專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無源矩陣型和有源矩陣型的液晶顯示裝置。具體地，本發(fā)明涉及一種具有透射型和反射型兩種功能的透射反射(transflective)型液晶顯示裝置的電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，隨著以移動(dòng)電話為代表的便攜式信息終端的爆炸式發(fā)展，需要一種能夠滿足輕重量的構(gòu)成、保存功耗和使用環(huán)境改變的顯示器。
此外，從薄膜構(gòu)成和輕重量的構(gòu)成的觀點(diǎn)出發(fā)，液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置表現(xiàn)出最有前途。
透射型顯示裝置僅用于驅(qū)動(dòng)顯示器的功耗是微不足道的。然而，液晶自身不發(fā)光，因此就需要用于顯示的背光作為顯示器。對于移動(dòng)電話的使用，通常采用EL背光，然而，背光獨(dú)立地需要功率并且特別用于液晶的保存功耗的特性沒有得以完全利用，這就在保存功耗上存在缺點(diǎn)。此外，盡管在黑暗的環(huán)境中，以良好的對比度觀看顯示器的顯示；但在通常明亮的環(huán)境中，就不能很好地觀看顯示器，并在上發(fā)射型和下發(fā)射型兩種情況下都存在根據(jù)使用環(huán)境的適應(yīng)性上的缺點(diǎn)。
此外，有機(jī)EL顯示裝置的特征在于顯示器自身發(fā)光。盡管它的功耗變得比反射型液晶顯示裝置的功耗更大，但功耗比透射型液晶顯示裝置(具有背光)的功耗更小。然而，與透射型液晶顯示裝置的情況類似，盡管在黑暗的環(huán)境中能很好地觀看顯示器的顯示，但在通常明亮的環(huán)境中就不能很好地觀看顯示，因此在上發(fā)射型和下發(fā)射型兩種情況下仍然存在根據(jù)使用環(huán)境的適應(yīng)性上的缺點(diǎn)。
此外，反射型液晶顯示裝置利用來自環(huán)境的外側(cè)光作為用于顯示的光。在顯示器一側(cè)，就基本上不需要背光，僅需要用于驅(qū)動(dòng)液晶和驅(qū)動(dòng)電路的功率，因此就獲得了功耗的積極保存。此外，與前面兩種完全相反，盡管在明亮的環(huán)境中也能夠很好地觀看顯示器的顯示器，但在黑暗的環(huán)境中，不能很好地觀看顯示器?？紤]到便攜式信息終端的用途，便攜式信息終端主要用于室外并頻繁地處于在比較明亮的環(huán)境中觀看顯示器的情況，然而，這仍然不足以滿足使用環(huán)境的適應(yīng)性。因此，集成有正面光的反射型液晶顯示裝置已局部地上市以致甚至在黑暗的環(huán)境中也可以進(jìn)行顯示。
因此，對通過組合裝置而具有透射型和反射型液晶顯示裝置兩者的優(yōu)點(diǎn)的透射反射型液晶顯示器給予了關(guān)注。在明亮的環(huán)境中，利用反射型保存功耗和在環(huán)境下光學(xué)識別性能優(yōu)良的特性，同時(shí)在黑暗的環(huán)境中，通過背光利用透射型提供的優(yōu)良對比度的特性。
在JP11-101992中公開了一種透射反射型液晶顯示裝置。該裝置是一種具有一種可以用作反射和透射型液晶顯示裝置的構(gòu)成的反射和透射型(透射反射型)液晶顯示裝置，其中將用于反射外部光的反射部分和用于透射來自背光的透射部分制造為包含在單個(gè)顯示器平板中，當(dāng)環(huán)境完全變黑時(shí)，通過利用來自背光穿過透射部分透射的光并通過由具有較高反射率的薄膜形成的反射部分反射的光進(jìn)行顯示，并可以用作反射型液晶顯示裝置，其中當(dāng)外側(cè)的光明亮?xí)r，通過利用由具有較高光反射率的薄膜形成的反射部分來反射的光進(jìn)行顯示。
此外，上述的透射反射型液晶顯示裝置提供特別是在用于通過反射進(jìn)行顯示的反射部分具有光漫射性能的特殊的凹凸不平結(jié)構(gòu)。因?yàn)榭紤]到結(jié)構(gòu)，反射電極僅將表面上以某一入射角從某一方向入射的光反射到具有在一個(gè)具體方向(Snell定律)上具體的發(fā)射角度的位置，因此，當(dāng)表面平坦時(shí)，確定發(fā)射光的方向和角度相對于光的入射恒定。當(dāng)在這種狀態(tài)下制造顯示器時(shí)，就生產(chǎn)出具有非常差的光學(xué)識別性能的顯示器。
透射反射型液晶顯示器可被認(rèn)為是一種非常適合于便攜式信息終端的特殊使用條件的顯示器。特別地，在它用于移動(dòng)電話時(shí)，可以預(yù)見在未來將出現(xiàn)相當(dāng)大的需求。因此，為了確保穩(wěn)定的需求或滿足巨大的需求，明顯地存在實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步降低成本的需要。
然而，為了形成上面示出的凹凸不平結(jié)構(gòu)，就需要一種附加在反射電極之下的層的凹凸不平形狀并隨后在其上形成反射電極的方法。
此外，不考慮上述實(shí)例，為了制造透射反射型液晶顯示裝置，就需要用于在反射電極和構(gòu)成像素電極的透射電極的任何一個(gè)表面或兩個(gè)表面上或在像素電極之下的層處形成凹凸不平結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖操作，因此增加了大量步驟。大量步驟的增加會(huì)帶來產(chǎn)量減少、工藝時(shí)間延長或成本增加的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種具有在不特別增加步驟的情況下形成的凹凸不平結(jié)構(gòu)的透明電極的透射反射型液晶顯示裝置。
為了解決上述問題，在制造透射反射型液晶顯示裝置中，本發(fā)明的特征在于在不特別增加僅用于在制造工藝中在像素電極表面處提供凹凸不平形狀的構(gòu)圖步驟的情況下提供一種凹凸不平形狀。
本發(fā)明的液晶顯示裝置是一種液晶顯示裝置，其特征在于包括襯底之上的透明電極和反射電極；透明導(dǎo)電膜，它通過在襯底之上形成非晶透明導(dǎo)電膜、在非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分以由此形成包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜、并在包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜的薄膜表面處去除非晶部分由此構(gòu)成由在薄膜表面處保留的晶體部分而形成的凹凸不平形狀而形成；以及通過在具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜上形成反射導(dǎo)電膜提供的反射電極。
此外，在上述結(jié)構(gòu)中，雖然包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜可以通過燒結(jié)(加熱)非晶透明導(dǎo)電膜形成，但是含有晶體部分的透明導(dǎo)電膜還可以通過采用其它公知的方法形成。此外，在去除包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜的薄膜表面處的非晶部分時(shí)，可以采用通過在包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜的表面上涂覆酸性溶液的腐蝕方法。
此外，通過疊置以便形成包括在透明電極上的反射導(dǎo)電膜的反射電極，該透明電極包括在表面處具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜，反射電極的表面由凹凸不平形狀構(gòu)成，因此反射電極提供有散射入射光的功能。此外，在透明電極上沒有提供反射電極并且透明電極暴露在表面的部分，構(gòu)成具有透射光的性能的透明電極。因此，本發(fā)明形成具有這樣的電極作為像素電極的透射反射型液晶顯示裝置，該電極具有反射性能和透射性能的兩種特性。那就是，根據(jù)本發(fā)明的像素電極包括反射電極和透射電極并提供有凹凸不平形狀。
此外，作為根據(jù)本發(fā)明的反射導(dǎo)電膜，采用波長范圍400至800nm(可見光區(qū))內(nèi)的垂直反射特性的反射系數(shù)等于或大于75％的導(dǎo)電膜。對于這樣的材料，可以采用鋁(Al)和銀(Ag)以及由其作為主要成分構(gòu)成的合金材料。
通過采用上述方法，通常可以減少在形成凹凸不平形狀中采用的光刻步驟，因此可以實(shí)現(xiàn)相當(dāng)大的成本降低并提高生產(chǎn)率。
