的。該基板及該固化層接著進行附加的制程以將浮雕影像轉(zhuǎn)印入該基板，其與該固化層中的圖案相對應(yīng)。
[0007]附圖簡述
[0008]為了能夠詳細地了解本發(fā)明之特征及優(yōu)點，通過參考附圖中所顯示的具體實施例可完成本發(fā)明之具體實施例的一更加特別的說明。然而，應(yīng)注意的是附圖僅顯示本發(fā)明之典型的具體實施例，并不因此視為限定其范疇，因為本發(fā)明可允許其他等效的具體實施例。
[0009]圖1顯不具有一模板及一與一基板間隔開的模具的一光刻系統(tǒng)的簡化側(cè)視圖。
[0010]圖2顯示于圖1中所示基板的簡化視圖，所述基板上具有一圖案化層。
[0011]圖3顯示在一標(biāo)準(zhǔn)硅晶圓基板上的一典型區(qū)域布局，包括全區(qū)域與局部區(qū)域。
[0012]圖4A顯示在全區(qū)域位置處對稱地朝向一基板進行彎曲的一壓印光刻模板的簡化橫截面視圖。
[0013]圖4B顯不在一局部區(qū)域位置處對稱地朝向一基板進行彎曲的一模板的簡化橫截面視圖。
[0014]圖4C顯示圖4B之該模板與基板的放大視圖。
[0015]圖5顯示根據(jù)本發(fā)明之一具體實施例，在一局部區(qū)域位置處非對稱地朝向一基板進行彎曲的一模板的簡化橫截面視圖。
[0016]圖6顯示根據(jù)本發(fā)明之一具體實施例，用于模板之非對稱形狀調(diào)節(jié)的一模板及致動系統(tǒng)的一簡化俯視視圖。
[0017]圖7是為圖6之該模板及一致動器的簡化橫截面視圖，該模板非對稱地朝向一基板進行彎曲。
[0018]圖8顯示根據(jù)本發(fā)明之另一具體實施例，一基板及一致動器的橫截面視圖。
[0019]圖9顯示根據(jù)本發(fā)明之又一具體實施例，一基板及一致動器的橫截面視圖。
[0020]圖10顯示圖7之該模板及一致動器的簡化橫截面視圖，該模板是相對于該基板傾斜。
[0021]圖11顯示根據(jù)本發(fā)明之一進一步具體實施例，在一局部區(qū)域位置處對稱地背向一基板進行彎曲的一模板的簡化橫截面視圖。
[0022]詳細描述
[0023]參考附圖，并特別地參考圖1，圖中所示是用以在基板12上構(gòu)成一浮雕圖案的一光刻系統(tǒng)10?；?2可與基板卡盤14耦合。如圖所示，基板卡盤14是一真空卡盤。然而，基板卡盤14可為任何卡盤，包括但不限于真空、插銷型式、溝槽型式、靜電的、電磁的和/或相似的型式。示例卡盤如美國專利第6，873，087號所述，其以參照方式并入本文中。
[0024]基板12及基板卡盤14可進一步地由平臺16支撐。平臺16可提供沿著1、7及2軸的平移運動和/或轉(zhuǎn)動。平臺16、基板12及基板卡盤14亦可設(shè)置在一底座上(未顯示)。
[0025]模板18與基板12間隔開。模板18可包括一主體，所述主體具有第一側(cè)面及第二側(cè)面，且一個側(cè)面具有自其延伸朝向基板12的一臺面20。臺面20上具有一圖案化表面22。再者，臺面20可稱作模具20?；蛘?，模板18可形成為不具臺面20。
[0026]模板18和/或模具20可由下述材料形成:所述材料包括但不限于熔凝石英、石英、硅、有機聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅酸鹽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石和/或相似物。如圖所示，圖案化表面22包含由多個間隔開的凹槽部分24和/或突出部分26限定的特征，但本發(fā)明之具體實施例并未限定在該等構(gòu)造(例如，平坦的表面)。圖案化表面22可限定形成將于基板12上形成的一圖案之基礎(chǔ)的任何原始的圖案。
