專利名稱：顯示裝置以及該顯示裝置的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種減少了 余^f象和改善了顯示質(zhì)量的顯示裝置，以及驅(qū)動該顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示("LCD")裝置正在活躍地發(fā)展以增進相對于其他類 型的顯示裝置(諸如以陰才及射線管("CRTs")為例)的優(yōu)勢，諸如 小尺寸、輕重量以及大屏幕尺寸。通常，LCD使用多個單位像素來 顯示圖像，其每個單位像素均包括薄膜晶體管("TFT")和液晶電谷吞。
更具體地，液晶電容器典型地包括像素電極、公共電極以及布
置在二者之間的液晶層。在LCD的操作過程中，通過經(jīng)由TFT供 給外部電荷(例如，灰度信號)到達像素電極在像素電極和公共電 極之間獲得了電場。改變電場就會改變液晶顯示層中的液晶分子的 晶向，并且傳播通過液晶層的光量因此而被改變以顯示期望的圖像。 然而，由于例如由液晶分子的固有特性引起的余像，現(xiàn)有技術(shù)的 LCD遇到能見度差的問題。
LCD的分辨率與單位面積內(nèi)提供的單位像素的數(shù)量成比例。更 具體地，隨著每單位面積單位^象素的凄t量的增加分辨率會增加。然 而，隨著分辨率的增加，需要的掃描線(例如，柵極線)的數(shù)量會 增加，并且可用于將外部電荷(例如，灰度信號)充電到一個像素
7電極中的時間因此而減少，進一步妨礙了現(xiàn)有技術(shù)的LCD顯示期望
的圖像。

發(fā)明內(nèi)容
才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置包括多個單位像素， 排列為具有像素列和像素行的矩陣，該多個單位像素包括布置在第 一像素列和第 一像素行中的第 一單位像素以及布置在第 一像素列和 與第 一像素行相鄰的第二像素行中的第二單位像素；第 一柵極線和 第二柵極線，各自基本上沿著行方向延伸并且各自具有布置在其端 子部分處的棚-極電壓輸入焊盤(pad);第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線， 基本上沿著列方向延伸并且分別連接到第 一單位像素和第二單位像 素；以及第一電荷控制線，基本上沿著行方向延伸并且具有布置在 其端子部分的電荷控制4冊極電壓輸入焊盤。第 一柵4及線連4妄到第一 單位像素以及第二柵極線連接到第二單位像素，并且第 一柵極線和 第二才冊才及線同時^妾收相同的選通脈沖(gate pulse )。
第 一單位像素連接到第 一數(shù)據(jù)線，以及第二單位像素連接到第 二數(shù)據(jù)線。
第一單位像素包括第一子像素和第二子像素，第一柵極線電連 接到第一子像素和第二子像素，以及第一電荷控制線電連接到第一 子像素和第二子像素中的至少一個。
第一子像素包括第一像素電極和第一薄膜晶體管("TFT")，該 第 一薄膜晶體管被配置為基于由第 一柵極線供給該第一 TFT的柵極 導(dǎo)通電壓將第一數(shù)據(jù)線的信號施加給第一像素電極。
第二子像素包括第二像素電極、被配置為基于由柵極線供給第 二 TFT的柵極導(dǎo)通電壓將第 一數(shù)據(jù)線的信號施加給第二像素電極的 第二TFT、電荷控制電極、以及配置為基于第一電荷控制線的電荷控制柵極導(dǎo)通電壓將第二像素電極電連接到電荷控制電極的電荷控 制晶體管。
顯示裝置可以進一 步包括電連接到第二單位像素的第二電荷控 制線。
電荷控制晶體管電連4妄到向下充電電容器(charge down capacitor),該向下充電電容器的第一電極為電荷控制電極，以及基 于向下充電電容器的操作，用不同的電壓為第一子像素和第二子像 素充電。
單位像素包括基本上沿著列方向延伸的存儲線，并且該存4諸線 包括與電荷控制電才及的至少一部分重疊的突出部分。
第 一柵極線可以布置在第 一單位像素上。
第 一柵極線的第 一 區(qū)域與第 一像素電極的 一部分重疊以及第二 柵極線的第二區(qū)域與第二像素電極的一部分重疊。第 一 區(qū)域的大小 等于第二區(qū)域的大小。
第一子像素和第二子像素包括多個》茲疇(domain)區(qū)，并且多 個石茲疇區(qū)的》茲疇區(qū)中液晶的晶向是不同的。
第一單位像素可以包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵電 才及；布置在4冊電才及上的4冊才及絕纟彖層和有源層；以及布置在有源層上 的源電才及和漏電4及中的一個。有源層布置在第一凄t據(jù)線下面，并且 有源層的形狀基本上與第 一數(shù)據(jù)線的形狀相同。
根據(jù)本發(fā)明的選擇性的示例性實施例，提供了 一種驅(qū)動顯示裝 置的方法。該顯示裝置包括多個單位像素，排列為具有像素列和 像素行的矩陣，多個單位像素包括布置在第一像素列和第一像素行中的第 一單位像素，以及布置在第 一像素列和與第 一像素行相鄰的 第二像素行中的第二單位像素。該顯示裝置進一步包括第 一柵極線 和第二4冊極線，基本上沿著行方向延伸并且每個均具有布置在其各
自的端子部分的柵極電壓輸入焊盤；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，基 本上沿著列方向延伸并且分別連接到第一單位像素和第二單位像 素；以及電荷控制線，基本上沿著行方向延伸，具有布置在其端子 部分的電荷控制4冊極電壓輸入焊盤并且電連接到第 一單位像素。該 方法包括將柵極導(dǎo)通電壓同時施加給第 一柵極線和第二柵極線； 用由第一數(shù)據(jù)線供給的灰度電壓為第一單位像素充電；將柵極截止 電壓施加給第 一柵極線和第二柵極線；以及通過將電荷控制柵極導(dǎo) 通電壓施加給電荷控制線來改變充入第一單位像素的第一子像素中 的灰度電壓的值。
將棚4及截止電壓同時施加給第 一柵4及線和第二柵4及線以及將電 荷控制柵極導(dǎo)通電壓施加給電荷控制線是可以同時才丸行的。
將柵極截止電壓同時施加給第一柵極線和第二柵極線達預(yù)定時 間之后，可以#1^亍將4冊4及導(dǎo)通電壓施加給電荷控制線。
用第 一數(shù)據(jù)線所供給的灰度電壓為第 一單位^象素充電可以包 括用相同的灰度電壓電平為第一單位像素的第一子像素和第二子 像素充電。
改變充電到第一子像素中的灰度電壓的值可以包括通過導(dǎo)通 連接到電荷控制線的電荷控制晶體管將向下充電電容器電連接到第 一子像素。
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通過參考附圖，進一步詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例，本 發(fā)明的上述以及其他方面、特征和優(yōu)點將變得更顯而易見，在附圖
中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的示意性平面
圖2是沖艮據(jù)圖1中示出的本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的 示意性電路圖3是才艮據(jù)圖1中示出的本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的 平面圖4是沿圖3的線IV-IV，所取的部分橫截面圖5到7是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的制造薄膜晶體 管("TFT")襯底的方法的步驟的平面圖8是沿圖5的線VIII-Vin，所取的部分橫截面圖9是沿圖6的線IX-IX，所取的部分橫截面圖；以及