此外根據(jù)本發(fā)明的其它結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置是這樣一種液晶顯示裝置，其特征在于包含薄膜晶體管、透明導(dǎo)電電極和反射導(dǎo)電電極，其中透明導(dǎo)電電極和反射導(dǎo)電電極通過絕緣膜電連接到薄膜晶體管；這樣形成透明導(dǎo)電電極，通過在絕緣膜的表面處形成非晶透明導(dǎo)電膜，通過燒結(jié)非晶透明導(dǎo)電膜形成包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜，并且通過酸性溶液來腐蝕包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜的表面由此在表面處構(gòu)成凹凸不平形狀；以及在具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜上形成反射導(dǎo)電膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過在具有凹凸不平形狀的透明電極上形成反射導(dǎo)電膜，不僅形成具有凹凸不平形狀的反射電極而且可以同時(shí)形成電連接反射電極和薄膜晶體管的導(dǎo)線。
此外，以隨機(jī)形狀和隨機(jī)排列形成透明電極表面的凹凸不平形狀并電連接到連續(xù)地形成的反射電極。
此外，在像素部分，特征在于通過在用于形成透明電極的透明導(dǎo)電膜上疊置形成的反射導(dǎo)電膜所占的面積比是像素部分面積的50至90％。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置是一種液晶顯示裝置，其特征在于包括包括第一透明導(dǎo)電電極和反射導(dǎo)電電極的第一襯底；包括第二透明導(dǎo)電電極的第二襯底和液晶，其中這樣形成第一透明導(dǎo)電電極，在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)非晶透明導(dǎo)電膜形成包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜并通過酸性溶液來腐蝕包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜的表面由此在表面處構(gòu)成凹凸不平形狀；在具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜上形成反射導(dǎo)電膜，第一襯底的薄膜形成面和第二襯底的薄膜形成面彼此相對排列并且液晶置于第一襯底和第二襯底之間。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置是一種液晶顯示裝置，其特征在于包括第一襯底，包括薄膜晶體管，第一透明導(dǎo)電電極和反射導(dǎo)電電極；包括第二透明導(dǎo)電電極的第二襯底和液晶，其中第一透明導(dǎo)電電極和反射導(dǎo)電電極通過絕緣膜電連接到薄膜晶體管，這樣形成第一透明導(dǎo)電電極，在絕緣膜的表面處形成非晶透明導(dǎo)電膜，通過燒結(jié)非晶透明導(dǎo)電膜形成包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜并通過酸性溶液腐蝕包含晶體部分的透明導(dǎo)電膜由此在表面處構(gòu)成凹凸不平形狀；在具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜上形成反射導(dǎo)電膜，第一襯底的薄膜形成面和第二襯底的薄膜形成面彼此相對排列并且液晶置于第一襯底和第二襯底之間。
根據(jù)上述各種結(jié)構(gòu)，進(jìn)行非晶透明導(dǎo)電膜的燒結(jié)以致出現(xiàn)一種狀態(tài)，其中混合有其中通過加熱晶體生長的晶體部分和其中尚未形成晶體的非晶部分。具體地，盡管通過在150℃至250℃下燒結(jié)可以形成非晶透明導(dǎo)電膜，更優(yōu)選在200℃、60分鐘下燒結(jié)非晶透明導(dǎo)電膜。
此外，在上述各種結(jié)構(gòu)中，在燒結(jié)非晶透明導(dǎo)電膜后可以拋光透明導(dǎo)電膜表面處的非晶部分。此外，作為拋光方法，可以采用除公知的機(jī)械拋光方法或化學(xué)拋光方法之外的CMP方法(化學(xué)機(jī)械拋光)。
此外，在上述各種結(jié)構(gòu)中，作為酸性溶液，可以優(yōu)選采用氫氟酸、硝酸、硫酸、鹽酸等強(qiáng)酸。此外，通過在燒結(jié)處理之后在透明導(dǎo)電膜上涂覆酸性溶液進(jìn)行腐蝕，去除透明導(dǎo)電膜表面處大部分非晶部分并保留晶體部分。
通過上面的描述，可以在透明導(dǎo)電膜表面上形成包含具有顆粒形狀的晶體部分的透明導(dǎo)電膜的凹凸不平形狀。


圖1A-1D是用于解釋根據(jù)本發(fā)明在電極表面上制造凹凸不平形狀的步驟圖；圖2A和2B是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的電極表面的凹凸不平形狀的視圖；圖3A-3D是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖4是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖5是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖6是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖8A-8D是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟視；圖9是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖10是用于解釋根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示裝置的步驟圖；圖11是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖；
圖12A和12B是透明導(dǎo)電膜表面的AFM照片；圖13A和13B是透明導(dǎo)電膜表面的AFM照片；圖14A和14B是透明導(dǎo)電膜表面的AFM照片；圖15是用于解釋能夠在本發(fā)明中采用的電路結(jié)構(gòu)圖；圖16是用于解釋能夠在本發(fā)明中采用的電路結(jié)構(gòu)圖；圖17是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的外觀圖；圖18A-18F是示出電子裝置的實(shí)例視圖。
具體實(shí)施例方式
將參照圖1A-1D解釋本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。在襯底101上形成非晶透明導(dǎo)電膜102(圖1A)。
此外，采用氧化銦錫(ITO)薄膜或混合有2至20％的氧化鋅(ZnO)的氧化銦的薄膜作為用于形成透明導(dǎo)電膜的材料，并形成100至200nm膜厚的薄膜。
隨后，通過在200℃、60分鐘下燒結(jié)非晶透明導(dǎo)電膜102，晶化透明導(dǎo)電膜的一部分。由此，在燒結(jié)的透明導(dǎo)電膜中就使非晶狀態(tài)區(qū)域a103和晶體狀態(tài)區(qū)域b 104混合(圖1B)。
在此狀態(tài)下，拋光透明導(dǎo)電膜的表面。作為拋光方法，還可以通過采用除公知的機(jī)械拋光方法或化學(xué)拋光方法之外的CMP方法來拋光表面。進(jìn)一步地，這里通過拋光透明導(dǎo)電膜的表面，就在薄膜的表面處暴露晶體狀態(tài)下的顆粒。這是因?yàn)榉蔷顟B(tài)與晶體狀態(tài)比較，由于晶體狀態(tài)提供有晶體結(jié)構(gòu)，晶體狀態(tài)的拋光速率就小于非晶狀態(tài)的拋光速率。因此，就具有易于在后續(xù)處理中形成透明導(dǎo)電膜的薄膜表面的凹凸不平形狀的優(yōu)點(diǎn)，然而，根據(jù)本發(fā)明，不必要必須進(jìn)行拋光處理，因此可以省略拋光處理。
隨后，通過在混合有非晶狀態(tài)和晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜的薄膜表面上涂覆酸性溶液，就可以只在薄膜的表面處只保留晶體狀態(tài)的部分，并且可以去除非晶狀態(tài)的部分。此外，作為酸性溶液，可以采用氫氟酸、硝酸、硫酸或鹽酸。通過酸性溶液的這種方式使晶體狀態(tài)的顆粒保留在透明導(dǎo)電膜的薄膜表面上，可以在透明導(dǎo)電膜的薄膜表面上形成凹凸不平形狀。即，可以通過包含晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜105在薄膜表面上形成凹凸不平形狀(圖1C)。
此外，圖12A和12B示出通過上述處理的具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜表面的狀態(tài)。圖12A示出通過AFM(原子力顯微鏡)觀測襯底的結(jié)果，其中作為非晶透明導(dǎo)電膜形成的ITO膜在200℃、60分鐘下燒結(jié)并通過0.5％的氫氟酸處理5秒鐘，圖12B示出通過AFM觀測襯底的結(jié)果，其中ITO膜在200℃、60分鐘下燒結(jié)、隨后通過CMP拋光并通過0.5％的氫氟酸處理5秒鐘。當(dāng)比較兩個(gè)樣品時(shí)，在兩個(gè)樣品中都觀測到在ITO膜表面上具有凹凸不平形狀的狀態(tài)，已經(jīng)知道插入CMP處理的圖12B的樣品在表面的突出部分提供有更圓形的(凸出)形狀。通過圓形形狀就可以使凹凸不平形狀(凸出和凹陷)的斜率分布更寬，因此根據(jù)本發(fā)明，更優(yōu)選的方法是插入CMP處理。
