專利名稱：具有輕度摻雜漏極區(qū)的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及應(yīng)用于平面顯示器上具輕度摻雜漏極區(qū)域的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
請參見圖1(a)和1(b)，其是一薄膜晶體管液晶顯示器的功能方塊示意圖，其主要由兩個部分所組成，第一部分是一有源矩陣10，而第二部分則為一驅(qū)動電路11。而在傳統(tǒng)的非晶硅工藝中，有源矩陣10獨(dú)立完成于一玻璃襯底1之上，而驅(qū)動電路11必須另外以一個或多個集成電路的形式來完成后，再通過外部線路12來與有源矩陣10進(jìn)行連接(如圖1(a)所示)。
但是在低溫多晶硅技術(shù)被應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器的制造過程之后，上述有源矩陣10與驅(qū)動電路11便可以同一工藝同時完成于玻璃襯底1之上(如圖1(b)所示)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)成本降低的改進(jìn)。
請參見圖2(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)，其以低溫多晶硅工藝來完成分別處于有源矩陣與驅(qū)動電路中的各式薄膜晶體管的步驟示意圖。圖2(a)表示出在玻璃襯底2上以激光回火方式，在低溫環(huán)境下形成多晶硅層21的結(jié)構(gòu)，而圖2(b)則表示出形成N溝道的離子注入(例如硼離子，B+)，其中P溝道薄膜晶體管區(qū)域被光致抗蝕劑所形成的掩模22所保護(hù)。隨后再于完成以光致抗蝕劑所形成柵極掩模23的保護(hù)下，進(jìn)行源/漏極區(qū)域的離子注入(例如氫化磷離子，PHx+)，進(jìn)而形成如圖2(c)所示的N溝道薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域24。而在同是光致抗蝕劑所形成的掩模22與柵極掩模23被去除后，再定義出柵極絕緣層25與柵極金屬結(jié)構(gòu)26(例如以鉬來完成)，然后再以此柵極金屬結(jié)構(gòu)26為掩模進(jìn)行低濃度的離子注入(例如磷離子，P+)，藉以完成N溝道區(qū)域中的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)241，而由圖2(d)可看出，柵極金屬結(jié)構(gòu)26的長度小于原有的柵極掩模23，利用此一差距便可定義出該輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)241。而圖2(e)則表示出用以形成P溝道區(qū)域中源/漏極的離子注入(例如氫化硼離子，B2Hx+)，其中N溝道薄膜晶體管區(qū)域被光致抗蝕劑所形成的掩模27所保護(hù)。至于圖2(f)則表示出已完成保護(hù)層28與形成接觸金屬導(dǎo)線插塞29的面板結(jié)構(gòu)。
由于N溝道薄膜晶體管會因為縮短溝道而導(dǎo)致熱電子效應(yīng)的產(chǎn)生，因此必須增加掩模數(shù)目與工藝步驟來增設(shè)輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)241，進(jìn)而抑制熱電子效應(yīng)所產(chǎn)生的影響，用以增加元件的穩(wěn)定度并減少漏電流。但是，為了盡量節(jié)省掩模數(shù)目與工藝步驟，通常輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)241皆以自對準(zhǔn)方式來完成，故其所完成的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)241與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)26將不具有重疊區(qū)域(如圖2(d)所示)。但是，根據(jù)實(shí)際的結(jié)果顯示，當(dāng)輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)241與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)26間具有一重疊區(qū)域時，元件穩(wěn)定度的改善效果將是最好，但是如此也將會附帶產(chǎn)生一個寄生電容，而此寄生電容會使得該像素在關(guān)閉時，對像素單元中的儲存電容與液晶電容產(chǎn)生一偏置電壓，使得原先的電壓電平漂移。而如何在上述狀況中找出一優(yōu)選解決方案，便是發(fā)展本發(fā)明的主要目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于一平面顯示器上，其包括一第一薄膜晶體管，設(shè)置于該平面顯示器的一驅(qū)動電路區(qū)域，該第一薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度等于或大于其輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上溝道區(qū)域的長度；以及一第二薄膜晶體管，設(shè)置于該平面顯示器的一有源矩陣區(qū)域，該第二薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于其溝道區(qū)域的長度。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其所應(yīng)用于其上的該平面顯示器為一液晶顯示器。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其該第一薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管完成于同一襯底上。
