專利名稱：光譜純度濾光片、光刻設(shè)備、和制造光譜純度濾光片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光譜純度濾光片、包括這樣的光譜純度濾光片的光刻設(shè)備和用于制造光譜純度濾光片的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常應(yīng)用到所述襯底的目標(biāo)部分上) 的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕齊IJ)層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。還可以通過將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。限制圖案印刷的關(guān)鍵因素是所使用的輻射的波長λ。為了能夠?qū)⒉粩嘧冃〉慕Y(jié)構(gòu)投影到襯底上，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射，其是具有在10-20nm的范圍內(nèi)(例如在 13-14nm的范圍內(nèi))的電磁輻射。還提出，可以使用小于IOnm的波長的EUV輻射，例如在 5-10nm的范圍內(nèi)，諸如6. 7nm或6. 8nm。這樣的EUV輻射有時(shí)被用術(shù)語軟χ射線來表達(dá)?？赡艿脑窗ɡ缂す猱a(chǎn)生等離子體源、放電產(chǎn)生等離子體源、或來自電子存儲環(huán)的同步加速器輻射。基于錫(Sn)等離子體的EUV源不僅發(fā)射想要的頻帶內(nèi)EUV輻射，而且還發(fā)射頻帶外輻射，最值得注意的是在深紫外(DUV)范圍(100-400nm)內(nèi)的輻射。而且，在激光產(chǎn)生的等離子體(LPP)EUV源的情形中，通常來自激光器的10. 6μπι的紅外輻射呈現(xiàn)出相當(dāng)大量的不想要的輻射。因?yàn)镋UV光刻系統(tǒng)的光學(xué)元件通常在這些波長處具有很大的反射率，因此如果沒有采取措施，具有相當(dāng)大能量的不想要的輻射傳播進(jìn)入光刻工具中。在光刻設(shè)備中，基于幾個(gè)原因，頻帶外輻射應(yīng)該被最小化。首先，抗蝕劑對頻帶外的波長敏感，因此圖像品質(zhì)可能會被惡化。第二，不想要的輻射，尤其是LPP源中的10. 6 μ m 輻射導(dǎo)致掩模、晶片和光學(xué)元件的不想要的加熱。為了將不想要的輻射引入到特定的限制內(nèi)，開發(fā)了光譜純度濾光片(SPF)。光譜純度濾光片可以是對EUV輻射反射型的或透射型的。反射型的SPF的應(yīng)用需要對已有的反射鏡進(jìn)行修改或插入附加的反射元件。透射型的SPF通常被放置在收集器和照射器之間，并且在原理上至少不會影響輻射路徑。這可能是有利的，因?yàn)檫@帶來靈活性以及與其它SPF的兼容性。格柵SPF形成一類透射型SPF，其可以在不想要的輻射具有比EUV輻射大得多的波長的時(shí)候使用，例如在LPP源中的10.6μπι輻射的情況下使用。格柵SPF包含具有將要被抑制的波長的量級的尺寸的孔。抑制機(jī)制可以在如現(xiàn)有技術(shù)和本文中進(jìn)一步描述的具體實(shí)施例中描述的不同類型的格柵SPF之中變化。因?yàn)镋UV輻射的波長(13. 5nm)比孔的尺寸 (通常> 3 μ m)小得多，所以EUV輻射透射通過所述孔而基本上沒有衍射。幾種現(xiàn)有技術(shù)中的光譜純度濾光片(SPF)依賴于具有微米尺寸的孔的柵格來抑制不想要的輻射。美國專利申請出版物第2006/0146413號公開一種光譜純度濾光片 (SPF)，包括直徑達(dá)到20 μ m的孔的陣列。依賴于與輻射波長相當(dāng)?shù)目椎某叽?，可以通過不同的機(jī)制SPF來抑制不想要的輻射。如果孔尺寸小于(不想要的)波長的大約一半，SPF基本上反射該波長的所有輻射。如果孔尺寸較大，但仍然是波長的量級，則輻射至少部分地被衍射并可能在孔內(nèi)部的波導(dǎo)中被吸收。這些SPF的近似的材料參數(shù)和技術(shù)規(guī)格是已知的。然而，在這些技術(shù)規(guī)格的條件下進(jìn)行制造不是簡單易行的。最有挑戰(zhàn)性的技術(shù)規(guī)格是通常直徑為4μπι的孔；格柵厚度通常為5-10 μ m;孔之間非常薄(通常< Iym)和平行的(非錐形的)壁，用以確保最大的 EUV透射率。硅出現(xiàn)作為使用在半導(dǎo)體制造中公知的光刻術(shù)圖案化和各向異性蝕刻過程來制造這樣的格柵的有希望的材料。對于具有很好地控制的橫截面的深孔，深反應(yīng)離子蝕刻 (DRIE)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)是有希望的，盡管提供制造具有期望的技術(shù)規(guī)格的EUV光譜純度濾光片的方法仍然是有困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種制造EUV光譜純度濾光片的方法，其相對簡單地實(shí)施和提供具有期望的技術(shù)規(guī)格的EUV光譜純度濾光片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種制造光譜純度濾光片的方法，所述光譜純度濾光片包括多個(gè)孔，所述孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射，所述方法包括以下步驟提供具有第一主表面和第二主表面的基底材料；以對應(yīng)于在所述光譜純度濾光片的孔之間形成的壁的圖案在所述基底材料的第一表面中形成溝道；用格柵材料填充所述溝道以形成所述格柵材料的壁；和選擇性地移除所述基底材料的至少一部分，直到所述格柵材料被暴露和在所述格柵材料的壁之間形成空間以形成所述孔為止。