專利名稱:顯示裝置及其驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于通過時間灰度級法進行顯示的顯示裝置以及所述顯示裝置的驅動方法。
背景技術：
時間灰度級方法是一種已知的驅動作為顯示裝置中的一種的發(fā)光裝置的方法，其中，以數字視頻信號的二進制電壓控制一個幀周期內的像素的光發(fā)射周期，以顯示灰度級。由于通常電致發(fā)光材料的響應速率更快，因而其比液晶等更適用于時間灰度級方法。具體而言，在通過時間灰度級法進行顯示時，將一個幀周期劃分為多個子幀周期。之后，像素根據每一子幀周期內的視頻信號發(fā)光或不發(fā)光。根據前述結構，可以通過視頻信號控制一個幀周期內像素的實際總光發(fā)射周期，從而能夠顯示灰度級。
但是，在采用時間灰度級法進行顯示的情況下，存在一個問題，即隨著幀頻的變化而在像素部分內顯示偽等值線。偽等值線并非真實的等值線，在通過時間灰度級法顯示中間灰度級時經?？梢园l(fā)覺偽等值線，人們認為其主要是在人的視覺特性的作用下，由感知亮度的變化引起的。
作為一項防止產生上述偽等值線的技術，在下面的專利文獻1中，有人提出了一種驅動等離子顯示器的方法，其中在一個幀周期內，用于光發(fā)射的子幀周期持續(xù)出現。根據所述驅動方法，可以防止產生在相鄰的幀周期內使每一幀周期內的光發(fā)射周期和非光發(fā)射周期發(fā)生反轉的現象，從而抑制偽等值線的產生。
日本專利公開文本No.2000-231362
發(fā)明內容
但是，在專利文獻1公開的驅動方法中，總灰度級級別等于一個幀周期內的子幀周期的數量。因此，在為了提高總灰度級級別而提高子幀周期的數量時，要求縮短每一子幀周期。但是，在一般的顯示裝置中要求在每一子幀周期內將視頻信號輸入到所有行的像素內。因此，在子幀周期過短的情況下，要求提高驅動電路的工作頻率?？紤]到驅動電路的可靠性，最好不要使子幀周期短于必要值。
可以通過延長幀周期使每一子幀周期得到某種程度的延長；但是，延長幀周期的不可取之處在于，無法預料總灰度級級別的急劇增大，此外將更易于產生偽等值線。
因此，專利文獻1還描述了一項在不增大子幀周期的數量的情況下以偽方式提高所要顯示的總灰度級級別的技術，其中執(zhí)行諸如抖動的圖像處理。但是，通過執(zhí)行諸如抖動的圖像處理，在提高所顯示的總灰度級級別的同時，會使所顯示出來的圖像就像在其上撒了沙子一樣，因而必然降低圖像質量。
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置的驅動方法，其中能夠在抑制偽等值線的產生的同時抑制驅動電路的工作頻率。此外，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置的驅動方法，其中可以在抑制偽等值線的產生的同時抑制圖像質量的降低。
此外，考慮到上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，其中能夠在抑制偽等值線的產生的同時抑制驅動電路的工作頻率。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種顯示裝置，其中可以在抑制偽等值線的產生的同時抑制圖像質量的降低。
鑒于上述問題，根據本發(fā)明的顯示裝置包括表格，每一表格存儲用于在多個子幀周期當中確定光發(fā)射子幀周期的數據。在多個像素當中為任意像素確定多個子幀周期。這樣的表格存儲于存儲器當中。
下面將描述本發(fā)明的具體組成。
根據本發(fā)明的一個模式，一種顯示裝置包括多個表格，每者存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據；控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；以及包括像素的像素部分，根據輸出的所述視頻信號控制每一所述像素的灰度級級別，其中，所述多個表格在所述像素部分的相鄰像素之間互不相同。
根據本發(fā)明的另一模式，一種顯示裝置包括多個表格，每者存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據；控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；以及包括像素的像素部分，根據輸出的所述視頻信號控制每一所述像素的灰度級級別，其中，所述多個表格在所述像素部分的相鄰像素之間互不相同，此外，所述像素的所述表格隨具有子幀周期的每一幀周期而不同。
根據本發(fā)明的顯示裝置，根據通過共享比Rsh算出的子幀比RSF確定所述多個子幀周期的數量和長度。
此外，根據本發(fā)明的顯示裝置，在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
本發(fā)明的顯示裝置就其自身類別而言是一種包括下述裝置的發(fā)光裝置以有機發(fā)光二極管(OLED)為代表的發(fā)光元件、液晶顯示裝置、DMD(數字微鏡裝置)、PDP(等離子體顯示屏板)、FED(場致發(fā)射顯示器)以及能夠通過時間灰度級法顯示圖像的其他顯示裝置。此外，就其類別而言，所述發(fā)光裝置包括密封了發(fā)光元件的屏板和在屏板上安裝了包括控制器的IC等的模塊。
根據本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法的一個模式，至少包括彼此相鄰的第一像素和第二像素；以及為所述第一像素提供從多個每者均存儲著用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格中選出的第一表格，同時為所述第二像素提供從所述多個表格中選出的第二表格。
根據本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法的另一模式，至少包括彼此相鄰的第一像素和第二像素；為所述第一像素提供從多個每者均存儲著用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格中選出的第一表格，同時為所述第二像素提供從所述多個表格中選出的第二表格；以及在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
根據本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法，所述第一表格和所述第二表格隨具有子幀周期的每一幀周期而互換。
如上所述，通過為至少兩個像素中的每者提供表格，能夠抑制偽等值線的產生。此外，通過隨每一幀周期互換第一表格和第二表格，能夠進一步抑制偽等值線的產生。
圖1是示出了本發(fā)明的像素部分和表格的示意圖。
圖2A和2B是示出了本發(fā)明的像素部分和表格的示意圖。
圖3是示出了在測試中用于顯示的圖案的示意圖，執(zhí)行所述測試的目的在于研究共享比與偽等值線的產生之間的關系。
圖4是示出了表示一個幀周期內子幀周期SF1所占的比率的R1(％)與觀察到產生偽等值線的最小幀頻F之間的關系的曲線圖。
圖5是示出了幀頻與抑制偽等值線的產生的最低共享比之間的關系的曲線圖。
圖6示出了灰度級級別與光發(fā)射子幀周期之間的關系，以及灰度級級別與通過與低一個灰度級級別的情況比較獲得的共享比之間的關系的曲線圖。
圖7A和圖7B是示出了本發(fā)明的發(fā)光裝置的構造的方框圖。
圖8A到圖8C是示出了本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素的實例的示意圖。
圖9是根據本發(fā)明的驅動方法顯示4比特灰度級的情況下的時間圖。
圖10A到圖10C是本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素的截面圖。
圖11A到圖11C是本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素的截面圖。
圖12是本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素的截面圖。
圖13A是本發(fā)明的發(fā)光裝置的頂視平面圖，圖13B是其截面圖。
圖14A到圖14C是本發(fā)明的電子設備的圖示。
圖15是示出了灰度級級別比率與覺察到偽等值線的產生的最低幀頻之間的關系的曲線圖。
圖16A是常規(guī)子幀周期的示意圖，圖16B是本發(fā)明的子幀周期的示意圖。
圖17示出了灰度級級別與光發(fā)射子幀周期之間的關系，以及灰度級級別與通過與低一個灰度級級別的情況比較獲得的共享比之間的關系的曲線圖。
圖18是示出了本發(fā)明的像素部分和表格的示意圖。
圖19A到圖19E是示出了本發(fā)明的時間圖的示意圖。
