專利名稱：Nd濾光片及使用該濾光片的光量節(jié)流裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ND濾光片。ND(neutraldensity，中性密度)濾光片是作為光量節(jié)流用，是為了在整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)使光通量均勻衰減而使用的元件。
背景技術(shù)：
一直以來(lái)，對(duì)于照相機(jī)、攝像機(jī)等攝像系統(tǒng)，當(dāng)被照物的亮度過(guò)大時(shí)，即使把光圈減至最小徑(即使使開(kāi)口徑最小)也有超過(guò)規(guī)定量的光量入射到感光面上的情況發(fā)生。因此常常在攝像系統(tǒng)的局部裝配ND濾光片來(lái)控制到達(dá)感光面的入射光量。這種情況時(shí)，ND濾光片的分光特性只是減少入射光量，因此有必要使整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)具有均一的透過(guò)率。在照相機(jī)或者攝像機(jī)等攝像系統(tǒng)，一直使用塑料片基的ND濾光片來(lái)使整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)光量均勻衰減。
近年來(lái)，有光學(xué)特性以及耐久性均優(yōu)良的薄膜層壓型的ND濾光片被利用的方式出現(xiàn)，并記載在日本專利文獻(xiàn)1～日本專利文獻(xiàn)3中。
日本專利文獻(xiàn)1日本專利特開(kāi)昭52-113236號(hào)公報(bào)日本專利文獻(xiàn)2日本專利特開(kāi)平07-063915號(hào)公報(bào)日本專利文獻(xiàn)3日本專利特開(kāi)2003-043211號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示發(fā)明要解決的課題在日本專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了由金屬薄膜(Ti、Ni等)和介電膜(MgF2)的交互層形成的ND濾光片。即在日本專利文獻(xiàn)1中，金屬膜作為光吸收膜被利用。因此光吸收膜的衰減系數(shù)變大，制作ND濾光片的金屬膜的膜厚很薄，因而很難控制膜厚。另外，如果光吸收膜的厚度變薄，則很難得到光學(xué)多層膜的設(shè)計(jì)上的防反射效果。
在日本專利特許文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了由兩種以上的Ti金屬氧化膜(衰弱系數(shù)K1.0～3.0)和介電膜(Al2O3、SiO2、MgF2)的交互層形成的ND濾光片。在日本專利文獻(xiàn)2中，利用Ti的低價(jià)氧化物(TiO、Ti2O3、Ti3O5、Ti4O7)，作為由兩種以上的Ti金屬氧化膜形成的吸收膜的起始原料。但是這些原料本身不穩(wěn)定，在吸收膜中含有很多低價(jià)氧化物等不穩(wěn)定物質(zhì)時(shí)，會(huì)發(fā)生光學(xué)特性的經(jīng)時(shí)變化。另外，為了獲得1.0～3.0范圍的衰弱系數(shù)k必須在150℃以上的溫度成膜，因此在基材使用塑料膜時(shí)存在基板損壞較大的問(wèn)題。而且低價(jià)氧化物本身的原料價(jià)格也較高。
日本專利文獻(xiàn)3中，公開(kāi)了在透明基板上層壓光吸收膜和介電膜的薄膜型ND濾光片。光吸收膜是以金屬材料作為原料經(jīng)過(guò)蒸鍍而形成的膜，其含有在成膜時(shí)導(dǎo)入含有氧氣的混合氣體，并維持一定真空度的狀態(tài)下所生成的金屬材料的氧化物。但是，光吸收膜中含有的金屬材料的氧化物的組成不一定明確。
解決課題的方法鑒于目前的技術(shù)課題，本發(fā)明的目的是提供低廉而且耐久性優(yōu)良的薄膜型ND濾光片。為了達(dá)到該目的采取了以下方法。即在透明基板上層壓光吸收膜和介電膜的ND濾光片，其特征在于，上述光吸收膜的組成為，金屬的單體成分1～30重量％及該金屬飽和氧化物成分50重量％以上，其他殘余成分由含有該金屬的低價(jià)氧化物的該金屬化合物構(gòu)成。