所述溝道可以用導(dǎo)電材料填充。用于填充溝道的過程可以包括電鍍過程。所述溝道可以用多晶硅填充。用多晶硅填充溝道的過程可以包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)過程。所述形成溝道的步驟可以配置成使得所述溝道的深度在從2 μ m至10 μ m的范圍內(nèi)，和/或溝道的寬度小于1 μ m。優(yōu)選地，但是不一定需要， 溝道的深度與寬度的比在5 1和20 1之間的范圍中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種根據(jù)上述的方法制造的光譜純度濾光片。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光譜純度濾光片，包括在所述光譜純度濾光片的第一區(qū)域中的多個(gè)相互連接的壁，所述壁限定了穿過所述光譜純度濾光片的多個(gè)孔， 所述多個(gè)孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射；和支撐框架，在與所述第一區(qū)域相鄰的所述光譜純度濾光片的第二區(qū)域中，所述支撐框架配置成支撐所述壁；其中形成所述相互連接的壁的材料延伸到所述支撐框架中的一個(gè)或更多的開口中，用于提供所述支撐框架和所述相互連接的壁之間的機(jī)械連接。支撐框架可以由第一材料形成，諸如單晶硅，相互連接的壁可以由不同于第一材料的第二材料形成。第二材料可以例如是金屬或多晶硅。在所述壁的第二材料延伸到其中的支撐框架的開口中，不同于第一和第二材料的第三材料可以將所述支撐框架的第一材料與第二材料分隔開。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種包括如上文的光譜純度濾光片的輻射源和光刻設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種輻射源，該輻射源包括光譜純度濾光片，該光譜純度濾光片包括多個(gè)孔，所述孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射； 位于所述光譜純度濾光片的第一區(qū)域中的多個(gè)相互連接的壁，所述壁限定穿過所述光譜純度濾光片的多個(gè)孔；和支撐框架，在與所述第一區(qū)域相鄰的所述光譜純度濾光片的第二區(qū)域中，所述支撐框架配置成支撐所述壁。形成所述相互連接的壁的材料延伸到所述支撐框架中的一個(gè)或更多的開口中，用于提供所述支撐框架和所述相互連接的壁之間的機(jī)械連接。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻設(shè)備，其包括配置成產(chǎn)生極紫外輻射和第二類型的輻射的輻射源和光譜純度濾光片，該光譜純度濾光片包括在所述光譜純度濾光片的第一區(qū)域中的多個(gè)相互連接的壁，所述壁限定穿過所述光譜純度濾光片的多個(gè)孔， 所述多個(gè)孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射；和支撐框架，在與所述第一區(qū)域相鄰的所述光譜純度濾光片的第二區(qū)域中，所述支撐框架配置成支撐所述壁。形成所述相互連接的壁的材料延伸到所述支撐框架中的一個(gè)或更多的開口中，用于提供所述支撐框架和所述相互連接的壁之間的機(jī)械連接。所述設(shè)備還包括支撐件，所述支撐件配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置成對極紫外輻射進(jìn)行圖案化；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射投影到襯底上。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖1描述根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2描述了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備的布局；圖3描述了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光譜純度濾光片的正視圖；圖4描述了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光譜純度濾光片的變形的細(xì)節(jié)；圖5-13描述了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光譜純度濾光片的制造中的階段；和圖14描述了根據(jù)本發(fā)明的光譜純度濾光片的一部分的細(xì)節(jié)。
具體實(shí)施方式
圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng) (照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐圖案形成裝置，即承載所述圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語 “圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。本發(fā)明的EUV光刻術(shù)的方案采用圖1 顯示的反射式圖案形成裝置。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。此處使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以被認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。 對于EUV波長，透射型材料不易獲得。因此，用于EUV系統(tǒng)中的照射和投影的“透鏡”將通常是反射型的，也就是說，是彎曲的反射鏡。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺)的類型。在這種“多臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺用于曝光。光刻設(shè)備還可以是至少一部分襯底可以被相對高折射率的液體(例如水)覆蓋、 以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的類型。浸沒液體還可以被施加至光刻設(shè)備中的其它空間，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間。在本領(lǐng)域中公知，浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。如在此處所使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著諸如襯底等結(jié)構(gòu)必須浸沒在液體中，而是意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)一起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝置(調(diào)整器)。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器和聚光器。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。 通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IFl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模ΜΑ。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來對準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。
3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止， 并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2描述了實(shí)際的EUV光刻設(shè)備的示意側(cè)視圖。將注意到，雖然物理布置不同于圖1顯示的設(shè)備，但是操作原理是類似的。所述設(shè)備包括源-收集器-模塊或輻射單元3、 照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS。輻射單元3設(shè)置有輻射源7、S0，其可以采用氣體或蒸汽(諸如例如Xe氣體或Li，Gd或Sn的蒸汽，其中產(chǎn)生了溫度非常高的放電等離子體以便發(fā)射在電磁輻射光譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。放電等離子體通過使得放電的部分電離的等離子體在光軸0上瓦解(collapse)來產(chǎn)生。例如分壓為IOPa-O. Imbar的Xe，Li，Gd，Sn蒸汽或任何適合的其它氣體或蒸汽可能對于有效地產(chǎn)生輻射是被期望的。在一實(shí)施例中，Sn源被用作EUV源。圖2的主要部分示出了成放電產(chǎn)生等離子體(DPP)形式的輻射源7。在該附圖的左下方處的可替代的細(xì)節(jié)顯示使用激光產(chǎn)生等離子體(LPP)的可替代形式的源。在LPP類型的源中，點(diǎn)燃區(qū)域7a被供給有來自燃料傳送系統(tǒng)7b的等離子體燃料，例如熔融的Sn的液滴。激光束產(chǎn)生器7c和相關(guān)的光學(xué)系統(tǒng)將輻射束傳送至點(diǎn)燃區(qū)域。產(chǎn)生器7c可以是CO2 激光，具有例如10. 6微米或9. 4微米的紅外波長。可替代地，其它的適合激光可以被使用， 例如具有在1-11微米的范圍內(nèi)的各個(gè)波長。在與激光束相互作用時(shí)，燃料液滴被轉(zhuǎn)換成等離子體狀態(tài)，其可以發(fā)射例如6. 7nm輻射或從5-20nm的范圍選擇的任何其它EUV輻射。EUV 是此處關(guān)心的例子，盡管可以在其它應(yīng)用中產(chǎn)生不同類型的輻射。在等離子體中產(chǎn)生的輻射被橢圓形或其它適合的收集器7d收集，以產(chǎn)生具有中間焦點(diǎn)12的源輻射束。返回至圖2的主要部分，由輻射源SO發(fā)射的輻射被從DPP源腔7經(jīng)由成氣體阻擋件或“翼片阱”的形式的污染物阱9傳遞到收集器腔8中。這將在下文中進(jìn)一步描述。收集器腔8可以包括輻射收集器10，所述輻射收集器10例如是包括所謂的掠入射反射器的掠入射收集器的巢狀陣列。適合用于這一目的輻射收集器在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。