此外，圖13A和13B示出觀測一種情況的結(jié)果，在該情況中通過氫氟酸的處理時(shí)間不同于圖12A和12B的處理時(shí)間。此外，圖13A示出通過AFM觀測襯底的結(jié)果，其中作為非晶透明導(dǎo)電膜形成的ITO膜在200℃、60分鐘下燒結(jié)并通過0.5％的氫氟酸處理15秒鐘，圖13B示出通過AFM觀測襯底的結(jié)果，其中ITO膜在200℃、60分鐘下燒結(jié)、隨后通過CMP拋光并通過0.5％的氫氟酸處理15秒鐘。
比較圖13A和13B中所示的ITO膜表面和圖12A和12B中所示的ITO膜表面，圖13A和13B示出通過0.5％的氫氟酸處理15秒鐘ITO膜的結(jié)果的情況下比圖12A和12B示出通過0.5％的氫氟酸處理5秒鐘ITO膜的結(jié)果的情況下的表面更加平坦。因此，盡管根據(jù)本發(fā)明通過氫氟酸進(jìn)行處理15秒鐘或更少時(shí)間可以形成凹凸不平形狀，但更加優(yōu)選進(jìn)行5秒鐘處理以便通過此后形成的反射膜提供優(yōu)良的散射特性。
此外，比較圖14A和14B以及圖12A和12B，圖14A示出通過AFM觀測襯底的結(jié)果，其中燒結(jié)作為非晶透明導(dǎo)電膜形成的ITO膜的溫度改變?yōu)?50℃，在250℃、60分鐘下燒結(jié)ITO膜，此后，通過0.5％的氫氟酸處理ITO膜5秒鐘，圖14B示出通過AFM觀測襯底的結(jié)果，其中在250℃、60分鐘下燒結(jié)、此后通過CMP拋光并通過0.5％的氫氟酸、5秒鐘處理ITO膜。
比較圖14A和14B中所示的ITO膜表面和圖12A和12B中所示的ITO膜表面，已經(jīng)知道圖14A和14B中的ITO表面幾乎沒有提供有凹凸不平形狀。似乎是通過在200℃、60分鐘下燒結(jié)ITO膜在ITO膜表面上形成晶體狀態(tài)和非晶狀態(tài)，因此當(dāng)通過氫氟酸進(jìn)行處理時(shí)，只保留晶體狀態(tài)部分以便形成凹凸不平狀態(tài)，然而，通過在250℃、60分鐘下燒結(jié)ITO膜，幾乎所有的ITO膜表面出現(xiàn)晶體狀態(tài)，因此，即使當(dāng)通過氫氟酸處理表面時(shí)，就很難去除表面，因此就不能形成凹凸不平狀態(tài)。
如上所述，通過在200℃、60分鐘下燒結(jié)作為非晶透明導(dǎo)電膜形成的ITO膜并通過0.5％的氫氟酸、5秒鐘處理ITO膜完成本發(fā)明。此外，更加優(yōu)選在進(jìn)行氫氟酸處理之前進(jìn)行CMP方法。
隨后，在含有晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜105上形成反射導(dǎo)電膜106。此外，盡管形成反射導(dǎo)電膜以至與形成的含有晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜重疊，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)橥ㄟ^結(jié)合透明電極和反射電極來形成像素電極就形成透射反射型液晶顯示器，該透明電極包括包含晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜105，該反射電極包括反射導(dǎo)電膜106，在像素部分形成反射導(dǎo)電膜106以便構(gòu)成包含晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜105所占據(jù)面積的50至90％(圖1D)。
此外，通過在包含具有凹凸不平形狀的晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜105上形成反射導(dǎo)電膜106，還可以由凹凸不平形狀構(gòu)成反射導(dǎo)電膜106的薄膜表面。以此方式，不必采用特殊的用于形成凹凸不平形狀的光刻步驟就可以形成具有凹凸不平形狀的反射導(dǎo)電膜。此外，通過由凹凸不平形狀構(gòu)成反射導(dǎo)電膜106的薄膜表面，就可以獲得散射表面上入射的光的功能。
此外，圖2A示出根據(jù)本發(fā)明的透明電極和反射電極的部分剖面圖，并且圖2B是對應(yīng)于圖2A所示的部分頂視圖。
根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，如圖2A和圖2B所示，在透明電極202上形成包括反射導(dǎo)電膜106的反射電極203，透明電極202包括襯底201之上的圖1D所示的含有晶體狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜105。
此外，盡管通過構(gòu)成由反射電極203表面上的凹凸不平形狀反射的光來散射在反射電極203上的入射光，但是在沒有形成反射電極203并暴露透明電極202的部分上的入射光就可以構(gòu)成透射光以便通過透明電極202透射并發(fā)射到底板201一側(cè)。因此，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，不用增加TFT工藝就可以提高顯示器的光學(xué)識別性能。
此外，通過彼此面向其電極形成面來耦合在實(shí)施例中解釋的襯底之上具有TFT的元件襯底(圖10)和未示出的具有相對電極的相對襯底并在其間提供液晶就可以形成透射反射型液晶顯示器。
(實(shí)例)下面將解釋本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)例1)根據(jù)本實(shí)例，將示出具有頂柵型TFT的有源矩陣襯底的制造步驟的實(shí)例。此外，將采用圖3A至圖7示出的一部分像素部分的頂視圖和剖面圖來用于解釋。
首先，在具有絕緣表面的襯底301上形成非晶半導(dǎo)體層。這里，采用石英襯底作為襯底301并形成10至100nm膜厚的非晶半導(dǎo)體層。
此外，除石英襯底之外可以采用玻璃襯底或塑料襯底。當(dāng)采用玻璃襯底時(shí)，玻璃襯底可以在低于玻璃應(yīng)變點(diǎn)大約10至20℃的溫度下進(jìn)行熱處理。此外，可以在用于形成TFT的襯底301表面上形成包括氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的絕緣膜的基底膜以防止雜質(zhì)從襯底301擴(kuò)散。
通過LPCVD方法形成60nm膜厚的非晶硅膜作為非晶半導(dǎo)體層。隨后，晶化非晶半導(dǎo)體層。這里，通過采用JP8-78329中描述的技術(shù)晶化非晶半導(dǎo)體層。根據(jù)公開文件中描述的技術(shù)，非晶硅膜選擇地添加有助于晶化非晶硅膜的金屬元素，并進(jìn)行熱處理以便由此通過添加的區(qū)域構(gòu)成起點(diǎn)擴(kuò)展形成晶體硅膜。這里，采用鎳作為用于幫助結(jié)晶化的金屬元素，并且在用于脫氫(450℃、1小時(shí))的熱處理之后，進(jìn)行用于結(jié)晶化(600℃、12小時(shí))的熱處理。此外，盡管這里采用在公開文件中描述的技術(shù)用于結(jié)晶化，本發(fā)明不特別限制于該技術(shù)而可以采用公知的晶化方法(激光晶化方法、熱晶化方法)。
此外，為了提高晶化率并消除保留在晶體顆粒中的缺陷需要輻射激光束(XeCl波長308nm)。采用具有波長等于或小于400nm的準(zhǔn)分子激光束或YAG激光器的二次諧波或三次諧波作為激光束。無論如何，可以采用具有大約10至1000Hz的重復(fù)頻率的脈沖激光束，通過光學(xué)系統(tǒng)可以將激光束聚焦到100至400mJ/cm2、以90至95％的重疊率幅照并掃描硅膜表面。
接著，從構(gòu)成TFT的有源層的區(qū)域吸收Ni。這里，將示出利用包含稀有氣體元素的半導(dǎo)體層的實(shí)例作為吸雜方法。除了通過輻射激光束形成的氧化膜之外，通過臭氧水處理表面120秒形成包括1至5nm總厚度的氧化膜的阻擋層。接著，通過濺射方法在阻擋層上形成含有氬元素構(gòu)成吸雜點(diǎn)的150nm膜厚的非晶硅膜。根據(jù)通過實(shí)例的濺射方法的薄膜形成條件，薄膜形成壓力設(shè)置為0.3Pa，氣體(Ar)流速設(shè)置為50(sccm)，薄膜形成功率設(shè)置為3kW并且襯底溫度設(shè)置為150℃。此外，在上述條件下，在非晶硅膜中含有的氬元素的原子濃度落入3×1020/cm3至6×1020/cm3的范圍，并且氧的原子濃度落入1×1019/cm3至3×1019/cm3的范圍。此后，通過采用燈退火設(shè)備進(jìn)行650℃、3分鐘熱處理的吸雜。此外，可以采用電爐替代燈退火設(shè)備。
接著，通過由阻擋層構(gòu)成腐蝕停止物，選擇地去除含有氬元素構(gòu)成吸雜點(diǎn)的非晶硅膜，此后通過稀釋的氫氟酸選擇地去除阻擋層。此外，在吸雜中，由于鎳趨向于移動(dòng)到具有高濃度氧的區(qū)域，因此在吸雜之后優(yōu)選去除包括氧化膜的阻擋層。
