專利名稱：陣列基板以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch,ADS)是平面電場寬視角核心技術(shù)，其通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠廣生旋轉(zhuǎn)。從而提聞了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提聞TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。目前ADS面板被廣泛使用，其改進(jìn)技術(shù)還有高開口率的ADS(也稱作H-ADS)，常用 的小尺寸高開口率ADS顯示面板為了獲得高開口率對數(shù)據(jù)(S/D)線進(jìn)行屏蔽(Shielding)，傳統(tǒng)的屏蔽方式為將數(shù)據(jù)線用公共電極進(jìn)行屏蔽，即在數(shù)據(jù)線上方也設(shè)置公共電極。但是，數(shù)據(jù)線和公共電極會產(chǎn)生耦合電容，由于對于顯示面板來說，其上所設(shè)置的數(shù)據(jù)線眾多，且施加在數(shù)據(jù)線上的電壓是變化的，因此，會增大數(shù)據(jù)IC的負(fù)載，增加了面板的功耗。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中存在一種采用了一層樹脂(Res in )層的ADS顯示面板。如圖廣4所示，該顯示面板的陣列基板上依次形成有柵金屬層(包括柵極101、柵線102以及公共電極線103)、柵絕緣層2、源漏金屬層(包括源電極301、漏電極302以及數(shù)據(jù)線303)、樹脂層4、公共電極層(包括公共電極501)、鈍化層6、以及像素電極層(包括多個條狀像素電極701)。其中，像素電極701通過鈍化層601過孔以及樹脂層401過孔與漏電極301電連接，公共電極501通過鈍化層過孔601與公共電極線103電連接。該顯示面板在形成柵金屬層、源漏金屬層之后，使用涂布工藝涂布了一層樹脂層4，而后在該樹脂層4上方形成公共電極501以及像素電極701等結(jié)構(gòu)，其中，公共電極501不僅形成在顯示區(qū)域，還形成在數(shù)據(jù)線303上方，樹脂層4的設(shè)置減少了數(shù)據(jù)線303和公共電極501之間的耦合，面板功耗有所降低，進(jìn)而由于耦合電容而導(dǎo)致的相關(guān)不良也得到了改善。但是，由于增加了樹脂層4，為了實現(xiàn)像素電極701與漏電極302之間的電連接，需要形成該樹脂層過孔，由于樹脂層的存在，像素電極701與漏電極302之間的厚度增加，因此，樹脂層過孔的上開口會做的較一般的鈍化層過孔更大，且漏電極302有具有一定的寬度，為了防止漏光，彩膜基板上對應(yīng)該處漏電極302的黑矩陣寬度會更大些。隨著面板尺寸的增大，分辨率的提高，像素面積越來越小，這樣的結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生較大的開口率損失，影響面板的分辨率。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種保證較高的開口率和分辨率的陣列基板以及顯示裝置，且又能避免由于數(shù)據(jù)線和公共電極的耦合所導(dǎo)致的相關(guān)不良及功耗高的問題。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義的若干像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極及公共電極，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極不重疊。其中，所述柵線上方設(shè)置所述公共電極。其中，所述像素電極為狹縫像素電極，公共電極為板狀電極，每條所述狹縫像素電極與所述柵線平行。
其中，所述公共電極為狹縫公共電極，像素電極為板狀電極，每條所述狹縫公共電極與所述柵線平行。其中，所述柵線上方設(shè)有所述狹縫公共電極；位于所述柵線上方的狹縫公共電極的數(shù)量為一條，而且該狹縫公共電極在陣列基板上的投影覆蓋所述柵線。其中，所述像素電極與所述公共電極之間還設(shè)置有絕緣層。其中，所述像素電極與所述公共電極均為狹縫電極，交叉設(shè)置于同一層。其中，所述柵線和公共電極之間設(shè)有絕緣層。其中，所述像素電極和數(shù)據(jù)線之間設(shè)有絕緣層。其中，所述像素電極和數(shù)據(jù)線位于同一層。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。(三)有益效果本發(fā)明的陣列基板以及顯示裝置，數(shù)據(jù)線與所述公共電極不重疊，即數(shù)據(jù)線與公共電極在基板上的投影不重疊，確保數(shù)據(jù)線與公共電極的耦合電容Cd。最小化，從而降低數(shù)據(jù)線的負(fù)載，使面板功率降低，且避免數(shù)據(jù)線與公共電極之間的耦合所導(dǎo)致的相關(guān)顯示品質(zhì)問題；此外，其結(jié)構(gòu)簡單，制備容易，且與插入樹脂層的結(jié)構(gòu)相比，同等條件下的開口率較高，較適用于大尺寸的面板。