圖IO是沿圖7的線X-X'所取的部分橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考附圖在下文中更充分地描述本發(fā)明，其中，在附圖 中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以通過i午多不同 的方式體現(xiàn)并不應(yīng)理解為限于文中所列出的實施例。相反，提供這 些實施例以使本公開變得全面和完整，并且將充分地為本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達本發(fā)明的范圍。全文中，相似的參考標(biāo)號涉及相似的元 件。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個元fN皮稱為"在"另一個元件"上"時，其 可以是直接在其他元件上或在其中可以出現(xiàn)插入元件。相反，當(dāng)一 個元件被稱為"直接在"另一元件"上"時，則不出現(xiàn)插入元件。如 文中所使用的，術(shù)語"和/或"包括列出的相關(guān)項中的一個或多個的 任意和全部組合。
應(yīng)當(dāng)理解，盡管文中可以^吏用術(shù)語"第一"、"第二"、"第三，， 等來描述不同的元件、部件、區(qū)、層和/或部，^f旦這些元件、部件、 區(qū)、層和/或部不應(yīng)#皮這些術(shù)語所限制。這些術(shù)i吾^f又用于將一個元件、 部件、區(qū)、層或部與另一元件、部件、區(qū)、層或部區(qū)別開來。因此， 在不背離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，下面所討論的第一元件、部件、區(qū)、 層或部可以-陂稱為第二元件、部件、區(qū)、層或部。
文中使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例的目的，并不是為了限 制本發(fā)明。除非上下文中明確地指示，否則在本文中所使用的單數(shù)
形式的"一個"("a"、 "an")以及"這個，，規(guī)定為同樣包括復(fù)數(shù)形 式。應(yīng)當(dāng)進一步理解，當(dāng)在本"i兌明書中4吏用時，術(shù)語"包括" ("comprises"和/或"comprising",或"includes"和/或"including") 是指列出的特征、區(qū)、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或部件的存在， 但是并不排除一個或多個其它特征、區(qū)、整數(shù)、步驟、操作、元件、 部件、和/或其組的存在或添加。
另夕卜，如圖中所示，文中可能使用諸如"下部，，或"底部"以 及"上部"或"頂部"的相對項來描述一個元件與其它元件的關(guān)系。 應(yīng)當(dāng)理解，除圖中所示的方位外，相對項意圖包含器件的不同方位。 例如，如果附圖中的一幅中的器件被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其它元 件的"下"部上的元件將^皮定位為在其它元件的"上"部上。因此，
12依據(jù)附圖的特定方位，示例性術(shù)語"下"可包含"上"和"下"方 位。類似地，如果附圖中的一幅中的器件被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在 其它元件"下面"或"下方，，的元件將^皮定位為在其它元件"上面"。 因此，示例性術(shù)語"下面"或"下方"可包4舌上面和下面的方位。
除非另有定義，所有本文中使用的詞語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué) 術(shù)語)均具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員普遍理解的相同的 意思。應(yīng)當(dāng)進一步理解，諸如在普遍使用的字典中定義的術(shù)語，應(yīng) 該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域以及本公開的內(nèi)容中的意思相 一致的意 思，并且除非本文特別定義，則其不應(yīng)^皮解釋為理想的或者過于正 式的解釋。
文中將參照橫截面示意圖來描述本發(fā)明的示例性實施例，其中， 該牙黃截面示意圖示意性的示出了本發(fā)明的理想實施例。同樣，由例 如制造技術(shù)和/或^^差導(dǎo)致的示意圖的形狀變化是預(yù)期的。因此，本 發(fā)明的實施例不應(yīng)被理解為限制于文中示出的區(qū)域的特定形狀而是 包括由例如制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，典型地，示出或描述為 平面的區(qū)域，可具有粗糙的和/或非線性的特征。另外，示出的尖角 可以是圓角。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的并且其形 狀并不是為了示出區(qū)域的精確形狀以及并不是為了限制本發(fā)明的范 圍。
下文中將參照附圖進一步詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的示意性平面
圖，以及圖2是根據(jù)圖1中示出的本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝 置的示意性電路圖。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置包括單位像 素500，基本上以矩陣圖案布置；多條柵極線，例如，柵極線100-la、100-2a、 100-3a、 lOO-lb、以及100-2b;多條第一^U居線，例如， 第一數(shù)據(jù)線200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、以及200畫6a; 多條第二數(shù)據(jù)線，例如，第二凄史據(jù)線200-lb、200-2b、200畫3b、200-4b、 200-5b、以及200-6b;以及多條電^^空制線，例^口，電4肓4空制線 300-la、 300-2a、 300畫3a、 300-lb、 300畫2b、以及300畫3b。根據(jù)本發(fā) 明的示例性實施例的顯示裝置進 一 步包括4冊才及電壓輸入焊盤 110曙la、 110畫lb、 110-2a、 110畫2b、以及110-3a，還有，電荷控制才冊 才及電壓輸入焊盤，例如，如圖1中示出的電荷控制輸入焊盤310-la、 310-lb、 310-2a、 310曙2b、以及310-3a。
如圖1所示，矩陣(下文中稱為"像素矩陣")包括多個單位像 素500。具體地，^象素矩陣包4舌沿著第一方向(例如，列方向)準(zhǔn) 直的像素列，以及沿著第二方向(例如，基本上垂直于第一方向的 行方向)準(zhǔn)直的像素行。在示例性實施例中，單位像素500發(fā)射紅 色、綠色以及藍色光并且順序地沿著像素行方向排列，但是本發(fā)明 的選擇性的示例性實施例并不限于此。例如，在選擇性的示例性實 施例中，發(fā)射紅色、綠色以及藍色光的單位像素500可以順序地沿 著像素列方向排列。