從收集器10射出的EUV輻射束將具有特定角度展度，可能是在光軸0的任一側(cè)成達(dá)10度的角度展度。在左下方顯示的LPP源中，正入射收集器7d被設(shè)置用于收集來自源的輻射。經(jīng)過收集器10的輻射透射穿過根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光譜純度濾光片11。應(yīng)當(dāng)注意，與反射式光柵光譜純度濾光片相比，透射式光譜純度濾光片11不會改變輻射束的方向。在下文描述了濾光片11的實(shí)施例。來自收集器腔8中的孔的輻射聚焦到虛源點(diǎn)12(即中間焦點(diǎn))上。來自腔8的輻射束16在照射系統(tǒng)IL中經(jīng)由正入射反射器13、14反射到定位到掩模版臺或掩模臺MT上的掩模版或掩模上。形成了圖案化的束17，其通過投影系統(tǒng) PS經(jīng)由反射元件18、19成像到安裝有晶片W的晶片平臺或襯底臺WT上。比圖示的更多的元件可以通常設(shè)置在照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS中。反射元件19中的一個(gè)在其前面具有 NA盤20，所述NA盤20具有從其中穿過的孔21?？?1的尺寸確定了在圖案化的輻射束17 撞擊襯底臺WT時(shí)其所對的角度α i。
圖2顯示靠近虛源點(diǎn)12的上游定位的光譜純度濾光片11。在可替代的實(shí)施例中， 未顯示，光譜純度濾光片11可以定位在虛源點(diǎn)12處或在收集器10和虛源點(diǎn)12之間的任何點(diǎn)處。濾光片可以放置在輻射路徑的其他部位處，例如在虛源點(diǎn)12的下游?？梢圆贾枚鄠€(gè)濾光片。氣體阻擋件包括通道結(jié)構(gòu)，諸如例如在美國專利No. 6，614，505和6，359，969中詳細(xì)描述的，通過引用并入本文中。污染物阱的目的是防止或至少削弱撞擊到光學(xué)元件上的燃料材料或副產(chǎn)物的入射和它們的性能隨時(shí)間的劣化。這些元件包括收集器10和光譜純度濾光片11。在圖2的左下方詳細(xì)顯示的LPP源的情況下，污染物阱包括保護(hù)橢圓形收集器7d的第一阱布置9a和可選地另外的阱布置，諸如在9b處顯示的。氣體阻擋件可以用作物理阻擋件(通過流體對流)、通過與污染物的化學(xué)相互作用和/或通過帶電粒子的靜電或電磁偏轉(zhuǎn)。在實(shí)踐中，這些方法的組合被采用以允許將輻射傳遞到照射系統(tǒng)中，同時(shí)盡可能地最大程度地阻擋等離子體材料。如在上述的美國專利中所說明的，尤其可以注入氫根，用于化學(xué)地改性Sn或其它等離子體材料。氫根還可以用于清洗可能已經(jīng)沉積到光學(xué)表面上的Sn和其它污染物。另外，氫氣可以布置在晶片支撐件WT的附近區(qū)域中，作為防止來自晶片的污染物進(jìn)入到系統(tǒng)中的更大的真空空間中的緩沖物。在真空環(huán)境中，典型地，光致抗蝕劑材料(更不必說支撐結(jié)構(gòu)和定位系統(tǒng)中的部件)易于釋放有機(jī)和其它氣體材料，其可能隨著時(shí)間污染光學(xué)部件。對于所有這些目的，顯示出氫源HS布置用于供給氫氣至每一污染物阱布置9a、9b 和在端口處將氫氣供給至照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS的腔。一些源可以供給分子氫氣體 (H2)作為簡單的緩沖物，而其它源產(chǎn)生H基團(tuán)。滲透真空環(huán)境的分子態(tài)氫可以在環(huán)境中通過輻射、放電等被激發(fā)成基團(tuán)。圖3是光譜純度濾光片100的實(shí)施例的示意正面視圖，其可以例如應(yīng)用作為光刻設(shè)備的上述的濾光片11。本發(fā)明的濾光片100配置成透射極紫外(EUV)輻射。在另外的實(shí)施例中，濾光片100基本上阻擋由輻射源產(chǎn)生的第二類型的輻射，例如紅外(IR)輻射、例如比大約Ιμπι更大的波長的紅外輻射，尤其是大于大約10 μ m的波長的紅外輻射。尤其是， 將被透射的EUV輻射和第二類型輻射(將被阻擋)可以從同一輻射源射出，例如光刻設(shè)備的LPP源SO。在將被描述的實(shí)施例中的光譜純度濾光片100包括在光譜純度濾光片的第一區(qū)域中的大致平面的濾光片部分102(例如濾光片膜或?yàn)V光片層)。濾光片部分102同樣可以被稱為“濾光片襯底”。濾光片部分102具有多個(gè)(優(yōu)選是平行的)孔104，以透射極紫外輻射和抑制第二類型輻射的透射。來自源SO的輻射所照射到的表面可以被稱作前表面， 而輻射射向照射系統(tǒng)IL所離開的表面可以被稱作為后表面。如上文所述，例如，EUV輻射可以透射過光譜純度濾光片，而不改變輻射的方向。在一實(shí)施例中，每一孔104具有限定孔 104和從前表面完全地延伸至后表面的平行側(cè)壁。光譜純度濾光片100可以包括在光譜純度濾光片的第二區(qū)域中的支撐框架108， 第二區(qū)域與第一區(qū)域相鄰。支撐框架108可以配置成為濾光片部分102提供結(jié)構(gòu)支撐。支撐框架108可以包括用于將光譜純度濾光片100安裝至在其中使用其的設(shè)備的構(gòu)件。在一特定布置中，支撐框架108可以圍繞濾光片部分100。濾光片100可以包括獨(dú)立式(freestanding)硅(Si)薄膜102和具有基本上直立(即垂直于膜表面)的側(cè)壁106的孔104的陣列?？?04的直徑期望大于約IOOnm和更期望地大于大約1 μ m，用于允許EUV輻射穿過光譜純度濾光片100，而基本上沒有衍射。