[0027]模板18可與卡盤28耦合。卡盤28可構(gòu)造成但不限于真空、插銷型式、溝槽型式、靜電的、電磁的和/或其他相似的卡盤型式。示例性卡盤進一步地如美國專利第6，873，087號所述，其以參照方式并入本文中。再者，卡盤28可與壓印頭30耦合，使得卡盤28和/或壓印頭30可構(gòu)造成有助于模板18的移動。
[0028]系統(tǒng)10可進一步包含一流體分配系統(tǒng)32。流體分配系統(tǒng)32可用以在基板12上沉積可成形的材料34(例如，可聚合材料)?？沙尚蔚牟牧?4可使用諸如滴落分配、旋轉(zhuǎn)涂布、浸涂布、化學(xué)蒸氣沉積(CVD)、物理蒸氣沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積和/或相似者的技術(shù)設(shè)置在基板12上。取決于設(shè)計考慮，可成形的材料34可在模具22與基板12之間限定一需要容積之前和/或之后沉積在基板12上?？沙尚蔚牟牧?4可為功能性納米顆粒，用于生物領(lǐng)域、太陽能電池工業(yè)、電池工業(yè)，和/或其他需要功能性納米顆粒的工業(yè)。例如，可成形的材料34可包含單體混合物，如于美國專利第7,157,036號及美國專利公開案第2005/0187339號中說明，二者以參照方式并入本文中。或者，可成形的材料34可包括但不限于生物材料(例如，PEG )、太陽能電池材料(例如，N型，P型材料)和/或相似者。
[0029]參考圖1及2，系統(tǒng)10可進一步包含耦合的能量來源38，沿著路徑42引導(dǎo)能量40。壓印頭30及平臺16可構(gòu)造成將模板18及基板12定位與路徑42重迭。系統(tǒng)10可通過處理器54調(diào)整，所述處理器54與平臺16、壓印頭30、流體分配系統(tǒng)32和/或來源38連通，并可在儲存于存儲器56中的計算機可讀的程序來操作。
[0030]無論是壓印頭30、平臺16或二者改變介于模具20與基板12之間的一段距離，以限定其間由可成形材料34填注的所需容積。例如，壓印頭30可對模板18施加一力，使得模具20接觸可成形的材料34。在所需容積用可成形的材料34填注后，來源38產(chǎn)生能量40(例如，紫外光輻射)，致使可成形的材料34固化和/或交聯(lián)以符合基板12之表面44及圖案化表面22的形狀，在基板12上限定圖案化層46。圖案化層46可包含一殘留層48以及多個顯示為突出部分50及凹槽部分52的特征，突出部分50具有一厚度及殘留層具有一厚度t2。
[0031 ]該以上提及的系統(tǒng)及制程可進一步地用于在美國專利第6，932，934號，第7，077，992號，第7，179，396號及第7，396，475號中提到的壓印光刻制程及系統(tǒng)，所有專利以全文參照方式并入本文中。
[0032]本發(fā)明包括以上提及的系統(tǒng)與制程之方面及元件，鑒于本說明內(nèi)容這對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言顯而易見的，并特別地提供在一基板上壓印局部區(qū)域的系統(tǒng)及方法。半導(dǎo)體工業(yè)對于局部區(qū)域特別地感興趣，其中典型的基板是直徑300毫米的硅晶圓。局部區(qū)域一般而言指與典型地位于或接近該晶圓邊緣處的壓印區(qū)域，其由少于全部面積的區(qū)域組成，所述全部面積本來可用主題壓印模板的整個圖案化表面(即，壓印區(qū)域)進行壓印。為了讓一晶圓所能夠生產(chǎn)的半導(dǎo)體裝置的百分比最大化，需要壓印該局部區(qū)域。