技術(shù)編號：11634857
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及一種在蒸發(fā)靶標材料以產(chǎn)生在電磁光譜的極紫外(“EUV”)部分中的輻射的系統(tǒng)中使用的光學(xué)器件。背景技術(shù)例如具有大約50nm或更小波長的電磁輻射(也有時稱作軟x射線)、以及包括在大約13.5nm波長的光的極紫外光可以用于光刻工藝中，以在諸如硅晶片之類的襯底中產(chǎn)生極小的特征。在此以及他處使用術(shù)語“光”，即使應(yīng)該理解的是，使用該術(shù)語描述的輻射可以不在光譜的可見部分中。用于產(chǎn)生EUV光的方法包括將靶標材料從液體狀態(tài)轉(zhuǎn)換為等離子體狀態(tài)。靶標材料優(yōu)選地包括具有在光譜的EUV部分中的一個或多個發(fā)射譜線...
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