圖I為傳統(tǒng)的插入樹脂層的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I所示的陣列基板沿A-A’線的橫截面視圖；圖3為圖I所示的陣列基板沿B-B’線的橫截面視圖；圖4為圖I所示的陣列基板沿C-C’線的橫截面視圖；圖5為依照本發(fā)明一種實施方式的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5所示的陣列基板沿A-A’線的橫截面視圖；圖7為圖5所示的陣列基板沿B-B’線的橫截面視圖。
具體實施例方式本發(fā)明提出的陣列基板以及顯示裝置，結(jié)合附圖及實施例詳細(xì)說明如下。如圖5 7所示，依照本發(fā)明一種實施例的陣列基板包括形成在基板上的若干柵線102、數(shù)據(jù)線303及柵線102和數(shù)據(jù)線303之間定義的若干像素單元。還包括與公共電極連接的公共電極線(圖中未示出)。該像素單元還包括薄膜晶體管、像素電極701和公共電極501。薄膜晶體管的柵極101與柵線102同層形成，源極301連接數(shù)據(jù)線303，漏極302通過過孔(圖中未示出)連接像素電極701。數(shù)據(jù)線303與公共電極不重疊，即數(shù)據(jù)線303在陣列基板上的投影與公共電極501在陣列基板上的投影不重疊。這樣可以確保陣列基板上的數(shù)據(jù)線上方?jīng)]有公共電極從而使公共電極與數(shù)據(jù)線的耦合電容Cd?？梢宰钚』＿M(jìn)一步的，柵線102上方設(shè)置公共電極501，數(shù)據(jù)線303與公共電極501不重疊。進(jìn)一步的，柵線與公共電極之間設(shè)置有絕緣層，確保兩者之間沒有電連接，如圖7所示的，公共電極501完全覆蓋于柵線102上方，且兩者之間還設(shè)有柵絕緣層2和絕緣層6。像素電極701和數(shù)據(jù)線303位于同一層，但兩者在基板上的投影不重疊，像素電極701和數(shù)據(jù)線303也可位于不同層，位于不同層時兩者之間具有絕緣層且兩者在基板上的投影不重疊。陣列基板上還包括與公共電極501連接的公共電極線(圖中未示出)。本實施例中，公共電極501為板狀電極，像素電極701為狹縫像素電極，兩者之間設(shè)置有絕緣層6。板狀的公共電極501位于柵線102上方，公共電極501和柵線102之間設(shè)有絕緣層(如圖6和7所示，絕緣層為絕緣層6和柵絕緣層2)，且公共電極501完全覆蓋柵線102。數(shù)據(jù)線303與公共電極501不重疊，即數(shù)據(jù)線303在基板上投影和公共電極501 在基板上的投影沒有重疊區(qū)域。本實施例中，柵線上方設(shè)置的公共電極具有能夠?qū)啪€完全遮擋住的寬度，以對柵線進(jìn)行屏蔽，同時數(shù)據(jù)線與公共電極在基板上的投影不重疊，可以確保數(shù)據(jù)線與公共電極的耦合電容最小化，且能避免因耦合電容導(dǎo)致的顯示品質(zhì)問題。與現(xiàn)有技術(shù)中使用公共電極對數(shù)據(jù)線進(jìn)行屏蔽的像素結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明的上述像素結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)線的驅(qū)動負(fù)載將顯著下降，在保證同樣的開口率的前提下，數(shù)據(jù)驅(qū)動IC的功耗將下降35%作用。另外，用公共電極對柵線進(jìn)行屏蔽，相比通入時刻變化的電壓信號的數(shù)據(jù)線(通入的數(shù)據(jù)線上的電壓信號與公共電壓信號的差值不大)，公共電極上通入的信號為恒定的電壓信號，且柵線上通入的開啟和關(guān)閉電壓信號會遠(yuǎn)大于公共電壓信號，柵線與公共電極之間即便會產(chǎn)生稱合電容，對于柵極驅(qū)動IC來講，其負(fù)載遠(yuǎn)小于以公共電極屏蔽數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)驅(qū)動IC的負(fù)載，整個像素結(jié)構(gòu)甚至包括該像素結(jié)構(gòu)的陣列基板以及顯示裝置的功耗將顯著下降。進(jìn)一步地，狹縫的像素電極701的每一條像素電極與柵線102平行，即與柵線102平行延伸設(shè)置，通常液晶分子的取向方向與狹縫像素電極的延伸方向一致，即像素電極上取向膜的Rubbing摩擦方向與狹縫像素電極平行設(shè)置，這樣，數(shù)據(jù)線303與狹縫像素電極701相互垂直，此時靠近兩側(cè)數(shù)據(jù)線303側(cè)的電場方向與液晶分子的排列方向一致，則此處的液晶分子沒有力矩不會發(fā)生旋轉(zhuǎn)，因此數(shù)據(jù)線303兩側(cè)不會產(chǎn)生漏光現(xiàn)象，與數(shù)據(jù)線303相對應(yīng)的遮光層可以縮小寬幅，相對狹縫的像素電極701與數(shù)據(jù)線303平行延伸設(shè)置的方式增大了開口率。本發(fā)明的陣列基板并不限于上述實施例的方案，例如公共電極為狹縫公共電極，像素電極為板狀電極，此時的公共電極位于像素電極的上方，公共電極與像素電極之間設(shè)有絕緣層，保證狹縫公共電極與數(shù)據(jù)線在基板上的投影不重疊即可，優(yōu)選地，狹縫公共電極與柵線102平行。