專利名稱：相位差板、含有相位差板的顯示裝置和相位差板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及相位差板、含有相位差板的顯示裝置和相位差板的制造方法。
背景技術(shù)：
在日本特開2005-49865號公報中記載了具有延遲軸方向不同的多個區(qū)域的相位 差板。然而，對于相位差板的光學(xué)特性并沒有任何記載。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供如下方案等。<1> 一種相位差板，具有多個延遲軸方向不同的區(qū)域，在任意區(qū)域中，對波長 λ (nm)的光的雙折射率Δη(λ)滿足式⑴和式(2)。Δη(450)/Δη(550) ^ 1. 00 (1)1. 00 彡 Δη(650)/Δη(550) (2)<2>如<1>所述的相位差板，其中，相位差板是將含有式(A)所示基團(tuán)和至少一個 聚合性基團(tuán)的化合物聚合而得到的相位差板。-G1-D1-Ar-D2-G2-(A)(式中，Ar表示具有選自芳香族烴環(huán)和芳香族雜環(huán)中的至少一個芳香環(huán)的二價基 團(tuán)，該二價基團(tuán)中所含的芳香環(huán)的η電子的合計數(shù)為12以上。D1和D2各自獨立地表示 單鍵、-C0-0-、-0-C0-、-C ( = S)-0-、-0-C( = S) -CR1R2-, -CR1R2-CR3R4-, -O-CR1R2-, -CR1R 2-0-、-CR1R2-O-CR3R4-^-CRiR2-O-CO-, -O-CO-CR1R2-、-CR1R2-O-CO-CR3R4-、-CR1R2-CO-O-CR3R4-^-N R1-CR2R3-, -CR2R3-NR1-, -CO-NR1-或 NR1-CO-, R1、R2、R3 和 R4 各自獨立地表示氫原子、氟原子 或碳原子數(shù)1 4的烷基。G1和G2各自獨立地表示二價脂環(huán)式烴基，該脂環(huán)式烴基可以具 有選自鹵素原子、碳原子數(shù)1 4的烷基、碳原子數(shù)1 4的氟代烷基、碳原子數(shù)1 4的 烷氧基、氰基和硝基中的1個以上的取代基，構(gòu)成該脂環(huán)式烴基的1個以上的亞甲基可以被 置換成-0-、-S-或-NH-。)<3>如<2>所述的相位差板，其中，含有式(A)所示基團(tuán)和至少一個聚合性基團(tuán)的 化合物是用式(D)表示的化合物。
權(quán)利要求
一種相位差板，具有多個延遲軸方向不同的區(qū)域，在任意區(qū)域中，對單位為nm的波長λ的光的雙折射率Δn(λ)滿足式(1)和式(2)，Δn(450)/Δn(550)≤1.00(1)1.00≤Δn(650)/Δn(550)(2)。
2.如權(quán)利要求1所述的相位差板，其中，相位差板是將含有式(A)所示基團(tuán)和至少一個 聚合性基團(tuán)的化合物聚合而得到的相位差板，-G1-D1-Ar-D2-G2- (A)式中，Ar表示具有選自芳香族烴環(huán)和芳香族雜環(huán)中的至少一個芳香環(huán)的二價基團(tuán)，該 二價基團(tuán)中所含的芳香環(huán)的η電子的合計數(shù)為12以上，D1和D2各自獨立地表示單 鍵、-C0-0-、-0-C0-、-C ( = S)-0-、-0-C( = S) -CR1R2-, -CR1R2-CR3R4-, -O-CR1R2-, -CR1R2-O -,-CR1R2-O-CR3R4-^-CRiR2-O-CO-, -O-CO-CR1R2-, -CR1R2-O-CO-CR3R4-, -CR1R2-CO-O-CR3R4-, -NR1-CR2R3-, -CR2R3-NR1-, -CO-NR1-或NR1-CO-, R1、R2、R3和R4各自獨立地表示氫原子、氟原子或 碳原子數(shù)1 4的烷基，G1和G2各自獨立地表示二價脂環(huán)式烴基，該脂環(huán)式烴基能夠具有 選自鹵素原子、碳原子數(shù)1 4的烷基、碳原子數(shù)1 4的氟代烷基、碳原子數(shù)1 4的烷 氧基、氰基和硝基中的1個以上的取代基，構(gòu)成該脂環(huán)式烴基的1個以上的亞甲基可以被置 換成-0-、-S-或-NH-。