圖20A到圖20D是示出了本發(fā)明的具體表格a的示意圖。
圖21A到圖21D是示出了本發(fā)明的具體表格b的示意圖。
圖22A到圖22D是示出了本發(fā)明的具體表格c的示意圖。
圖23A到圖23D是示出了本發(fā)明的具體表格d的示意圖。
具體實施方式盡管將在下文中參考附圖通過實施模式和實施例描述本發(fā)明，但是，應當理解，各種變化和修改對應本領域技術人員而言是顯而易見的。因此，除非這樣的變化和修改脫離本發(fā)明的范圍，否則就應當將其視為包含在本發(fā)明的范圍內。注意，在用于描述實施模式和實施例的附圖中，采用相同的附圖標記表示相同部分或具有相同功能的部分。因此，將只對其做一次描述。
(實施模式1)在本實施模式中，進行描述所依據的情況為，將多個表格用于多個像素。
如圖1所示，在像素部分100內包括多個像素101。
在像素101當中，為任意相鄰像素(A)和(B)提供不同的表格(表格a和表格b)。換言之，表格a和表格b是從多個表格中選出的，每一所述表格存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據，分別為相鄰的像素(A)和(B)提供表格a和表格b。
在這種情況下，可以分別通過(m，n)和(m，n+1)表示相鄰像素(A)和(B)的位置，其中假設m為沿行方向的像素部分的任意像素編號，n為沿列方向的像素部分的任意像素編號。在這種情況下，在接下來的第(m+1)行內，將像素(A)和(B)設置為不會分別沿列方向與第m行的像素(A)和(B)鄰接。也就是說，分別由(m+1，n+1)和(m+1，n)表示第(m+1)行的像素(A)和(B)的位置。
這樣的像素布局整體呈現為分別沿對角線設置像素(A)和像素(B)。
將為具有上述布局的對應像素提供的表格a和表格b設為在不同時刻顯示某一灰度級。
為了實現在不同時刻顯示某一灰度級，將考慮共享比確定子幀周期的長度。這里應當注意，共享比是指在相差一個灰度級級別的相鄰幀周期內共同出現的光發(fā)射子幀周期的長度比。
具體而言，共享比的獲得方式如下假設將一個幀周期劃分為三個子幀周期SF1到SF3，當一個幀周期內的光發(fā)射子幀周期僅為SF3，而下一幀周期內的光發(fā)射子幀周期為SF1到SF3，那么共享比為SF3/(SF1+SF2+SF3)×100％。
典型地，將子幀周期的長度設為20∶21∶22∶23...；但是，本發(fā)明不限于此，可以考慮共享比確定子幀周期的長度。
圖16A和圖16B示出了子幀周期結構的實例。圖16A示出了在用于顯示的總灰度級級別為24的情況下，分別用于第7灰度級級別和第8灰度級級別的常規(guī)子幀周期結構。在圖16A中，采用了四個子幀周期SF1到SF4，并將子幀周期SF4進一步一分為二。將子幀周期SF1到SF4的長度比設為SF1∶SF2∶SF3∶∑SF4＝1∶2∶4∶8。應當注意，周期BK對應于強行使發(fā)光元件不發(fā)射光的周期(非顯示周期)，其無助于灰度級級別。
就圖16A中顯示第7灰度級級別的情況而言，光發(fā)射子幀周期為SF1、SF2和SF3，非光發(fā)射子幀周期為SF4。就顯示第8灰度級級別的情況而言，光發(fā)射子幀周期為SF4，非光發(fā)射子幀周期為SF1、SF2和SF3。因此，沒有共同的光發(fā)射子幀周期，因而共享比為0％。根據圖16A所示的子幀周期結構，易于產生偽等值線。
接下來，圖16B示出了考慮共享比的子幀周期結構，其不同于圖16A所示的結構。圖16B示出了在與圖16A類似的情況下，即用于顯示的總灰度級級別為24的情況下，分別用于第7灰度級級別和第8灰度級級別的子幀周期結構。在圖16B中，采用了八個子幀周期SF1到SF8。將子幀周期SF1到SF8的長度比設為SF1∶SF2∶SF3∶SF4∶SF5∶SF6∶SF7∶SF8＝1∶1∶2∶2∶2∶3∶3。應當注意，周期BK對應于非顯示周期，其無助于灰度級級別。
就圖16B中顯示第7灰度級級別的情況而言，光發(fā)射子幀周期為SF3、SF7和SF8，非光發(fā)射子幀周期為SF1、SF2、SF4、SF5和SF6。就顯示第8灰度級級別的情況而言，光發(fā)射子幀周期為SF6、SF7和SF8，非光發(fā)射子幀周期為SF1、SF2、SF3、SF4和SF5。因此，共同顯示的光發(fā)射子幀周期為SF7和SF8，因而共享比為(SF7+SF8)×100/(SF6+SF7+SF8)，即75％。根據圖16B所示的子幀周期結構，所產生的偽等值線少于圖16A所示的情況。
此外，根據本發(fā)明的子幀周期，在顯示諸如第7灰度級級別或第8灰度級級別的某一灰度級時，存在多種光發(fā)射子幀周期的組合。例如，在圖16B中，顯示第7灰度級級別的光發(fā)射子幀周期可以是(SF1、SF7和SF8)、(SF2、SF7和SF8)、(SF1、SF4、SF5和SF6)等。同時，顯示第8灰度級級別的光發(fā)射子幀周期可以是(SF6、SF7和SF8)、(SF1、SF2、SF7和SF8)、(SF1、SF2、SF4、SF5和SF6)等。因此，可以為像素提供不同的表格?？梢愿鶕蚕肀却_定將要提供的子幀周期的組合。因此，在所提供的顯示裝置中，可以根據所述表格確定灰度級級別，從而減少偽等值線的產生。
下面將描述通過共享比RSh和總灰度級級別確定一個幀周期內每一子幀周期的長度的具體方法。
首先，基于用于驅動的幀頻計算共享比Rsh。幀頻越高所產生的偽等值線越少，相反，幀頻越低所產生的偽等值線越多。因此，通過預先確定幀頻，可以為每一顯示裝置確定抑制偽等值線的產生的最低共享比。
圖5示出了幀頻(Hz)與抑制偽等值線的產生的最低共享比(％)之間的關系的實例。
如圖5所示，共享比越低，抑制偽等值線的產生所需的幀頻越高。注意，由于可以任意確定用于判斷是否正在產生偽等值線的標準，因此未必一定能獲得與圖5所示的相同的數值關系。但是，在某一預定的判斷標準下，幀頻(Hz)與抑制偽等值線的產生的最低共享比(％)之間的關系表明，幀頻越高，偽等值線的產生受到的抑制就越高。
從圖5所示的曲線圖可以看出，在采用特定幀頻的情況下，獲得了抑制偽等值線的產生的最低共享比(％)，由此能夠確定大于等于所述最低共享比的共享比RSh的值。隨著共享比RSh的確定，可以確定每一子幀周期的長度。
首先，按照長度的遞增順序，將一個幀周期內的n個子幀周期稱為SF1到SFn。這里假設，當在所有的SF1到SFp(p＜n)內執(zhí)行光發(fā)射時，能夠顯示第m灰度級級別(m＜2n)。在這種情況下，由Tm表示用于顯示第m灰度級級別的光發(fā)射子幀周期SF1到SFp的總長度，可以通過下述公式1表示Tm。
Tm=Σn=1pSFn]]>接下來，考慮顯示第(m+1)灰度級級別的情況。由于可以通過在所有的SF1到SFp內發(fā)光而顯示第m灰度級級別，因此必須采用比SFp長的SFp+1來實現顯示第(m+1)灰度級級別的目的。同時，必須從子幀周期SF1到SFp中減去一個或多個子幀周期，以執(zhí)行顯示，所述一個或多個子幀周期對應于通過從SFp+1中減去一個灰度級級別的長度(例如，對應于SF1的長度)而得到的長度。因而，在由Tm+1表示用于顯示第(m+1)灰度級級別的光發(fā)射子幀周期的總長度時，可以通過下述公式2表示Tm+1。
Tm+1=Σn=1p+1SFn-(SFp+1-SF1)]]>當比率SFp+1/∑(SF1～SFp+1)為子幀比RSF時，可以通過下述公式3表示RSF。
RSF=SFp+1Σn=1p+1SFn]]>可以從公式3派生出下面的公式4。
SFp+1=Σn=1p+1SFn×RSF]]>于是，在由Wm/m+1表示在顯示第m灰度級級別和顯示第(m+1)灰度級級別時共同出現的光發(fā)射子幀周期的總長度時，可以通過下面的公式5表示Wm/m+1。
Wm/m+1＝Tm-(SFp+1-SF1)相應地，從公式1、公式4和公式5派生出了公式6。
Wm/m+1]]>=Σn=1pSFn-(SFp+1-SF1)]]>=Σn=1p+1SFn-SFp+1-(SFp+1-SF1)]]>=Σn=1p+1SFn-2×RSF×Σn=1p+1SFn+SF1]]>由下面的公式7表示在顯示第m灰度級級別和顯示第(m+1)灰度級級別時共同出現的光發(fā)射子幀周期的共享比Rsh。
Rsh＝Wm/m+1/Tm+1因此，由公式2、公式4、公式6和公式7派生出了下面的公式8。
Rsb]]>={Σn=1p+1SFn-2×RSF×Σn=1p+1SFn+SF1}/{Σn=1p+1SFn-RSF×Σn=1p+1SFn+SF1}]]>≈{Σn=1p+1SFn-2×RSF×Σn=1p+1SFn}/{Σn=1p+1SFn-RSF×Σn=1p+1SFn}]]>=(1-2RSF)/(1-RSF)]]>此外，可以從公式8派生出下面的公式9。
RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)因此，可以將共享比Rsh的值代入公式9，由此得到子幀比RSF的值。子幀比RSF為比率SFp+1/∑(SF1～SFp+1)?？梢圆捎眠@一子幀比RSF由最長的子幀周期SFn的長度依次確定每一子幀周期的長度。
