一種易清洗的紅外截止濾光片及其鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種易清洗的紅外截止濾光片及其鍍膜方法，包括基板，設置在基板上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層；所述的外膜層為SiO2＋MgF2或MgF2材料構成的膜層。本發(fā)明通過在最外層鍍上一層SiO2＋MgF2或MgF2材料構成的外膜層，解決了以前使用五氧化三鈦和氧化硅這兩種不同折射率的材料反復沉積而成的紅外截止濾光片清洗效果差的問題，杜絕了普通濾光片“表面臟污難擦拭”和“容易有臟污和灰塵點”清洗不掉的現(xiàn)象；外膜層的設置，克服了防水膜料不耐酸堿的弱點，有效的解決了現(xiàn)有技術中由于絲印?切割工序的引入在玻璃表面吸附難以擦拭的臟污等異?，F(xiàn)象，結構較為簡單，易于普及推廣，且可以大大提高企業(yè)競爭力。
【專利說明】
一種易清洗的紅外截止濾光片及其鍍膜方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及濾光片技術領域，特別涉及一種易清洗的紅外截止濾光片及其鍍膜方法。
【背景技術】
[0002]紅外截止濾光片是一種允許可見光透過而截止或反射紅外光的光學濾光片，主要用于數(shù)碼相機、手機、電腦攝像頭、監(jiān)視器、可視電話等，可使通過攝相鏡頭后的光波濾去高頻段，只讓一定范圍內的低頻光波通過。在鏡頭與CCD或CMOS圖像傳感器之間加上紅外截止濾光片，能有效抑制高于CCD或CMOS圖像傳感器空間頻率的光波通過而引起波紋擾動，并有效地抑制紅外光波，提高彩色CCD、CM0S圖像傳感器有效分辨率和彩色還原性，使圖像清晰和穩(wěn)定。
[0003]隨著科技的迅猛發(fā)展和人們對產(chǎn)品品質的不斷完美追求，紅外截止濾光片在加工過程中逐漸引入切割、絲印等工序。然而在這些加工工序中容易在玻璃表面吸附灰塵和臟污，并且這些灰塵或臟污在玻璃表面的超洗效果很差，必須人工擦拭，因此大大降低了生產(chǎn)效率，提尚了成本。
[0004]公開號為CN 104947044 A的專利公開了一種紅外截止濾光片的鍍膜方法，采用特定的超聲波清洗器的參數(shù)設定和清洗液的配比，有效的提高了超聲波清洗器的清洗效果，在膜層最外層加鍍95nm厚度的超硬防水膜，通過采用上述工藝調整杜絕了鍍膜過程中膜料形成的“表面粗糙難擦拭”和“容易有臟污和灰塵點”等異常現(xiàn)象。但是該發(fā)明工藝較為復雜，由于防水膜料具有不耐酸堿溶液的特殊性質，導致需要特定的超聲波清洗器的參數(shù)設定和清洗液的配比，因此該發(fā)明專利具有一定的局限性，并且鍍膜工藝復雜。
[0005]因此，提供一種結構簡單，且生產(chǎn)工藝簡單，能夠對由于絲印、切割工序的引入在玻璃表面吸附難以擦拭的臟污進行快速處理的紅外截止濾光片，已經(jīng)是一個值得研究的問題。

【發(fā)明內容】

[0006]為了克服上述現(xiàn)有技術中的不足，本發(fā)明提供了一種結構簡，且能夠有效解決紅外截止濾光片表面臟污難以洗凈的問題的紅外截止濾光片及其鍍膜方法。
[0007]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;
所述的基板4為玻璃基板;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;
所述的高折射率材料層2為1^305材料層，鍍膜時真空度2.(^-2?&，成膜速率0.2
0.4nm/s，厚度10---150nm，電子槍偏轉電流為390mA;
所述的低折射率材料層3為Si02層，鍍膜時真空度1.3E-2Pa，成膜速率0.81.6nm/s，厚度5020011111，電子槍偏轉電流為16011^;
所述的外膜層I為Si02+MgF2或MgF2材料構成的膜層；
一種易清洗的紅外截止濾光片的鍍膜方法，包括以下步驟:
首先，在清洗干凈的基板上將五氧化三鈦(離子源能量BV:700-1300V，B1:700-1300mA)和氧化硅(離子源能量BV:600-1100V，B1: 600-1100mA)在離子源輔助的情況下反復堆疊沉積的過程，其次是在最外層鍍上一層Si02+MgF2或MgF2構成的外膜層；
所述的外膜層的MgF2的鍍膜工藝參數(shù)為:鍍膜時真空度8.0E-3Pa，MgF2厚度約為10lOOnm，IB電壓200-900V，電流200-900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為2 ImA ο
[0008]積極有益效果:本發(fā)明通過在最外層鍍上一層Si02+MgF2或MgF2材料構成的外膜層，解決了以前使用五氧化三鈦和氧化硅這兩種不同折射率的材料反復沉積而成的紅外截止濾光片清洗效果差的問題，杜絕了普通濾光片“表面臟污難擦拭”和“容易有臟污和灰塵點”清洗不掉的現(xiàn)象;外膜層的設置，尤其是優(yōu)化外膜層的成膜參數(shù)來降低濾光片防水角，由于緩沖層材料特殊的化學性質，耐酸堿溶液的清洗，克服了防水膜料不耐酸堿的弱點，有效的解決了現(xiàn)有技術中由于絲印。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的結構不意圖一；