優(yōu)選的所述柵線上方設(shè)有所述狹縫公共電極；位于所述柵線上方的狹縫公共電極的數(shù)量為一條，而且該狹縫公共電極在陣列基板上的投影覆蓋所述柵線。公共電極501和像素電極701還可以都是狹縫電極，兩者交叉設(shè)置且不接觸，因此可位于同一層。當(dāng)然保證狹縫公共電極與數(shù)據(jù)線在基板上的投影不重疊即可，優(yōu)選的狹縫公共電極的其中一條公共電極完全覆蓋柵線即可。優(yōu)選地，狹縫的公共電極和像素電極均與柵線102平行。此外，本發(fā)明還提供了一種包括多個上述陣列基的顯示裝置。該顯示裝置可以是液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。另外，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可使用熟知的制備工藝來制備本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板以及顯示裝置的制備。與現(xiàn)有的插入樹脂層的結(jié)構(gòu)相比，由于少了一層樹脂層，便減少了一次MASK的使用，另外，由于不需要形成樹脂層過孔，在同樣的條件下，不會影響像素結(jié)構(gòu)的開口率，即便是面板尺寸較大的時候。因此，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板以及顯示裝置的適用范圍更廣。 以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制。盡管參照實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行各種組合、修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義的若干像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極及公共電極，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極不重疊。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線上方設(shè)置所述公共電極。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為狹縫像素電極，公共電極為板狀電極，每條所述狹縫像素電極與所述柵線平行。
4.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為狹縫公共電極，像素電極為板狀電極，每條所述狹縫公共電極與所述柵線平行。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線上方設(shè)有所述狹縫公共電極；位于所述柵線上方的狹縫公共電極的數(shù)量為一條，而且該狹縫公共電極在陣列基板上的投影覆蓋所述柵線。
6.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極與所述公共電極之間還設(shè)置有絕緣層。
7.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極與所述公共電極均為狹縫電極，交叉設(shè)置于同一層。
8.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線和公共電極之間設(shè)有絕緣層。
9.如權(quán)利要求rs中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極和數(shù)據(jù)線之間設(shè)有絕緣層。
10.如權(quán)利要求rs中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極和數(shù)據(jù)線位于同一層。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求f 10中任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該陣列基板包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義的若干像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極及公共電極，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極不重疊。本發(fā)明還公開了一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明的陣列基板中不存在由于數(shù)據(jù)線和公共電極的耦合所導(dǎo)致的相關(guān)不良、功耗低的問題，又能保證較高的開口率和分辨率。
文檔編號G02F1/1368GK102967971SQ20121043460
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月2日
發(fā)明者嚴(yán)允晟, 崔賢植, 徐智強, 李會 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司