雖然孔104示意性地顯示具有圓形的橫截面(在圖3中)，但是其它的形狀也是可以的，且可能是優(yōu)選的。例如，六邊形孔，如圖4所示，從機(jī)械穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看可能是有利的。被濾光片100抑制的波長可以是將被透射的EUV波長的至少10倍。尤其是，濾光片100可以配置成抑制DUV輻射(具有在大約100-400nm的范圍內(nèi)的波長)和/或具有大于1 μ m的波長的紅外輻射(例如在1-11微米的范圍內(nèi))的透射。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，光譜純度濾光片100的制造可以包括各向異性蝕刻方法，其的一個(gè)適合的例子是下文簡稱的深反應(yīng)離子蝕刻技術(shù)(DRIE)。DRIE是具有高的各向異性蝕刻速率的蝕刻方法，其能夠使用所謂的Bosch過程在Si中制造直立的蝕刻輪廓。這被例如在 Appl. Phys. Lett. 52(1988)，616 的 S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Okudaira 的 Low-temperature reactive ion etching and microwave plasma etching of silicon中所描述。Bosch過程由可替代地將Si表面暴露于SF6等離子體和氟碳化合物(例如C4F8)等離子體構(gòu)成。在第一階段，硅被以或多或少的各項(xiàng)同性的方式蝕刻，而在第二階段中，所蝕刻的輪廓由純化層覆蓋。在接下來的蝕刻中，該鈍化層在底部優(yōu)選地被開口，主要是通過離子轟擊來實(shí)現(xiàn)，重新開始蝕刻。通過重復(fù)蝕刻/鈍化循環(huán)，蝕刻逐層向下前進(jìn)到硅表面中， 而沒有橫向擴(kuò)展。根據(jù)一實(shí)施例，EUV輻射直接透射通過孔104，優(yōu)選地利用相對薄的濾光片100來實(shí)現(xiàn)，用于保持孔的縱橫比足夠低以允許EUV透射具有相當(dāng)大的角度展度。濾光片部分102 的厚度(即每一孔104的長度)例如小于大約20 μ m,例如在大約2 μ m至大約10 μ m的范圍內(nèi)，例如在大約5 μ m至大約10 μ m的范圍內(nèi)。另外，根據(jù)一實(shí)施例，每一孔104可以具有在大約IOOnm至大約IOym的范圍內(nèi)的直徑?？?04可以例如每個(gè)的直徑在大約1.5μπι 至大約6 μ m的范圍內(nèi)，例如在大約2 μ m至大約4 μ m的范圍內(nèi)。在濾光片孔104之間的壁105的厚度Ql可以小于1 μ m，例如在大約0. 4 μ m至大約0. 6 μ m的范圍內(nèi)，尤其是大約0. 5 μ m。通常，孔的縱橫比，即濾光片部分102與濾光片孔104之間的壁的厚度之比可以在從5 1至20 1的范圍內(nèi)。EUV透射式濾光片100 的孔可以具有在大約3 μ m至大約6 μ m的范圍內(nèi)的周期Q2 (在圖4中顯示)，尤其在大約 3 μ m至大約4 μ m的范圍內(nèi)，例如大約4 μ m。因此，所述孔可以提供總的濾光片前表面的大約70-80%的開口面積。濾光片100可以配置成提供至多5%的紅外光(IR)透射率。另外，濾光片100可以配置成透射至少60%的以正入射射入的EUV輻射。此外，濾光片100可以提供透射至少大約40%的具有大約10°的入射角(相對于法線方向)的EUV輻射。在一實(shí)施例中，提供了如上文詳細(xì)說明的制造光譜純度濾光片的方法。通常，所述方法包括在基底材料中形成溝道，例如在單晶硅的晶片中蝕刻溝道和使用所述溝道作為模子以形成光譜純度濾光片的壁的格柵。例如，如果形成了溝道，那么所述溝道可以在移除基底材料的其余部分之前填充有格柵材料(諸如多晶硅)，僅留下由格柵材料形成的壁，具有由原始溝道定義的形狀。因此，形成光譜純度濾光片的壁(即分隔光譜純度濾光片的孔的壁105)的格柵的精度，由在基底材料中形成溝道的精度確定。通過蝕刻在單晶硅中形成很好地定義的溝道的技術(shù)是公知的，且可以精確地提供這樣的溝道的期望的布置，具有如上文所述的光譜純度濾光片格柵的壁的期望的尺寸和縱橫比。圖5至13描述了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的可以被執(zhí)行的一系列步驟的例子，用于形成上文所詳細(xì)說明的光譜純度濾光片100。如圖所示，所述過程以基底材料120的一截面開始，其至少具有待形成的光譜純度濾光片100的尺寸。例如，基底材料可以是如上文所述的單晶硅的晶片?；撞牧?20具有第一主表面121和第二主表面122。在第一步驟中，溝道125形成在基底材料120的第一表面121中。如圖所示，在基底材料120的第一表面121中形成的溝道不會通過基底材料120延伸至第二表面122。溝道125對應(yīng)于在光譜純度濾光片中的孔104之間待形成的壁。因此，溝道125可以以基本上與待形成的光譜純度濾光片100的孔104之間的壁相同的圖案布置，和可以具有基本上相同的尺寸。具體地，溝道125的寬度可以基本上對應(yīng)于濾光片孔104之間的壁的厚度，溝道125的深度可以基本上對應(yīng)于光譜純度濾光片100的濾光片部分102的厚度。在基底材料120的第一表面121中的溝道125可以例如通過在未形成溝道125的區(qū)域中的基底材料120的第一表面121上形成保護(hù)性掩模來形成，例如通過光刻圖案化來形成。