圖2為本發(fā)明的結構示意圖二；
圖中為:外膜層1、高折射率材料層2、低折射率材料層3、基板4。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖，對本發(fā)明做進一步的說明:
一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;
所述的基板4為玻璃基板;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;
所述的高折射率材料層2為1^305材料層，成膜速率0.2應/8、0.25隨1/8、0.3隨1/8、
0.35nm/s、0.4nm/s ;所述的低折射率材料層3為Si02層，成膜速率0.8nm/s、0.9nm/s、1.0nm/s、I.lnm/s、I.2nm/s、I.3nm/s、I.4nm/s、I.5nm/s、I.6nm/s；
所述的外膜層I為Si02+MgF2或MgF2材料構成的膜層；
一種紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;
所述的基板4為玻璃基板;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;
所述的高折射率材料層2為1^305材料層，鍍膜時真空度2.(^-2?&，成膜速率0.2
0.4nm/s，厚度10---150nm,電子槍偏轉電流為390mA;
所述的低折射率材料層3為Si02層，鍍膜時真空度1.3E-2Pa，成膜速率0.81.6nm/s，厚度5020011111，電子槍偏轉電流為16011^; 所述的外膜層I為Si02+MgF2或MgF2材料構成的膜層；
一種易清洗的紅外截止濾光片的鍍膜方法，包括以下步驟:
首先，在清洗干凈的基板上將五氧化三鈦(離子源能量BV:700-1300V，B1:700-1300mA)和氧化硅(離子源能量BV:600-1100V，B1: 600-1100mA)在離子源輔助的情況下反復堆疊沉積的過程，其次是在最外層鍍上一層Si02+MgF2或MgF2構成的外膜層；
所述的外膜層的MgF2的鍍膜工藝參數(shù)為:鍍膜時真空度8.0E-3Pa，MgF2厚度約為10lOOnm，IB電壓200-900V，電流200-900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為2 ImA ο
[0011]實施例1
如圖1所示，一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;自基板4向上依次設置為低折射率材料層3與高折射率材料層2的交替設置，最終為高折射率材料層2外設置外膜層I;所述的外膜層為Si02+MgF2材料構成的膜層；所述的高折射率材料層2為1^305材料層，成膜速率0.2應/8、0.25隨1/8、0.3隨1/8、0.35nm/s、0.4nm/s ;所述的低折射率材料層3為Si02層，成膜速率0.8nm/s、0.9nm/s、
1.0nm/sN1.lnm/s、1.2nm/s、I.3nm/s、1.4nm/s、I.5nm/s、1.6nm/s;所述的MgF2材料構成的膜層鍍膜時真空度8.0E-3Pa，MgF2厚度約為10—lOOnm，IB電壓200-900V，電流200_900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為21mA。
[0012]實施例2
如圖1所示，一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;自基板4向上依次設置為低折射率材料層3與高折射率材料層2的交替設置，最終為高折射率材料層2外設置外膜層I;所述的外膜層為MgF2材料構成的膜層；
所述的高折射率材料層2為1^305材料層，成膜速率0.2應/8、0.25隨1/8、0.3隨1/8、0.35nm/s、0.4nm/s ;所述的低折射率材料層3為Si02層，成膜速率0.8nm/s、0.9nm/s、1.0nm/sN1.lnm/s、1.2nm/s、I.3nm/s、1.4nm/s、I.5nm/s、1.6nm/s;所述的MgF2材料構成的膜層鍍膜時真空度8.0E-3Pa，MgF2厚度約為10—lOOnm，IB電壓200-900V，電流200_900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為21mA。
[0013]實施例3
如圖2所示，一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;自基板4向上依次設置為高折射率材料層2與低折射率材料層3的交替設置，最終為高折射率材料層2外設置外膜層I;所述的外膜層為Si02+MgF2材料構成的膜層；所述的高折射率材料層2為1^305材料層，成膜速率0.2應/8、0.25隨1/8、0.3隨1/8、0.35nm/s、0.4nm/s ;所述的低折射率材料層3為Si02層，成膜速率0.8nm/s、0.9nm/s、
