專利名稱：一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯影機臺領(lǐng)域，特別是涉及一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的 方法。
背景技術(shù)：
在涂膠顯影機臺的使用中，需要監(jiān)測曝光后烘烤(PEB :Post Exposure Bake)過 程中使用的熱板的斜率，傳統(tǒng)地，使用乙酸醛基類DUV光刻膠來監(jiān)測熱板斜率，即將乙酸醛 基類DUV光刻膠涂覆在晶片上，在PEB的熱板上加熱，然后用膜厚測量機臺測量光刻膠的厚 度，測量時，如圖1所示，在水平方向(X方向)和垂直方向(Y方向)各監(jiān)測9個點，然后運 用EXCEL中斜率計算公式計算出X方向、Y方向的斜率值，以確定熱板的傾斜程度是否在規(guī) 定范圍內(nèi)。在生產(chǎn)實踐中，我們發(fā)現(xiàn)，退火型光刻膠對PEB熱板的溫度比乙酸醛基類DUV光刻 膠更加敏感，因此能夠更加敏感的監(jiān)測到熱板的傾斜。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的是提出一種能更加敏感地監(jiān)測顯影機臺曝光 后烘烤熱板斜率的方法。為了達(dá)到本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提出一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率 的方法，包括以下步驟首先，在晶片上涂覆退火型光刻膠后將所述晶片置于曝光后烘烤熱板上進(jìn)行烘烤；然后，用膜厚測量機臺根據(jù)測量方法測量烘烤后的上述光刻膠的厚度；所述測量方法為選取上述光刻膠上在圓周內(nèi)均勻分布的多個點為測量點，測試 上述各測量點的厚度，通過計算上述厚度的最大值和最小值的差值來衡量曝光后烘烤熱板 的斜率。作為上述方案的優(yōu)選，上述測量方法還包括通過膜厚測量機臺顯示的3D圖，直 接判斷顯影機臺曝光后烘烤熱板傾斜的方向。作為上述方案的優(yōu)選，上述測量方法中的測量點為25個。本發(fā)明提出的一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法，由于采用了對PEB 溫度更加敏感的退火型光刻膠及更好的測量方法，因此能敏感的監(jiān)測到熱板是否傾斜，并 能直觀地觀察到熱板傾斜的方向及程度。下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。對于所屬技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員而言，從對本發(fā)明的詳細(xì)說明中，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將顯 而易見。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中使用乙酸醛基類DUV光刻膠監(jiān)測PEB熱板斜率的方法示意圖； B 型 其中，hv為催化劑。由于選用了不同于現(xiàn)有技術(shù)中使用的光刻膠來監(jiān)測熱板的斜率，因此，測量斜率 的方法也有所不同。使用膜厚測量機臺測量光刻膠的厚度時，在光刻膠上選取多個測試點，如圖2所 示，選取25個測量點，上述25個測量點分布在圓心和兩個同心圓的圓周上，這樣的分布能 更好地示出整個光刻膠的表面。然后利用膜厚測量機臺測量光刻膠在每個測量點處的厚 度，得到上述各個測量點處光刻膠的厚度值，若熱板傾斜，則上述厚度值中肯定存在最大值
4圖2為本發(fā)明提出的一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的測量方法示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易理解，下面結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實 施例，作詳細(xì)說明如下。本發(fā)明提出的一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法的優(yōu)選實施例包括 以下步驟首先，在晶片上均勻地涂覆退火型光刻膠(High Activation Energy Resist)，此 處涂膠的方法可以采用現(xiàn)有技術(shù)中任意一種涂膠方法；然后，將涂覆上光刻膠的晶片放置在需要監(jiān)測的顯影機臺PEB熱板上，并進(jìn)行烘 烤；在烘烤過程中，若PEB熱板有傾斜，那么涂覆在晶片上的光刻膠也會隨著熱板的傾斜方 向而變得不均勻。最后，烘烤完畢后，將晶片移至膜厚測量機臺，用膜厚測量機臺測量涂覆在上述晶 片上的光刻膠的厚度。其中，監(jiān)測熱板斜斜率使用的退火型光刻膠(High Activation Energy Resist) 與慣用的乙酸醛基類DUV光刻膠(Low Activation Energy Resist)相比具有更加耐蝕亥lj， 并且對PEB的溫度更加敏感的特性。兩種類型的退火型光刻膠的化學(xué)反應(yīng)式如下所示A型和最小值，通過計算上述最大值和最小值的差值來衡量PEB熱板的傾斜程度。在本發(fā)明另一優(yōu)選實施例中，可以根據(jù)上述測量到的各個測試點的厚度值，利用 膜厚測量機臺上顯示的可供觀察的3D圖來直觀地判斷顯影機臺PEB熱板傾斜的方向，如圖 2中的3D圖所示。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他實施例，在不背離本發(fā)明之精神及實質(zhì)的情況下，所屬技 術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變，但這些相應(yīng)的改變都應(yīng)屬于本發(fā) 明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法，其特征在于，包括以下步驟首先，在晶片上涂覆退火型光刻膠后將所述晶片置于曝光后烘烤熱板上進(jìn)行烘烤；然后，用膜厚測量機臺根據(jù)測量方法測量烘烤后的上述光刻膠的厚度；所述測量方法為選取上述光刻膠上在圓周內(nèi)均勻分布的多個點為測量點，測試上述各測量點的厚度，通過計算上述厚度的最大值和最小值的差值來衡量曝光后烘烤熱板的斜率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法，其特征在 于，上述測量方法還包括通過膜厚測量機臺顯示的3D圖，直接判斷顯影機臺曝光后烘烤 熱板傾斜的方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法，其特征在 于，上述測量方法中的測量點為25個。
全文摘要
本發(fā)明提出一種監(jiān)測顯影機臺曝光后烘烤熱板斜率的方法，包括以下步驟首先，在晶片上涂覆退火型光刻膠后將所述晶片置于曝光后烘烤熱板上進(jìn)行烘烤；然后，用膜厚測量機臺根據(jù)測量方法測量烘烤后的上述光刻膠的厚度；所述測量方法為選取上述光刻膠上在圓周內(nèi)均勻分布的多個點為測量點，測試上述各測量點的厚度，通過計算上述厚度的最大值和最小值的差值來衡量曝光后烘烤熱板的斜率。本發(fā)明由于采用了對PEB溫度更加敏感的退火型光刻膠及更好的測量方法，因此能敏感的監(jiān)測到熱板是否傾斜，并能直觀地觀察到熱板傾斜的方向及程度。
文檔編號G03F7/38GK101900954SQ200910142349
公開日2010年12月1日 申請日期2009年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月1日
發(fā)明者吳廣州, 陳鵬 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司