隨后，溝道125可以通過諸如如上文討論的深反應(yīng)離子蝕刻的過程形成在未被掩模保護(hù)的區(qū)域中。然而，應(yīng)當(dāng)理解，可以使用其它的蝕刻過程，尤其是其它的各向異性蝕刻過程。例如使用KOH蝕刻劑的濕法化學(xué)蝕刻可以用于在[110]取向的硅晶片中蝕刻溝道125。如圖7所示，溝道的表面可以之后被涂覆有蝕刻終止層130，即耐受特殊的蝕刻過程的材料層。在這一情形中，蝕刻終止層130應(yīng)當(dāng)被選擇成耐受隨后用于移除基底材料120 的部分的蝕刻過程，如下文所述的。例如，蝕刻終止層130可以是Si02。蝕刻終止層可以尤其是在基底材料120的第一表面121中的溝道125的表面上提供覆蓋物130a。另外，蝕刻終止層130可以在溝道125之間和周圍的基底材料120的第一表面121的該部分上提供涂層 130b。蝕刻終止層130可以是熱生長的氧化物或例如氮化硅，其可以利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)過程或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)過程進(jìn)行沉積。用于形成蝕刻終止層130的這樣的方法可能是有利的，這是因?yàn)樗鼈兲峁┝撕玫呐_階覆蓋率，即提供了對側(cè)壁和進(jìn)入到溝道中的適合的覆蓋?？商娲?，可以使用其他沉積過程(諸如濺射沉積)，例如如果期望不同的材料用作蝕刻終止層130。如圖8所示，之后溝道125填充有適合的材料135，以形成光譜純度濾光片100的孔104之間的壁。例如，溝道125可以填充有多晶硅，例如使用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD) 過程或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)過程。應(yīng)當(dāng)理解，光譜純度濾光片100的孔104 之間的壁的最終尺寸在使用時(shí)將對應(yīng)于包括蝕刻終止層130的涂層130a的溝道125的尺寸。在所述情形中，最初在基底材料120的第一表面121中形成的溝道125可以形成有尺寸，使得一次被蝕刻終止層的涂層130a所覆蓋的溝道的最終尺寸精確地具有在孔104之間的壁的期望的尺寸。在用格柵材料135填充溝道的過程期間，格柵材料的層136可以橫跨基底材料120 的整個(gè)第一表面121形成。所述過多的格柵材料層136可以通過例如反應(yīng)離子蝕刻或圖9 中顯示的另一適合的過程被移除。如圖10所示，保護(hù)層140可以隨后被應(yīng)用至基底材料120的第一表面121，用于防止在隨后的處理步驟期間對格柵材料135的損壞。保護(hù)層140可以例如是聚酰亞胺。然而，應(yīng)當(dāng)理解，還可以使用其它的適合材料。如圖11所示，之后可以從第二表面122移除基底材料120。尤其是，可以從第二表面122的第一區(qū)域122a選擇性地移除基底材料120，該第二表面122的第一區(qū)域122a對應(yīng)于其中將要形成光譜純度濾光片100的孔104的基底材料120的第一表面121的第一區(qū)域 121a?？赡芪磸牡诙砻?22的第二區(qū)域122b移除基底材料120，該第二表面122的第二區(qū)域122b與第二表面122的第一區(qū)域122a相鄰。未被移除的基底材料120可以提供上文討論的支撐框架108。如圖11所示，用于從第二側(cè)122移除基底材料120的過程由蝕刻終止層130終止，該蝕刻終止層130包圍格柵材料135和防止格柵材料135也被移除。通過在基底材料 120的第二表面122的第二區(qū)域122b上形成掩模來執(zhí)行所述過程，例如使用上文討論的光刻過程和隨后利用反應(yīng)離子蝕刻過程，用于從第二表面122的第一區(qū)域122a移除基底材料 120。應(yīng)當(dāng)理解，還可以使用其他蝕刻過程，但是如上文所討論的，在所述情況下，可能需要不同的蝕刻終止層130?？梢岳脻穹ɑ瘜W(xué)蝕刻移除基底材料120，例如使用KOH蝕刻劑。 在這一情況下，蝕刻終止層130可以是氮化硅。最終，如圖12所示，蝕刻終止層130和保護(hù)層140(如果使用的話)可以被例如通過等離子體蝕刻或通過另一適合的過程來移除，留下光譜純度濾光片100，其包括形成在光譜純度濾光片100中的孔104和支撐框架108之間的期望的壁105的格柵材料135。蝕刻終止層130和保護(hù)層140(如果使用的話)可以通過濕法化學(xué)蝕刻移除。例如，HF可以用于移除氮化硅(如果使用的話)。應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本發(fā)明的用于形成光譜純度濾光片的過程的上文描述的例子可以變化，和/或可以包括額外的處理步驟。例如，如圖13所描述，光譜純度濾光片100的至少一個(gè)表面可以涂覆有額外的層 150，該額外的層150被選擇以改善輻射所入射到的表面對第二類型的輻射(即透射率將被最小化的輻射)的反射率。例如，薄金屬層150可以被應(yīng)用，以便增加對紅外輻射的反射率。在替代的或附加的變形中，格柵材料135可以由金屬(例如鉬)或另一導(dǎo)電材料 (例如TiN)制造。在這種情形中，在孔104之間的光譜純度濾光片100的壁105可以對諸如紅外輻射等輻射實(shí)質(zhì)上是反射性的。在所述情形中，可能不需要在光譜純度濾光片上形成額外的反射層。期望地，所述材料被選擇以具有接近于形成支撐框架108的硅的熱膨脹。如果格柵材料是導(dǎo)電材料，那么溝道135可以通過利用電鍍過程沉積材料來填充。