本發(fā)明的另一方面是一種薄膜晶體管制造方法，應(yīng)用于一平面顯示器，其包括下列步驟提供一襯底；于該襯底上方形成一多晶硅層并定義出一第一多晶硅結(jié)構(gòu)與一第二多晶硅結(jié)構(gòu)；于該些多晶硅結(jié)構(gòu)中形成N溝道區(qū)域后，于該些多晶硅結(jié)構(gòu)上各覆蓋一第一掩模結(jié)構(gòu)，并對露出的部分N溝道區(qū)域進(jìn)行一輕度摻雜離子注入；除去該第一多晶硅結(jié)構(gòu)上的該第一掩模結(jié)構(gòu)后再形成長度比該第一掩模結(jié)構(gòu)大的一第二掩模結(jié)構(gòu)，并對露出的部分N溝道區(qū)域再進(jìn)行一重度摻雜離子注入，進(jìn)而于該第一多晶硅結(jié)構(gòu)中形成至少一輕度摻雜漏極區(qū)域與一重度摻雜源/漏極區(qū)域，并于該第二多晶硅結(jié)構(gòu)中形成至少一重度摻雜源/漏極區(qū)域；以及除去該些掩模結(jié)構(gòu)后形成一柵極絕緣層與一柵極導(dǎo)體層，并分別將該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)上方的該柵極導(dǎo)體層定義出一第一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一第二柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而該第一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度等于或大于相對應(yīng)的該輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上該溝道區(qū)域的長度，而該第二柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于相對應(yīng)的該溝道區(qū)域的長度。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管制造方法，其中還包括下列步驟于定義該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)的同時定義出一第三多晶硅結(jié)構(gòu)；于該第一、第二多晶硅結(jié)構(gòu)中形成N溝道區(qū)域之前，在該第三多晶硅結(jié)構(gòu)覆蓋一第三掩模結(jié)構(gòu)；在分別將該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)上方的該柵極導(dǎo)體層定義出一第一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一第二柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的同時，于該第三多晶硅結(jié)構(gòu)上方的該柵極導(dǎo)體層定義出一第三柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及于該第一、第二多晶硅結(jié)構(gòu)的上方覆蓋一第四掩模結(jié)構(gòu)后，利用該第三柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為掩模來對該第三多晶硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行重度摻雜離子注入，進(jìn)而形成一P溝道薄膜晶體管。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管制造方法，其中該些掩模結(jié)構(gòu)的材料為光致抗蝕劑。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管制造方法，其中該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)分屬該平面顯示器中的一驅(qū)動電路區(qū)域與一有源矩陣區(qū)域。
本發(fā)明的另一方面是一種薄膜晶體管制造方法，應(yīng)用于一平面顯示器，其包括下列步驟提供一襯底；于該襯底上方形成一多晶硅層；于該多晶硅層中形成N溝道區(qū)域后，于該多晶硅層上覆蓋一掩模結(jié)構(gòu)，并對露出的部分N溝道區(qū)域進(jìn)行一輕度摻雜離子注入，進(jìn)而形成至少一輕度摻雜漏極區(qū)域；除去該多晶硅層上的該掩模結(jié)構(gòu)后形成一柵極絕緣層與一柵極導(dǎo)體層，并將該柵極導(dǎo)體層定義出一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而該柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與部分的該輕度摻雜漏極區(qū)域產(chǎn)生重疊；以及利用該柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為掩模而對露出的部分該輕度摻雜漏極區(qū)域再進(jìn)行一重度摻雜離子注入，進(jìn)而于該多晶硅層中形成至少一重度摻雜源/漏極區(qū)域，而該柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于剩余的該輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上溝道區(qū)域的長度。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管制造方法，其中該些掩模結(jié)構(gòu)的材料為光致抗蝕劑。
根據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明所述的薄膜晶體管制造方法，其所完成的該薄膜晶體管屬該平面顯示器中的一驅(qū)動電路區(qū)域。


本發(fā)明藉由下列附圖及詳細(xì)說明，可得以更深入地了解，圖中圖1(a)和1(b)是一薄膜晶體管液晶顯示器的功能方塊示意圖；圖2(a)、2(b)、2(c)、2(d)、2(e)和2(f)是現(xiàn)有技術(shù)中以低溫多晶硅工藝來完成分別處于有源矩陣與驅(qū)動電路中的各式薄膜晶體管的步驟示意圖；圖3是本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4(a)、4(b)、4(c)、4(d)、4(e)、4(f)和4(g)是以低溫多晶硅工藝來完成分別處于有源矩陣與驅(qū)動電路中的兩種不同結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的步驟示意圖；以及圖5(a)、5(b)、5(c)、5(d)、5(e)和5(f)是本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的步驟示意圖。