1.0nm/sN1.lnm/s、1.2nm/s、I.3nm/s、1.4nm/s、I.5nm/s、1.6nm/s;所述的MgF2材料構成的膜層鍍膜時真空度8.0E-3Pa，MgF2厚度約為10—lOOnm，IB電壓200-900V，電流200_900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為21mA。
[0014]實施例4 如圖2所示，一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板4，設置在基板4上的復合膜層，所述的復合膜層外設置有外膜層I;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層2和低折射率材料層3;自基板4向上依次設置為高折射率材料層2與低折射率材料層3的交替設置，最終為高折射率材料層2外設置外膜層I;所述的外膜層為MgF2材料構成的膜層；
所述的高折射率材料層2為1^305材料層，成膜速率0.2應/8、0.25隨1/8、0.3隨1/8、0.35nm/s、0.4nm/s ;所述的低折射率材料層3為Si02層，成膜速率0.8nm/s、0.9nm/s、1.0nm/s、1.lnm/s、1.2nm/s、I.3nm/s、1.4nm/s、I.5nm/s、1.6nm/s;所述的MgF2材料構成的膜層鍍膜時真空度8.0E-3Pa，MgF2厚度約為10—lOOnm，IB電壓200-900V，電流200_900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為21mA。
[0015]本發(fā)明通過對最外層MgF2傳統(tǒng)工藝參數(shù)的優(yōu)化變更，采用如下工藝參數(shù):鍍膜時真空度8.0E-3Pa，厚度約為1010nm，IB電壓200-900V，電流200_900mA，成膜速率0.2
0.8nm/s，電子槍偏轉電流為21mA，使得膜層牢固度最好，并且克服了傳統(tǒng)工藝單純使用氧化鈦和氧化硅工藝濾光片不耐洗的缺點，也克服了CN 104947044 A專利中最外層使用防水膜料不耐超聲波清洗等缺點，從而提升了濾光片的產(chǎn)品品質。
[0016]本發(fā)明通過在最外層鍍上一層Si02+MgF2或MgF2材料構成的外膜層，解決了以前使用五氧化三鈦和氧化硅這兩種不同折射率的材料反復沉積而成的紅外截止濾光片清洗效果差的問題，杜絕了普通濾光片“表面臟污難擦拭”和“容易有臟污和灰塵點”清洗不掉的現(xiàn)象;外膜層的設置，尤其是優(yōu)化外膜層的成膜參數(shù)來降低濾光片防水角，由于緩沖層材料特殊的化學性質，耐酸堿溶液的清洗，克服了防水膜料不耐酸堿的弱點，有效的解決了現(xiàn)有技術中由于絲印。
[0017]以上實施案例僅用于說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但本發(fā)明并不限于上述實施方式，在所述領域普通技術人員所具備的知識范圍內，本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替代及改進等，均應視為本申請的保護范圍。
【主權項】
1.一種易清洗的紅外截止濾光片，包括基板(4)，設置在基板(4)上的復合膜層，其特征在于:所述的復合膜層外設置有外膜層(I)。2.根據(jù)權利要求1所述的一種易清洗的紅外截止濾光片，其特征在于:所述的基板(4)為玻璃基板;所述的復合膜層包括交替疊合的高折射率材料層(2)和低折射率材料層(3)。3.根據(jù)權利要求2所述的一種易清洗的紅外截止濾光片，其特征在于:所述的高折射率材料層(2)為Ti305材料層，鍍膜時真空度2.0E-2Pa，成膜速率0.20.4nm/s，厚度10150nm,電子槍偏轉電流為390mA。4.根據(jù)權利要求2所述的一種易清洗的紅外截止濾光片，其特征在于:所述的低折射率材料層(3)為Si02層，鍍膜時真空度1.3E-2Pa，成膜速率0.81.6nm/s，厚度50200nm，電子槍偏轉電流為160mA。5.根據(jù)權利要求1所述的一種易清洗的紅外截止濾光片，其特征在于:所述的外膜層(I)為Si02+MgF2或MgF2材料構成的膜層。6.如權利要求1所述的一種易清洗的紅外截止濾光片的鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟: 首先，在清洗干凈的基板上將五氧化三鈦(離子源能量BV:700-1300V，B1:700-1300mA)和氧化硅(離子源能量BV:600-1100V，B1: 600-1100mA)在離子源輔助的情況下反復堆疊沉積的過程，其次是在最外層鍍上一層Si02+MgF2或MgF2構成的外膜層。7.根據(jù)權利要求6所述的一種紅外截止濾光片的鍍膜方法，其特征在于:所述的外膜層的MgF2的加熱工藝參數(shù)為:鍍膜時真空度8.0E-3Pa，厚度約為10lOOnm，IB電壓200-900V，電流200-900mA，成膜速率0.20.8nm/s，電子槍偏轉電流為2 ImA。
【文檔編號】C23C14/30GK106054299SQ201610604271
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月29日
【發(fā)明人】孫波, 焦?jié)? 張昊, 付勇, 李智超
【申請人】利達光電股份有限公司