較好為，上述光吸收膜的金屬原料選自Ti、Cr、Ni、NiCr、NiFe及NiTi。而且，上述介電膜使用SiO2或者Al2O3。較好為，以一定的膜厚和一定的順序?qū)訅荷鲜龉馕漳ぜ敖殡娔?，賦予防反射性能?；蛘撸部稍谂c層壓有上述光吸收膜和介電膜的透明基板的面相異的面上設(shè)置防反射層。這種情況時(shí)，上述防反射層可由單層光吸收膜或者單層介電膜形成?；蛘呱鲜龇婪瓷鋵涌捎晒馕漳ぜ敖殡娔さ亩鄬有纬?。或者上述防反射層使用可見(jiàn)光區(qū)中透明的熱固性的樹(shù)脂或光固性的樹(shù)脂，以單層或者多層的形式形成。所涉及的ND濾光片可用于光量節(jié)流裝置中。
發(fā)明的效果通過(guò)本發(fā)明，制造以含有金屬單體的飽和氧化物為主要成分的光吸收膜，再由該吸收膜和介電膜以層壓構(gòu)造制造ND濾光片。即通過(guò)以金屬的單體成分和其飽和氧化物成分為主，盡量避免含有金屬低價(jià)氧化物的殘余成分，得到具備所需特性和經(jīng)時(shí)穩(wěn)定的ND濾光片。例如使用金屬膜作為起始原料，例如通過(guò)將基板溫度設(shè)置為100℃并添加適量的反應(yīng)性氣體(O2、O2+N2、O2+Ar等)，可在成膜過(guò)程中導(dǎo)入金屬的飽和氧化物。通過(guò)設(shè)定合適的成膜條件，可抑制含有金屬低價(jià)氧化物的殘余成分的比例。該ND濾光片由于除了金屬單體成分以外飽和氧化物成分占較大比例，因此光吸收膜的厚度可比金屬單體的光吸收膜大。由此易于進(jìn)行ND濾光片的光學(xué)膜設(shè)計(jì)，并且也容易控制制造過(guò)程，可進(jìn)一步改善可靠性。
以上的發(fā)明，與只有金屬膜構(gòu)成的ND濾光片相比較，由于含有飽和氧化物，吸收膜的厚度相應(yīng)變厚，由此容易控制膜厚，從而得到光學(xué)特性高的重現(xiàn)性。另外，由于吸收膜中低價(jià)氧化物等不穩(wěn)定的成分較少，因此ND濾光片的可靠性提高，同時(shí)由于即使在低溫也可調(diào)整成膜條件，因此可形成用于獲得ND特性的最合適的光吸收膜。而且由于起始原料是低廉的金屬，可低成本地制造ND濾光片。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片的實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)的模式斷面圖。
圖2是顯示制造本發(fā)明涉及的ND濾光片中用到的真空蒸鍍裝置的模式框圖。
圖3是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片的成膜條件的表圖。
圖4是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片中所含光吸收膜的組成的XPS譜圖。
圖5是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片中所含光吸收膜的組成的表圖。
圖6是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片中所含光吸收膜的元素組成的表圖。
圖7是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片的光學(xué)特性的圖。
圖8是顯示將本發(fā)明涉及的ND濾光片用于照相機(jī)用光量節(jié)流裝置的示例的模式圖。
圖9是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片的另一實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)的模式斷面圖。
圖10是顯示本發(fā)明涉及的ND濾光片的另一實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)的模式斷面圖。