在通過臭氧水在具有提供的晶體結(jié)構(gòu)的硅膜(還稱為多晶硅膜)表面上形成薄氧化膜之后，形成包括抗蝕劑的掩模，腐蝕硅膜為所需的形狀，并形成隔離為島形形狀的半導(dǎo)體層305。在形成半導(dǎo)體層305之后，去除包括抗蝕劑的掩模，形成覆蓋半導(dǎo)體層305的100nm膜厚的柵絕緣膜306，此后進(jìn)行熱氧化。
接著，在它的整個(gè)表面上或選擇地進(jìn)行溝道摻雜步驟，即將低濃度的P型或N型雜質(zhì)元素添加到用于構(gòu)成TFT的溝道區(qū)的區(qū)域。溝道摻雜步驟是一種控制TFT閾值電壓的步驟。此外，已經(jīng)知道周期定律第13族的元素例如硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)作為給予半導(dǎo)體P型的雜質(zhì)元素。此外，已經(jīng)知道屬于周期定律第15族的元素典型為磷(P)和砷(As)將作為給予半導(dǎo)體n型的雜質(zhì)元素。此外，這里通過等離子體激活離子摻雜方法而不用將乙硼烷(B2H6)進(jìn)行質(zhì)量分離來添加硼。事實(shí)上，可以采用進(jìn)行質(zhì)量分離的離子注入方法。
接著，形成并構(gòu)圖第一導(dǎo)電膜，由此形成柵電極307和電容導(dǎo)線308。采用氮化鉭(TaN)(膜厚30nm)和鎢(膜厚370nm)的疊層結(jié)構(gòu)。這里，在本實(shí)例中構(gòu)成雙柵結(jié)構(gòu)。此外，通過電容導(dǎo)線308和構(gòu)成一部分半導(dǎo)體層305的區(qū)域(305a)、通過由柵絕緣膜306構(gòu)成的電介質(zhì)體構(gòu)成存儲電容器。
隨后，通過由柵電極307和電容導(dǎo)線308構(gòu)成的掩模以低濃度自對準(zhǔn)地添加磷。低濃度添加有磷的區(qū)域的磷濃度控制為落入1×1016/cm3至5×1018/cm3的范圍，典型地為3×1017/cm3至3×1018/cm3。
隨后，形成掩模(未示出)并高濃度添加磷，由此形成用于形成源區(qū)302或漏區(qū)303的高濃度雜質(zhì)區(qū)。高濃度雜質(zhì)區(qū)的磷濃度控制為落入1×1020/cm3至1×1021/cm3的范圍(典型地，2×1020/cm3至5×1020/cm3)。此外，半導(dǎo)體層305與柵電極307重疊的區(qū)域就成為溝道形成區(qū)304并且由掩模覆蓋它的區(qū)域就成為低濃度雜質(zhì)區(qū)以構(gòu)成LDD區(qū)311。此外，沒有被柵電極307、電容導(dǎo)線308和掩模任何之一覆蓋的區(qū)域就成為包括源區(qū)302和漏區(qū)303的高濃度雜質(zhì)區(qū)。
此外，根據(jù)本實(shí)例，在相同襯底上形成像素部分的TFT和驅(qū)動(dòng)電路的TFT，并且在驅(qū)動(dòng)電路的TFT中，可以在溝道形成區(qū)兩側(cè)上的源和漏區(qū)之間提供具有雜質(zhì)濃度低于源和漏區(qū)雜質(zhì)濃度的低濃度雜質(zhì)區(qū)，或者可以在它的一側(cè)上提供低濃度雜質(zhì)區(qū)。然而，不是必須在兩側(cè)上提供低濃度雜質(zhì)區(qū)，并且進(jìn)行本實(shí)例的人員可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)掩模。
接著，盡管這里未說明，為了形成在襯底上形成的驅(qū)動(dòng)電路中采用的與像素中的一樣的p溝道型TFT，通過掩模覆蓋用于構(gòu)成n溝道型TFT的區(qū)域，添加硼，形成源區(qū)或漏區(qū)。
隨后，在去除掩模之后，形成用于覆蓋柵電極307和電容導(dǎo)線308的第一絕緣膜309。這里，形成50nm膜厚的氧化硅膜，并進(jìn)行激活以各自的濃度添加到半導(dǎo)體層305的n型或p型雜質(zhì)元素的熱處理。這里，在850℃、30分鐘下進(jìn)行熱處理(圖3A)。此外，圖4示出這種情況下的頂視圖。圖4中的虛線A-A｀表示的剖面圖對應(yīng)于圖3A。
隨后，在進(jìn)行了氫化處理之后，形成包括有機(jī)樹脂材料的第二絕緣膜317。這里，可以通過采用1μm膜厚的丙烯酸樹脂膜來使第二絕緣膜317的表面平坦。由此，就可以避免由第二絕緣膜317之下的層上形成的圖形產(chǎn)生的臺階差的影響。接著，在第二絕緣膜317之上形成掩模并形成到達(dá)半導(dǎo)體層305的接觸孔312(圖3B)。此外，在形成接觸孔312之后，去除掩模。此外，圖5示出此情況下的像素的頂視圖。在圖5中，虛線A-A｀切割的剖面圖對應(yīng)于圖3B。
隨后，通過濺射方法形成非晶狀態(tài)下的120nm的透明導(dǎo)電膜(這里，氧化銦錫(ITO)膜)，此后用清潔的烘箱進(jìn)行200℃、60分鐘的熱處理。由此，非晶狀態(tài)和晶體狀態(tài)就混合在形成的非晶透明導(dǎo)電膜中。通過采用光刻技術(shù)以矩形形狀構(gòu)圖薄膜。此外，在進(jìn)行了濕法腐蝕處理之后，去除掩模。
隨后，通過CMP方法拋光透明導(dǎo)電膜表面。這里，通過利用在ITO膜中混合的非晶部分和晶體部分之間的拋光速率顯著不同的事實(shí)進(jìn)行處理，因此可使存在于透明導(dǎo)電膜表面處的晶體狀態(tài)的顆粒保留，并且可以特別選擇地去除非晶狀態(tài)的部分。
根據(jù)本實(shí)施例，拋光襯墊(pad)(此后，在本說明書中，通常稱為襯墊)貼在臺板或拋光板上，通過確定的恒定壓力將襯底的拋光表面壓緊臺板上的襯墊，在襯底上形成的ITO膜和襯墊之間提供料漿、分別旋轉(zhuǎn)或搖動(dòng)臺板和襯底、以至由此通過化學(xué)和機(jī)械的組合操作來拋光工件的表面或ITO膜的表面。此外，采用并以100cc/分鐘的流速提供含有大約120nm顆粒尺寸的硅石研磨顆粒的氨水作為料漿。此外，臺板的旋轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)置為30rpm，襯底的旋轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)置為30rpm，拋光中的拋光壓力設(shè)置為300g/cm2并進(jìn)行拋光時(shí)間為0.3分鐘的拋光。
隨后，通過將酸性溶液涂覆到透明導(dǎo)電膜表面上進(jìn)行腐蝕。此外，在本實(shí)例中，采用0.5％的氫氟酸作為酸性溶液并通過旋涂方法涂覆化學(xué)溶液以由此進(jìn)行腐蝕。此外，盡管可以進(jìn)行15秒或更短的腐蝕作為通過化學(xué)溶液腐蝕的時(shí)間段，根據(jù)本實(shí)施例，時(shí)間段設(shè)置為5秒。此外，通過采用純水清潔襯底表面來去除酸性溶液。
由此，在表面處就形成了包括具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜的透明電極313(圖3C)。此外，圖6示出此情況下的像素的頂視圖。在圖6中，虛線A-A｀切割的剖面圖對應(yīng)于圖3C。
隨后，通過形成第二導(dǎo)電膜并構(gòu)圖第二導(dǎo)電膜，除了在透明電極313上形成的反射電極314之外，形成構(gòu)成源極線的導(dǎo)線315和用于電連接TFT310和透明電極313的導(dǎo)線316。此外，在此形成的第二導(dǎo)電膜是一種用于形成根據(jù)本發(fā)明的反射電極的反射導(dǎo)電膜，并且優(yōu)選采用鋁、銀或由它們的主要元素形成的合金金屬。
根據(jù)本實(shí)施例，采用通過濺射方法由50nm的Ti膜和含有Si的500nm的鋁膜連續(xù)地形成的兩層結(jié)構(gòu)的疊層膜作為第二導(dǎo)電膜。
此外，采用光刻技術(shù)作為構(gòu)圖方法，在與透明電極313重疊的位置處形成反射電極314和導(dǎo)線315和316。此外，采用干法腐蝕作為這里采用的腐蝕方法。此外，由于根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置是一種透射反射型液晶顯示裝置，與透明電極313重疊而形成的反射電極314的面積構(gòu)成透明電極313所占據(jù)的面積的50至90％。
由此當(dāng)已經(jīng)形成反射電極314和導(dǎo)線315和316時(shí)，去除抗蝕劑并提供圖3D所示的結(jié)構(gòu)。此外，圖7示出此情況下的像素的頂視圖。在圖7中，虛線A-A｀切割的剖面圖對應(yīng)于圖3D。
此外，通過在透明電極313上形成反射電極314，在透明電極313和反射電極314形成重疊的部分，由反射電極314反射光，并且在沒有形成反射電極314的部分處暴露透明電極313到表面，光傳輸通過透明電極313的內(nèi)部并發(fā)射到襯底301一側(cè)。
在這種方式下，就可以在相同襯底上形成具有雙柵結(jié)構(gòu)的n溝道型TFT和控制電容的像素部分以及具有n溝道型TFT和p溝道型TFT的驅(qū)動(dòng)電路。在本說明書中，這種襯底方便地稱為有源矩陣襯底。