現(xiàn)在將參考圖2進一步詳細描述多個單位z像素500中的兩個單 位像素500。更具體地，在圖2中，奇數(shù)編號的像素500-Odd連接 到數(shù)據(jù)線200-la (圖1 )，為了便于描述的目的，下文中稱為"第一 數(shù)據(jù)線200-Da，，或"左手?jǐn)?shù)據(jù)線200-Da，，，以及偶數(shù)編號的像素 500-Even連接到數(shù)據(jù)線200-lb (圖1 )，下文中稱為"第二數(shù)據(jù)線 200-Db"或"右手f丈據(jù)線200-Db"。另外，奇l史編號的單位l象素 500-Odd和偶數(shù)編號的單位像素500-Even各自均包括第一子像素 501和第二子像素502,但選擇性的示例性實施例并不限于此。選擇 性地，例如，奇數(shù)編號的單位像素500-Odd和偶數(shù)編號的單位像素 500-Even中的每一個中均可以提供多于兩個子像素。另外，應(yīng)當(dāng)理 解，為了例證性的目的，在圖2中僅示出了兩個單位像素500,但示例性實施例并不限于此。本發(fā)明的替代的示例性實施例包括單位 像素的另外的列和/或行，交替地標(biāo)記為偶數(shù)和奇數(shù)，如圖中示出的。
仍參考圖2，奇數(shù)編號的像素500-Odd的第一子^f象素501包括 第一薄膜晶體管("TFT，， ) 601-a、第一液晶電容器Clcl、以及第一 存儲電容器Cstl。第一TFT601-a的柵極端子(例如，柵電極)連 -接到對冊才及線100-la (圖1 ),下文中稱為"第一柵極線lOO-Ga"。
另外，第一薄膜晶體管601-a的源極端子連接到第一數(shù)據(jù)線 200-Da。第一薄膜晶體管601-a的漏極端子連接到第一液晶電容器 Clcl和第一存^f諸電容器Cstl，如圖2所示。
偶數(shù)編號的〗象素500-Even的第一子^f象素501包括第一 TFT 601-b、第一液晶電容器Clcl、以及第一存儲電容器Cstl。第一 TFT
601- b的柵極端子連接到柵極線100-lb (圖1 ),下文中稱為"第二 柵極線lOO-Gb"。
第一 TFT 601-b的源極端子連接到第二數(shù)據(jù)線200-Db。如圖2 所示，第一薄膜晶體管601-b的漏極端子連4妄到偶數(shù)編號的單位像 素500-Even的第一子像素501的其第一液晶電容器Clcl以及第一 存儲電容器Cstl。
奇凄t編號的〗象素500-Odd的第二子像素502包括第二 TFT
602- a、電荷控制晶體管701-a、第二液晶電容器Clc2、第二存儲電 容器Cst2、以及向下充電電容器Cdown。第二 TFT 602-a的4冊才及端 子連接到第一柵極線lOO-Ga。第二TFT602-a的源極端子連接到第 一數(shù)據(jù)線200-Da。第二 TFT 602-a的漏極端子連接到第二液晶電容 器Clc2和第二存儲電容器Cst2。電荷控制晶體管701-a的柵極端 子連接到電荷控制線300-la(圖1)，下文中稱為"第一電荷控制線" 300-Ca。如圖2所示，電荷控制晶體管701-a的源才及端子連接到第二液晶電容器Clc2以及其漏才及端子連4妄到向下充電電容器 Cdown。偶數(shù)編號的像素500-Even的第二子^f象素502包括第二 TFT 602-b、電荷控制晶體管701-b、第二液晶電容器Clc2、第二存儲電 容器Cst2、以及向下充電電容器Cdown。第二 TFT 602-b的柵4及端 子連4妄到第二4冊一及線100-Gb。第二TFT 602-b的源4及端子連一妾到第 二數(shù)據(jù)線200-Db。第二 TFT 602-b的漏極端子連接到第二液晶電容 器Clc2和第二存^f諸電容器Cst2。電荷控制晶體管701-b的棚-才及端 子連接到電荷控制線300-lb (圖1)，下文中稱為"第二電荷控制線 300-Cb"。如圖2所示，電荷控制晶體管701-b的源極端子連接到第 二液晶電容器Clc2以及其漏才及端子連4妻到向下充電電容器 Cdown。在本發(fā)明的選^奪性的示例性實施例中，奇數(shù)編號的單位^象素 500-Odd和偶凄t編號的單位l象素500-Even可以各自進一步包4舌向 上充電電容器(charge-up capacitor)(未示出)。既然這樣，電荷控 制晶體管701-a和電荷控制晶體管701-b中的每一個的漏極端子均 可以分別連接到向上充電電容器Cup的第一電極。向上充電電容器 Cup的第二電極可以分別連接到第一TFT 601-a和第一TFT 601-b 中的每一個的漏才及端子。再次參考圖1,柵極線lOO-la、 100-2a、 100陽3a、 lOO-lb、 100-2b 以及100-3b基本上沿著^f象素矩陣的行方向延伸。另外，棚-才及線 lOO-la、 100-2a、 100-3a、 100畫lb、 100-2b、以及100畫3b連4妄到1象 素矩陣的像素行中的相應(yīng)的單位像素500。更具體地，柵極線 lOO-la、 100-2a、 100-3a、 lOO-lb、 100畫2b、以及100-3b中的一條 連接到相應(yīng)的像素行的一行。結(jié)果，如圖l所示，柵極線lOO-la、 100-2a、 100-3a、 lOO-lb、 100-2b、以及100-3b中的每一條均布置 得經(jīng)過單位-像素區(qū)。更具體地，沖冊極線lOO-la、 100-2a、 100-3a、lOO-lb、 100-2b、以及100-3b中的每一條均與單位^像素區(qū)中的每一 個的至少一部分重疊，但選擇性的示例性實施例并不限于此。選擇 性地，例如，柵才及線100-la、 100-2a、 100-3a、 lOO-lb、 100-2b、 以及100-3b中的每一條均可以沿單位像素區(qū)中的每一個的外部邊 緣延伸。
仍參考圖1,數(shù)據(jù)線200-la、 200-2a、 200-3a、 200畫4a、 200誦5a、 200-6a、 200畫lb、 200-2b、 200畫3b、 200-4b、 200-5b、以及200-6b
基本上沿著像素矩陣的列方向延伸。此外，數(shù)據(jù)線200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、 200陽6a、 200-lb、 200-2b、 200-3b、 200陽4b、 200-5b、以及200-6b連4妾到{象素矩陣的相關(guān)<象素列。具體地，兩條 數(shù)據(jù)線均連接到指定的像素列。更具體地，第一數(shù)據(jù)線200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、以及200-6a中的一條連4妾至'J才旨 定的{象素列，同時第二W居線200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b 、以及200-6b中的 一條也連接到指定的像素列。例如，最好 如圖2所示，第一凄t才居線200-Da (例如，左手凄史才居線200-Da,相 應(yīng)于圖1的數(shù)據(jù)線200-la )以及第二數(shù)據(jù)線200-Db (例如，右手?jǐn)?shù) 據(jù)線200-Db，相應(yīng)于圖1的數(shù)據(jù)線200-lb )均連接到包括奇數(shù)編號 的單位j象素500-Odd和偶凄t編號的單位像素500-Even的像素列中 的單位^象素500，如圖2所示。
因此，如圖1中和以上參考圖2的更詳細的描述的上下文中所 闡明的，在本發(fā)明的示例性實施例中，多條第一凄t據(jù)線200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、以及200-6a中的一條第一凄t才居 線200-la、 200-2a、 200-3a、 200畫4a、 200誦5a、以及200畫6a布置在 相應(yīng)的像素列的左側(cè)，而多條第二數(shù)據(jù)線200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200畫5b、以及200-6b中的一條第二凄t據(jù)線200-lb, 200-2b， 200-3b、 200-4b、 200陽5b、以及200-6b布置在沖目應(yīng)的4象素歹l1的才目只t 的右側(cè)。此外，相應(yīng)的像素列中的奇數(shù)編號的單位像素500連接到 第一數(shù)據(jù)線200-la 、 200畫2a、 200-3a、 200誦4a、 200-5a、以及200-6a