附圖中的附圖標(biāo)記說明如下1 玻璃襯底10 有源矩陣11 驅(qū)動電路12 外部線路2 玻璃襯底21 多晶硅層22 掩模23 柵極掩模24 源/漏極區(qū)域 241 輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)25 柵極絕緣層 26 柵極金屬結(jié)構(gòu)27 掩模28 保護(hù)層29 接觸金屬導(dǎo)線插塞30 輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)31 柵極金屬結(jié)構(gòu)32 輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)33 柵極金屬結(jié)構(gòu)4 玻璃襯底41 多晶硅層42 掩模43 柵極掩模431 光致抗蝕劑柵極掩模44 源/漏極區(qū)域 441 輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)
442 輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu) 45 柵極絕緣層46 柵極金屬結(jié)構(gòu) 47 掩模48 保護(hù)層49 接觸金屬導(dǎo)線插塞5玻璃襯底 51 多晶硅層52 掩模 53 柵極掩模54 柵極絕緣層551 柵極金屬結(jié)構(gòu)552 柵極金屬結(jié)構(gòu) 56 源/漏極區(qū)域57 掩模 571 柵極金屬結(jié)構(gòu)58 掩模 59 源/漏極區(qū)域591 輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu) 60 保護(hù)層61 接觸金屬導(dǎo)線插塞具體實(shí)施方式
由于以低溫多晶硅技術(shù)來制造薄膜晶體管液晶顯示器的優(yōu)點(diǎn)在于同時于一襯底上完成有源矩陣與驅(qū)動電路。而由上述說明可知，輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)間的重疊區(qū)域?qū)τ谠匦杂兄磧擅娴挠绊?，一方面可改善元件穩(wěn)定度，但另一方面卻因附帶產(chǎn)生漏電流與寄生電容而使數(shù)據(jù)電壓電平產(chǎn)生漂移。然而有源矩陣與驅(qū)動電路對于其內(nèi)部薄膜晶體管的性能有著不同的要求，其中有源矩陣中的薄膜晶體管對于電壓電平的要求較高，而驅(qū)動電路中的薄膜晶體管則對于元件穩(wěn)定性的要求較高。因此，為能同時符合上述兩種電路對于元件特性不同的要求，本發(fā)明便發(fā)展出如圖3所示的薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖，而從圖中可清楚看出，制造在驅(qū)動電路區(qū)域中的N溝道薄膜晶體管的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)30與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)31間將具有重疊的區(qū)域，如此一來，將可有效改善驅(qū)動電路區(qū)域中薄膜晶體管的元件穩(wěn)定度，而衍生的寄生電容對于驅(qū)動電路并無太大的影響。而在有源矩陣區(qū)域中，N溝道薄膜晶體管的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)32與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)33間將不具有重疊的區(qū)域，如此一來，將可有效抑制漏電流寄生電容對于電壓電平偏移的影響。
再請參見圖4(a)至4(g)，其是以低溫多晶硅工藝來完成分別處于有源矩陣與驅(qū)動電路中的兩種不同結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的步驟示意圖。圖4(a)表示出于玻璃襯底4上以激光回火方式，在低溫環(huán)境下形成多晶硅層41的結(jié)構(gòu)，而圖4(b)則表示出形成N溝道的離子注入(例如硼離子，B+)，其中P溝道薄膜晶體管區(qū)域被光致抗蝕劑所形成的掩模42所保護(hù)。隨后再于完成以光致抗蝕劑所形成柵極掩模43的保護(hù)下，進(jìn)行如圖4(c)所示的低濃度離子注入(例如氫化磷離子，PHx+)。而圖4(d)所示則為于驅(qū)動電路中的N溝道薄膜晶體管處重新形成一尺寸較大的光致抗蝕劑柵極掩模431后，再進(jìn)行一源/漏極區(qū)域的離子注入(例如氫化磷離子，PHx+)，進(jìn)而形成如圖所示的N溝道薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域44以及驅(qū)動電路中的N溝道薄膜晶體管處的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)441。而在同是光致抗蝕劑所形成的掩模42與柵極掩模431被去除后，再定義出柵極絕緣層45與柵極金屬結(jié)構(gòu)46(例如以鉬來完成)，然后再以此柵極金屬結(jié)構(gòu)46為掩模進(jìn)行低濃度的離子注入(例如氫化磷離子，PHx+)，藉以完成有源矩陣中N溝道薄膜晶體管的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)442，而由圖4(e)可看出，有源矩陣中的柵極金屬結(jié)構(gòu)46的長度小于原有的柵極掩模43，利用此一差距便可定義出有源矩陣中的該輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)442。而圖4(f)則表示出用以形成P溝道區(qū)域中源/漏極的離子注入(例如氫化硼離子，B2Hx+)，其中N溝道薄膜晶體管區(qū)域被光致抗蝕劑所形成的掩模47所保護(hù)。至于圖4(g)，則表示出已完成保護(hù)層48與形成接觸金屬導(dǎo)線插塞49的面板結(jié)構(gòu)。而從完成后的圖示結(jié)構(gòu)中可清楚看出，制造在驅(qū)動電路區(qū)域中的N溝道薄膜晶體管的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)間將具有重疊的區(qū)域，如此一來，將可有效改善驅(qū)動電路區(qū)域中薄膜晶體管的元件穩(wěn)定度，而衍生的寄生電容對于驅(qū)動電路并無太大的影響。而在有源矩陣區(qū)域中，N溝道薄膜晶體管的輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)與上方的柵極金屬結(jié)構(gòu)間將不具有重疊的區(qū)域，如此一來，將可有效抑制漏電流寄生電容對于電壓電平偏移的影響。