如上文所述，通過考慮共享比確定子幀周期的長度，在顯示某一灰度級時，可以存在多種光發(fā)射子幀周期的選項。也就是說，存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的多個表格中的每者均具有冗余項。因此，可以將從所述多個表格中選出的一些表格提供給多個像素。
通過為如上的至少兩個或更多像素提供表格，使傾向于產生偽等值線的灰度級級別擴散，因而能夠更少地察覺偽等值線。
在這一實施模式中分別為像素(A)和(B)提供表格；但是本發(fā)明不限于此。例如，可以為像素提供四個表格，可以將相應像素布置為矩形。也就是說，根據本發(fā)明，與常規(guī)方法相比，可以通過為至少兩個或更多像素提供每一表格防止偽等值線的產生。
在執(zhí)行本發(fā)明的驅動方法的顯示裝置中，對應于輸入信號而輸出預定信號的表格是一種查表表格，其通過諸如ROM、RAM存儲器等硬件存儲。
在本實施模式所描述的驅動方法中，可以使任何子幀周期反轉。例如，在一個幀周期內，可以在一組子幀周期的末尾對其反轉。因此，能夠進一步防止產生偽等值線，尤其是防止產生活動圖像偽等值線。
(實施模式2)在本實施模式中將描述子幀周期的一個具體例子。
圖6示出了光發(fā)射子幀周期的具體例子，其中采用4位視頻信號，總灰度級級別為24。圖6中的橫坐標軸表示灰度級級別，左側縱坐標軸表示光發(fā)射周期，即光發(fā)射子幀周期的總周期。在圖6B中，右側縱坐標軸表示通過與低一個灰度級級別的情況相比較得到的共享比Rsh(％)。在圖6中，采用了九個子幀周期SF1到SF9。將子幀周期SF1到SF9的長度比設為SF1∶SF2∶SF3∶SF4∶SF5∶SF6∶SF7∶SF8∶SF9＝1∶1∶1∶1∶1∶2∶2∶3∶3。
在這些子幀周期中存在具有相同長度的周期。因此，針對某一灰度級的顯示存在多種子幀周期的組合，可以根據所述組合設置不同的表格。
這樣表格是一種查表表格，其通過諸如ROM、RAM存儲器等的硬件存儲。
在圖6中，在顯示灰度級4到16時，通過確定子幀周期的長度使共享比Rsh(％)保持大于等于65％。注意，在共享比Rsh(％)的所述定義下，在第0灰度級級別和第1灰度級級別中未滿足所述Rsh(％)。此外，在第2灰度級級別中也未滿足所述共享比Rsh(％)，在圖6中該值較低，因為在這樣的較少產生偽等值線的低灰度級級別中未必一定要滿足所述共享比Rsh(％)。
圖17示出了光發(fā)射子幀周期的具體例子，其中采用6位視頻信號，總灰度級級別為26。圖17中的橫坐標軸表示灰度級級別，左側縱坐標軸表示光發(fā)射周期，即光發(fā)射子幀周期的總周期。根據光發(fā)射周期的長度確定所要顯示的灰度級。在圖17中，右側縱坐標軸表示通過與低一個灰度級級別的情況相比較得到的共享比Rsh(％)。在圖17中，采用了12個子幀周期SF1到SF12。將子幀周期SF1到SF12的長度比設為SF1∶SF2∶SF3∶SF4∶SF5∶SF6∶SF7∶SF8∶SF9∶SF10∶SF11∶SF12＝1∶2∶3∶3∶4∶4∶5∶6∶7∶8∶9∶11。
在這些子幀周期中存在具有相同長度的周期。因此，針對某一灰度級的顯示存在多種子幀周期的組合，可以根據所述組合設置不同的表格。
這樣表格是一種查表表格，其通過諸如ROM、RAM存儲器等的硬件存儲。
在圖17中，在顯示灰度級12到63時，通過確定相應的子幀周期的長度使共享比Rsh(％)保持大于等于70％。注意，在共享比Rsh(％)的所述定義下，在第0灰度級級別和第1灰度級級別中未滿足所述Rsh(％)。此外，在第2到第11灰度級級別中也未滿足所述共享比Rsh(％)，在圖17中這些值相對較低，因為在這樣的較少產生偽等值線的低灰度級級別中未必一定要滿足所述共享比Rsh(％)。
如上所述，通過考慮共享比確定子幀周期可以設定多個不同的表格。通過未像素提供多個表格，可以防止偽等值線的產生。
(實施模式3)在在本實施模式中所描述的情況為，對應于每一像素的表格不是固定的，而是按照幀周期發(fā)生變化。
如圖2A所示，假設在第t幀內，分別為相鄰像素(A)和(B)提供表格a和b。
之后，在第(t+1)幀內根據像素(A)和(B)的位置以和第t幀中的情況相反的方式提供表格a和b，如圖2B所示?？梢酝ㄟ^這種方式根據幀改變對應于每一像素提供的表格。可以將與表格變化相關的內容和數據存儲到ROM或RAM中。
通過根據幀改變對應于每一像素的表格，即如上所述的存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格，能夠進一步防止產生偽等值線。
在這一實施模式中分別為像素(A)和(B)提供表格；但是本發(fā)明不限于此。例如，可以為像素提供四個表格，為其提供了每一表格的對應像素可以布置為矩形形狀。也就是說，根據本發(fā)明，與常規(guī)方法相比，可以通過為至少兩個或更多像素提供表格防止偽等值線的產生。
(實施模式4)在本實施模式中將描述作為一種顯示裝置的發(fā)光裝置的具體構造。圖7A和圖7B是本發(fā)明的發(fā)光裝置的示范性構造的方框圖。圖7A和圖7B所示的發(fā)光裝置包括屏板104、控制器102和表格103。屏板104包括像素部分100、信號線驅動電路105和掃描線驅動電路106，像素部分100包括多個每者均具有發(fā)光元件的像素。
表格103通過諸如ROM和RAM存儲器的硬件存儲，其中可以根據像素提供多個表格103。存儲器存儲對應于每一表格的與像素布局相關的數據等。存儲器還根據子幀比RSF存儲一個幀周期內的多個子幀周期的編號和長度，以及存儲用于從多個子幀周期中確定每一灰度級級別的光發(fā)射子幀周期的數據?？梢栽诟鶕l確定共享比Rsh之后計算子幀比RSF。
控制器102可以根據存儲在表格103內的數據確定取決于輸入視頻信號的灰度級級別的光發(fā)射子幀周期，并將其輸出。此外，控制器102具有幀存儲器，并且能夠產生各種控制信號，例如時鐘信號和起始脈沖信號，后者取決于存儲在表格103內的多個子幀周期的每一長度、信號線驅動電路105和掃描線驅動電路106的工作頻率等。
視頻信號的轉換和控制信號的產生均通過圖7A中的控制器102執(zhí)行；但是，本發(fā)明不局限于這一構造。可以在發(fā)光裝置中分別設置用于轉換視頻信號的控制器和用于產生控制信號的控制器。
圖7B是圖7A所示的屏板104的示范性具體構造。
在圖7B中，信號線驅動電路105包括移位寄存器110、鎖存器A111和鎖存器B112。將諸如時鐘信號(CLK)和起始脈沖信號(SP)的控制信號輸入到移位寄存器110內。在輸入時鐘信號(CLK)和起始脈沖信號(SP)后，在移位寄存器110內產生定時信號。將所產生的定時信號串行輸入到第一級鎖存器A111內。在向鎖存器A111輸入定時信號的同時，將由控制器102輸入的視頻信號串行輸入到鎖存器A111內，并保持，其中，所述的視頻信號的輸入與輸入的定時信號的脈沖同步。注意，在本實施模式中向鎖存器A111內串行輸入視頻信號；但是本發(fā)明不局限于這一結構?；蛘?，可以執(zhí)行所謂的劃分驅動，其中，將鎖存器A111劃分為幾組，從而向每組并行輸入視頻信號。這里將組的數量稱為劃分數。例如，在將鎖存器劃分為四個級別組時，執(zhí)行四分驅動。
將用于將視頻信號輸入到鎖存器A111的所有鎖存器級內的周期稱為行選周期。實際上，可能存在這樣的情況，即除了前述行選周期之外，行選周期還包括水平回掃周期。
在一個行選周期終止的同時，將作為控制信號之一的鎖存信號提供給第二級鎖存器B112。在與所述鎖存信號同步的情況下，將保持在鎖存器A111內的視頻信號同時寫入到鎖存器B112內。在將視頻信號傳輸至鎖存器B112之后，再次與來自移位寄存器110的定時信號同步，將下一比特的視頻信號串行輸入到鎖存器A111內。在第二個行選周期內，將寫入并保持于鎖存器B112內的視頻信號輸入到像素部分100內。
應當注意，可以采用諸如譯碼器的能夠選擇信號線的電路替代移位寄存器110。
接下來，將描述掃描線驅動電路106的構造。掃描線驅動電路106包括移位寄存器113和緩沖器114。此外，如有必要可以包括電平移動器。在掃描線驅動電路106中，將時鐘信號(CLK)和起始脈沖信號(SP)輸入到移位寄存器113內，以生成選擇信號。在緩沖器114內將所生成的選擇信號放大，并將其提供給對應的的掃描線。由于提供給掃描線的選擇信號控制著包含在一行像素內的晶體管的操作，因此，優(yōu)選采用能夠為掃描線提供相對較大的電流量的緩沖器作為緩沖器114。
應當注意，可以采用諸如譯碼器的能夠選擇信號線的電路替代移位寄存器113。
在本發(fā)明中，可以在與像素部分100相同的襯底上，也可以在不同襯底上形成掃描線驅動電路106和信號線驅動電路105。例如，可以采用有待安裝的IC芯片形成掃描線驅動電路106或信號線驅動電路105。本發(fā)明的發(fā)光裝置的屏板構造不限于圖7A和圖7B所示，只要屏板104所具有的構造能夠實現根據由控制器102輸入的視頻信號控制像素灰度級級別即可。