17或選擇性地連4妄到第二H據(jù)線200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b、以及200-6b。同樣，相應(yīng)的l象素列中的偶凄史編號的單^U象 素500連接到剩余的數(shù)據(jù)線，例如，奇數(shù)編號的單位像素500未連 接到的數(shù)據(jù)線。
在本發(fā)明的示例性實施例中，將相同的柵-極驅(qū)動脈沖施加給連 接到相鄰單位像素500的相鄰的柵極線(例如，施力D到圖2中的第 一才冊才及線lOO-Ga和第二才冊才及線lOO-Gb )。
結(jié)果，甚至當(dāng)增加了大量的柵極線以改善分辨率的時候，分配 給每條柵極線的用于施加?xùn)艠O導(dǎo)通電壓的時間量對于每條柵極線基 本上是增加的。更具體地，在本發(fā)明的示例性實施例中，其中，分 l碎率乂人1,920x1,080 i曾力口到了 4,096x2,160,侈'B口，需要1,080條牙冊 極線來實現(xiàn)1,920x1,080的分辨率。相比之下，需要2,160條柵極線 來實現(xiàn)4,096x2,160的分辨率。然而，在兩種情況下，分配的用于 顯示一個圖像幀的時間量均相同。為了例證性的目的，將基于這樣 的,支定分配的用于顯示一個圖〗象幀的時間量是，例如，l(一)秒 來描述兩種情況。在顯示裝置具有1,080條柵極線的情況下，施加 一秒鐘的柵極導(dǎo)通電壓給所有的柵極線(例如，1，080條柵極線)， 并且，因此，分配給單一柵極線的用于施加4冊極導(dǎo)通電壓的時間量 是1/1,080秒。然而，在顯示裝置具有2,160條柵極線的情況下，施 加一秒鐘的柵極導(dǎo)通電壓給所有的2,160條4冊極線，并且，因此， 分配給一條柵極線的用于施加?xùn)艠O導(dǎo)通電壓的時間量是1/2,160秒。 換句話說如果分辨率加倍，分配的用于施加給一條柵極線的柵極導(dǎo) 通電壓的時間會減少 一 半。
然而，在本發(fā)明的示例性實施例中，將柵極導(dǎo)通電壓同時施加 給兩條沖冊極線，例如，施加鄉(xiāng)會第一對冊極線100-la和第二柵-才及線 100-lb(圖l)，并且，甚至當(dāng)增加大量的^"極線時，分配給一條柵才及線的(例如第一片冊才及線100-la或第二柵才及線100-lb )用于施加才冊 才及導(dǎo)通電壓的時間量并沒有因ot匕而減少。因為將4冊才及導(dǎo)通電壓同時施加給兩條棚4及線，例如，施加結(jié)sf皮 此相鄰的第一4冊纟及線100-la和第二4冊纟及線lOO-lb，所以連4妄到兩條 才冊才及線(例如，連4妄到第一棚4及線100-la和第二4冊才及線100-lb )的 兩個像素行同時操作。結(jié)果，彼此縱向相鄰的兩個單位像素500中 的第一 TFT601和第二 TFT602尋皮同時導(dǎo)通。在第一 TFT 601和第 二TFT602的情況下，因為縱向相鄰的兩個單位像素顯示相同的圖 像，所以顯示裝置的分辨率不能增加。因此，在根據(jù)本發(fā)明的示例 性實施例的顯示裝置中，第一 TFT601和第二 TFT602布置在上部 的單位j象素500中，例如，連4妾到第 一數(shù)據(jù)線200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、以及200-6a中的一條上，同時布置在相鄰下部的 單位像素500中的第一 TFT601和第二 TFT602連接到第二數(shù)據(jù)線 200-lb、 200-2b、 200-3b、 200畫4b、 200畫5b、以及200—6b中的一條 上。結(jié)果，將不同的灰度信號(例如，不同的電荷)分別施加給相 關(guān)的第一凄史才居纟戔200國la、 200畫2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、 200畫6a、 以及才目關(guān)的第二凄t才居線200-lb、 200-2b、 200陽3b、 200-4b、 200畫5b、 以及200-6b。從而，縱向相鄰的兩個單位像素500顯示不同的圖^f象， 并且因此顯示裝置的分辨率基本上^是高了 。如上所述，根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括用于控制單位像 素500的第一子像素501和第二子像素502中的每一個中的電荷量 的電荷控制線300-la、 300-2a、 300-lb、以及300-2b。更具體地， 電荷控制線300-la、 300-2a、 300-lb、以及300-2b基本上沿著4象素 矩陣的行方向延伸，并且連4妻到其〗象素行。電荷控制線300-la、 300-2a、 300-lb、以及300-2b與數(shù)據(jù)線200-la、 200-2a、 200畫3a、 200-lb、 200-2b、以及200-3b電隔離。在示例性實施例中，將4冊才及導(dǎo)通電壓施加給4冊才及線lOO-la 、 100畫2a、 100畫3a、 100-lb、 100-2b、或100-3b以在第一子寸象素501 和第二子像素502中存儲基本上相同的電荷。結(jié)果，當(dāng)將柵極截止 電壓施加纟合才冊才及線100-la、 100-2a、 100-3a、 100畫lb、 100-2b、或 100-3b時，將用于導(dǎo)通電荷控制晶體管701的柵極導(dǎo)通電壓也施加 給電荷控制線300-la、 300-2a、 300-lb、以及300-2b。因此，第一 子像素501和第二子像素502中的至少一個中的電荷量會改變。具 體地，在示例性實施例中，減少了第二子像素502中的電荷量由此 來基本上改善能見度。
在示例性實施例中，當(dāng)將柵-才及截止電壓施加紹4冊極線100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b、或100畫3b時， 一奪用于導(dǎo)通電荷 控制晶體管701的柵極導(dǎo)通電壓施加給電荷控制線300-la、 300-2a、 300-lb、以及300-2b， ^f旦選擇性的示例性實施例并不限于此。例如， 在本發(fā)明的選擇性的示例性實施例中，在將4冊極截止電壓施加給柵 才及纟戔100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100畫2b、或100畫3b之后的 某個時間可以將柵極導(dǎo)通電壓施加給電荷控制晶體管701 。
現(xiàn)在參考圖2，第一柵極線100-Ga和第二柵極線100-Gb，還 有第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線300-Cb，基本上沿著 行方向延伸。另外，第一柵極線100-Ga和第二柵極線100-Gb，還 有第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線300-Cb,各自均具有
布置在其一個端子上的棚4及電壓輸入焊盤。圖3是才艮據(jù)圖1中示出
的本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的平面圖以及圖4是沿圖3的 線IV-IV，所取的部分橫截面圖。
參考圖3和4,根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置包括作 為下部襯底1000的TFT襯底1000、作為上部襯底2000布置得與 TFT沖于底1000才目3寸(例^口，面只于)的7^共電才及^H"底2000、以及布 置在TFT襯底1000和7>共電才及襯底2000之間的液晶30。
