陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，該顯示裝置包括：陣列基板和彩膜基板，該陣列基板包括：第一基板；垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于第一基板上；有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于柵線和數(shù)據(jù)線的上方，有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除柵線和數(shù)據(jù)線造成的段差；薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；第一遮光層，形成于薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，第一遮光層至少能夠遮擋源電極和漏電極之間的區(qū)域；該彩膜基板包括：第二基板；彩色樹脂濾光層，形成于第二基板之上。采用本發(fā)明的方案，可以提高顯示裝置的透過率。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參考圖1至圖3，現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-1XD)面板包括:陣列基板100和彩膜基板200，該陣列基板100包括:第一基板101以及形成于所述第一基板101上的柵線(圖未示出)、數(shù)據(jù)線(圖未示出)、柵電極102、柵絕緣層103、有源層104、源電極105、漏電極106、鈍化(PVX)層107以及像素電極108。該彩膜基板200包括:第二基板201、遮光層202、彩色濾光片203及公共電極204。
[0003]上述陣列基板100上的柵線和數(shù)據(jù)線會(huì)引起段差，導(dǎo)致柵線和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域發(fā)生漏光。為了遮擋柵線和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的漏光，現(xiàn)有技術(shù)中是在彩膜基板200的對(duì)應(yīng)柵線和數(shù)據(jù)線區(qū)域的位置上設(shè)置遮光層202。然而，該遮光層202會(huì)導(dǎo)致顯示裝置的透過率降低。從圖3中可以看出，背光300無法透過遮光層202所在的區(qū)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用以提高顯示裝置的透過率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板包括:第一基板，以及形成于所述第一基板上的垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，還包括:
[0006]有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差。
[0007]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)閾值為2微米。
[0008]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括:
[0009]薄膜晶體管及像素電極，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；以及
[0010]第一遮光層，形成于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述有機(jī)絕緣膜層覆蓋于所述源電極、所述漏電極及所述第一遮光層之上，其中，所述像素電極形成于所述有機(jī)絕緣膜層之上。
[0012]優(yōu)選地，所述有機(jī)絕緣膜層覆蓋于所述源電極和所述漏電極之上；其中，所述第一遮光層和所述像素電極形成于所述有機(jī)絕緣膜層之上。
[0013]優(yōu)選地，所述第一遮光層為黑矩陣。
[0014]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其特征在于，包括上述陣列基板。
[0015]本發(fā)明還提一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括:
[0016]第一基板；
[0017]垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于所述第一基板上；[0018]有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差；
[0019]薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；
[0020]第一遮光層，形成于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域；
[0021]所述彩膜基板包括:
[0022]第二基板；
[0023]彩色樹脂濾光層，形成于所述第二基板之上。
[0024]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括:
[0025]第一基板；
[0026]垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于所述第一基板上；
[0027]有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差；
[0028]薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；
[0029]所述彩膜基板包括:
[0030]第二基板；
[0031]第二遮光層，形成于所述第二基板上，所述第二遮光層的位置與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)；
[0032]彩色樹脂濾光層，形成于所述第二遮光層上。
[0033]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0034]在第一基板上形成垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線；
[0035]在所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方形成有機(jī)絕緣膜層，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差。
[0036]優(yōu)選地，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0037]在由垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管；
[0038]在所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上形成第一遮光層，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域。