3.如權(quán)利要求2所述的相位差板，其中，含有式(A)所示基團(tuán)和至少一個聚合性基團(tuán)的 化合物是用式(D)表示的化合物，P1—F1-^-B1-A1^-E1-G1—D1-Ar—D2—G2—E2-(A2—B2)j-F2—P2 (D)式中，AinD^D2W1和G2表示與權(quán)利要求1中定義相同的意思，E1和E2各自獨立地表示 -CR5R6、-CH2-CH2-、-0-、-S-、-C0-0-、-0-C0-、-0-C0-0-、-C ( = S)-0-、-0_C( = S)-,-O-C (= S) -0-、-CO-NR5-、-NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-或單鍵，R5 和 R6 各自獨立地 表示氫原子、氟原子或碳原子數(shù)1 4的烷基，B1和B2各自獨立地表示-CR5R6-、-CH2-CH2-、 -O-、-S-、-C0-0-、-0-C0-、-0-C0-0-、-C( = S)-0-、-0-C( = S)-,-O-C( = S)-ο-、-CO-NR5-、 -NR5-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-或單鍵，R5 和 R6 表示與上述相同的意思，A1和A2各自獨立地表示二價脂環(huán)式烴基或二價芳香族烴基，該二價脂環(huán)式烴基和二價 芳香族烴基能夠具有選自鹵素原子、碳原子數(shù)1 4的烷基、碳原子數(shù)1 4的氟代烷基、 碳原子數(shù)1 4的烷氧基、碳原子數(shù)1 4的氟代烷氧基、氰基和硝基中的1個以上的取代 基，k和1各自獨立地表示0 3的整數(shù)，F(xiàn)1和F2各自獨立地表示碳原子數(shù)1 12的亞烷基，該亞烷基能夠具有選自碳原子數(shù) 1 5的烷基、碳原子數(shù)1 5的烷氧基和鹵素原子中的1個以上的取代基，該亞烷基所含 的-CH2-可以用-0-或-CO-置換，P1和P2各自獨立地表示氫原子或聚合性基團(tuán)，其中P1和P2中的至少一個是聚合性基團(tuán)。
4.如權(quán)利要求3所述的相位差板，其中，用式(D)表示的化合物是滿足式(3)和式(4) 的化合物，(Νπ-4)/3 < k+1+4 (3) 12 ^ Νπ ^ 22(4)。
5.如權(quán)利要求2或3所述的相位差板，其中，Ar是式(Ar-6)所示的基團(tuán)，
6.如權(quán)利要求2或3所述的相位差板，其中，G1和G2為環(huán)己烷-1，4-二基。
7.如權(quán)利要求3所述的相位差板，其中，A1和A2各自獨立地為1，4_亞苯基或環(huán)己烷-1，4-二基。
8.如權(quán)利要求3所述的相位差板，其中，僅與A1結(jié)合的B1和僅與A2結(jié)合的B2各自獨 立地為-CH2-CH2-、-C0-0-, -0-C0-, -CO-NH-, -NH-CO-, -O-CH2-, -CH2-O-或單鍵，與F1結(jié)合的B1和與F2結(jié)合的B2各自獨立地為-0-、-C0-0-、-0-C0-、-0-C0-0-、-CO-NH -、-NH-CO-或單鍵。
9.如權(quán)利要求3所述的相位差板，其中，P1和P2各自獨立地為氫原子、丙烯酰氧基或甲 基丙烯酰氧基，并且P1和P2不同時為氫原子。
10.一種半透射型液晶顯示裝置，含有權(quán)利要求1所述的相位差板。
11.一種3D顯示裝置，含有權(quán)利要求1所述的相位差板。
12.一種相位差板的制造方法，所述相位差板具有多個延遲軸方向不同的區(qū)域，在全部 區(qū)域中，對單位為nm的波長λ的光的雙折射率Δη(λ)滿足式⑴和式(2)，Δη(450)/Δη(550) ^ 1. 00 (1) 1. 00 彡 Δη(650)/Δη(550) (2) 所述制造方法包括下述(10) (12)的工序(10)在基材上形成取向膜的工序，(11)對取向膜賦予取向能力，以使得其具有多個取向方向不同的區(qū)域的工序，(12)在取向膜上涂布聚合性化合物的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，(11)的工序包含下述(Ila) (Ilc)的工序(Ila)對形成于基材的取向膜的整個面實施第1摩擦處理的工序，(lib)用具有規(guī)定圖案的掩模覆蓋取向膜實施了第1摩擦處理的面的工序，(Ilc)對取向膜實施了第1摩擦處理的面中未被掩模覆蓋的部分實施第2摩擦處理的工序。
14.如權(quán)利要求12或13所述的制造方法，其中，還包括下述(13)的工序 (13)將涂布于取向膜上的聚合性化合物聚合的工序。
15.一種層疊體，包含具有多個取向方向不同的區(qū)域的取向膜、和在取向膜上形成的權(quán) 利要求1 9中任一項所述的相位差板。
16.一種層疊體，包含支撐基材、在支撐基材上形成的取向膜、和在取向膜上形成的權(quán) 利要求1 9中任一項所述的相位差板。
全文摘要
本發(fā)明涉及相位差板、含有相位差板的顯示裝置和相位差板的制造方法。本發(fā)明的相位差板具有多個延遲軸方向不同的區(qū)域，在全部區(qū)域中，對波長λ(nm)的光的雙折射率Δn(λ)滿足式(1)和式(2)。Δn(450)/Δn(550)≤1.00(1)，1.00≤Δn(650)/Δn(550)(2)。
文檔編號G02F1/13363GK101937114SQ201010215499
公開日2011年1月5日 申請日期2010年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月26日
發(fā)明者佐瀨光敬, 落合鋼志郎 申請人:住友化學(xué)株式會社