局部區(qū)域能夠根據(jù)與晶圓部分重迭的該壓印區(qū)域之面積進一步分類成2個子類，也就是，(i)具超過50% (>50%)面積覆蓋的區(qū)域，以及(ii)具小于50% (〈50%)面積覆蓋的區(qū)域。參考圖3，顯示具有全區(qū)域(區(qū)域1-64)的一晶圓，>50%局部區(qū)域(區(qū)域65-67，72-74，79-81，以及86-88)，以及〈50%局部區(qū)域(區(qū)域68-71，76-78，82-85，89-92)。在局部區(qū)域上壓印是一獨特的挑戰(zhàn)，其中在該模板上的該圖案化表面(亦即，壓印區(qū)域)定位與該晶圓緊密地接近，并不存在整個地出現(xiàn)于該模板與該晶圓之間的可成形的材料(亦即，壓印流體)。
[0033]本發(fā)明包括以上提及的系統(tǒng)與制程之方面及元件，鑒于本說明內(nèi)容，這對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是顯而易見的，并特別地提供通過相對于該模板之中心非對稱地調(diào)節(jié)該模板之形狀，在一基板上壓印局部區(qū)域的系統(tǒng)及方法。此非對稱模板調(diào)節(jié)有助于避免該模板與該基板之邊緣之間的接觸，或模板與未沉積或以其他方式建立該可成形的材料的該基板的任何區(qū)域之間的接觸。這是重要的，不僅避免模板損害并將模板使用壽命達到最大程度，而且使該壓印的局部區(qū)域及接續(xù)的壓印區(qū)域中，包括另外的局部區(qū)域和/或該基板外部的全區(qū)域，出現(xiàn)缺陷的情況降至最低。應(yīng)理解的是本文中所參考的晶圓之局部區(qū)域壓印作業(yè)的系統(tǒng)及方法僅為示例性的，并且該等系統(tǒng)及方法亦可適用在壓印其他型式、尺寸及形狀的基板，以及用于其他工業(yè)。
[0034]例如，于美國專利公開案第U.S.2008/0160129號中已說明調(diào)節(jié)壓印模板成一凸面形狀用于改良壓印制程期間壓印流體填注作業(yè)，其以全文參照方式并入本文中。然而，使用該方法用于壓印局部區(qū)域，特別是小于50%(〈50%)覆蓋的局部區(qū)域，能夠致使該模板之該最低撓曲點位于超出該晶圓之該邊緣的一位置處。如此，進而能夠致使該模板的一部分在該壓印區(qū)域的其他部分與沉積在該晶圓表面上的壓印流體接觸之前首先物理地碰觸該晶圓之該邊緣。如先前提及，如此能夠?qū)е掠诮永m(xù)的壓印區(qū)域中模板損害和/或產(chǎn)生缺陷。由于事實上，未有任何物理邊界以控制該壓印流體擴散，所以在局部區(qū)域壓印作業(yè)上產(chǎn)生附加的限制，典型地，需要限制壓印流體之沉積至大約距該晶圓邊緣I毫米。沉積壓印流體直到該晶圓邊緣會導(dǎo)致壓印材料擠壓超出該局部區(qū)域的所需的壓印面積，造成積聚在該模板上的剩余材料或擠壓部分，這會在接續(xù)的全區(qū)域壓印中形成缺陷。然而，以此方式限制壓印流體之沉積，讓該晶圓之該等邊緣部分無壓印流體。于是，假若壓印區(qū)域的任何部分這樣直接與該晶圓邊緣或無壓印流體的邊緣部分接觸，有潛在的風(fēng)險會對該模板造成永久的損害。
[0035]參考圖4A，當(dāng)對晶圓12上進行全區(qū)域壓印作業(yè)時，模板18(通過一模板卡盤固持，未顯示)可對稱地朝向晶圓12進行彎曲，從而對壓印流體液滴34呈現(xiàn)一凸?fàn)畋砻?，用于有效地將液滴擴散。能夠由圖4A知道，利用該對稱性彎曲，模板18之該最低撓曲點沿著中心軸Z1。然而，針對局部區(qū)域壓印作業(yè)，并且特別是小于50%之全區(qū)域面積(〈50%)的局部區(qū)域壓印作業(yè)，該模板18朝向晶圓12之對稱性彎曲能夠致使模板18接觸晶圓邊緣13，如圖4B-4C中所顯示。