此外，本實(shí)例只是一個(gè)實(shí)例，并且本發(fā)明不會(huì)自然地限制于本實(shí)施例的步驟。例如，可以采用選自由鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)和硅(Si)組成的組中的元素或結(jié)合此元素的合金(典型地，Mo-W合金、Mo-Ta合金)的薄膜作為各導(dǎo)電膜。此外，可以采用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、有機(jī)樹脂材料(聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺脂(polyimideamide)、BCB(苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene))等)的薄膜作為各絕緣膜。
此外，根據(jù)在本實(shí)施例中所示的步驟，可以在圖3C中形成的表面上形成具有凹凸不平形狀的透明電極，因此如圖3C所示，可以由凹凸不平形狀構(gòu)成在透明電極313上形成的反射電極的表面。通過進(jìn)行上述方法在用于形成透明電極的透明導(dǎo)電膜處形成凹凸不平形狀，因此不增加光刻步驟或光刻掩模的數(shù)量就能形成凹凸不平形狀。
如上所述，通過實(shí)施本實(shí)施例，可以容易地由凹凸不平形狀構(gòu)成反射電極的表面，因此可以提高顯示器平板的光學(xué)識別性能。
(實(shí)施例2)在本實(shí)例中，將參照圖8A至圖10詳細(xì)地解釋具有與實(shí)例1不同結(jié)構(gòu)的透射反射型液晶顯示裝置的制造方法。
首先，如圖8A所示，在襯底801上形成非晶半導(dǎo)體膜，晶化非晶半導(dǎo)體膜，此后通過構(gòu)圖形成分離為島狀形狀的半導(dǎo)體層805。此后，在半導(dǎo)體層805上形成包括絕緣膜的柵絕緣膜806。此外，直到形成柵絕緣膜806的制造方法與實(shí)例1所示的制造方法相同，因此可以參考實(shí)例1。此外，類似地，形成覆蓋半導(dǎo)體層805的絕緣膜，此后，進(jìn)行熱氧化并形成柵絕緣膜806。
隨后，在它的整個(gè)面上或選擇地進(jìn)行將p型和n型雜質(zhì)元素以低濃度添加到用于構(gòu)成TFT的溝道區(qū)的區(qū)域的溝道摻雜步驟。
此外，通過在柵絕緣膜806上形成導(dǎo)電膜并構(gòu)圖該導(dǎo)電膜，就可以形成柵電極807、電容導(dǎo)線808和用于構(gòu)成源極線的導(dǎo)線809。此外，通過將50至100nm厚度形成的TaN(氮化鉭)和100至400nm厚度形成的W(鎢)疊置形成根據(jù)本實(shí)施例的第一導(dǎo)電膜。
此外，盡管通過采用TaN和W的疊層膜形成導(dǎo)電膜，本發(fā)明不特別限制于此，而可以通過選自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu組成的組中選擇的元素或該元素為主要成分構(gòu)成的合金材料或化合物材料形成導(dǎo)電膜。此外，可以采用摻雜有磷等雜質(zhì)元素的多晶硅膜來代表的半導(dǎo)體膜。
隨后，通過由柵電極807和電容導(dǎo)線808構(gòu)成的掩模以低濃度自對準(zhǔn)地添加磷。以低濃度添加有磷的區(qū)域的磷濃度控制為落入1×1016至5×1018/cm3的范圍，典型地為3×1017至3×1018/cm3。
隨后，通過形成掩模(未示出)以高濃度添加磷，形成用于構(gòu)成源區(qū)802或漏區(qū)803的高濃度雜質(zhì)區(qū)。高濃度雜質(zhì)區(qū)的磷濃度控制為落入1×1020至1×1021/cm3的范圍(典型地，2×1020至5×1020/cm3)。此外，半導(dǎo)體層805與柵電極807重疊的區(qū)域就構(gòu)成溝道形成區(qū)804并且由掩模覆蓋的區(qū)域就成為低濃度雜質(zhì)區(qū)以構(gòu)成LDD區(qū)811。此外，沒有被柵電極807、電容導(dǎo)線808和掩模任何之一覆蓋的區(qū)域就成為包括源區(qū)802和漏區(qū)803的高濃度雜質(zhì)區(qū)。
此外，在本實(shí)例中，與實(shí)例1類似，為了在與像素相同的襯底上形成的驅(qū)動(dòng)電路中形成p溝道TFT，還由掩模覆蓋用于構(gòu)成n溝道TFT的區(qū)域并添加硼以至由此形成源區(qū)或漏區(qū)。
隨后，在去除掩模之后，形成覆蓋柵電極807、電容導(dǎo)線808和導(dǎo)線(源極線)809的第一絕緣膜810。這里，形成50nm膜厚的氧化硅膜，并進(jìn)行激活以各自的濃度添加到半導(dǎo)體層805的n型或p型雜質(zhì)元素的熱處理步驟。這里，在850℃、30分鐘下進(jìn)行熱處理(圖8A)。
隨后，在進(jìn)行了氫化處理之后，形成包括有機(jī)區(qū)域材料的第二絕緣膜813。這里，可以通過采用1μm膜厚的丙烯酸樹脂膜來使第二絕緣膜813的表面平坦。由此，就可以避免由第二絕緣膜813之下的層上形成的圖形產(chǎn)生的臺階差的影響。接著，在第二絕緣膜813上形成掩模，并通過腐蝕形成到達(dá)半導(dǎo)體層805的接觸孔812(圖8B)。此外，在形成接觸孔812之后，去除掩模。
隨后，在通過濺射方法形成120nm的透明導(dǎo)電膜(這里，氧化銦錫(ITO)膜)后，由清潔的烘箱進(jìn)行200℃、60分鐘的熱處理。由此，非晶狀態(tài)和晶體狀態(tài)就混合在形成的非晶透明導(dǎo)電膜中。通過采用光刻技術(shù)以矩形形狀構(gòu)圖薄膜。此外，在進(jìn)行了濕法腐蝕處理之后，去除掩模。
隨后，通過CMP方法拋光透明導(dǎo)電膜表面。這里，通過采用在ITO膜中混合的非晶部分和晶體部分之間的拋光速率顯著不同的事實(shí)進(jìn)行處理，因此可使存在于透明導(dǎo)電膜表面處的晶體狀態(tài)的顆粒保留，并且可以部分選擇地去除非晶狀態(tài)的部分。
根據(jù)本實(shí)施例，拋光襯墊(此后，在本說明書中，通常稱為襯墊)貼在臺板或拋光板上，通過恒定壓力將襯底的拋光表面壓緊臺板上的襯墊，在襯底上形成的ITO膜和襯墊之間提供料漿、分別旋轉(zhuǎn)或鎖定臺板和襯底、以至由此通過化學(xué)和機(jī)械的組合操作來拋光工件的表面或ITO膜的表面。此外，采用并由100cc/分鐘的流速提供含有大約120nm顆粒尺寸的硅石研磨顆粒的氨水作為料漿。此外，臺板的旋轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)置為30rpm，襯底的旋轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)置為30rpm，拋光中的拋光壓力設(shè)置為300g/cm2并進(jìn)行拋光時(shí)間為0.3分鐘的拋光。
隨后，通過將酸性溶液涂覆到透明導(dǎo)電膜表面進(jìn)行腐蝕。此外，根據(jù)本實(shí)例，采用0.5％的氫氟酸作為酸性溶液并通過旋涂方法涂覆化學(xué)溶液來進(jìn)行腐蝕。此外，盡管可以進(jìn)行15秒或更短的腐蝕作為通過化學(xué)溶液腐蝕的時(shí)間段，根據(jù)本實(shí)施例，時(shí)間段設(shè)置為5秒。此外，此后，通過采用純水清潔襯底表面來去除酸性溶液。
通過上面的描述，可形成包括在表面處具有凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜的透明電極813(圖8C)。此外，圖9示出此情況下的像素的頂視圖。在圖9中，虛線A-A｀切割的剖面圖對應(yīng)于圖8C。
隨后，通過形成第二導(dǎo)電膜并構(gòu)圖第二導(dǎo)電膜，除了在透明電極813上形成的反射電極814之外，形成用于電連接導(dǎo)線(源極線)809和TFT810的源區(qū)的導(dǎo)線815、用于形成到TFT810的漏區(qū)接觸的導(dǎo)線816和用于電連接TFT810的漏區(qū)和透明電極813的導(dǎo)線817。此外，在此形成的第二導(dǎo)電膜是一種用于形成根據(jù)本實(shí)施例的電極的反射導(dǎo)電膜，并且優(yōu)選采用含有鋁、銀的金屬材料或含有這些金屬元素的金屬材料。
根據(jù)本實(shí)施例，采用通過濺射方法由50nm的Ti膜和含有Si的500nm的鋁膜連續(xù)地形成的兩層結(jié)構(gòu)的疊層膜作為第二導(dǎo)電膜。
此外，采用光刻技術(shù)作為構(gòu)圖方法，形成反射電極814和導(dǎo)線815、816和817。這里，采用干法腐蝕作為腐蝕方法。
通過上面的描述，當(dāng)已經(jīng)形成了反射電極814和導(dǎo)線815、816和817時(shí)，去除抗蝕劑以提供圖8D所示的結(jié)構(gòu)。此外，圖10示出此情況下的像素的頂視圖。在圖10中，虛線A-A｀切割的剖面圖對應(yīng)于圖8D。
此外，如圖10所示，通過在透明電極813上形成反射電極814，在透明電極813和反射電極814形成重疊的部分，由反射電極814反射光，并且在沒有形成反射電極814的部分處暴露透明電極813于表面，光傳輸通過透明電極813的內(nèi)部并發(fā)射到襯底801一側(cè)。