通過在這樣的發(fā)光裝置中采用多個表格，能夠防止偽等值線的產生。
在除上述顯示裝置以外的其他顯示裝置中，也可以通過采用存儲多個表格的存儲器防止偽等值線的產生。
(實施模式5)接下來，將參考圖8A到圖8C描述本發(fā)明的發(fā)光裝置中的像素的等效電路圖。
圖8A是像素等效電路圖的例子，其包括信號線6114、電源線6115、掃描線6116、發(fā)光元件6113、晶體管6110和6111以及電容器6112。通過信號線驅動電路向信號線6114輸入視頻信號。晶體管6110可以根據輸入至掃描線6116內的選擇信號控制向晶體管6111的柵極提供視頻信號電勢。晶體管6111可以根據視頻信號電勢控制向發(fā)光元件6113提供電流。電容器6112可以保持晶體管6111的柵極和源極之間的電壓(將其稱為柵極-源極電壓)。注意，在圖8A中提供了電容器6112；但是，可以不提供電容器6112，只要晶體管6111的柵電容或其他寄生電容能夠替代它即可。
圖8B是像素的等效電路圖，其中，在圖8A所示的像素中額外提供了晶體管6118和掃描線6119?？梢酝ㄟ^晶體管6118使晶體管6111的柵極和源極電勢相等，從而迫使電流無法流入發(fā)光元件6113。因此，可以將每一子幀周期的長度設為短于向所有像素輸入視頻信號的周期。因此，可以以高總灰度級級別執(zhí)行顯示，同時抑制工作頻率。
圖8C是像素的等效電路圖，其中，在圖8B所示的像素中額外提供了晶體管6125和線路6126。通過線路6126固定晶體管6125的柵極電勢。此外，晶體管6111和6125串聯于電源線6115和發(fā)光元件6113之間。相應地，在圖8C中，晶體管6125控制提供給發(fā)光元件6113的電流量，而晶體管6111則控制是否向發(fā)光元件6113提供電流。
應當注意，本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素電路構造不限于本實施模式中描述的構造，并且可以將本發(fā)明應用于任何執(zhí)行時間灰度級顯示的顯示裝置中。可以將本實施模式與上述實施模式自由組合。
(實施模式6)在本實施模式中，以圖6所示的本發(fā)明的驅動方法為例，描述了每一子幀周期的出現時機。
圖9示出了在總灰度級級別為24的情況下的時間圖，其中，采用了圖6所示的本發(fā)明的驅動方法。圖9的橫坐標軸表示一個幀周期內的子幀周期SF1到SF9的長度，縱坐標軸表示掃描行的選擇順序。將子幀周期SF1到SF9的長度比設為，從SF1開始依次為1∶1∶1∶1∶1∶2∶2∶3∶3。因此，在顯示(例如)第3灰度級級別時，光發(fā)射周期對應于SF1到SF3的總子幀周期、SF1到SF4中的任何一個與SF6或SF7的總子幀周期或者子幀周期SF8或SF9。因此，存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格可以具有冗余項；因此，可以為像素提供不同的表格。
在每一子幀周期開始后，通過共享一條掃描線的一行像素執(zhí)行視頻信號輸入。在將視頻信號輸入到像素內之后，發(fā)光元件根據視頻信號的數據發(fā)光或不發(fā)光。每一像素內的發(fā)光元件根據視頻信號保持發(fā)光或保持不發(fā)光，直到開始下一子幀周期。
注意，在圖9所示的時間圖中，在向像素內輸入視頻信號的同時，發(fā)光元件根據視頻信號的數據發(fā)光或不發(fā)光；但是，本發(fā)明不限于這一結構?；蛘?，在將視頻信號輸入到所有像素內之前，使發(fā)光元件保持不發(fā)光，在將視頻信號輸入到所有像素內之后，發(fā)光元件根據視頻信號的數據發(fā)光或不發(fā)光。
此外，在圖9所示的時間圖內，所有的子幀周期連續(xù)出現，但是，本發(fā)明不限于這一結構。也有可能在子幀周期之間提供迫使發(fā)光元件不發(fā)光的周期(非顯示周期)?？梢酝ㄟ^憑借圖8B和圖8C所示的晶體管6118釋放電容器6112的電荷而提供非顯示周期。所述非顯示周期可以開始于在恰好位于所述非顯示周期之前的子幀周期內完成向所有像素輸入視頻信號之前或之后。
(實施模式7)在本實施模式中，采用圖10A到圖10C描述像素的截面結構，其中，用于控制向發(fā)光元件提供電流的晶體管為P溝道薄膜晶體管(TFT)。注意，在本說明書中，將發(fā)光元件的陽極和陰極之一稱為第一電極，將另一個稱為第二電極，可以通過晶體管控制所述陽極和陰極的電勢。進行描述所依據的情況為，在圖10A到圖10C中，第一電極為陽極，第二電極為陰極；但是，也可能第一電極為陰極，而第二電極為陽極。
圖10A是像素的截面圖，其中，TFT 6001為P溝道型，從第一電極6004一側提取來自發(fā)光元件6003的光。在圖10A中，將發(fā)光元件6003的第一電極6004電連接到TFT 6001。
采用層間絕緣膜6007覆蓋TFT 6001，在層間絕緣膜6007上形成具有開口的堤6008。在堤6008的開口內，部分暴露了第一電極6004，并且依次疊置著第一電極6004、電致發(fā)光層6005和第二電極6006。
可以采用有機樹脂膜、無機絕緣膜或含有基于硅氧烷的材料作為起始材料并具有Si-O-Si鍵的絕緣膜(下文稱為“硅氧烷絕緣膜”)形成層間絕緣膜6007。硅氧烷絕緣膜含有作為取代基的氫，此外還可以含有氟、烷基和芳香烴中的至少一種。還可以采用所謂的低介電常數材料(低k材料)形成層間絕緣膜6007。
可以采用有機樹脂膜、無機絕緣膜或硅氧烷絕緣膜形成堤6008。就有機樹脂膜而言，例如，可以采用丙烯酸、聚酰亞胺或聚酰胺。就無機絕緣膜而言，可以采用氧化硅、氮氧化硅等。堤6008優(yōu)選由光敏有機樹脂膜形成，并且具有位于第一電極6004上的開口，將所述開口形成為使其側面具有帶有連續(xù)曲率的斜坡，其能夠防止第一電極6004和第二電極6006相互連接。
采用透光材料或以透光厚度，并且采用適于用作陽極的材料形成第一電極6004。例如，可以采用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)和摻鎵氧化鋅(GZO)的透光導電氧化物形成第一電極6004?；蛘撸梢圆捎煤醒趸璧难趸\、含有氧化硅的氧化銦錫(以下簡稱ITSO)或者ITSO與2％到20％的氧化鋅(ZnO)的混合物形成第一電極6004。此外，除了前述透光導電氧化物之外，還可以采用(例如)由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一種或多種材料構成的單層膜、由氮化鈦膜和主要含有鋁的膜構成的疊層結構或者由氮化鈦膜、主要含有鋁的膜和氮化鈦膜構成的三層結構形成第一電極6004。注意，在采用此類材料而不是透光導電氧化物時，使所形成的第一電極6004的厚度薄到足以透射光(優(yōu)選為大約5到30nm)。
采用反射或遮擋光的材料，以反射或遮擋光的厚度形成第二電極6006，其中，所采用的材料是諸如金屬、合金、導電化合物或其組合的具有低功函數的材料。具體而言，可以采用諸如Li和Cs的堿金屬、諸如Mg、Ca和Sr的堿土金屬、含有此類金屬的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此類金屬的化合物(CaF2或Ca3N2)或諸如Yb和Er的稀土金屬。在提供電子注入層的情況下，可以采用諸如Al層的導電層作為替代。
通過單層或多層構造電致發(fā)光層6005。就多層而言，可以根據載流子輸運特性將這些層劃分為空穴注入層、空穴輸運層、光發(fā)射層、電子輸運層、電子注入層等。當電致發(fā)光層6005具有除光發(fā)射層以外的空穴注入層、空穴輸運層、電子輸運層和電子注入層中的任何一個時，那么在第一電極6004上依次疊置空穴注入層、空穴輸運層、光發(fā)射層、電子輸運層和電子注入層。注意，層與層之間不一定具有明晰的邊界，由于形成各個層的材料部分混合，因而可能無法清晰地區(qū)分所述邊界?？梢圆捎糜袡C材料或無機材料形成每一層。就有機材料而言，可以采用具有高分子量、中等分子量和低分子量的材料中的任何一種。注意，中等分子量材料是指結構單元的重復次數(聚合度)為2到20的低聚物。在空穴注入層和空穴輸運層之間不存在明顯的區(qū)別，在兩者之中空穴輸運特性(空穴遷移率)均尤為顯著?？昭ㄗ⑷雽优c陽極接觸，為了方便起見，將與空穴注入層接觸的層稱為空穴輸運層。其同樣適用于電子輸運層和電子注入層，將與陰極接觸的層稱為電子注入層，同時將與電子注入層接觸的層稱為電子輸運層。此外，光發(fā)射層也可以具有電子輸運層的作用，因此可以將其稱為光發(fā)射電子輸運層。
在圖10A所示的像素中，可以從如空心箭頭所示的第一電極6004一側提取從發(fā)光元件6003中發(fā)射的光。