20可以是縱向準(zhǔn) 直方式，例如，液晶30可以垂直對準(zhǔn)上部4于底2000以及下部4于底 1000 ，但選4奪性的示例性實施例并不限于此。TFT襯底1000包括透明絕緣襯底10。透明絕緣襯底10可以包 括(例如)玻璃或透明塑料，但選擇性的示例性實施例并不限于此。根據(jù)示例性實施例的TFT襯底1000包括以上參考圖2已比較 詳細的描述過的、在透明絕緣襯底10上基本沿著行方向延伸的第一 才冊才及線100-Ga和第二4冊才及線100-Gb。第一才冊才及線100-Ga和第二 才冊才及線100-Gb的 一部分基本上沿著第二 (例如，列)方向突出以 分別形成第一 TFT 601和第二 TFT 602的各自的第一^"極端子和第 二才冊極端子。在示例性實施例中，第一沖冊極線100-Ga和第二4冊極 線100-Gb可以具有單層結(jié)構(gòu)，或選擇性地包括兩層以上的多層結(jié) 構(gòu)。在第一柵-才及線100-Ga和第二4冊才及線100-Gb具有兩層以上的多 層結(jié)構(gòu)的情況下， 一層可以由 <氐電阻材^1"形成以及其j也層可以由與 其他材料有良好接觸特性的材料形成。例如，才艮據(jù)本發(fā)明的示例性 實施例的第一柵極線100-Ga和第二柵極線100-Gb可以包括第一4各 (Cr)層和第二鋁(Al)(或Al合金)層，或選擇性地，兩層包括 第一A1 (或A1合金)層和第二鉬(Mo)層，但選擇性的示例性實 施例并不限于此。選4奪性地，例如，第一柵纟及線lOO-Ga和第二柵 極線lOO-Gb可以包括各種金屬和/或?qū)щ姴牧?。根?jù)本發(fā)明的示例性實施例的TFT襯底1000包括基本上沿著 與第 一才冊才及線lOO-Ga和第二才冊才及線lOO-Gb相同的方向(例如，沿 著4亍方向)延伸的第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線 300-Cb。第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線300-Cb的一部分基本上在列方向上突出以形成電荷控制晶體管701的4冊極端子 711。在本發(fā)明的示例性實施例中，第一電荷控制線300-Ca和第二 電荷控制線300-Cb基本上由與第一棚4及線100-Ga和第二4冊4及線 100-Gb相同的材料形成，同樣基本上位于由其限定的平面的相同的平面上。第一斥冊才及線100-Ga、第二斥冊才及線100-Gb、第一電祠^空制線 300-Ca、以及第二電荷控制線300-Cb分別具有布置在各自的柵極 線和電荷控制線的端子的柵纟及電壓輸入焊盤110、 310，如圖3所示。 更具體地，第一柵極電壓輸入焊盤110-Ga和第二柵極電壓輸入焊 盤110-Gb分別布置在第一柵-極線100-Ga和第二沖冊才及線100-Gb的 末端。同樣，第一電荷控制4冊極電壓輸入焊盤310-Ca和第二電荷 控制柵極電壓輸入焊盤310-Cb分別布置在第一電荷控制線300-Ca 和第二電荷"t空制線300-Cb的末端。此夕卜，柵極電壓輸入焊盤110、 310形成于TFT襯底1000的外 部邊緣區(qū)內(nèi)，并且，在操作期間，將輸入自外部電路(未示出)的 對冊才及電壓沖是供給第一4冊極線100-Ga、第二沖冊4及線100-Gb、第一電 荷控制線300-Ca 、以及第二電荷控制線300-Cb 。如上面參考圖l和2進一步詳細的描述，乂人外部電踏4命入4冊才及 電壓，使得在將柵極導(dǎo)通電壓施加給連接到兩個相鄰單位像素的相 鄰沖冊極線之后，將用于導(dǎo)通相關(guān)的電荷控制晶體管的4冊才及導(dǎo)通電壓 施加給連接到兩個相鄰單位像素的相鄰電荷控制線。仍參考圖3和4,根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的TFT襯底1000 包括與第一4冊才及線100-Ga和第二4冊才及線100-Gb相交的第一H據(jù)線 200-Da和第二凄t悟線200-Db。第一凄史才居線200-Da和第二凄t才居線 200-Db基本上布置得相鄰于如上面參考圖1和2較詳細的描述過的 <象素矩陣的像素列的左側(cè)和右側(cè)。第一數(shù)據(jù)線200-Da和第二凄史據(jù)22線200-Db的一部分突出，以分別形成第一 TFT 601和第二 TFT 602各自的第一源才及端子631和第二源4及端子641。才艮據(jù)本發(fā)明的示例 性實施例的第一數(shù)據(jù)線200-Da和第二H據(jù)線200-Db可以具有單層 結(jié)構(gòu)或，選4奪性地，包括具有不同物理性質(zhì)的兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。 在第一數(shù)據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù)線200-Db由具有兩層以上的多層 結(jié)構(gòu)形成的示例性實施例中， 一層可以包括^f氐電阻材并牛(以減少翁: 據(jù)信號的延遲和/或電壓降)，而其他層可以由與其他材料有良好接 觸特性的材料形成。盡管圖3中示出的第一數(shù)據(jù)線200-Da和第二 數(shù)據(jù)線200-Db基本上具有直線的形式，但本發(fā)明的選擇性的示例 性實施例并不限于此。例如，根據(jù)本發(fā)明的選4奪性的示例性實施例 的第一翁:據(jù)線200-Da和第二凄t據(jù)線200-Db可以具有(包括 f旦不限 于)周期性地在其中交替彎曲的直線，或選擇性地曲線形式。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的TFT襯底1000進一步包括多條 存儲線400,延伸通過基本上限定在第一H據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù) 線200-Db之間的區(qū)域。更具體地，多條存儲線400中的存儲線400 基本上平行于第一數(shù)據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù)線200-Db延伸。根據(jù) 本發(fā)明的示例性實施例的存〗諸線400可以基本上由與第一^:據(jù)線 200-Da和第二凄史才居線200-Db相同的才才泮牛形成，并且基本上^立于與 其限定的平面的相同的平面上。存儲線400用作第一存儲電容器 Cstl和第二存儲電容器Cst2的電極端子。如圖3中所示，存儲線 400的一部分基本上沿著4亍方向上突出以形成突起410。在示例性實 施例中，突起410用作向下充電電容器Cdown的電才及端子。存儲線400可以基本上沿著列方向經(jīng)過單位像素的中央?yún)^(qū)域。 沿著列方向排列的單位像素500的每一 個中的第一 TFT 601和第二 TFT 602交替地排列在存儲線400的左側(cè)和右側(cè)。因此，如圖3中 示出的，當(dāng)同一像素列中存在兩個單位像素500時，上部單位像素 中的第一 TFT601和第二 TFT602布置在存儲線400的右側(cè)，而下部單位像素500中的第一 TFT 601和第二 TFT 602布置在存儲線400的左側(cè)。