[0039]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0040]通過在陣列基板的柵線和數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有機(jī)絕緣膜層，以消除由柵線和數(shù)據(jù)線造成的段差，因此可以將彩膜基板上的與柵線和數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)設(shè)置的遮光層去除，以提高顯示裝置的透過率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖2為圖1中的陣列基板的A-A截面結(jié)構(gòu)示意圖
[0043]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-1XD面板成盒后數(shù)據(jù)線B-B截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；[0045]圖5為圖4中的陣列基板的C-C截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖6為本發(fā)明實(shí)施例一的TFT-1XD面板成盒后數(shù)據(jù)線D-D截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:
[0050]第一基板；
[0051]形成于所述第一基板上的垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線；以及
[0052]有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差。
[0053]上述預(yù)設(shè)閾值可以為2微米，優(yōu)選地，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚為2-5微米。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例中，通過在陣列基板的柵線和數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有機(jī)絕緣膜層，以消除由柵線和數(shù)據(jù)線造成的段差，因此可以將彩膜基板上的與柵線和數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)設(shè)置的遮光層去除，以提高顯示裝置的透過率。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板還包括:薄膜晶體管及像素電極，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)。
[0056]所述薄膜晶體管又包括:源電極和漏電極，源電極和漏電極之間的區(qū)域(即溝道區(qū)域)如果受外界光線的影響會(huì)產(chǎn)生光電流，導(dǎo)致所述溝道區(qū)域漏光。為了遮擋所述溝道區(qū)域的漏光，可以在彩膜基板的所述溝道區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置遮光層。另外，因考慮成盒工藝的對(duì)位精度，確保成盒后的顯示裝置不漏光，設(shè)計(jì)上都會(huì)增加遮光層的線寬，然而增加遮光層的線寬將導(dǎo)致顯示裝置的透過率降低。
[0057]為了解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板還可以包括:
[0058]第一遮光層，形成于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域(即溝道區(qū)域)。
[0059]該第一遮光層可以是黑矩陣，或者其他材料的遮光層。
[0060]在陣列基板上設(shè)置用于遮擋源電極和漏電極之間的區(qū)域的第一遮光層，同時(shí)去除設(shè)置于彩膜基板上的與所述溝道區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的遮光層，從而在保證成盒后的顯示裝置不漏光的同時(shí)，進(jìn)一步提高了顯示裝置的透過率。
[0061]上述薄膜晶體管可以具體包括:
[0062]柵電極，形成于所述第一基板之上。
[0063]柵絕緣層，形成于所述柵電極之上；
[0064]有源層，形成于所述柵絕緣層之上；
[0065]源電極和漏電極形成于所述有源層之上，其中，所述漏電極與像素電極連接。
[0066]上述實(shí)施例中的有機(jī)絕緣膜層可以覆蓋于所述源電極、所述漏電極及所述第一遮光層之上，其中，所述像素電極形成于所述有機(jī)絕緣膜層之上。
[0067]此外，上述實(shí)施例中的有機(jī)絕緣膜層還可以覆蓋于所述源電極和所述漏電極之上；其中，所述第一遮光層和所述像素電極形成于所述有機(jī)絕緣膜層之上。
[0068]上述實(shí)施例中的有機(jī)絕緣膜層由于其膜厚較厚，除了可以消除數(shù)據(jù)線及柵線造成的段差之外，還可以使得陣列基板上的柵電極及像素電極之間的距離變大，降低了柵電極及像素電極之間的存儲(chǔ)電容(Cst)，從而可以為設(shè)計(jì)和制備高解像度(PPI)的顯示裝置提供條件。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其中，
[0071]所述陣列基板包括:
[0072]第一基板；
[0073]垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于所述第一基板上；
[0074]有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差；
[0075]薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；
[0076]第一遮光層，形成于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域(溝道區(qū)域);
[0077]所述彩膜基板在所述溝道區(qū)域?qū)?yīng)的位置上不設(shè)置遮光層，所述彩膜基板包括:
[0078]第二基板；
[0079]彩色樹脂濾光層，形成于所述第二基板之上。
[0080]上述顯示裝置通過在陣列基板的柵線和數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有機(jī)絕緣膜層，以消除由柵線和數(shù)據(jù)線造成的段差，因此可以將彩膜基板上的與柵線和數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)設(shè)置的遮光層去除，以提高顯示裝置的透過率。此外，在陣列基板上設(shè)置用于遮擋源電極和漏電極之間的區(qū)域的第一遮光層，同時(shí)去除設(shè)置于彩膜基板上的與所述溝道區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的遮光層，從而在保證成盒后的顯示裝置不漏光的同時(shí)，進(jìn)一步提高了顯示裝置的透過率。
[0081]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其中，
[0082]所述陣列基板包括:
[0083]第一基板；