圖10B是像素的截面圖，其中，TFT 6011為P溝道型，從第二電極6016一側提取由發(fā)光元件6013發(fā)射的光。在圖10B中，將發(fā)光元件6013的第一電極6014電連接到TFT 6011。在第一電極6014上，依次疊置電致發(fā)光層6015和第二電極6016。
采用反射或遮擋光的材料并以反射或遮擋光的厚度形成第一電極6014，其中，所采用的材料適于用作陽極。例如，可以采用由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一種或多種材料構成的單層膜、由氮化鈦膜和主要含有鋁的膜構成的疊層結構或者由氮化鈦膜、主要含有鋁的膜和氮化鈦膜構成的三層結構形成第一電極6014。
采用透光材料或以透光厚度形成第二電極6016，并且可以采用具有低功函數的金屬、合金、導電化合物或其混合物形成第二電極6016。具體而言，可以采用諸如Li和Cs的堿金屬、諸如Mg、Ca和Sr的堿土金屬、含有此類金屬的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此類金屬的化合物(CaF2或Ca3N2)或諸如Yb和Er的稀土金屬。在提供電子注入層的情況下，可以諸如Al層的導電層作為替代。使所形成的第二電極6016的厚度薄到足以透射光(優(yōu)選為大約5到30nm)。注意，還可以采用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)和摻鎵氧化鋅(GZO)的透光導電氧化物形成第二電極6016?；蛘?，可以采用含有氧化硅的氧化鋅、含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)或者ITSO與2％到20％的氧化鋅(ZnO)的混合物形成第二電極6016。就采用此類透光導電氧化物的情況而言，優(yōu)選在電致發(fā)光層6015內提供電子注入層。
所形成的電致發(fā)光層6015可以類似于圖10A所示的電致發(fā)光層6005。
在圖10B所示的像素中，可以從如空心箭頭所示的第二電極6016一側提取由發(fā)光元件6013發(fā)射的光。
圖10C為像素截面圖，其中，TFT 6021為P溝道型，并且同時從第一電極6024一側和第二電極6026一側提取由發(fā)光元件6023發(fā)射的光。在圖10C中，將發(fā)光元件6023的第一電極6024電連接到TFT6021。在第一電極6024上，依次疊置電致發(fā)光層6025和第二電極6026。
所形成的第一電極6024可以類似于圖10A所示的第一電極6004，所形成的第二電極6026可以類似于圖10B所示的第二電極6016。所形成的電致發(fā)光層6025可以類似于圖10A所示的電致發(fā)光層6005。
在圖10C所示的像素中，可以同時從第一電極6024一側和第二電極6026一側提取由發(fā)光元件6023發(fā)射的光，如空心箭頭所示。
可以將本實施模式與上述實施模式自由組合。
(實施模式8)在本實施模式中，參考圖11A到圖11C描述像素的截面結構，其中，用于控制向發(fā)光元件提供電流的晶體管為N溝道型。注意，在圖11A到圖11C中，第一電極為陰極，第二電極為陽極；但是，也可能第一電極為陽極，第二電極為陰極。
圖11A是像素的截面圖，其中，TFT 6031為N溝道型，從第一電極6034一側提取由發(fā)光元件6033發(fā)射的光。在圖11A中，將發(fā)光元件6033的第一電極6034電連接到TFT 6031。在第一電極6034上，依次疊置電致發(fā)光層6035和第二電極6036。
采用透光材料或以透光厚度形成第一電極6034，并且可以采用具有低功函數的金屬、合金、導電化合物或其混合物形成第一電極6034。具體而言，可以采用諸如Li和Cs的堿金屬、諸如Mg、Ca和Sr的堿土金屬、含有此類金屬的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此類金屬的化合物(CaF2或Ca3N2)或諸如Yb和Er的稀土金屬。在提供電子注入層的情況下，可以諸如Al層的導電層作為替代。此外，使所形成的第一電極6034的厚度薄到足以透射光(優(yōu)選為大約5到30nm)。此外，還可以采用透光導電氧化物額外形成透光導電層，并使之接觸前述具有足以透射光的厚度的導電層的頂部或底部，以抑制第一電極6034的薄層電阻。注意，也可以僅采用導電層形成第一電極6034，其中，所述導電層采用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)和摻鎵氧化鋅(GZO)的透光導電氧化物?；蛘撸梢圆捎煤醒趸璧难趸\、含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)或者ITSO與2％到20％的氧化鋅(ZnO)的混合物形成第一電極6034。在采用此類透光導電氧化物時，優(yōu)選在電致發(fā)光層6035內提供電子注入層。
采用反射或遮擋光的材料并以反射或遮擋光的厚度形成第二電極6036，其中所采用的材料適于用作陽極。例如，可以采用由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一種或多種材料構成的單層膜、由氮化鈦膜和主要含有鋁的膜構成的疊層結構、由氮化鈦膜、主要含有鋁的膜和氮化鈦膜構成的三層結構等形成第二電極6036。
所形成的電致發(fā)光層6035可以類似于圖10A所示的電致發(fā)光層6005。當電致發(fā)光層6035具有除光發(fā)射層以外的空穴注入層、空穴輸運層、電子輸運層和電子注入層中的任何一個時，那么在第一電極6034上依次疊置電子注入層、電子輸運層、光發(fā)射層、空穴輸運層和空穴注入層。
在圖11A所示的像素中，可以從如空心箭頭所示的第一電極6034一側提取由發(fā)光元件6033發(fā)射的光。
圖11B為像素的截面圖，其中，TFT 6041為N溝道型，從第二電極6046一側提取由發(fā)光元件6043發(fā)射的光。在圖11B中，將發(fā)光元件6043的第一電極6044電連接到TFT 6041。在第一電極6044上，依次疊置電致發(fā)光層6045和第二電極6046。
采用反射或遮擋光的材料并以反射或遮擋光的厚度形成第一電極6044，并且可以采用具有低功函數的金屬、合金、導電化合物或其混合物形成第一電極6044。具體而言，可以采用諸如Li和Cs的堿金屬、諸如Mg、Ca和Sr的堿土金屬、含有此類金屬的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此類金屬的化合物(CaF2或Ca3N2)或諸如Yb和Er的稀土金屬等。在提供電子注入層的情況下，可以諸如Al層的導電層作為替代。
采用透光材料或以透光厚度，并且采用適于用作陽極的材料形成第二電極6046。例如，可以采用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)和摻鎵氧化鋅(GZO)的透光導電氧化物。或者，可以采用含有氧化硅的氧化鋅、含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)或者ITSO與2％到20％的氧化鋅(ZnO)的混合物形成第二電極6046。此外，除了前述透光導電氧化物之外，還可以采用(例如)由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一種或多種材料構成的單層膜、由氮化鈦膜和主要含有鋁的膜構成的疊層結構或者由氮化鈦膜、主要含有鋁的膜和氮化鈦膜構成的三層結構形成第二電極6046。注意，在采用此類材料而不是透光導電氧化物時，使所形成的第二電極6046的厚度薄到足以透射光(優(yōu)選為大約5到30nm)。
所形成的電致發(fā)光層6045可以類似于圖11A所示的電致發(fā)光層6035。
在圖11B所示的像素中，可以從如空心箭頭所示的第二電極6046一側提取由發(fā)光元件6043發(fā)射的光。
圖11C為像素的截面圖，其中，TFT 6051為N溝道型，并且同時從第一電極6054一側和第二電極6056一側提取由發(fā)光元件6053發(fā)射的光。在圖11C中，將發(fā)光元件6053的第一電極6054電連接到TFT6051。在第一電極6054上，依次疊置電致發(fā)光層6055和第二電極6056。
所形成的第一電極6054類似于圖11A所示的第一電極6034，所形成的第二電極6056類似于圖11B所示的第二電極6046。所形成的電致發(fā)光層6055可以類似于圖11A所示的電致發(fā)光層6035。
在圖11C所示的像素中，可以同時從第一電極6054一側和第二電極6056一側提取由發(fā)光元件6053發(fā)射的光，如空心箭頭所示。
