專(zhuān)利名稱(chēng)：金屬遮罩在ic制備過(guò)程的應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，將以往所使用的光罩改為金屬遮罩，并應(yīng)用在IC制備過(guò)程中以達(dá)到與光罩相同的功效，可減少光罩?jǐn)?shù)及繁復(fù)制備過(guò)程并可降低成本。
而本發(fā)明的金屬遮罩為在金屬板制造所需圖形，放置于晶圓上；如此可以減少光罩的使用及減少使用光罩的成本，更可以減少去光阻等相關(guān)配合制備過(guò)程。
另外，在晶片中有不同的區(qū)塊及層次，且每一區(qū)塊及層次都有不同的制備過(guò)程，而這些不同的制備過(guò)程整合將會(huì)非常重要。其中，這些不同的區(qū)塊及層次的大部分需要高精密準(zhǔn)確度的制備過(guò)程及遮罩，(如整合硅晶片(system on chip，SOC)的設(shè)計(jì)，須將嵌入式記憶體邏輯電路等置于不同區(qū)塊、不同厚度的氧化硅的柵極氧化層中；又如電容器需植于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)深溝槽處。但對(duì)此不同制備過(guò)程條件的各區(qū)塊及層次，可以使用金屬遮罩并配合光阻定出一樣式圖形，以對(duì)不同條件的制備過(guò)程的區(qū)塊及層次來(lái)進(jìn)行部分區(qū)塊遮罩程序。
本發(fā)明的次要目的，在于降低遮罩制備過(guò)程中的成本，做部分遮罩的程序也簡(jiǎn)易化。
本發(fā)明的金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，能減少光罩?jǐn)?shù)并會(huì)主導(dǎo)未來(lái)市場(chǎng)及成本的降低。
圖2為晶圓置于金屬遮罩板底下的示意圖。
圖3為金屬遮罩板及晶圓在制備過(guò)程中的示意圖。
圖4為晶圓制備過(guò)程后所呈現(xiàn)的狀態(tài)。
圖5為另一金屬遮罩板示意圖。
圖6為晶圓的區(qū)塊示意圖。
圖7為晶圓的區(qū)塊位于金屬遮罩板下方的示意圖。
圖8為金屬遮罩板及晶圓在制備過(guò)程中的示意圖。其中10金屬遮罩板11圖形20晶圓 21區(qū)塊
30金屬遮罩板31圖形金屬遮罩板也可使用在部分遮罩制備過(guò)程中，部分遮罩對(duì)于晶圓20上的區(qū)塊21，做一遮罩程序。
如圖5至圖8所示，將晶圓20放至金屬遮罩板30下方。其中，該遮罩板也是先經(jīng)過(guò)光阻、曝光及蝕刻處理，所以在該遮罩板的面上也呈現(xiàn)出另一圖形31；而后將晶圓20與金屬遮罩板30進(jìn)行部分遮罩制備過(guò)程，則蝕刻、長(zhǎng)膜及離子植入等制備過(guò)程將透過(guò)金屬遮罩板30作用于晶圓20的某一區(qū)塊21上，直到制備過(guò)程結(jié)束后，將晶圓20移出。同理，若有其余的金屬遮罩板要對(duì)晶圓20上的其余區(qū)塊做部分遮罩時(shí)，只要再重覆一次同樣的制備過(guò)程即可，由此可見(jiàn)金屬遮罩板可滿(mǎn)足在不同區(qū)塊下完成不同的部分遮罩制備過(guò)程的需求。
權(quán)利要求
1.一種金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，其包括將選定好的遮罩板經(jīng)光阻、曝光等前處理以形成一個(gè)樣式圖形后，再利用蝕刻將圖形吃出；將晶圓放置于蝕刻完成后的遮罩板的底下，立刻開(kāi)始蝕刻、長(zhǎng)膜及離子植入等制備過(guò)程，直到制備過(guò)程結(jié)束將晶圓取出。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，其特征在于，該遮罩板的材質(zhì)為金屬材質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，其特征在于，利用干蝕刻將遮罩板上的圖形吃出。
4.如權(quán)利要求1所述的金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，其特征在于，利用濕蝕刻將遮罩板上的圖形吃出。
5.如權(quán)利要求1所述的金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，其特征在于，在整個(gè)遮罩制備過(guò)程中，不再需要透過(guò)光罩，來(lái)達(dá)到IC的制造。
6.如權(quán)利要求2所述的金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，其特征在于，該金屬遮罩可在高精密、高準(zhǔn)確度遮罩制備過(guò)程中使用，同時(shí)也可在不需高精密、高準(zhǔn)確度遮罩制備過(guò)程中使用。
全文摘要
本發(fā)明提供一種金屬遮罩在IC制備過(guò)程的應(yīng)用，選定一金屬材質(zhì)所制的遮罩板，該遮罩板經(jīng)光阻、曝光后以形成一個(gè)樣式圖形后，再使用干蝕刻或濕蝕刻將金屬遮罩板上的圖形吃出，而后將該遮罩板放置于晶圓上，即開(kāi)始對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻、長(zhǎng)膜和離子植入等相關(guān)制備過(guò)程，直到制備過(guò)程結(jié)束將晶圓取出。
文檔編號(hào)G03F1/00GK1412819SQ01136478
公開(kāi)日2003年4月23日 申請(qǐng)日期2001年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月18日
發(fā)明者林智富 申請(qǐng)人:帆宣系統(tǒng)科技股份有限公司