TFT襯底1000包括第一像素電極510和第二像素電極520。第一l象素電極510是第一液晶電容器Clcl和第一存儲電容器Cstl的電才及端子，以及第二〗象素電才及520是第二液晶電容器Clc2和第二存^f諸電容器Cst2的電才及端子。第一i象素電才及510和第二^f象素電^L520由諸如以銦錫氧化物("ITO")或銦鋅氧4匕物("IZO")為例的透明導(dǎo)電材料形成。在每一個單位像素區(qū)中提供第一像素電極510和第二像素電極520。如圖3所示，第一像素電極510和第二像素電才及520通過切斷(cut-out)部分相互隔離開。在本發(fā)明的示例性實施例中，切斷部分可以具有"V"型，如圖3所示。另外，第一像素電極510布置在單位像素區(qū)的上部，以及第二像素電極520布置在單位像素區(qū)的下部。第一像素電極510和第二像素電極520包括多個f茲疇。切斷圖案和/或突起用于分割(例如，分離)多個》茲疇中的》茲疇。
在本發(fā)明的示例性實施例中，第一像素電才及510和第二像素電極520可以相對于(例如，鏡像地關(guān)于)存^f諸線400對稱地排列。在本發(fā)明的示例性實施例中，絕緣層(未示出)布置在第一像素電極510和第二像素電極520與底層結(jié)構(gòu)(例如，第一TFT601、第二 TFT 602、第一4冊才及線lOO-Ga、第二才冊才及線lOO-Gb、第一凄t據(jù)線200-Da、第二凄t才居線200-Db和/或存4諸線400 )之間。有才幾層和/或無才幾層可以用作絕纟彖層。
在示例性實施例中，第 一棚4及線100-Ga和第二沖冊才及線100-Gb被布置為基本上沿著行方向橫^,第一像素電才及510和第二像素電極520之間的區(qū)域，例如，切斷區(qū)，如圖3所示。因為第 一柵極線100-Ga和第二4冊才及線100-Gb布置在單4立-像素區(qū)內(nèi)吾P,第一沖冊才及線100-Ga和第二柵極線100-Gb與第一4象素電極510和第二像素電極520之間的重疊區(qū)域變得統(tǒng)一。因此，出現(xiàn)在重疊區(qū)域中的寄生電容基本上減少了和/或有效地消除了 。
因此，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的TFT襯底1000包括分別連接到第一數(shù)據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù)線200-Db中的一個，以及分別連接到第一柵極線lOO-Ga和第二柵極線lOO-Gb中的一個的第一TFT 601和第二 TFT 602。
仍參考圖3和4，才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的第一 TFT 601包4舌第一棚-才及端子611、第一源才及端子631、以及第一漏才及端子651。同樣，第二TFT602包括第二4冊極端子621、第二源才及端子641、以及第二漏才及端子661。第一 TFT 601進一步包括第一柵才及端子611上的柵極絕緣層612、柵極絕緣層612上的有源層613、以及歐姆接觸層614。第二TFT 602也進一步包括第二柵極端子621上的柵極絕緣層622、柵極絕緣層622上的有源層623、以及歐姆接觸層624。如圖3和4所示，第一4冊才及端子611和第二4冊才及端子621形成為一體。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的柵極絕緣層612和622可以包括氮化硅層或，選4奪性地，氧化》圭層。有源層613和623分別布置在第一柵-才及端子611和第二4冊才及端子621上。第一源才及端子631和第二源才及端子641分別形成于有源層613和623上。第一漏才及端子651通過第一像素接觸孔652連接到第一像素電極510。第二漏極端子661通過第二像素接觸孔662連接到第二像素電極520。
在本發(fā)明的示例性實施例中，有源層613和623分別Y又布置在第一棚-極端子611和第二一冊4及端子621上，并且可以同樣分別布置的最4妄近于第一漏4及端子651和第二漏一及端子661。具體地，有源層613和623可以布置在第一^:據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù)線200-Db的下部區(qū)。既然這樣，有源層613和623布置在第 一數(shù)據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù)線200-Db的下面，并且第 一數(shù)據(jù)線200-Da和第二數(shù)據(jù)線200-Db、還有有源層613和623基本上具有相同的平面形狀。電荷控制晶體管701包括連接到第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線300-Cb的柵極端子711、布置在柵極端子711上的柵極絕緣層(未示出)、布置在柵極端子711上方的柵極絕緣層上的有源層713、布置在有源層713上的源纟及端子721和漏纟及端子731。源極端子721通過源極接觸孔722連接到第二像素電極520。漏極端子731通過漏才及4妄觸孑L 732連4妾到電荷控制電極800。電荷控制電極800用作向下充電電容器Cdown的電極端子。因此，電荷控制電極800的一部分與存儲線400的突起410重疊，如圖3所示。結(jié)果，當(dāng)電荷控制晶體管701導(dǎo)通時，存儲在第二像素電極520中的電荷經(jīng)由電荷控制晶體管701轉(zhuǎn)移到電荷控制電極800。在每一個第一4象素電才及510和第二<象素電才及520之間形成電荷控制電才及800 。具體地，電荷控制電4及800布置在第二1象素電極520的下部的切斷區(qū)中，以及電荷控制晶體管701布置在與第二像素電極520的下部的切斷區(qū)相鄰的區(qū)域。因此，用于將電荷控制電極800連接到電荷控制晶體管701和/或第一像素電才及510和第二Y象素電極520的互連的所需長度基本上減小了和/或有效地最小化了 ，因此基本上減小了才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的孔徑比。
仍參考圖3和4，在本發(fā)明的示例性實施例中，公共電才及襯底2000包括光傳輸絕》彖襯底20、光屏蔽圖案910、濾色器920、布置在光屏蔽圖案910和濾色器920上的覆蓋層930、以及布置在覆蓋層930上的公共電極940。在本發(fā)明的示例性實施例中，濾色器920包括紅色、鄉(xiāng)錄色和/或藍色濾色器920。光屏蔽圖案910防止相鄰單位像素區(qū)之間的光干涉和/或漏光。在本發(fā)明的示例性實施例中，黑色矩陣910用作光屏蔽圖案910。另夕卜，根據(jù)示例性實施例的覆蓋層930包括有^/L材^K 7>共電極940由諸如以ITO或IZO為例的透明導(dǎo)電材料形成。
26在公共電極940中提供多個切斷圖案941用于控制磁疇(上面已比較詳細地描述過)，但本發(fā)明的選擇性的示例性實施例并不限于此。選擇性地，例如，可以使用突起來控制石茲疇。
公共電極940是第一液晶電容器Clcl和第二液晶電容器Clc2中的每一個的電極端子。具體地，在第一液晶電容器Clcl中，第一^象素電極510是上部電才及，7>共電極940是下部電才及，以及液晶30充當(dāng)其間的電介質(zhì)。類似地，在第二液晶電容器Clc2中，第二^象素電才及520是上部電極，7>共電才及940是下部電極，以及液晶30充當(dāng)其間的電介質(zhì)。
TFT襯底1000和7>共電極襯底2000用插入其間的液晶30相互附著以制造根據(jù)本發(fā)明地示例性實施例的顯示裝置的基板。另夕卜，顯示裝置可以進一步包括才及化薄力莫、背光、以及光學(xué)一反/片，例如，布置在基一反的側(cè)面。