可以將本實施模式與上述實施模式自由組合。
(實施模式9)在本實施模式中描述的情況為，采用以絲網印刷和膠印為代表的印刷法或者微滴釋放法制造所述發(fā)光裝置。微滴釋放法是一種通過微孔噴射含有預定成分的微滴而形成預定圖案的方法，其包括噴墨法。在采用這樣的印刷法或微滴釋放法時，可以在不采用曝光掩模的情況下形成以信號線、掃描線和選擇線為代表的各種線路、TFT的柵極、發(fā)光元件的電極等。但是，不一定要將印刷法或微滴釋放法用于整個圖案形成過程。例如，有可能將印刷法或微滴釋放法用于所述過程的至少一部分，并額外采用光刻法，操作如下通過印刷法或微滴釋放法形成線路和柵極，并通過光刻法對半導體薄膜構圖。注意，可以通過印刷法或微滴釋放法形成用于構圖的掩模。
圖12是采用微滴釋放法形成的本發(fā)明的發(fā)光裝置的示范性截面圖。在圖12中，附圖標記1301和1302均表示TFT，1304表示發(fā)光元件。將TFT 1302電連接到發(fā)光元件1304的第一電極1350。TFT 1302優(yōu)選為N溝道型，在這種情況下，第一電極1350優(yōu)選為陰極，第二電極1331優(yōu)選為陽極。
起著開關元件的作用的TFT 1301具有柵極1310、包括溝道形成區(qū)域的第一半導體膜1311、形成于柵極1310和第一半導體膜1311之間的柵極絕緣膜1317、起著源極或漏極作用的第二半導體薄膜1312和1313、連接至第二半導體膜1312的線路1314和連接至第二半導體膜1313的線路1315。
TFT 1302具有柵極1320、包括溝道形成區(qū)域的第一半導體膜1321、形成于柵電極1320和第一半導體膜1321之間的柵極絕緣膜1317、起著源極或漏極作用的第二半導體膜1322和1323、連接至第二半導體膜1322的線路1324和連接至第二半導體膜1323的線路1325。
線路1314對應于信號線，將線路1315電連接到TFT 1302的柵極1320。線路1325對應于電源線。
通過采用微滴釋放法或印刷法形成圖案，可以簡化光刻法的一系列步驟，包括形成光致抗蝕劑、曝光、顯影、蝕刻和剝離。此外，與光刻法不同的是，微滴釋放法或印刷法可以避免浪費否則將通過蝕刻去除的材料。此外，由于不需要昂貴的掩模，能夠降低發(fā)光裝置的制造成本。
此外，與光刻法不同的是不需要通過蝕刻形成線路。相應地，與光刻法相比，可以在極短的時間內完成形成線路的步驟。具體而言，在形成具有大于等于0.5μm(優(yōu)選大于等于2μm)的厚度的線路時，可以抑制線路電阻。相應地，能夠抑制線路電阻隨著發(fā)光裝置的擴大而增大，同時縮短線路形成步驟所需的時間。
第一半導體薄膜1311和1321可以是無定形半導體或半無定形半導體(SAS)。
可以通過輝光放電使硅源氣體分解，由此獲得無定形半導體?？梢圆捎肧iH4或Si2H6作為典型的硅源氣體?？梢圆捎脷錃饣蛘邭錃夂秃庀♂尮柙礆怏w。
類似地，可以通過輝光放電使硅源氣體分解，由此獲得SAS?？梢圆捎肧iH4以及Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等作為典型的硅源氣體?？梢圆捎脷錃饣驓錃馀c從氦、氬、氪和氖中選出的一種或多種稀有氣體元素的混合氣體稀釋硅源氣體，由此容易地形成SAS。優(yōu)選以1∶2到1∶1000的比率稀釋硅源氣體。此外，可以將硅源氣體與諸如CH4和C2H6的碳源氣體、諸如GeH4和GeF4的鍺源氣體以及F2等混合，從而使能帶寬度為1.5到2.4eV或者0.9到1.1eV。采用SAS作為第一半導體膜的TFT能夠表現出1到10cm2/Vsec或更高的遷移率。
也可以采用通過使無定形半導體或半無定形半導體(SAS)結晶得到的半導體形成第一半導體薄膜1311和1321。例如，采用激光器或加熱爐使無定形半導體或SAS結晶。
可以將本實施模式與上述實施模式自由組合。
(實施模式10)在本實施模式中，將參考圖13A和圖13B描述對應于本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個模式的屏板的外視圖。圖13A是屏板的頂視平面圖，其中，采用密封劑將形成于第一基板上的TFT和發(fā)光元件密封至第一基板和第二基板之間。圖13B是沿A-A′線截取的圖13A的截面圖。
在第一基板4001上提供信號線驅動電路4003和掃描線驅動電路4004，并提供至少包圍像素部分4002的密封劑4005。此外，至少在像素部分4002之上提供第二基板4006，密封劑4005插置于二者之間。在圖13A和圖13B所示的發(fā)光裝置中，通過第一基板4001、密封劑4005和第二基板4006連同填充材料4007一起對像素部分4002、信號線驅動電路4003和掃描線驅動電路4004緊密密封。
形成于第一基板4001之上的像素部分4002、信號線驅動電路4003和掃描線驅動電路4004每者均包括多個TFT。圖13B示出了信號線驅動電路4003包括的TFT 4008和像素部分4002包括的TFT 4009。
附圖標記4011表示發(fā)光元件，連接至TFT 4009的漏極的線路4017部分起著發(fā)光元件4011的第一電極的作用。光發(fā)射導電膜4012起著發(fā)光元件4011的第二電極的作用。注意，發(fā)光元件4011不限于本實施模式中描述的結構，可以根據由發(fā)光元件4011發(fā)射的光的提取方向、TFT 4009的極性等適當改變其結構。
通過引線4014和4015自連接端子4016向信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004和像素部分4002提供各種信號和電壓，但是在圖13B的截面圖中未示出。
在本實施模式中，采用與發(fā)光元件4011的第一電極相同的導電膜形成連接端子4016。采用與線路4017相同的導電膜形成引線4014。采用與TFT 4009和4008各自的柵電極相同的導電膜形成引線4015。
將連接端子4016通過各向異性導電膜4019電連接到FPC 4018的端子。
可以采用玻璃、金屬(典型為不銹金屬)、陶瓷或塑料形成第一基板4001和第二基板4006。就塑料而言，可以采用FRP(玻璃纖維增強塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜或丙烯酸樹脂膜。此外，也可以采用薄板，所述薄板具有通過PVF膜或聚酯膜夾持鋁的結構。
應當注意，要求設置于由發(fā)光元件4011發(fā)射的光的提取側的基板能夠透射光。在這種情況下，將采用透光材料，例如玻璃基板、塑料基板、聚酯膜和丙烯酸樹脂膜。
就填充材料4007而言，除了諸如氮氣和氬氣的惰性氣體之外，可以采用紫外線固化樹脂或熱固樹脂，例如，可以采用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、有機硅樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或EVA(乙烯-乙酸乙烯共聚物)。在在本實施模式中采用氮氣作為填充材料。
可以將本實施模式與上述實施模式自由組合。
(實施模式11)本發(fā)明的顯示裝置可以抑制偽等值線的產生，其適用于諸如便攜式電話、便攜式游戲機或電子圖書的便攜式電子設備、攝像機和數字靜物攝影機的顯示部分。此外，由于本發(fā)明的顯示裝置能夠防止偽等值線的產生，因此，本發(fā)明適用于具有顯示部分的電子設備，例如能夠通過其復制活動圖像的，用于圖像顯示的顯示裝置。
此外，還可以將本發(fā)明的顯示裝置用于諸如攝像機、數字照相機、護目鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、導航系統(tǒng)、還音裝置(例如汽車音頻系統(tǒng)和音頻成分系統(tǒng))、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒質的圖像復制裝置(典型的是復制諸如DVD(數字通用盤)的記錄媒質并且具有用于顯示復制后的圖像的顯示器的裝置)的電子設備。圖14A到圖14C示出了此類電子設備的具體例子。
圖14A示出了一種移動電話，其包括主體2101、顯示部分2102、音頻輸入部分2103、音頻輸出部分2104和操作鍵2105?？梢圆捎帽景l(fā)明的顯示裝置形成顯示部分2102，從而完成作為本發(fā)明的電子設備之一的移動電話的制作。
圖14B示出了一種攝像機，其包括主體2601、顯示部分2602、外殼2603、外部連接端口2604、遙控接收部分2605、圖像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、操作鍵2609和目鏡部分2610?？梢圆捎帽景l(fā)明的顯示裝置形成顯示部分2602，由此完成作為本發(fā)明的電子設備之一的攝像機的制作。