另外，根據(jù)上述輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)與其上方柵極金屬結(jié)構(gòu)具有重疊區(qū)域的N溝道薄膜晶體管制造步驟的精神，本發(fā)明還單獨(dú)針對一互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管而發(fā)展出下列工藝。請參見圖5(a)至5(f)，其是本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的步驟示意圖，圖5(a)表示出于玻璃襯底5上以激光回火方式，在低溫環(huán)境下形成多晶硅層51的結(jié)構(gòu)，而圖5(b)則表示出形成N溝道的離子注入(例如硼離子，B+)，其中P溝道薄膜晶體管區(qū)域被光致抗蝕劑所形成的掩模52所保護(hù)。隨后再于完成以光致抗蝕劑所形成柵極掩模53的保護(hù)下，進(jìn)行如圖5(c)所示的低濃度離子注入(例如氫化磷離子，PHx+)。而圖5(d)所示是形成一柵極絕緣層54后，再分別于N溝道薄膜晶體管與P溝道薄膜晶體管處形成一尺寸較大的柵極金屬結(jié)構(gòu)551(例如可用鉬來完成)以及正常尺寸的柵極金屬結(jié)構(gòu)552(例如可用鉬來完成)，然后再進(jìn)行P溝道薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域的離子注入(例如氫化硼離子，B2Hx+)，進(jìn)而形成如圖所示的P溝道薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域56。而利用光致抗蝕劑所形成的掩模57，定義出N溝道薄膜晶體管中正常尺寸的柵極金屬結(jié)構(gòu)571，而P溝道薄膜晶體管區(qū)域被光致抗蝕劑所形成的掩模58所保護(hù)，然后再以光致抗蝕劑所形成的掩模57、58進(jìn)行高濃度的離子注入(例如氫化磷離子，PHx+)，藉以完成如圖5(e)所示的N溝道薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域59及輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)591，而由圖中可看出，其柵極金屬結(jié)構(gòu)571的長度大于原有的柵極掩模53，利用此一差距便可定義出有源矩陣中的該輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)591。而圖5(f)則表示出已完成保護(hù)層60與形成接觸金屬導(dǎo)線插塞61的面板結(jié)構(gòu)。而從上述說明可清楚看出，其以不增加工藝掩模數(shù)目的方法來完成輕度摻雜漏極結(jié)構(gòu)與其上方柵極金屬結(jié)構(gòu)具有重疊區(qū)域的N溝道薄膜晶體管，如此一來，將可有效改善所完成薄膜晶體管的元件穩(wěn)定度。
綜上所述，在不脫離所附權(quán)利要求請求保護(hù)的范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可對本發(fā)明作各種更改與潤飾。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其應(yīng)用于一平面顯示器上，其包括一第一薄膜晶體管，設(shè)置于該平面顯示器的一驅(qū)動電路區(qū)域，該第一薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度等于或大于其輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上溝道區(qū)域的長度；以及一第二薄膜晶體管，設(shè)置于該平面顯示器的一有源矩陣區(qū)域，該第二薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于其溝道區(qū)域的長度。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其所應(yīng)用于其上的該平面顯示器為一液晶顯示器。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其該第一薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管完成于同一襯底上。
