應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種紅外熱成像儀組件，特別是應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過(guò)非接觸探測(cè)紅外能量(熱量)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對(duì)溫度值進(jìn)行計(jì)算的一種檢測(cè)設(shè)備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠?qū)⑻綔y(cè)到的熱量精確量化或測(cè)量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確識(shí)別和嚴(yán)格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來(lái)的紅外能量(熱能)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會(huì)在探測(cè)器中添加紅外濾光片，通過(guò)紅外濾光片可以使探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結(jié)果。
[0004]但是，目前的紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比，且膜系結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片，包括成分為Si單晶硅的基板以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，其特征是所述第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為110納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為583納米的ZnS層、厚度為1000納米的YF3層、厚度為239納米的ZnS層、所述第二鍍膜層是厚度為1100納米的C層。
[0007]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本發(fā)明得到的應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片，其Si單晶硅的基板配合表面的鍍膜層，實(shí)現(xiàn)中心波長(zhǎng)定位在8000到14000納米，峰值透過(guò)率達(dá)80 %以上，同時(shí)一面膜系結(jié)構(gòu)降到6層，另一面直接為單層膜系結(jié)構(gòu)，大大的簡(jiǎn)化了整體結(jié)構(gòu)，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線圖。
[0011 ]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0013]實(shí)施例1。
[0014]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的本發(fā)明所設(shè)計(jì)的應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片，包括成分為Si單晶硅的基板2以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層I和第二鍍膜層3，所述第一鍍膜層11包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為110納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為583納米的ZnS層、厚度為1000納米的YF3層、厚度為239納米的ZnS層、所述第二鍍膜層12是厚度為1100納米的C層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片，包括成分為Si單晶硅的基板(2)以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層(I)和第二鍍膜層(3)，其特征是所述第一鍍膜層(I)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為110納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為583納米的ZnS層、厚度為1000納米的YF3層、厚度為239納米的ZnS層、所述第二鍍膜層(3)是厚度為1100納米的C層。
【專利摘要】本發(fā)明所設(shè)計(jì)的應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片，包括成分為Si單晶硅的基板以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，其特征是所述第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為110納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為583納米的ZnS層、厚度為1000納米的YF3層、厚度為239納米的ZnS層、所述第二鍍膜層是厚度為1100納米的C層。本發(fā)明得到的應(yīng)用于紅外敏感元件的紅外濾光片，其Si單晶硅的基板配合表面的鍍膜層，實(shí)現(xiàn)中心波長(zhǎng)定位在8000到14000納米，峰值透過(guò)率達(dá)80％以上，同時(shí)一面膜系結(jié)構(gòu)降到6層，另一面直接為單層膜系結(jié)構(gòu)，大大的簡(jiǎn)化了整體結(jié)構(gòu)，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
【IPC分類】G02B5/20
【公開號(hào)】CN105589121
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511024957
【發(fā)明人】王繼平, 呂晶, 胡偉琴
【申請(qǐng)人】杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2015年12月30日