為了執(zhí)行這一過程，鍍覆基底的涂層可以首先施加至所述溝道的基底。替代地，基底材料120可以是高摻雜的硅，在該情形中可以不使用鍍覆基底的涂層。替代地或另外地，溝道125可以借助于化學(xué)氣相沉積過程、物理氣相沉積過程、濺射沉積過程或原子層沉積過程用格柵材料135填充。替代地或另外地，格柵材料135可以選擇成使得其耐受用于移除基底材料120的蝕刻過程。在這種情形中，可以不使用蝕刻終止層130，因此，可以省略涂覆和移除蝕刻終止層130的過程。同樣地，依賴于所使用的其它過程，可以不使用保護(hù)層140和可以省略保護(hù)層 140。在替代的或附加的變形中，替代從第二表面122移除基底材料120或除從第二表面122移除基底材料120之外，被移除以暴露格柵材料135以形成孔104的基底材料120， 可以被從基底材料120的第一表面121移除。例如，在已經(jīng)移除過多的格柵材料層136之后，如圖9所示，所暴露的蝕刻終止層130(即在溝道125之間和溝道125周圍的基底材料 120的第一表面121的部分上的涂層130b)可以被移除。因此，用格柵材料135填充的溝道 125之間的基底材料120的第一表面121可以被暴露且隨后被蝕刻。例如可以通過等離子體蝕刻或通過另一適合的過程來移除蝕刻終止層130的頂表面。同樣地，在其中選擇柵格材料135使得其耐受用于移除基底材料120的蝕刻過程的上文的例子的情形中，應(yīng)當(dāng)理解， 基底材料120可以從基底材料120的第一和第二表面121、122中的一者或兩者移除。圖14詳細(xì)描述了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例形成的光譜純度濾光片100的支撐框架的一部分。如圖所示，除形成在光譜純度濾光片的孔104之間的壁105的格柵材料135的一部分13 之外，格柵材料135的第二部分13 延伸到形成支撐框架108的基底材料120 中，即延伸到對應(yīng)于基底材料120的第二表面122的第二區(qū)域122b的基底材料120中。因此，格柵材料135的第二部分13 將形成孔104之間的壁的格柵材料135的部分13 連接至支撐框架108。應(yīng)當(dāng)理解，如圖14所示，在蝕刻終止層130已經(jīng)用于形成光譜純度濾光片的情形中，如上文所述，蝕刻終止材料130的層可以保持在延伸到支撐框架108中的格柵材料的部分13 和形成支撐框架的基底材料120之間的邊界處。因此，蝕刻終止層130可以將基底材料120與格柵材料1；35分隔開。應(yīng)當(dāng)理解，包括光譜純度濾光片的圖1和2的設(shè)備可以用在光刻制造過程中。這樣的光刻設(shè)備可以用于制造IC、集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、 液晶顯示器(IXD)、薄膜磁頭等的制造。應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。上文的描述意圖是說明性的，不是限制性的。因此，應(yīng)當(dāng)理解，在不背離所附的權(quán)利要求的范圍的情況下可以對所述的本發(fā)明進(jìn)行修改。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例可以用于任何類型的EUV源，包括但不限于放電產(chǎn)生等離子體源(DPP源)、或激光產(chǎn)生等離子體源 (LPP源)。然而，本發(fā)明的一實(shí)施例可能尤其適合于抑制來自激光源的輻射，其典型地形成了激光產(chǎn)生等離子體源的一部分。這是因?yàn)檫@樣的等離子體源通常輸出從激光器產(chǎn)生的伴隨輻射。光譜純度濾光片可以實(shí)際上定位在輻射路徑中的任何位置處。在一實(shí)施例中，光譜純度濾光片定位在接收來自EUV輻射源的包含EUV的輻射和將所述EUV輻射傳送至適合的下游EUV輻射光學(xué)系統(tǒng)的區(qū)域中，其中來自EUV輻射源的輻射布置成在進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)之前通過光譜純度濾光片。在一實(shí)施例中，光譜純度濾光片處在EUV輻射源中。在一實(shí)施例中，光譜純度濾光片處在EUV光刻設(shè)備中，諸如在照射系統(tǒng)中或在投影系統(tǒng)中。在一實(shí)施例中，光譜純度濾光片定位在輻射路徑中位于等離子體之后但是在收集器之前。
盡管在上文已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以以與上述不同的方式實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種制造光譜純度濾光片的方法，所述光譜純度濾光片包括多個(gè)孔，所述孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射，所述方法包括以下步驟提供具有第一主表面和第二主表面的基底材料；以對應(yīng)于在所述光譜純度濾光片的孔之間形成的壁的圖案在所述基底材料的第一表面中形成溝道；用格柵材料填充所述溝道以形成所述格柵材料的壁；和選擇性地移除所述基底材料的至少一部分，直到所述格柵材料被暴露和在所述格柵材料的壁之間形成空間以形成所述孔為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光譜純度濾光片的方法，還包括在用所述格柵材料填充所述溝道之前用耐受蝕刻過程的材料層至少涂覆所述溝道的表面；和為所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分，使用所述蝕刻過程。