如上所述，在本實(shí)施例中，還在相同襯底上形成具有雙柵結(jié)構(gòu)的n溝道型TFT和存儲電容器的像素部分和具有n溝道型TFT和p溝道型TFT的驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣襯底。
此外，根據(jù)本實(shí)施例所示的步驟，可以在圖8C中形成的表面上形成具有凹凸不平形狀的透明電極，因此如圖8D所示，還可以由凹凸不平形狀構(gòu)成在透明電極313上形成的反射電極的表面。通過進(jìn)行上述方法在用于形成透明電極的透明導(dǎo)電膜處就形成凹凸不平形狀，因此可以不增加光刻步驟或光刻掩模的數(shù)量形成凹凸不平形狀。
由此，通過實(shí)施本實(shí)例，可以容易地由凹凸不平形狀構(gòu)成反射電極的表面，因此，可以提高顯示器平板的光學(xué)識別性能。
(實(shí)例3)根據(jù)本實(shí)施例，在下面將解釋從實(shí)施例1制造的有源矩陣襯底制造透射反射型液晶顯示裝置的步驟。利用圖11的剖面圖進(jìn)行解釋。
首先，如圖11所示，在提供根據(jù)實(shí)例1的圖3D的有源矩陣襯底之后，在有源矩陣襯底上形成對準(zhǔn)膜1119并進(jìn)行摩擦處理。此外，根據(jù)本實(shí)施例，在形成對準(zhǔn)膜1119之后，在襯底的整個(gè)表面之上分散用于保持襯底之間的間隔的球形墊1121。此外，代替球形墊1121，可以通過構(gòu)圖丙烯酸樹脂等的有機(jī)樹脂薄膜在所需的位置處形成柱狀墊。
隨后，制備襯底1122。在襯底1122上形成彩色層1123(1123a、1123b)和平坦化層1124。此外，形成紅色的彩色層1123a、藍(lán)色的彩色層1123b和綠色的彩色層(未示出)作為彩色層1123。此外，盡管這里未示出，可以通過部分地重疊紅色的彩色層1123a和藍(lán)色的彩色層1123b或部分重疊紅色的彩色層1123a和綠色的彩色層(未示出)形成光阻擋部分。
此外，在用于構(gòu)成像素部分的位置處在平坦化膜1124上形成包括透明導(dǎo)電膜的相對電極1125，在襯底1122的整個(gè)面上形成對準(zhǔn)膜1126，進(jìn)行摩擦處理以至由此提供相對襯底1128。
此外，在表面上形成有對準(zhǔn)膜1119的有源矩陣襯底和相對襯底1128通過密封劑(未示出)粘貼在一起。密封劑混合有填充料，其間由填充料和球形墊以均勻間隔(優(yōu)選，2.0至3.0μm)將兩塊襯底粘貼在一起。此后，在兩襯底之間注入液晶材料1127并由密封劑(未示出)完全密封?？梢圆捎霉囊壕Р牧嫌糜谝壕Р牧?127。以此方式，完成圖11所示的透射反射型液晶顯示裝置。此外，根據(jù)需要，可以將有源矩陣襯底或相對襯底1128分割成所需的形狀。此外，通過采用公知的技術(shù)適當(dāng)提供偏振器等。此外，通過采用公知的技術(shù)將FPC貼在其上。
將參照圖15的頂視圖解釋以此方式提供的液晶模塊結(jié)構(gòu)。像素部分1504排列在有源矩陣襯底1501的中心。用于驅(qū)動(dòng)源極信號線的源極信號線驅(qū)動(dòng)電路1502排列在像素部分1504的上側(cè)。用于驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O信號線的柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路1503排列在像素部分1504的左側(cè)和右側(cè)。盡管根據(jù)本實(shí)例示出的實(shí)例，柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路1503對稱排列在像素部分的左側(cè)和右側(cè)，柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路1503可以只排列在它的一側(cè)，并且設(shè)計(jì)者可以考慮液晶模塊等的襯底尺寸而適當(dāng)?shù)剡x擇側(cè)面。然而，考慮操作可靠性和電路的驅(qū)動(dòng)效率優(yōu)選圖15中所示的左側(cè)和右側(cè)的對稱排列。
從柔性印刷電路(FPC)1505將信號輸入到各自的驅(qū)動(dòng)電路。根據(jù)FPC1505，在層間絕緣膜和樹脂膜中開出到達(dá)襯底1501的預(yù)定位置處排列的導(dǎo)線的接觸孔并形成連接電極(未示出)之后，通各向異性導(dǎo)電膜等將FPC1505壓上。根據(jù)本實(shí)例，采用ITO形成連接電極。
在驅(qū)動(dòng)電路和像素部分的四周，沿襯底的外圍涂覆密封劑1507，并以保持恒定間隙(襯底1501和相對襯底1506之間的間隔)的狀態(tài)粘貼相對襯底1506，通過預(yù)先在有源矩陣襯底上形成的墊構(gòu)成恒定間隙。此后，從沒有涂覆密封劑1507的部分處注入液晶元件，并且由密封劑1508密閉地密封襯底。通過上述步驟完成液晶模塊。此外，盡管這里示出在襯底上形成所有驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)例，可以在部分驅(qū)動(dòng)電路處使用幾片IC。由此，完成有源矩陣型液晶顯示裝置。
(實(shí)例4)圖16和17示出采用本發(fā)明制造的電光裝置的方框圖。此外，圖16示出用于進(jìn)行模擬驅(qū)動(dòng)的電路結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例示出具有源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路90、像素部分91和柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路92的電光裝置。此外，在本說明書中，驅(qū)動(dòng)電路通常指源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路和柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路。
源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路90提供有移位寄存器90a、緩沖器90b和取樣電路(轉(zhuǎn)移柵極)90c。此外，柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路92提供有移位寄存器92a、電平移位器92b和緩沖器92c。此外，根據(jù)需要，可以在取樣電路和移位寄存器之間提供電平移位器電路。
此外，像素部分91包括多個(gè)像素并且多個(gè)像素的每一個(gè)包含TFT元件。
此外，盡管未示出，可以在相對于柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路92的插入像素部分91的一側(cè)進(jìn)一步提供柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路。
此外，如圖17所示，在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)中，替代取樣電路，可以提供鎖存器(A)93b和鎖存器(B)93c。源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路93提供有移位寄存器93a、鎖存器(A)93b、鎖存器(B)93c、D/A轉(zhuǎn)換器93d和緩沖器93e。此外，柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路95提供有移位寄存器95a、電平移位器95b和緩沖器95c。此外，根據(jù)需要，可以在鎖存器(B)93c和D/A轉(zhuǎn)換器93d之間提供電平移位器電路。
此外，根據(jù)實(shí)例1或?qū)嵗?中所示的制造步驟可以實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)。此外，盡管根據(jù)本實(shí)施例，只示出像素部分和驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)，但是根據(jù)本發(fā)明的制造步驟可以形成存儲器或微處理器。
(實(shí)施例5)在各種電光裝置中可以采用實(shí)施本發(fā)明制造的透射反射型液晶顯示裝置。此外，本發(fā)明可應(yīng)用于集成有電光裝置作為顯示介質(zhì)的所有電子裝置。
作為通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造的電子裝置，應(yīng)當(dāng)指出攝像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(汽車音響、音響部件)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、便攜游戲機(jī)或電子圖書)、具有記錄介質(zhì)(特別地，數(shù)字視頻磁盤(DVD))和具有能夠顯示圖像的顯示裝置的的圖像再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)記錄介質(zhì)的裝置。圖18A、18B、18C、18D、18E和18F示出電子裝置的具體實(shí)例。