因此，在示例性實施例中，將柵極導(dǎo)通電壓施加給第一柵極線lOO-Ga和與其相鄰的第二柵極線lOO-Gb。結(jié)果，甚至當(dāng)分辨率增加的時候，也能夠阻止充電時間(例如，TFT的柵極導(dǎo)通時間)減少。另外，可以將單位像素制造為包括第一子像素和第二子像素，并且，基于下一一冊極導(dǎo)通電壓(例如，時間上緊隨其后并且相鄰的柵極導(dǎo)通電壓)驅(qū)動的電荷控制器因此而控制第二子像素中的電荷量。在本發(fā)明的示例性實施例中，第一子像素是代表高灰度的主像素，而第二子像素是代表低灰度的子像素。因此，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的可見度(例如，顯示質(zhì)量)基本上改善了 。
下文中，將進一步詳細的描述4艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的制造方法。造方法的步驟的平面圖。圖8是沿圖5的線vm-vnr所取的部分橫
截面圖，圖9是沿圖6的線IX-IX，所取的部分橫截面圖，以及圖10是沿圖7的線X-X，所取的部分橫截面圖。圖5-9中的相同參考符號涉及與圖1-4中的相同或相似的部件，并且下文中將省略任何對其
重復(fù)的詳細的描述。
參考圖5和8，第一導(dǎo)電層形成于襯底10上。對第一導(dǎo)電層(未全部示出)加工圖案以形成第 一柵極線100-Ga 、第二柵極線100-Gb 、第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線300-Cb。柵極電壓輸入焊盤110和電荷控制柵"f及電壓llr入焊盤310形成在第一棚j及線100-Ga、第二柵極線100-Gb、第一電荷控制線300-Ca和第二電荷控制線300-Cb的各個端子上。第一和第二 TFTs的棚4及端子611和621以及電荷控制晶體管的^f冊極端子711(上面參考圖1-4已比較詳細的描述過)是同時形成的。
在本發(fā)明的示例性實施例中，第一導(dǎo)電層可以包括Cr、 MoW、Cr/Al、 Cu、 Al(Nd)、 Mo/Al、 Mo/Al(Nd)、 Cr/Al(Nd)、 Mo/Al/Mo以及它們的組合中的至少 一種，但本發(fā)明的選擇性的示例性實施例并不限于此。例如，第一導(dǎo)電層可以包括A1、 Nd、 Ag、 Cr、 Ti、 Ta、Mo以及它們的組合或包括前述元素中的至少 一種的合金中的至少一種。此外，可以將第一導(dǎo)電層形成為具有單層或，選擇性地，多層結(jié)構(gòu)。具體地，第一導(dǎo)電層可以是兩層結(jié)構(gòu)或，選4奪性地，三層結(jié)構(gòu)，包括具有良好物理和化學(xué)性質(zhì)的金屬層，諸如以Cr、 Ti、 Ta和Mo為例，以及具有低比電阻的金屬層，諸如基于Al的金屬或基于Ag的金屬為例。在襯底表面上形成第一導(dǎo)電層之后，在第一導(dǎo)電層上形成光致抗蝕劑層并且使用掩膜執(zhí)行光刻過程以形成光致抗蝕劑掩模圖案。使用光致抗蝕劑掩膜圖案作為刻蝕掩膜來執(zhí)行刻蝕過程。結(jié)果，分別形成了第一柵^J戔100-Ga和第二^f冊極線100-Gb和柵極端子611及621 ，如圖5和8所示。形成第 一 電荷控制線300-Ca
28和第二電荷控制線300-Cb，并且在第一電荷控制線300-Ca和第二 電荷控制線300-Cb上形成電荷控制晶體管701 (圖3 )的柵極端子 711。
現(xiàn)在參考圖6和9，在形成第一柵-才及線100-Ga和第二4冊4及線 100-Gb的4于底10上依次形成沖冊才及絕^彖層612和622、有源層薄月莫 以及歐姆4妄觸層薄膜。然后，對有源層薄膜以及歐姆接觸層薄膜加 工圖案以形成有源層613、 623和713，以及歐姆4妻觸層614和624。
在本發(fā)明的示例性實施例中，棚4及絕纟彖層612和622可以包括
諸如以氧化硅和氮化硅為例的無機絕緣材料。非晶硅層用作有源層 薄膜。硅化物或，選擇性地，重摻雜有n型雜質(zhì)的非晶硅層用作歐 姆接觸層薄膜。
4妄下來，第二導(dǎo)電層形成有圖案以形成第一l史據(jù)線200-Da和 第二數(shù)據(jù)線200畫Db、源極端子631、 641和721,漏極端子651、 661 和731以及存儲線400。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的第二導(dǎo)電層 可以包括單一層或，選作性地，多層，其可以由例如Mo、 Al、 Cr、 Ti以及它們的組合中的一種或多種形成。在示例性實施例中，第二 導(dǎo)電層基本上可以由用于第 一導(dǎo)電層的相同的材料形成。
因此，制造第一 TFT 601和第二 TFT 602,還有電荷控制晶體 管701，其每一個均包4舌各自的柵4及端子611、 621和711，各自的 源才及端子631、 641禾口 721，各自的〉厲才及端子651、 661牙口 731。
現(xiàn)在參考圖7和10， 4屯化層530布置在其上形成有第一 TFT 601、第二 TFT602和電荷控制晶體管701的襯底10上。通過使用 例如光致抗蝕劑掩才莫圖案進行刻蝕處理使鈍化層530部分地移除以 形成第一像素接觸孔652和第二像素接觸孔662，該第一像素接觸 孔和第二像素接觸孔分別露出第一TFT601和第二TFT602的各自的漏極端子651和661的一部分。另外，形成源極接觸孔722以露 出電荷控制晶體管701的源才及端子721的一部分，以及形成漏相j妄 觸孔732以露出電荷控制晶體管701的漏才及端子731的一部分。
然后，4妻近上述接觸孔、在《屯化層530上形成第三導(dǎo)電層。使 用光致抗蝕劑掩膜圖案對第三導(dǎo)電層加工圖案以形成第 一像素電極 510和第二像素電極520,其二者之間形成有切斷圖案。
在本發(fā)明的示例性實施例中，第三導(dǎo)電層可以包括諸如以ITO 或IZO為例的透明導(dǎo)電層。第一像素電極510通過第一像素接觸孔 652連接到第一 TFT 601的漏極端子651。第二像素電極520通過第 二i"象素孑妄觸孔662連4妾到第二 TFT 602的漏才及端子661,并且通過 源招j妄觸孔722連4妄到電荷控制晶體管701的源才及端子721。電荷 控制電才及800通過漏招J姿觸孑L 732連4妄到電荷控制晶體管701的漏 才及端子731。
在形成第一像素電極510和第二像素電極520之后，在其上形 成第一準(zhǔn)直層(未示出)，由此完成下部襯底，例如，TFT襯底。
在本發(fā)明的示例性實施例中，通過順序形成黑色矩陣、濾色器、 覆蓋層、突起圖案、透明公共電極以及透明絕緣襯底上的第二準(zhǔn)直 層來準(zhǔn)備公共電極襯底(未示出)。此后，TFT襯底和公共電極襯底 用插入其二者之間的隔離物(未示出)相互附著。隨后，通過將液 晶材料注入到由TFT襯底和公共電極襯底之間的隔離物形成的空間 來形成液晶層，因此而完成了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的LCD。
盡管使用如文中所述的五片掩膜來形成根據(jù)本發(fā)明的示例性實 施例的TFT襯底，但掩才莫處理并不限于此。例如，可以使用多于五 片掩膜或，選擇性地，少于五片掩膜來形成根據(jù)本發(fā)明的選擇性的 示例性實施例的TFT4于底。根據(jù)如文中描述的本發(fā)明的示例性實施例，單位像素具有第一 子像素和第二子像素，并且，單位像素調(diào)節(jié)第一子像素和第二子像 素中的電荷量。此外，彼此縱向相鄰的上部像素和下部像素^皮同時 驅(qū)動。
提供這些示例性實施例以使本公開變得全面和完整，并且將充分地 為本領(lǐng)i或地才支術(shù)人員傳達本發(fā)明的思想。