圖11是顯示將本發(fā)明涉及的ND濾光片用于照相機(jī)用光量節(jié)流裝置的另一示例的分解斜視模式圖。
符號(hào)的說(shuō)明0…ND濾光片，1…透明基板，2…介電膜，3…光吸收膜，4…介電膜，5…光吸收膜，6…介電膜，7…防反射層實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是顯示本發(fā)明涉及的薄膜型ND濾光片的一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的模式斷面圖。如圖所示，該ND濾光片0是在透明基板1上層壓光吸收膜3，5和介電膜2，4，6所成的薄膜型。其特征在于，光吸收膜3，5的組成是，金屬單體成分1～30重量％及該金屬的飽和氧化物成分50重量％以上，其它殘余成分由含有該金屬的低價(jià)氧化物的該金屬的化合物形成。該光吸收膜3，5可使用金屬材料作為原料通過(guò)反應(yīng)性物理氣相沉積(PVD)形成。作為光吸收膜3，5的金屬原料，可選自Ti、Cr、Ni等以及NiCr、NiFe、NiTi等合金。另一方面，作為介電膜2，4，6可使用SiO2或者Al203。將光吸收膜3，5以及介電膜2，4，6按照一定的膜厚及一定的順序?qū)訅杭纯少x予ND濾光片防反射功能。具有該結(jié)構(gòu)的薄膜型ND濾光片可用于光量節(jié)流裝置中。
參照?qǐng)D1，說(shuō)明ND濾光片0的具體結(jié)構(gòu)。首先，透明基板1由厚度為0.1mm的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)形成的。但是，本發(fā)明并不限定于此，也可使用PET以外的聚酯薄膜、聚碳酸酯薄膜。用于節(jié)流光量，較好為PET等聚酯薄膜或聚碳酸酯薄膜，如果用途沒(méi)有特別限定，則在使用波段中透明的玻璃或者塑料可作為透明基板1使用。在透明基板1上形成的第1層介電膜2是由SiO2形成的，該膜的物理膜厚為59nm。在其上形成的第1層光吸收膜3以金屬Ti及其飽和氧化物TiO2作為主要成分，之外的殘余成分含有低價(jià)氧化物Ti2O3、TiO等以及金屬化合物TiN等副生成物。第1層光吸收膜3的物理膜厚為28nm。在其上成膜的第2層介電膜4是由SiO2形成的，其物理膜厚為51nm。在其上成膜的第2層光吸收膜5同樣以金屬Ti及其飽和氧化物TiO2作為主要成分，之外的殘余成分包括低價(jià)氧化物Ti2O3、TiO等以及金屬化合物TiN。第2層光吸收膜5的物理膜厚為25nm。在其上成膜的第3層介電膜6是由SiO2形成的，其物理膜厚為78nm。另外，該層壓結(jié)構(gòu)僅僅是示例，并不是對(duì)本發(fā)明范圍的限定。對(duì)于光學(xué)薄膜的情況，在常用的波段，透明的陶瓷材料作為介電膜。由于是將具有可表現(xiàn)光的干涉效果的厚度(波長(zhǎng)的數(shù)倍)的介電膜層壓，因此可自由調(diào)節(jié)入射光線的光學(xué)特性(反射量、透過(guò)量、偏振光、相位等)。本實(shí)施方式中，通過(guò)采取圖1所示的層結(jié)構(gòu)，可賦予ND濾光片防反射功能。另一方面，光吸收膜，在使用波段如文字所述具有吸收光的功能，在可見(jiàn)光區(qū)通常使用金屬。本發(fā)明中，特別是通過(guò)在金屬中導(dǎo)入其飽和氧化物來(lái)改善其光學(xué)特性及物理特性。
圖1所示的ND濾光片例如可通過(guò)真空蒸鍍形成。圖2是顯示制造圖1所示ND濾光片中使用的真空蒸鍍裝置的一例的模式框圖。如圖中所示，該裝置是以真空室11為主體構(gòu)成的，在其上裝有膜厚監(jiān)控器12和膜厚控制器13。在室11內(nèi)安裝有支持固定作為處理對(duì)象的基板的基板架14、膜厚測(cè)定用基板15和蒸鍍?cè)?6。在膜厚監(jiān)控器12中設(shè)有光源、分光器和受光器。自分光器射出的光入射到膜厚度測(cè)定用基板15上，由此反射的光照射到受光器上，其功率傳送至膜厚控制器。由此，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)控膜厚，可在基板上形成所希望的厚度的光吸收膜和介電膜。