4.一種薄膜晶體管制造方法，應(yīng)用于一平面顯示器，其包括下列步驟提供一襯底；于該襯底上方形成一多晶硅層并定義出一第一多晶硅結(jié)構(gòu)與一第二多晶硅結(jié)構(gòu)；于該些多晶硅結(jié)構(gòu)中形成N溝道區(qū)域后，于該些多晶硅結(jié)構(gòu)上各覆蓋一第一掩模結(jié)構(gòu)，并對露出的部分N溝道區(qū)域進(jìn)行一輕度摻雜離子注入；除去該第一多晶硅結(jié)構(gòu)上的該第一掩模結(jié)構(gòu)后再形成長度比該第一掩模結(jié)構(gòu)大的一第二掩模結(jié)構(gòu)，并對露出的部分N溝道區(qū)域再進(jìn)行一重度摻雜離子注入，進(jìn)而于該第一多晶硅結(jié)構(gòu)中形成至少一輕度摻雜漏極區(qū)域與一重度摻雜源/漏極區(qū)域，并于該第二多晶硅結(jié)構(gòu)中形成至少一重度摻雜源/漏極區(qū)域；以及除去該些掩模結(jié)構(gòu)后形成一柵極絕緣層與一柵極導(dǎo)體層，并分別將該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)上方的該柵極導(dǎo)體層定義出一第一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一第二柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而該第一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度等于或大于相對應(yīng)的該輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上該溝道區(qū)域的長度，而該第二柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于相對應(yīng)的該溝道區(qū)域的長度。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管制造方法，其中還包括下列步驟于定義該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)的同時定義出一第三多晶硅結(jié)構(gòu)；于該第一、第二多晶硅結(jié)構(gòu)中形成N溝道區(qū)域之前，在該第三多晶硅結(jié)構(gòu)覆蓋一第三掩模結(jié)構(gòu)；在分別將該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)上方的該柵極導(dǎo)體層定義出一第一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一第二柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的同時，于該第三多晶硅結(jié)構(gòu)上方的該柵極導(dǎo)體層定義出一第三柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及于該第一、第二多晶硅結(jié)構(gòu)的上方覆蓋一第四掩模結(jié)構(gòu)后，利用該第三柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為掩模來對該第三多晶硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行重度摻雜離子注入，進(jìn)而形成一P溝道薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管制造方法，其中該些掩模結(jié)構(gòu)的材料為光致抗蝕劑。
7.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管制造方法，其中該第一多晶硅結(jié)構(gòu)與該第二多晶硅結(jié)構(gòu)分屬該平面顯示器中的一驅(qū)動電路區(qū)域與一有源矩陣區(qū)域。
8.一種薄膜晶體管制造方法，應(yīng)用于一平面顯示器，其包括下列步驟提供一襯底；于該襯底上方形成一多晶硅層；于該多晶硅層中形成N溝道區(qū)域后，于該多晶硅層上覆蓋一掩模結(jié)構(gòu)，并對露出的部分N溝道區(qū)域進(jìn)行一輕度摻雜離子注入，進(jìn)而形成至少一輕度摻雜漏極區(qū)域；除去該多晶硅層上的該掩模結(jié)構(gòu)后形成一柵極絕緣層與一柵極導(dǎo)體層，并將該柵極導(dǎo)體層定義出一柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而該柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與部分的該輕度摻雜漏極區(qū)域產(chǎn)生重疊；以及利用該柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為掩模而對露出的部分該輕度摻雜漏極區(qū)域再進(jìn)行一重度摻雜離子注入，進(jìn)而于該多晶硅層中形成至少一重度摻雜源/漏極區(qū)域，而該柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于剩余的該輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上溝道區(qū)域的長度。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管制造方法，其中該些掩模結(jié)構(gòu)的材料為光致抗蝕劑。
10.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管制造方法，其所完成的該薄膜晶體管屬該平面顯示器中的一驅(qū)動電路區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于平面顯示器的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，該結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于該平面顯示器的驅(qū)動電路區(qū)中的第一薄膜晶體管，其柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度等于或大于其輕度摻雜漏極區(qū)域的長度加上溝道區(qū)域的長度；以及設(shè)置于該平面顯示器的有源矩陣區(qū)中的第二薄膜晶體管，其柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的長度約等于其溝道區(qū)域的長度。
文檔編號G02F1/13GK1527404SQ0310685
公開日2004年9月8日 申請日期2003年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月5日
發(fā)明者石安, 孟昭宇, 郭文源, 石 安 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司