盡管參考本發(fā)明的示例性實施例，已經(jīng)特別地示出并描述了本 發(fā)明，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離如上權(quán)利要求 限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細節(jié)上做出各 種變換。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括多個單位像素，排列為具有像素列和像素行的矩陣，所述多個單位像素包括第一單位像素，布置在第一像素列和第一像素行中；以及第二單位像素，布置在所述第一像素列和相鄰于所述第一像素行的第二像素行中；第一柵極線和第二柵極線，各自基本上沿著行方向延伸并且各自具有布置在其端子部分處的柵極電壓輸入焊盤；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，各自基本上沿著列方向延伸并且分別連接到所述第一單位像素和所述第二單位像素；以及第一電荷控制線，基本上沿著所述行方向延伸，具有布置在其端子部分的電荷控制柵極電壓輸入焊盤并且電連接到所述第一單位像素，其中，所述第一柵極線連接到所述第一單位像素以及所述第二柵極線連接到所述第二單位像素，以及所述第一柵極線和所述第二柵極線同時接收相同的選通脈沖。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一單位^f象素連接到所述第一數(shù)據(jù)線，以及 所述第二單位像素連接到所述第二數(shù)據(jù)線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第 一單位像素包括第 一子像素和第二子像素， 所述第一柵極線電連接到所述第一子像素和所述第二子4象素；以及所述第 一 電荷控制線電連接到所述第 一子像素和所述第 二子像素中的至少一個。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一子像素包括第一像素電極；以及第一薄膜晶體管，被配置為基于由所述第一柵極線供給所 述第 一薄膜晶體管的柵極導(dǎo)通電壓將所述第 一數(shù)據(jù)線的信號 施加給所述第 一像素電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第二子像素包括第二像素電極；第二薄膜晶體管，被配置為基于由所述第一柵極線供給所 述第二薄膜晶體管的所述柵極導(dǎo)通電壓將所述第一^:據(jù)線的信號施加給所述第二像素電極； 電荷控制電極；以及電荷控制晶體管，被配置為基于所述第一電荷控制線的電 荷控制柵極導(dǎo)通電壓將所述第二像素電極電連接到所述電荷 4空制電才及。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，進一步包括連接到所述第二 單位像素的第二電荷控制線。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述電荷控制晶體管 電連接到向下充電電容器，所述向下充電電容器的第一電極包 括所述電荷控制電極，以及基于所述向下充電電容器的操作，用不同的電壓為所述第 一子像素和所述第二子像素充電。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述第一單位像素包括基本上沿著所述列方向延伸的存 4諸線，以及所述存儲線包括與所述電荷控制電極的至少 一 部分重疊 的突出部分。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第一柵極線布置 在所述第一單位像素上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述第一4冊極線的第 一 區(qū)域與所述第 一<象素電才及的 一部 分重疊，所述第二4冊4及線的第二區(qū)域與所述第二<象素電才及的 一部 分重疊，以及所述第一 區(qū)域的大小等于所述第二區(qū)域的大小。
11. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述第 一子像素和所述第二子像素各自包括多個石茲疇區(qū)，以及所述多個》茲疇區(qū)的石茲疇區(qū)中液晶的晶向是不同的。
12. 4艮據(jù)^^利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一單位像素包括薄膜晶體管，包括 柵電極；才冊才及絕纟彖層和有源層，布置在所述4冊電才及上；以及 源電4及和漏電才及中的一個，布置在所述有源層上， 所述有源層布置在所述第一lt據(jù)線的下面，以及 所述有源層的形狀基本上與所述第 一數(shù)據(jù)線的形狀相同。
13. —種驅(qū)動顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括多個單位像素， 排列為具有像素列和像素行的矩陣，所述多個單位像素包括布 置在第 一像素列和第 一像素行中的第 一單位像素，以及布置在 所述第一像素列和與所述第一像素行相鄰的第二像素行中的 第二單位l象素，所述顯示裝置進一步包括第一柵-才及線和第二4冊 才及線，基本上沿著行方向延伸并且在其各自的端子部分具有才冊 極電壓輸入焊盤，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，基本上沿著列方 向延伸并且分別連接到所述第一單位像素和所述第二單位像 素，以及電荷控制線，沿著所述行方向延伸、具有布置在其端 子部分的電荷控制4冊^l電壓輸入焊盤，并且電連^t妻到所述第一 單位^象素，所述方法包4舌將柵極導(dǎo)通電壓同時施加給所述第一柵極線和所述第二 柵極線；用由所述第一數(shù)據(jù)線提供的灰度電壓為所述第一單位像 素充電；將柵極截止電壓施加給所述第一柵極線和所述第二柵極 線；以及通過將電荷控制柵極導(dǎo)通電壓施加給所述電荷控制線來 改變充入所述第 一單位像素的第 一子像素中的所述灰度電壓 的值。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，將所述柵極截止電壓同 時施加給所述第 一棚-極線和所述第二柵4及線以及將所述電荷 控制柵極導(dǎo)通電壓施加給所述電荷控制線是同時執(zhí)行的。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在將所述柵極截止電壓 同時施加鄉(xiāng)合所述第 一沖冊才及線和所述第二棚-才及線達預(yù)定時間之 后，執(zhí)行將所述4冊極導(dǎo)通電壓施加給所述電荷控制線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，用由所述第一數(shù)據(jù)線提 供的灰度電壓為所述第一單位像素充電包括用相同的灰度電 壓電平為所述第一單位像素的所述第一子像素和第二子像素 充電。
17. 4艮據(jù);f又利要求16所述的方法，其中，改變充入到所述第一子 像素的所述灰度電壓的值包括通過導(dǎo)通連接到所述電荷控制 線的電荷控制晶體管將向下充電電容器電連接到所述第 一 子像素。
全文摘要
一種顯示裝置，包括第一單位像素，布置在第一像素列和第一像素行中，以及第二單位像素，布置在第一像素列和與第一像素行相鄰的第二像素行中，以及第一和第二柵極線，沿著行方向延伸并且在其端子部分具有柵極電壓輸入焊盤。第一和第二數(shù)據(jù)線沿著列方向延伸并且分別連接到第一單位像素和第二單位像素。第一電荷控制線沿著行方向延伸并且在其端子部分具有電荷控制柵極電壓輸入焊盤。第一柵極線連接到第一單位像素以及第二柵極線連接到第二單位像素。第一柵極線和第二柵極線同時接收相同的選通脈沖。
文檔編號G02F1/1362GK101650501SQ20081017554
公開日2010年2月17日 申請日期2008年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月11日
發(fā)明者孫宣圭, 崔喜軫, 李浚表, 申玉權(quán), 金相洙, 金鉦沅 申請人:三星電子株式會社