圖18A是一種數(shù)字靜物相機(jī)，其包括主體2101、顯示部分2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104和外連端口2105和快門2106。通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造數(shù)字靜物相機(jī)的顯示部分2102。
圖18B是一種筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)，其包括主體2201、機(jī)殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外連端口2205和指針式鼠標(biāo)2206。通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示部分2203。
圖18C示出一種移動(dòng)計(jì)算機(jī)，其包括主體2301、顯示部分2302、開關(guān)2303、操作鍵2304和紅外線端口2305。通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造移動(dòng)計(jì)算機(jī)的顯示部分2302。
圖18D示出一種具有記錄介質(zhì)(特別地，DVD再現(xiàn)裝置)的便攜圖像再現(xiàn)裝置，其包括主體2401、機(jī)殼2402、顯示部分A2403、顯示部分B2404、記錄介質(zhì)(DVD等)讀出部分2405、操作鍵2406、和揚(yáng)聲器部分2407。顯示部分A2403主要顯示圖像信息，顯示部分B2404主要顯示字符信息，并且通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造圖像再現(xiàn)裝置的顯示部分A、B2403、2404。此外，具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置包括用于家庭使用的游戲機(jī)。
圖18E示出一種攝像機(jī)，其包括主體2601、顯示部分2602、機(jī)殼2603、外連端口2604、遙控接收部分2605、圖像接收部分2606、電池2607、聲音輸入部分2608、操作鍵2609和目鏡部分2610。通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造攝像機(jī)的顯示部分2602。
這里，圖18F示出一種移動(dòng)電話，其包括主體部分2701、機(jī)殼2702、顯示部分2603、聲音輸入部分2704、聲音輸出部分2705、操作鍵2706、外連端口2707和天線2708。通過采用由本發(fā)明制造的液晶顯示裝置制造移動(dòng)電話的顯示部分2703。此外，顯示部分2703可以通過在黑色背景下顯示白色的字符來限制移動(dòng)電話的功耗。
如上所述，本發(fā)明制造的液晶顯示裝置的應(yīng)用范圍非常廣泛并且可以制造所有領(lǐng)域中的電子裝置。此外，通過采用進(jìn)行實(shí)例1至實(shí)例4制造的液晶顯示裝置能夠制造本實(shí)施例的電子裝置。
通過上面的描述，通過實(shí)施本發(fā)明，在制造透射反射型液晶顯示裝置中，可以由凹凸不平形狀形成構(gòu)成像素電極的透明電極的表面并且還能夠由凹凸不平形狀構(gòu)成反射電極的表面。由此，可以減少在像素電極表面上形成凹凸不平形狀所需的構(gòu)圖中采用的光刻步驟和掩模。因此，不僅可以提高顯示器的光學(xué)識別性能，而且與現(xiàn)有技術(shù)制造凹凸不平結(jié)構(gòu)的方法相比能夠?qū)崿F(xiàn)相當(dāng)?shù)某杀窘档筒⒛軌驅(qū)崿F(xiàn)產(chǎn)量的提高。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括襯底上的具有凹凸不平表面的透明電極；在該透明電極上形成的反射電極；以及在該透明電極和該反射電極之上的液晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且通過腐蝕去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、拋光含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜、并且腐蝕含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的液晶顯示裝置，通過CMP進(jìn)行該拋光步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
10.一種液晶顯示裝置，包括在襯底之上形成的薄膜晶體管；在該薄膜晶體管之上的具有凹凸不平表面的透明電極；在該透明電極上形成的反射電極；以及在該透明電極和該反射電極之上的液晶，其中該薄膜晶體管電連接到該透明電極和該反射電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且通過腐蝕去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的液晶顯示裝置，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的液晶顯示裝置，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、拋光含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜、并且腐蝕含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的液晶顯示裝置，通過CMP進(jìn)行該拋光步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
19.一種液晶顯示裝置，包括第一襯底，包括具有凹凸不平表面的第一透明電極和在該第一透明電極上形成的反射電極；第二襯底，包括第二透明電極；以及液晶；其中該第一襯底的電極形成面和該第二襯底的電極形成面彼此相對排列，并且該液晶插入該第一襯底和該第二襯底之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且通過腐蝕去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的液晶顯示裝置，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的液晶顯示裝置，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、拋光含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜、并且腐蝕含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的液晶顯示裝置，通過CMP進(jìn)行該拋光步驟。
26.根據(jù)權(quán)利要求19的液晶顯示裝置，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
27.根據(jù)權(quán)利要求19的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
28.一種液晶顯示裝置，包括第一襯底，包括薄膜晶體管、在該薄膜晶體管之上的具有凹凸不平表面的第一透明電極和在該第一透明電極上形成的反射電極；第二襯底，包括第二透明電極；以及液晶；其中該第一襯底的電極形成面和該第二襯底的電極形成面彼此相對排列，并且該液晶插入該第一襯底和該第二襯底之間，其中該薄膜晶體管電連接到該第一透明電極和該反射電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
30.根據(jù)權(quán)利要求28的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、并且通過腐蝕去除在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的液晶顯示裝置，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的液晶顯示裝置，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求28的液晶顯示裝置，其中通過在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜、通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分、拋光含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜、并且腐蝕含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜，形成具有凹凸不平表面的該透明電極。