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造光譜純度濾光片的方法，還包括在所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分的步驟之后，利用第二蝕刻過程移除耐受第一蝕刻過程的材料，所述第二蝕刻過程不同于所述第一蝕刻過程，所述第一蝕刻過程用于選擇性地從所述基底材料的第二表面移除所述基底材料的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述用格柵材料填充所述溝道的步驟包括在所述基底材料的第一表面上沉積所述格柵材料層使得所述格柵材料進(jìn)入所述溝道；和選擇性地蝕刻所述基底材料的第一表面使得格柵材料僅保持在所述溝道中。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中在已經(jīng)填充所述溝道之后，保護(hù)覆蓋層形成在所述基底材料的第一表面上。
6.根據(jù)從屬于權(quán)利要求3的權(quán)利要求5所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述利用所述第二蝕刻過程的步驟用于移除所述保護(hù)覆蓋層。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述基底材料包括單晶硅，在所述基底材料的第一表面中形成所述溝道的步驟包括反應(yīng)離子蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或從屬于權(quán)利要求2的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述用于涂覆所述溝道的表面的材料包括二氧化硅，其中所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分的步驟包括反應(yīng)離子蝕刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或從屬于權(quán)利要求3的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述第二蝕刻過程包括等離子體蝕刻。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造光譜純度濾光片的方法，還包括步驟在所述孔已經(jīng)形成有能夠反射所述第二類型的輻射的材料之后，涂覆所述格柵材料的至少一個(gè)表面。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中形成在所述基底材料的第一表面中的溝道包括與在所述光譜純度濾光片的孔之間形成的壁相對應(yīng)的溝道，所述溝道處于所述基底材料的第一表面的第一區(qū)域中；和包括延伸到與所述第一區(qū)域相鄰的所述基底材料的第一表面的第二區(qū)域中的溝道；和所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分的步驟配置成使得所述基底材料被從所述基底材料的第二表面的與所述第一表面的第一區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域移除，而不從所述第二表面的與所述第一表面的第二區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域移除。
12.一種光譜純度濾光片，所述光譜純度濾光片由根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制造。
13.—種光譜純度濾光片，包括多個(gè)相互連接的壁，位于所述光譜純度濾光片的第一區(qū)域中，所述壁限定穿過所述光譜純度濾光片的多個(gè)孔，所述多個(gè)孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射；和支撐框架，位于與所述第一區(qū)域相鄰的所述光譜純度濾光片的第二區(qū)域中，所述支撐框架配置成支撐所述壁；其中形成所述相互連接的壁的材料延伸到所述支撐框架中的一個(gè)或更多的開口中，用于提供所述支撐框架和所述相互連接的壁之間的機(jī)械連接。
14.一種輻射源，所述輻射源包括根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的光譜純度濾光片。
15.一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的光譜純度濾光片。
全文摘要
一種形成光譜純度濾光片的方法，所述光譜純度濾光片包括多個(gè)孔，所述多個(gè)孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射，其中以對應(yīng)于在所述孔之間形成的壁的圖案在基底材料中形成溝道。用格柵材料填充所述溝道以形成所述格柵材料的壁；和選擇性地移除所述基底材料，直到所述格柵材料被暴露和在格柵材料的壁之間為所述孔形成空間為止。
文檔編號G02B7/00GK102483585SQ201080037737
公開日2012年5月30日 申請日期2010年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月27日
發(fā)明者M·杰克, R·德克, W·索爾 申請人:Asml荷蘭有限公司, 皇家飛利浦電子股份有限公司