在室11連結(jié)有真空計(jì)量表部17、真空計(jì)控制部18、氣體導(dǎo)入部件19以及排氣部件20。本實(shí)施例中，為了將室11內(nèi)的真空度保持固定，采用APC方式。具體的講，就是通過(guò)真空計(jì)量表部17以及真空計(jì)控制部18實(shí)施自動(dòng)控制，控制氣體導(dǎo)入部件19，來(lái)調(diào)整導(dǎo)入到室11中的混合氣體的量。但是，本發(fā)明并不限定于此，也可采用使用針閥調(diào)節(jié)導(dǎo)入量至一定的方法。
圖3是顯示使用圖2所示的真空蒸鍍裝置，制造圖1所示的ND濾光片時(shí)的成膜條件的表。如圖所示，基板溫度為100℃。而且設(shè)定真空室的極限真空度為1×10-3Pa。在此，為了形成光吸收膜3，5，使用Ti作為原料，并設(shè)定蒸鍍速度為0.5～1.0nm/sec。作為蒸鍍Ti時(shí)導(dǎo)入的反應(yīng)性氣體，在本實(shí)施例中使用氮?dú)夂脱鯕獾幕旌媳葹?∶1的空氣。但是，本發(fā)明并不限定于此，一般使用氧氣含量為50％以下的混合氣體。例如，可使用O2和Ar的混合氣體，代替O2和N2的混合氣體。另外，導(dǎo)入含有氧氣的混合氣體時(shí)的蒸鍍真空度設(shè)定為3～4×10-3Pa。但是，本發(fā)明并不限定于此，一般如在1×10-3Pa～1×10-2Pa之間維持穩(wěn)定，即可形成具有良好光學(xué)特性以及物理特性，且以金屬和該金屬氧化物為主要成分，同時(shí)減小殘余的低價(jià)氧化物的比例的光吸收膜。接著，介電膜2，4，6成膜時(shí)，使用SiO2作為蒸鍍?cè)矗翦兯俣仍O(shè)定為0.5～1.0nm/sec。SiO2成膜時(shí)沒(méi)有特別導(dǎo)入反應(yīng)性氣體。本實(shí)施例中使用真空蒸鍍來(lái)形成光吸收膜。除此之外，作為其他的PVD成膜方法，也可采用離子鍍法、離子束輔助沉積(ion assist)法、濺射法等可形成致密膜的方法。
圖4是顯示在圖3所示的條件下，通過(guò)反應(yīng)性PVD而成膜的光吸收膜的組成的分析結(jié)果圖。該分析使用X射線光電子分光分析裝置(XPS、ESCA)。在高真空條件下，在吸收膜表面照射特定能量的軟X射線，電子由于光電效應(yīng)自受試品發(fā)射出來(lái)。將其導(dǎo)送至分析器，根據(jù)電子動(dòng)能不同檢測(cè)出光譜。圖4表示了該譜圖。光電子是從較深的區(qū)域發(fā)射出的，到達(dá)受試品表面前由于非彈性散射導(dǎo)致動(dòng)能消失，因此不能檢測(cè)出峰，而成為光譜的背景。如圖示，只有無(wú)非彈性散射的從受試品表面數(shù)逃逸出的數(shù)nm深度區(qū)域的光電子才能檢測(cè)出峰，用于分析。圖4的光譜的橫軸表示電子的結(jié)合能。結(jié)合能是作為照射的軟X射線的能量減去光電子的動(dòng)能所得的差而求得的。由于各種原子的內(nèi)層電子具有固定的結(jié)合能，因此可根據(jù)測(cè)得的電子的結(jié)合能來(lái)考察元素的種類，可根據(jù)信號(hào)的強(qiáng)度來(lái)考察元素的比例。圖4的光譜是檢測(cè)原子的2p內(nèi)層電子的結(jié)合能的結(jié)果。此外，如果各種元素的化學(xué)結(jié)合狀態(tài)不同，則結(jié)合能也略有變化，可區(qū)分檢測(cè)出來(lái)。這樣，就可以定量金屬和其氧化狀態(tài)。圖示的光譜中，金屬Ti的峰在454.1eV處被檢測(cè)出來(lái)，其飽和氧化物TiO2的峰在458.5eV，低價(jià)氧化物Ti2O3的峰在456.3eV，其他的低價(jià)氧化物TiO的峰在455.2eV處。另外，由于TiO和TiN的峰幾乎在同一點(diǎn)出現(xiàn)，因此認(rèn)為455.2eV處的峰除含有TiO外還含有TiN。