[0036]現(xiàn)參考圖5，顯示本發(fā)明用于壓印局部區(qū)域之一示例性方法。如圖所示，模板18(同樣地通過一模板卡盤固持，未顯示)重迭地位于經(jīng)壓印的該局部區(qū)域內(nèi)，并非對稱地朝向該晶圓撓曲，使得模板18之最大或最低撓曲點P位于沿著軸Z2，該軸22與該模板18及模板卡盤(未顯示)之中心軸21平行但與其間隔開。此最低撓曲點P離開中心軸Z1的移動確保當(dāng)模板18降低接觸晶圓12時，模板18將初始接觸位于該局部區(qū)域中的壓印流體34，同時避免該模板與晶圓邊緣13之不良的接觸。
[0037]該模板之非對稱撓曲或彎曲能夠通過使用一致動系統(tǒng)而完成，該系統(tǒng)對夾定模板施加校準(zhǔn)、局部化力以引起該非對稱撓曲或彎曲。適合的致動系統(tǒng)包括但不限于氣動系統(tǒng)、壓電致動器、以及相似設(shè)備。轉(zhuǎn)向圖6，根據(jù)一具體實施例模板18是顯示為具有一致動系統(tǒng)。夾定模板18包括圓形凹入部分20，具有相對于該凹入部分20位在中心處的矩形壓印區(qū)域21，以及致動器61、62、63及64設(shè)置成接近該模板卡盤(未顯示)，并與凹入部分20重迭，且環(huán)繞壓印區(qū)域21。致動器61、62、63及64進一步地設(shè)置成接近壓印區(qū)域21之對應(yīng)的側(cè)面。通過將致動器61、62、63及64設(shè)置成接近但在壓印區(qū)域21之外，維持至壓印區(qū)域21的一清楚光學(xué)路徑，容許傳輸光化輻射用于固化壓印流體。例如通過一控制器(未顯示)，致動器61、62、63及64之每一個能夠獨立地致動，從而頂著凹入部分20供給一局部化力。通過單獨地或組合地改變致動器61、62、63及64中啟動的致動器，能夠?qū)⒛０?8非對稱地彎曲或撓曲成不同的構(gòu)造。
[0038]模板18上該最低或最大的撓曲點能夠通過該致動系統(tǒng)施加力的大小，以及施力(或多個力)之位置控制，并進一步取決于接近該壓印區(qū)域的該凹入部分空心(core — out)處該模板18之材料與厚度t。例如，圖7顯示模板18在接近該壓印區(qū)域處之凹入部分20具有厚度t。致動器63位于距模板18之中心軸21距離‘r’處，以及對凹入部分20施力F產(chǎn)生非對稱撓曲，使得該最低撓曲點P沿著軸Z2并與中心軸21間隔開一段距離。再者，該致動器能夠通過如于本文所說明構(gòu)造成致動該致動器的控制器(未顯示)所控制。
[0039]在某些變化形式中，該致動系統(tǒng)能夠由具有設(shè)置成與該模板之背側(cè)緊密地接近的氣動端口或槽縫的致動器組成。在圖8之該具體實施例中，致動器62a包括與槽縫74流體連通的氣動端口 72，槽縫74開放向模板18之凹入部分20。該致動器設(shè)置成距凹入部分20為高度h處。該氣動端口與一加壓空氣或氣體系統(tǒng)(未顯示)流體連通。增加槽縫74有助于使致動器62a長度的該壓力分布均勻一致。能夠通過致動器62a施加至模板凹入部分20的該致動力的大小可通過改變高度h以及經(jīng)由端口 72施加的該輸入壓力P來控制。
[0040]可任擇地，該致動系統(tǒng)能夠利用壓電致動器。在圖9之該具體實施例中，致動器62b包括一壓電致動器82之陣列，其設(shè)置成接觸模板18之凹入部分20之背側(cè)。無論是單獨地還是與附加致動器(未顯示)中的壓電致動器組合地，可通過選擇性地啟動一個或多個壓電致動器82，完成模板18之非對稱調(diào)節(jié)。