[0084]垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于所述第一基板上；
[0085]有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差；
[0086]薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；
[0087]所述彩膜基板包括:
[0088]第二基板；
[0089]第二遮光層，形成于所述第二基板上，所述第二遮光層的位置與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)；
[0090]彩色樹脂濾光層，形成于所述第二遮光層上。
[0091]上述顯示裝置通過在陣列基板的柵線和數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有機(jī)絕緣膜層，以消除由柵線和數(shù)據(jù)線造成的段差，因此可以將彩膜基板上的與柵線和數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)設(shè)置的遮光層去除，以提高顯示裝置的透過率。
[0092]上述實(shí)施例中的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED (Organic LightEmitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)或平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0093]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0094]在第一基板上形成垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線；
[0095]在所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方形成有機(jī)絕緣膜層，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差。
[0096]為了避免源電極和漏電極之間的區(qū)域漏光，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法還可以包括以下步驟:
[0097]在由垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管；
[0098]在所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上形成第一遮光層，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域。
[0099]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0100]實(shí)施例一
[0101]請(qǐng)參考圖4至圖5，為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板400為扭曲向列型(TN)模式的陣列基板，包括:
[0102]第一基板401;
[0103]柵線(圖未示出)和柵電極402，形成于所述第一基板401之上；
[0104]柵絕緣層403，形成于所述柵線和柵電極402之上；
[0105]有源層404，形成于所述柵絕緣層403之上；
[0106]數(shù)據(jù)線(圖未不出)、源電極405和漏電極406,形成于所述有源層404之上；
[0107]第一遮光層407，形成于所述源電極405和所述漏電極406之上，至少能夠遮擋所述源電極405和所述漏電極406之間的區(qū)域；
[0108]有機(jī)絕緣膜層408，形成于所述第一遮光層407之上；
[0109]像素電極409，形成于所述有機(jī)絕緣膜層408之上，與所述漏電極406連接。
[0110]請(qǐng)參考圖6，為本發(fā)明實(shí)施例一的TFT-LCD面板成盒后數(shù)據(jù)線D-D截面結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示裝置除了包括上述陣列基板400之外，還包括彩膜基板500，所述彩膜基板包括:第二基板501、彩色樹脂濾光層502及公共電極503。
[0111]從圖6中可以看出，除了第一遮光層407區(qū)域的背光300無法透過，其他區(qū)域的背光300均可以透過，從而提高了顯示裝置的透過率。
[0112]本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法包括以下步驟:
[0113]I)提供一第一基板401;
[0114]2)在第一基板401上形成柵線(圖未示出)和柵電極402 ；
[0115]3)在形成有所述柵線和柵電極402的基板401上形成柵絕緣層403 ；
[0116]4)在形成有所述柵絕緣層403的基板401上形成有源層404 ；
[0117]5)在形成有所述有源層404的基板401上形成數(shù)據(jù)線(圖未示出)、源電極405和漏電極406 ；
[0118]上述步驟I)至5 )可按照傳統(tǒng)工藝形成。
[0119]6)在源電極405和漏電極406上形成第一遮光層407 ；[0120]具體的，可通過對(duì)形成有數(shù)據(jù)線、源電極405和漏電極406的第一基板401進(jìn)行清洗，然后涂布遮光材料薄膜和光刻膠(PR)，進(jìn)行曝光、顯影以及烘烤工藝，形成第一遮光層407的圖形。
[0121]7)在形成有所述第一遮光層407的基板401上形成有機(jī)絕緣膜層408 ；
[0122]具體的，可通過對(duì)形成有第一遮光層407的第一基板401進(jìn)行清洗，然后涂布有機(jī)絕緣材料薄膜，進(jìn)行曝光、顯影以及烘烤工藝，形成表面平坦的有機(jī)絕緣膜層408。
[0123]8)在有機(jī)絕緣膜層408上形成像素電極409。
[0124]最后，按照傳統(tǒng)工藝形成像素電極409，從而完成陣列基板的制備。
[0125]本發(fā)明實(shí)施例的彩膜基板的制備方法包括以下步驟:
[0126]I)提供一第二基板501 ；
[0127]2)在第二基板501上形成彩色樹脂濾光層502 ；
[0128]3)在彩色樹脂濾光層502上形成公共電極503。
[0129]在有些實(shí)施例中，彩膜基板500還可以包括柱狀隔墊物(PS)，因此，在形成公共電極503之后，還可以包括形成柱狀隔墊物的步驟。
[0130]實(shí)施例二
[0131]請(qǐng)參考圖7,為本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖，該陣列基板400為聞級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(ADS)或平面轉(zhuǎn)換(IPS)模式的陣列基板，包括依次設(shè)置的:
[0132]第一基板401;
[0133]公共電極410，形成于所述第一基板401上；
[0134]柵線(圖未示出)和柵電極402，形成于所述第一基板401上；
[0135]柵絕緣層403，形成于柵線和所述柵電極402及公共電極410之上；
[0136]有源層404，形成于所述柵絕緣層403之上；
[0137]數(shù)據(jù)線(圖未示出)、源電極405和漏電極406 ；
[0138]第一遮光層407，形成于所述源電極405和所述漏電極406之上，至少能夠遮擋所述源電極405和所述漏電極406之間的區(qū)域；
[0139]有機(jī)絕緣膜層408;
[0140]像素電極409，形成于所述有機(jī)絕緣膜層408之上，與所述漏電極406連接。
[0141]請(qǐng)參考圖8，為包括圖7中的陣列基板的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示裝置除了包括上述陣列基板400之外，還包括彩膜基板500，所述彩膜基板包括:第二基板501和彩色樹脂濾光層502。
[0142]從圖8中可以看出，除了第一遮光層407區(qū)域的背光300無法透過，其他區(qū)域的背光300均可以透過，從而提高了顯示裝置的透過率。
[0143]本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法包括以下步驟:
[0144]I)提供一第一基板401 ；
[0145]2)在第一基板401上形成公共電極410 ;
[0146]3)在第一基板401上形成柵線(圖未示出)和柵電極402 ；
[0147]4)在形成有柵線和柵電極402的第一基板401上形成柵絕緣層403 ；
[0148]5)在形成有柵絕緣層403的第一基板401上形成有源層404 ；
·[0149]6)在形成有有源層404的第一基板401上形成數(shù)據(jù)線(圖未示出)、源電極405和漏電極406 ；
[0150]上述步驟I)至6 )可按照傳統(tǒng)工藝形成。
[0151]7)在源電極405和漏電極406上形成第一遮光層407 ；
[0152]具體的，可通過對(duì)形成有數(shù)據(jù)線、源電極405和漏電極406的第一基板401進(jìn)行清洗，然后涂布遮光材料薄膜和光刻膠(PR)，進(jìn)行曝光、顯影以及烘烤工藝，形成第一遮光層407的圖形。
[0153]8)在形成有第一遮光層407的第一基板401上形成有機(jī)絕緣膜層408 ；
[0154]具體的，可通過對(duì)形成有第一遮光層407的第一基板401進(jìn)行清洗，然后涂布有機(jī)絕緣材料薄膜，進(jìn)行曝光、顯影以及烘烤工藝，形成表面平坦的有機(jī)絕緣膜層408。
[0155]9)在有機(jī)絕緣膜層408上形成像素電極409。
[0156]最后，按照傳統(tǒng)工藝形成像素電極409，從而完成陣列基板的制備。
[0157]本發(fā)明實(shí)施例的彩膜基板的制備方法包括以下步驟:
[0158]I)提供一第二基板501 ；
[0159]2)在第二基板501上形成彩色樹脂濾光層502。
[0160]在有些實(shí)施例中，彩膜基板500還可以包括柱狀隔墊物(PS)，因此，在形成彩色樹脂濾光層502之后，還可以包括形成柱狀隔墊物的步驟。
[0161]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:第一基板，以及形成于所述第一基板上的垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，還包括: 有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)設(shè)閾值為2微米。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 薄膜晶體管及像素電極，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；以及 第一遮光層，形成于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜層覆蓋于所述源電極、所述漏電極及所述第一遮光層之上，其中，所述像素電極形成于所述有機(jī)絕緣膜層之上。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜層覆蓋于所述源電極和所述漏電極之上；其中，所述第一遮光層和所述像素電極形成于所述有機(jī)絕緣膜層之上。
6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光層為黑矩陣。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種顯示裝置，包括陣 列基板和彩膜基板，其特征在于， 所述陣列基板包括: 第一基板； 垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于所述第一基板上； 有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差； 薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置的所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)；第一遮光層，形成于所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電極之間的區(qū)域； 所述彩膜基板包括: 第二基板； 彩色樹脂濾光層，形成于所述第二基板之上。
9.一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于， 所述陣列基板包括: 第一基板； 垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，形成于所述第一基板上； 有機(jī)絕緣膜層，覆蓋于所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差； 薄膜晶體管，設(shè)置于由垂直交叉設(shè)置所述多條柵線和數(shù)據(jù)線限定出的像素區(qū)域內(nèi)； 所述彩膜基板包括: 第二基板； 第二遮光層，形成于所述第二基板上，所述第二遮光層的位置與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)；彩色樹脂濾光層，形成于所述第二遮光層上。
10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在第一基板上形成垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線； 在所述柵線和數(shù)據(jù)線的上方形成有機(jī)絕緣膜層，所述有機(jī)絕緣膜層的膜厚大于預(yù)設(shè)閾值，用于消除所述柵線和所述數(shù)據(jù)線造成的段差。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括: 在由垂直交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管的源電極和漏電極之上形成第一遮光層，所述第一遮光層至少能夠遮擋所述源電極和所述漏電`極之間的區(qū)域。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103676281SQ201310717336
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】吳洪江, 李圭鉉, 袁劍峰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司