圖5是根據(jù)圖4的分析結(jié)果算出來(lái)的，光吸收膜組成的表圖。按比例計(jì)為金屬Ti 5％、TiO/TiN 5％、Ti2O310％、TiO280％。在圖3所示的條件下成膜的光吸收膜的組成如圖5的表圖所示，以飽和氧化物TiO2為主成分，含有Ti金屬單體，而且混有作為殘余成分的低價(jià)氧化物。另外由于在吸收膜內(nèi)檢測(cè)出氮，因此認(rèn)為其中也含有TiN。具有該組成的光吸收膜的衰弱系數(shù)為0.5～1.0。
圖6是光吸收膜表面的元素比例的分析結(jié)果，同樣是經(jīng)XPS所得的結(jié)果。由圖示的表示圖可知，光吸收膜的元素比例為053.8％，Ti 27.5％、N 2.8％。其他含有C 16.5％，這被認(rèn)為是在光吸收膜的表面殘留的有機(jī)溶液、雜質(zhì)等有機(jī)物的殘差。
圖7是顯示在如圖3所示的成膜條件下，制造圖1所示的層壓構(gòu)造所得的ND濾光片的光學(xué)特性的圖。橫軸選取可視范圍的波長(zhǎng)，縱軸選取可表示反射率及透過(guò)率大小的光量(％)。如圖可知，利用本發(fā)明可制得在可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)顯示中等透過(guò)率，而且表面的反射率也被抑制為較小的ND濾光片。進(jìn)一步對(duì)ND濾光片實(shí)施環(huán)境試驗(yàn)，其顯示了非常優(yōu)良的耐久性。根據(jù)情況，為了穩(wěn)定化光吸收膜中含有的低價(jià)氧化物等不穩(wěn)定的成分，可以在氧氣氛中進(jìn)行加熱處理。
圖8是顯示將本ND濾光片用于照相機(jī)用光量節(jié)流裝置的一例的模式圖。通過(guò)粘合劑106或熔融膠合法，將ND濾光片固定在光圈葉片100的凹部，光圈葉片成對(duì)形成，光圈葉片100僅表示其中之一。光圈葉片100通過(guò)驅(qū)動(dòng)部103在樞軸104周圍旋轉(zhuǎn)，形成開(kāi)口部101的開(kāi)閉。
圖9是顯示本發(fā)明的ND濾光片的其他實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)的模式斷面圖。為了更容易理解，與圖1所示的先前的實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的部分采用對(duì)應(yīng)的參考編號(hào)。如圖示，介電膜2，4，6和光吸收膜3，5交替層疊在由PET形成的透明基板1的作為表面?zhèn)鹊拿嫔?。在作為該透明基?的內(nèi)側(cè)的另一面上形成防反射層7。該防反射層7是為了抑制裝配有ND濾光片0的光學(xué)系統(tǒng)而出現(xiàn)的重影、光斑，而在與ND濾光片0的層壓面相異的基板面上形成的。該防反射層7，通過(guò)由單層光吸收膜或者單層介電膜形成，可減少與ND濾光片的層壓面相異的面產(chǎn)生的光反射。
圖10是顯示本發(fā)明的ND濾光片的又另一實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)的模式斷面圖。為了更容易理解，與圖9所示的先前的實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的部分采用對(duì)應(yīng)的參考編號(hào)。該實(shí)施方式也在透明基板1的內(nèi)面形成防反射層7。其特征在于，該防反射層是由多層光吸收膜7a及介電膜7b形成的，可得到更大的降低反射效果。介電膜7b的原料并不只是本發(fā)明的ND濾光片所用的原料，也可用其他的原料(例SiO、MgF2)。另外，光吸收膜7a的原料也并不只是本發(fā)明的ND濾光片所用的原料，也可用其他的原料(例Ta2O5、ZrO2、TiO、TiOX(1≤x≤2)、Nb2O5、CeO2、ZnS)。還也可以將2種以上的這些原料混合形成防反射層7。