[0041]參考圖1及6，當(dāng)壓印局部區(qū)域時，該晶圓上的該局部區(qū)域相對于該模板18上壓印區(qū)域的取向的尺寸及位置(亦即，其尺寸與坐標(biāo))將支配可啟動哪個致動器61、62、63、65以及以多大的強度來啟動，從而控制該局部區(qū)域內(nèi)模板18與壓印流體34之間該初始接觸點。當(dāng)一已知致動器之該致動強度增加時，撓曲距該壓印流體之該中心的偏移‘a(chǎn)’增加，從而確保該模板首次碰觸壓印流體在該受壓印的局部區(qū)域內(nèi)側(cè)，如于圖7中進一步地顯示。
[0042]利用模板之非對稱撓曲或彎曲，該初始接觸點能夠控制在該受壓印的局部區(qū)域內(nèi)。在該壓印流體以液滴方式沉積時，接觸的液滴將擴散及聚結(jié)以及流體前緣將由初始的接觸點向外朝向該壓印流體之邊界擴散。由于該晶圓與該模板之間的相對曲率，該擴散速度將為非對稱的。因此，除了本文中說明的非對稱形狀調(diào)整之外，該模板能夠進一步地相對于該晶圓傾斜，如在圖10之該具體實施例中所顯示，從而控制該流體擴散速度以及增加介于模板18之未與壓印流體34接觸的該凹入部分20與晶圓邊緣13之間的該段距離或高度h。再者，增加模板18與晶圓12之間的高度h有助于防止與晶圓12實體接觸形成的模板18損害。
[0043]另一壓印局部區(qū)域的方法包含使用該模板之該背部上的控制低真空度來產(chǎn)生模板的一凹面輪廓。如此確保當(dāng)接觸該晶圓時，該模板之該最低點是為該壓印流體的四個角落。所使用的該真空程度視該模板平臺高度、該模板上該空心跨距及空心厚度而定。該方法的一具體實施例在圖11中顯示。模板18之凹入部分20包含該壓印流體，其承受經(jīng)控制的低真空壓力，產(chǎn)生該凹入部分20離開晶圓12，且重要地離開邊緣13的一凹面撓曲。介于該模板18與壓印流體之間的初始接觸位于凹入部分20局部壓印區(qū)域的該角落處。當(dāng)模板18之凹入部分20的背部上的真空壓力松弛時，凹入部分20之該撓曲是逐漸地降低，使該流體前緣能夠朝向該壓印流體之該中心擴散。如此壓印方法亦能夠與如本文先前說明的模板傾斜作業(yè)結(jié)合，以增加模板與晶圓之間該段距離，以及避免模板與晶圓接觸。
[0044]根據(jù)說明書，不同方面的其它修改和替代實施方式對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，此說明視為僅具說明性的。應(yīng)了解的是與此顯示及說明的該等形式是采用作為具體實施例之實例。元件及材料可取代該等于此所說明及描述者，部件與制程能夠反向，以及可獨立地利用某些特性，所有這些對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言都是顯而易見的?？稍诓黄x下文權(quán)利要求所述的精神和范圍之內(nèi)，對本文說明的元件作改變。
【主權(quán)項】
1.一種用于壓印基板之局部區(qū)域的納米壓印光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含: 一模板卡盤，所述模板卡盤構(gòu)造成維持壓印光刻模板，該模板卡盤具有中心軸，所述中心軸相對于該模板卡盤垂直地進行取向，并且當(dāng)模板維持于所述模板卡盤上時，所述中心軸通過該模板之中心；以及 設(shè)置成與該模板卡盤接近并且在與該中心軸間隔開之位置的多個致動器，所述致動器中的每一個都能夠向該維持的模板提供力，以使該被維持的模板的部分遠離該模板卡盤而撓曲；以及 一控制器，其構(gòu)造成使所述致動器以下述方式致動:使得該被維持的模板的一部分非對稱地遠離該模板卡盤而撓曲，以使該模板之最大撓曲出現(xiàn)在與該中心軸間隔開的一位置。2.如權(quán)利要求1所述的納米壓印光刻系統(tǒng)，其中該維持的模板進一步包括壓印區(qū)域，以及其中所述致動器進行進一步設(shè)置以配置在該壓印區(qū)域之外。3.如權(quán)利要求1所述的納米壓印系統(tǒng)，其中所述控制器進一步構(gòu)造成根據(jù)在基板上待壓印的已知局部區(qū)域的坐標(biāo)與尺寸，控制由每一致動器所施加的力大小。4.如權(quán)利要求1所述的納米壓印系統(tǒng)，其中該控制器進一步構(gòu)造成根據(jù)該維持的模板之材料與厚度，控制由每一致動器所施加的力大小。5.如權(quán)利要求1所述的納米壓印光刻系統(tǒng)，其中該模板卡盤可繞著與該維持的模板平行并垂直于該中心軸的一軸轉(zhuǎn)動，從而容許該模板卡盤以及維持于其上的模板相對于基板傾斜，所述基板與該模板卡盤及維持的模板重迭配置。6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的納米壓印光刻系統(tǒng)，其中該致動器包含氣動端口或槽縫，其提供加壓空氣或氣體作為致動力。7.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的納米壓印光刻系統(tǒng)，其中該致動器是壓電致動器。8.—種用于壓印基板之局部區(qū)域的方法，該方法包含: 提供具有中心的壓印光刻模板，該中心限定中心軸，所述中心軸在與該模板垂直的一方向上通過該中心； 設(shè)置該壓印光刻模板，使得該壓印光刻模板的一部分與該基板上的局部區(qū)域重迭； 在該基板的該局部區(qū)域上沉積可聚合的材料； 改變該模板之形狀，使得該模板的一部分非對稱地朝向該基板的該局部區(qū)域進行彎曲，并且該彎曲部分之最大撓曲出現(xiàn)在與該中心軸間隔開的一位置； 使該沉積的可聚合材料與該模板接觸；以及 使該可聚合材料固化以在該基板上形成局部區(qū)域壓印。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該模板與可聚合材料之間的初始接觸點在與該中心軸間隔開的位置處。10.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其進一步包含將該模板相對于該基板傾斜的步驟。11.一種用于壓印基板之局部區(qū)域的方法，該方法包含: 提供具有中心的壓印光刻模板，該中心限定中心軸，所述中心軸在與該模板垂直的一方向上通過該中心； 設(shè)置該壓印光刻模板，使得該壓印光刻模板的一部分與該基板上的局部區(qū)域重迭； 在該基板的該局部區(qū)域上沉積可聚合的材料； 改變該模板之形狀，使得該模板之一部分遠離該基板之局部區(qū)域而進行凸面地彎曲； 在與該模板之該中心軸間隔開的一個或多個位置處，使該沉積的可聚合材料初始地接觸該模板;以及 使該可聚合材料固化以在該基板上形成一局部區(qū)域壓印。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該改變形狀的步驟進一步包含對該模板施以背壓。13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其進一步包含將該模板相對于該基板傾斜的步驟。
【文檔編號】H01L21/027GK106030756SQ201480071488
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2014年12月31日
【發(fā)明人】M·加納帕斯蘇伯拉曼尼安, M·M·金凱德, 崔炳鎮(zhèn), S·V·斯里尼瓦桑
【申請人】佳能納米技術(shù)公司