34.根據(jù)權(quán)利要求24的液晶顯示裝置，通過CMP進(jìn)行該拋光步驟。
35.根據(jù)權(quán)利要求28的液晶顯示裝置，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
36.根據(jù)權(quán)利要求28的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
37.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜；在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分；去除含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分；在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜上形成反射電極；在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜和該反射電極之上形成液晶層。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
39.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
40.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜；通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分；通過腐蝕去除含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分；形成在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜上形成的反射電極；以及在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜和該反射電極之上形成液晶層。
41.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
42.根據(jù)權(quán)利要求40的方法，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
43.根據(jù)權(quán)利要求40的液晶顯示裝置，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
44.根據(jù)權(quán)利要求40的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
45.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜；通過燒結(jié)在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分；拋光含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜；腐蝕含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜；形成在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜上形成的反射電極；以及在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜和該反射電極之上形成液晶層。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的方法，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
47.根據(jù)權(quán)利要求45的方法，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
48.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，通過CMP進(jìn)行該拋光步驟。
49.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該反射電極所占面積的比是該透明電極所占面積的50至90％。
50.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
51.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在襯底之上形成薄膜晶體管；在該薄膜晶體管之上形成非晶透明導(dǎo)電膜；在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分；去除含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分；在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜上形成反射電極；以及在含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜和該反射電極之上形成液晶層，其中該薄膜晶體管電連接到含有該晶體部分的該透明導(dǎo)電膜和該反射電極。
52.根據(jù)權(quán)利要求51的方法，其中通過燒結(jié)進(jìn)行在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分的步驟。
53.根據(jù)權(quán)利要求52的液晶顯示裝置，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
54.根據(jù)權(quán)利要求51的液晶顯示裝置，其中通過腐蝕進(jìn)行該去除步驟。
55.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
56.根據(jù)權(quán)利要求51的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
57.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在襯底上形成包括非晶部分和晶體部分的透明導(dǎo)電膜；去除該透明導(dǎo)電膜表面的該非晶部分；在該透明導(dǎo)電膜上形成反射電極；以及在該透明導(dǎo)電膜和該反射電極之上形成液晶層。
58.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中通過燒結(jié)進(jìn)行形成包括非晶部分和晶體部分的透明導(dǎo)電膜的步驟。
59.根據(jù)權(quán)利要求58的液晶顯示裝置，其中在150至200℃下進(jìn)行該燒結(jié)步驟。
60.根據(jù)權(quán)利要求57的液晶顯示裝置，其中通過腐蝕進(jìn)行該去除步驟。
61.根據(jù)權(quán)利要求60的方法，其中通過采用選自由氫氟酸、硝酸、硫酸和鹽酸組成的組中的一種或多種酸性溶液來進(jìn)行該腐蝕步驟。
62.根據(jù)權(quán)利要求57的液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置被應(yīng)用到選自由數(shù)字靜物相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的便攜圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)和移動(dòng)電話組成的組中的電子裝置中。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種具有在不特別地增加步驟的情況下形成的凹凸不平結(jié)構(gòu)的透明電極的透射反射型液晶顯示裝置，在制造該透射反射型液晶顯示裝置中，在襯底上形成非晶透明導(dǎo)電膜，在該非晶透明導(dǎo)電膜中形成晶體部分以由此形成含有晶體部分的透明導(dǎo)電膜，去除含有晶體部分的透明導(dǎo)電膜表面的非晶部分以由此形成具有通過保留薄膜表面處的晶體部分形成的凹凸不平形狀的透明導(dǎo)電膜，并且通過在具有凹凸不平形狀的透明電極之上形成反射導(dǎo)電膜來形成具有凹凸不平形狀的反射電極。
文檔編號G02F1/1343GK1442740SQ0310680
公開日2003年9月17日 申請日期2003年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月1日
發(fā)明者江口晉吾, 辻百合子 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所