圖14C示出了一種顯示裝置，其包括外殼2401、顯示部分2402和揚聲器部分2403?？梢圆捎帽景l(fā)明的顯示裝置形成顯示部分2402，由此完成作為本發(fā)明的電子設備之一的顯示裝置的制作。注意，就其自身范疇而言，所述顯示裝置包括任何用于顯示信息的顯示裝置，例如用于個人計算機、接收TV廣播和顯示廣告的顯示裝置。
如上所述，本發(fā)明的應用范圍廣到可以將其應用到各個領域的電子設備當中?？梢詫⒈緦嵤┠Ｊ脚c上述實施模式自由組合。
(實施例1)在本實施例中，將描述用于研究共享比與偽等值線的產生之間的關系的測試。
本發(fā)明人通過執(zhí)行下述測試研究共享比與偽等值線的產生之間的關系。
首先，將一個幀周期劃分為兩個子幀周期SF1和SF2，在第一幀周期和第二幀周期內顯示圖3所示的圖案。具體而言，在子幀周期SF1內顯示棋盤形圖案，在子幀周期SF2內，整個區(qū)域顯示白色。這里，應當注意，在第一幀周期和第二幀周期內，相對于白色區(qū)域和黑色區(qū)域反轉在子幀周期SF1內顯示的圖案。
由此，將兩個幀周期設為交替顯示。通過這種方式檢查偽等值線的產生。在由R1(％)表示子幀周期SF1在一個幀周期內所占的比率時，R1(％)與覺察到偽等值線的產生的最低幀頻F(Hz)之間具有圖4所示的關系。如圖3所示，子幀周期SF1內的顯示圖案根據各幀周期而不同。如圖4所示，隨著R1(％)的降低，即隨著用于顯示不同圖案的子幀周期的長度比的降低，察覺到偽等值線的產生的最低幀頻F(Hz)也降低。相反，隨著R1(％)的增大，察覺到偽等值線的產生的最低幀頻F(Hz)也提高。
換言之，隨著每相鄰子幀周期的子幀周期SF1的縮短，所產生的偽等值線也更少。同時，隨著每兩個幀周期內的顯示相同圖案的子幀周期SF2的延長，所產生的偽等值線越少。在這種狀態(tài)下，在兩個幀周期內共同出現的光發(fā)射子幀周期SF2的比率高，其表明共享比高。
根據上述測試結果證明，相鄰幀周期內的共享比越高，對偽等值線的產生的抑制就越高。注意，共享比(％)對應于100-R1(％)。
(實施例2)在上述實施例中，所有的SFn到SF1都分別采用恒定的子幀比RSF；但是，本發(fā)明不局限于這一結構。例如，即使在總灰度級級別為2n的情況下，子幀周期的數量也未必一定要限于n。在每一子幀周期采用根據公式9計算出的長度時，在很多情況下，子幀周期的數量最終超過n。但是，就顯示低灰度級的短子幀周期而言，即使不滿足前述共享比Rsh的值，也不會對偽等值線的產生造成影響。原因如下就低灰度級級別而言，灰度級級別的倒數×100所得的值(灰度級級別的比率)大于高灰度級級別的情況。因此，能夠覺察到由灰度級級別之間的差異導致的等值線，從而使覺察到的偽等值線減少。
為了對其予以說明，研究了灰度級級別比率(％)與覺察到偽等值線的產生的最低幀頻F(Hz)之間的關系，圖15示出了其結果。圖15中的橫坐標軸表示灰度級級別比率(％)，縱坐標軸表示覺察到偽等值線的產生的最低幀頻F(Hz)。從圖15中可以確認，隨著灰度級級別比率(％)的提高，即隨著灰度級級別的降低，能夠抑制偽等值線的產生的幀頻也降低。因此，在用于顯示低灰度級級別的短子幀周期內不一定滿足所述共享比。
考慮到上述內容，優(yōu)選將重點放在降低驅動電路的工作頻率上，而不是提供很多對偽等值線的產生沒有影響的短子幀周期；因此，優(yōu)選去除短子幀周期，并在其余子幀周期內滿足所述共享比。通過計算，在提供每者對應一個灰度級的多個短子幀周期的情況下，在一個或幾個子幀周期內不滿足所述共享比。
具體而言，對總灰度級級別進行三等分，在其中的最低灰度級組內，不一定滿足共享比Rsh的值；相反，在其中的中間和最高灰度級組內滿足共享比Rsh的值。例如，在總灰度級級別為26(＝64)的情況下，對第0到第63灰度級級別進行三等分，得到21。在這種情況下，最低灰度級級別為第0到第21灰度級級別，中間灰度級級別為第22到第42灰度級級別，最高灰度級級別為第43到第c灰度級級別。注意，在無法對總灰度級級別三等分時，對其余數四舍五入。
(實施例3)在本實施模式中，將在提供四個表格的情況下描述具體時間圖及其表格。
如圖18所示，像素部分100包括多個像素101。
在像素101當中，我們只關注像素(A)、(B)、(C)和(D)，分別以(m，n)、(m，n+1)、(m+1，n)和(m+1，n+1)表示它們的位置。應當注意，m是沿行方向的像素部分的任意像素編號，n是沿列方向的像素部分的任意像素編號。
在下文中，將在按照矩形形狀相鄰布置像素(A)、(B)、(C)和(D)的情況下描述時間圖和表格。
圖19A到圖19E為時間圖。由于幀頻為60Hz，因此每秒出現60個幀，這里一個幀周期的長度為16.67ms左右。在一個幀周期內提供16個子幀周期，這些子幀周期幀周期內隨機出現。在本實施例中，子幀周期SF1到SF16按照下述順序出現SF2、SF4、SF6、SF8、SF10、SF12、SF14、SF16、SF15、SF13、SF11、SF9、SF7、SF5、SF3、SF1。將子幀周期的長度比設為SF1∶SF2∶SF3∶SF4∶SF5∶SF6∶SF7∶SF8∶SF9∶SF10∶SF11∶SF12∶SF13∶SF14∶SF15∶SF16＝1∶2∶4∶8∶10∶10∶10∶12∶12∶14∶17∶21∶25∶30∶36∶43。如圖19B所示，從第一行到最后一行依次在像素中執(zhí)行顯示。在圖19B所示的最后一行像素顯示之下給出了子幀周期的長度比。
圖19C示出了由掃描線驅動電路執(zhí)行的用于擦除操作的掃描定時。在本實施例中，分別在子幀周期SF1到SF15內提供擦除周期Se1到Se15。
圖19D示出了由掃描線驅動電路執(zhí)行的用于寫入操作的掃描定時。在子幀周期內分別提供寫入周期Ta1到Ta16。
如圖19E所示，在一個寫入周期內提供一列(整列)掃描周期，其中選中所有行(在本實施例中為324行)。
注意，一個幀周期包括反向電壓施加周期(DS周期)。通過向發(fā)光元件施加反向電壓，改善發(fā)光元件的劣化狀態(tài)，并且能夠提高可靠性。發(fā)光元件可能具有如下初始缺陷由于粘附異物而導致其陽極和陰極短路，由陽極或陰極的微小突起造成的一些針孔或者電致發(fā)光層的非均勻性。可以通過施加反向電壓消除這些初始缺陷，從而呈現良好的圖像顯示。注意，優(yōu)選在運輸之前執(zhí)行對短路部分的絕緣。
可以在這些子幀周期內選擇顯示某一灰度級的子幀周期，例如SF5、SF6和SF7，或者SF8和SF9。因此，可以提供多個表格。
圖1到圖4就上述時間圖示出了表格的具體例子。注意，這里的“0”表示圖1到圖4所示的表格a到d中的非發(fā)光狀態(tài)，“1”表示其中的發(fā)光狀態(tài)。
表格a到d中的每者都是一種查尋表格，其通過諸如ROM、RAM存儲器等的硬件存儲。不必說，表格數據不限于表格a到d，其可以根據功耗和圖像質量任意設置。
來看表格a到d中第191灰度級級別的子幀比，可以看出光發(fā)射子幀周期根據每個表格而不同。
如上所述，提供多個表格，并確定對應所述表格的相鄰像素組合；例如，如果有四個表格，那么可以確定如圖18所示的像素(A)到(D)的組合。也就是說，表格的數量優(yōu)選等于形成組合的像素的數量。換言之，從每者存儲著用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的多個表格中選擇表格a到d，按照下述說明將表格a到d提供給通過布置與至少兩個像素彼此相鄰的像素(A)到(D)將表格a提供給像素(A)，將表格b提供給像素(B)，將表格c提供給像素(C)，將表格d提供給像素(D)。
注意，像素結構不限于圖18所示。例如，在與圖18的情況類似為劃為一組的四個像素提供四個表格的情況下，可以沿豎直方向或水平方向布置像素(A)到(D)；但是，要求這些配有不同表格的像素當中的至少兩個像素彼此鄰接。
因此，在相鄰像素中，所選擇的用于顯示某一灰度級的子幀周期可以不同。因此，能夠使傾向于容易地產生偽等值線的灰度級級別得到空間擴散。注意，傾向于容易地產生偽等值線的灰度級級別具有低共享比，并且對應于中間或高灰度級級別。
在本實施例描述的時間圖中，就60Hz的幀頻而言，將一個幀周期劃分為16個子幀周期；但是，子幀周期的數量可以根據幀頻的不同而變化。
此外，如上文中的實施模式所述，不要求對應于每一像素的表格是固定的，其可以隨每一幀周期而變化。也就是說，存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格可以隨每一幀周期而變化。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括多個表格，其存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據；控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；以及包括像素的像素部分，根據輸出的所述視頻信號控制所述像素的灰度級級別，其中，所述多個表格在所述像素部分的相鄰像素之間互不相同。