另外，可使用在可見(jiàn)光區(qū)透明的熱固化樹(shù)脂或者光固化樹(shù)脂，以單層或者多層的形式形成防反射層7。但是，在裝配有ND濾光片光學(xué)系統(tǒng)基本不會(huì)引發(fā)重影、光斑的情況下，不一定必須設(shè)置防反射層7。
圖11是顯示將本發(fā)明涉及的ND濾光片使用于照相機(jī)用光量節(jié)流裝置的另一例的分解斜視模式圖。如圖所示，照相機(jī)用光量節(jié)流裝置基本上是由底板201、濾光片葉片202和覆蓋板203構(gòu)成的。這些構(gòu)件是用栓207組合固定的。底板201具有可調(diào)節(jié)攝影光的圓形開(kāi)口204。覆蓋板203具有直徑比底板更大的開(kāi)口205。在底板201和覆蓋板203之間構(gòu)成的葉片室中配置濾光片葉片202。濾光片葉片202由本發(fā)明的ND濾光片制成，外形與常用的光圈葉片相同。該濾光片葉片202通過(guò)設(shè)置在底板203上的旋轉(zhuǎn)軸固定并可旋轉(zhuǎn)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)部206在將開(kāi)口204，205覆蓋和打開(kāi)的位置之間往返運(yùn)動(dòng)。旋轉(zhuǎn)軸未在圖中示出。
權(quán)利要求
1.ND濾光片，它是由光吸收膜和介電膜在透明基板上層壓所得的ND濾光片，其特征在于，上述光吸收膜的組成為，金屬的單體成分為1～30重量％、該金屬的飽和氧化物成分在50重量％以上、其它的殘余成分由含有該金屬的低價(jià)氧化物的該金屬化合物構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的ND濾光片，其特征還在于，上述光吸收膜的金屬原料選自Ti、Cr、Ni、NiCr、NiFe及NiTi。
3.如權(quán)利要求1或2所述的ND濾光片，其特征還在于，上述介電膜使用SiO2或者Al2O3。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的ND濾光片，其特征還在于，按照一定的膜厚和一定的順序?qū)訅荷鲜龉馕漳ぜ敖殡娔?，賦予防反射功能。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的ND濾光片，其特征還在于，在與層壓有上述光吸收膜和介電膜的透明基板的面相異的面上設(shè)置防反射層。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的ND濾光片，其特征還在于，上述防反射層由單層光吸收膜或者單層介電膜形成。
7.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的ND濾光片，其特征還在于，上述防反射層由多層光吸收膜及介電膜形成。
8.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的ND濾光片，其特征還在于，上述防反射層使用在可見(jiàn)光區(qū)透明的熱固化性樹(shù)樹(shù)脂或者光固化性樹(shù)脂，并以單層或者多層的形式形成。
9.光量節(jié)流裝置，其特征在于，使用了權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的ND濾光片。
全文摘要
提供低廉而且耐久性優(yōu)良的薄膜型ND濾光片。該ND濾光片是在透明基板1上層壓光吸收膜3，5和介電膜2，4，6而得的，光吸收膜3，5的組成為，金屬的單體成分為1～30重量％、該金屬的飽和氧化物成分在50重量％以上、其它的殘余成分由含有該金屬的低價(jià)氧化物的該金屬化合物構(gòu)成。光吸收膜3，5的金屬原料選自Ti、Cr、Ni、NiCr、NiFe及NiTi。另外，介電膜2，4，6使用SiO
文檔編號(hào)G03B9/02GK1795401SQ20048001447
公開(kāi)日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
發(fā)明者國(guó)井弘毅 申請(qǐng)人:日本電產(chǎn)科寶株式會(huì)社