2.一種顯示裝置，包括多個表格，其存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據；控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；以及包括像素的像素部分，根據輸出的所述視頻信號控制所述像素的灰度級級別，其中，所述多個表格在所述像素部分的相鄰像素之間互不相同，并且其中，對應于所述像素的所述表格隨具有子幀周期的每一幀周期而不同。
3.一種顯示裝置，包括多個表格，其存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據；控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；以及包括像素的像素部分，根據輸出的所述視頻信號控制所述像素的灰度級級別，其中，所述多個表格在所述像素部分的相鄰像素之間互不相同，并且其中，根據通過共享比Rsh算出的子幀比RSF確定所述多個子幀周期的數量和長度。
4.一種顯示裝置，其中，一個幀周期包括多個子幀周期，所述顯示裝置包括多個表格，其存儲用于在所述多個子幀周期中確定光發(fā)射子幀周期的數據；控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；以及包括像素的像素部分，根據輸出的所述視頻信號控制所述像素的灰度級級別，其中，所述多個表格在所述像素部分的相鄰像素之間互不相同，其中，對應于所述像素的所述表格隨每一幀周期而不同，并且其中，根據通過共享比Rsh算出的子幀比RSF確定所述多個子幀周期的數量和長度。
5.根據權利要求
3所述的顯示裝置，其中，所述子幀比RSF和所述共享比Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
6.根據權利要求
4所述的顯示裝置，其中，所述子幀比RSF和所述共享比Rsh滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
7.根據權利要求
3所述的顯示裝置，其中，在對總灰度級級別三等分時，在中間灰度級級別和最高灰度級級別內，所述多個表格每者均滿足根據子幀比RSF確定的多個子幀周期的數量和長度。
8.根據權利要求
4所述的顯示裝置，其中，在對總灰度級級別三等分時，在中間灰度級級別和最高灰度級級別內，所述多個表格每者均滿足根據子幀比RSF確定的多個子幀周期的數量和長度。
9.根據權利要求
5所述的顯示裝置，其中，在對總灰度級級別三等分時，在中間灰度級級別和最高灰度級級別內，所述多個表格每者均滿足根據子幀比RSF確定的多個子幀周期的數量和長度。
10.根據權利要求
1所述的顯示裝置，其中，在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
11.根據權利要求
2所述的顯示裝置，其中，在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
12.根據權利要求
3所述的顯示裝置，其中，在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
13.根據權利要求
4所述的顯示裝置，其中，在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
14.根據權利要求
1所述的顯示裝置，其中，所述多個表格存儲于存儲器內。
15.根據權利要求
2所述的顯示裝置，其中，所述多個表格存儲于存儲器內。
16.根據權利要求
3所述的顯示裝置，其中，所述多個表格存儲于存儲器內。
17.根據權利要求
4所述的顯示裝置，其中，所述多個表格存儲于存儲器內。
18.具有根據權利要求
1所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
19.具有根據權利要求
2所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
20.具有根據權利要求
3所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
21.具有根據權利要求
4所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
22.一種驅動顯示裝置的方法，包括的步驟有至少提供彼此相鄰的第一像素和第二像素；以及為所述第一像素提供從多個存儲著用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格中選出的第一表格，為所述第二像素提供從所述多個表格中選出的第二表格。
23.一種驅動顯示裝置的方法，包括的步驟有至少提供彼此相鄰的第一像素和第二像素；以及為所述第一像素提供從多個存儲著用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格中選出的第一表格，為所述第二像素提供從所述多個表格中選出的第二表格；以及使針對某一灰度級顯示確定的子幀周期組合在所述多個表格當中是不同的。
24.一種驅動顯示裝置的方法，包括的步驟有至少提供彼此相鄰的第一像素和第二像素；以及為所述第一像素提供從多個存儲著用于確定光發(fā)射子幀周期的數據的表格中選出的第一表格，為所述第二像素提供從所述多個表格中選出的第二表格；在所述多個表格的每者當中存儲所述子幀周期的數量和長度，所述數量和長度是根據通過共享比Rsh算出的子幀比RSF確定的；以及使針對某一灰度級顯示確定的子幀周期組合在所述多個表格當中是不同的。
25.根據權利要求
24所述的驅動顯示裝置的方法，其中，所述共享比Rsh和所述子幀比RSF滿足RSF＝(1-Rsh)/(2-Rsh)。
26.根據權利要求
24所述的驅動顯示裝置的方法，其中，在對總灰度級級別三等分時，在中間灰度級級別和最高灰度級級別內，所述多個表格每者均滿足根據子幀比RSF確定的多個子幀周期的數量和長度。
27.根據權利要求
22所述的驅動顯示裝置的方法，其中，所述第一表格和所述第二表格隨具有子幀周期的每一幀周期而變化。
28.根據權利要求
23所述的驅動顯示裝置的方法，其中，所述第一表格和所述第二表格隨具有子幀周期的每一幀周期而變化。
29.根據權利要求
24所述的驅動顯示裝置的方法，其中，所述第一表格和所述第二表格隨具有子幀周期的每一幀周期而變化。
30.具有根據權利要求
22所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
31.具有根據權利要求
23所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
32.具有根據權利要求
24所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
33.一種顯示裝置，包括至少第一表格和第二表格，其存儲用于確定光發(fā)射子幀周期的數據；至少第一像素和第二像素，根據所輸出的視頻信號控制所述像素的灰度級級別；以及控制器，其用于根據所述數據輸出視頻信號；其中，所述第一像素與所述第一表格相關，并且其中，所述第二像素與所述第二表格相關。
34.根據權利要求
33所述的顯示裝置，其中，在所述多個表格當中，所確定的用于顯示某一灰度級的子幀周期的組合是不同的。
35.根據權利要求
33所述的顯示裝置，其中，所述多個表格存儲于存儲器內。
36.具有根據權利要求
33所述的顯示裝置的電子設備，其中，所述電子設備選自下述集合諸如數字照相機和攝像機的照相機、護目鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、還音裝置、筆記本式個人計算機、游戲機、配有記錄媒體的圖像復制裝置和移動電話。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種半導體顯示裝置的驅動方法，其中，能夠抑制偽等值線的產生，同時抑制驅動電路的工作頻率。此外，本發(fā)明提供了一種半導體顯示裝置的驅動方法，其中，能夠抑制偽等值線的產生，同時抑制驅動電路的圖像質量的劣化。在包括多個像素的半導體顯示裝置中，分別為多個像素中的多個任意像素提供表格，每一表格存儲著用于在多個子幀周期中確定光發(fā)射子幀周期的數據。所述表格存儲于存儲器內。
文檔編號H05B33/14GK1993723SQ200580026337
公開日2007年7月4日 申請日期2005年7月25日
發(fā)明者宮川惠介, 長尾祥, 大谷久 申請人:株式會社半導體能源研究所導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan