專利名稱：像素以及使用該像素的有機發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種像素以及使用該像素的有機發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng) 研發(fā)出能夠降低重量和體積的各種平板顯示器(FPD)，而重量和體積正是陰極射線管(CRT)的缺點。Fro包括液晶顯示器(IXD)、場致發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示板(PDP)以及有機發(fā)光顯示器。在FPD當中，有機發(fā)光顯示器可利用通過電子和空穴的復(fù)合而產(chǎn)生光的有機發(fā)光二極管(OLED)來顯示圖像。有機發(fā)光顯示器可具有高響應(yīng)速度，并且可以以低功耗被驅(qū)動。根據(jù)驅(qū)動有機發(fā)光顯示器中的OLED的方法，有機發(fā)光顯示器可被劃分為無源矩陣型(PMOLED)和有源矩陣型(AM0LED)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實施例，提供一種像素，包括:連接于第一電源和第一節(jié)點之間的第一晶體管，所述第一晶體管包括連接至第二節(jié)點的柵電極；連接于所述第一節(jié)點和第二電源之間的有機發(fā)光二極管(OLED);用于響應(yīng)于掃描信號而向所述第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)信號的第二晶體管；具有彼此電連接的源電極和漏電極的第三晶體管，所述第三晶體管連接至所述第一電源和所述第二節(jié)點；以及具有彼此電連接的另一源電極和另一漏電極的第四晶體管，所述第四晶體管連接于所述第二節(jié)點和所述第一節(jié)點之間。所述數(shù)據(jù)信號可具有第一電壓或第二電壓，所述第二電壓設(shè)為具有比所述第一電壓大的值。在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管可被配置為作為MOS電容器操作。在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管可被配置為作為MOS電容器操作。在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管可被配置為以強反型模式被驅(qū)動。在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管被配置為以強反型模式被驅(qū)動。所述第三晶體管和所述第四晶體管均可包括:位于基板上的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；位于所述柵極絕緣層上的柵電極；位于所述柵電極和所述柵極絕緣層上的中間絕緣層。所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極可位于所述中間絕緣層上，并且可通過所述柵極絕緣層和所述中間絕緣層中的多個接觸孔電連接至所述半導(dǎo)體層。
所述源電極、所述漏電極、所述另一源電極以及所述另一漏電極可采用位于所述柵電極上方的一個板的形式。所述多個接觸孔可形成在所述板的邊緣，使得所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的接觸面積、以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的另一接觸面積增大。所述第一晶體管至所述第四晶體管可為PMOS晶體管或者為NMOS晶體管。根據(jù)實施例，提供一種有機發(fā)光顯示器，包括:像素單元，包括連接至掃描線、數(shù)據(jù)線、第一電源和第二電源的像素；用于通過所述掃描線向所述像素提供掃描信號的掃描驅(qū)動器；以及用于通過所述數(shù)據(jù)線向所述像素提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器，其中每個像素包括:連接于第一節(jié)點和所述第二電源之間的有機發(fā)光二極管(OLED);連接于所述第一電源和所述第一節(jié)點之間的第一晶體管，所述第一晶體管包括連接至第二節(jié)點的柵電極；用于響應(yīng)于掃描信號而向所述第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)信號的第二晶體管；具有彼此電連接的源電極和漏電極的第三晶體管，所述第三晶體管連接于所述第一電源和所述第二節(jié)點之間；以及具有彼此電連接的另一源電極和另一漏電極的第四晶體管，所述第四晶體管連接于所述第二節(jié)點和所述第一節(jié)點之間。所述數(shù)據(jù)信號可具有第一電壓或第二電壓，所述第二電壓具有比所述第一電壓大的值。在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管可被配置為作為MOS電容器操作。在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管可被配置為作為MOS電容器操作。在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管可被配置為以強反型模式被驅(qū)動。在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管可被配置為以強反型模式被驅(qū)動。所述第三晶體管和所述第四晶體管均可包括:位于基板上的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；位于所述柵極絕緣層上的柵電極；位于所述柵電極和所述柵極絕緣層上的中間絕緣層。所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極可位于所述中間絕緣層上，并且可通過所述柵極絕緣層和所述中間絕緣層中的多個接觸孔電連接至所述半導(dǎo)體層。所述源電極、所述漏電極、所述另一源電極以及所述另一漏電極可采用位于所述柵電極上方的一個板的形式。所述多個接觸孔可形成在所述板的邊緣，使得所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的接觸面積、以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的另一接觸面積可增大。所述第一晶體管至所述第四晶體管可為PMOS晶體管或NMOS晶體管。


附圖與說明書一起舉例說明了示例性實施例，并且與具體描述一起用于解釋基本原理。圖1是示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示器的視圖。圖2是示出根據(jù) 實施例的像素的視圖。
圖3是示出驅(qū)動圖2的像素的方法的波形圖。圖4是示出根據(jù)另一實施例的像素的視圖。圖5是示出圖2的像素的截面的視圖。圖6是示出圖5的像素的布局圖。圖7是示出在第三晶體管·的源電極和漏電極以及第四晶體管的源電極和漏電極中的每一個均作為一個板形成在第三晶體管的柵電極和第四晶體管的柵電極的上方時像素的截面的視圖。圖8是示出圖7的像素的布局圖。圖9是示出其中另外形成有接觸孔的像素的布局圖。
具體實施例方式于2012年2月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的且名稱為“像素以及使用該像素的有機發(fā)光顯示器”的韓國專利申請N0.10-2012-0011161通過引用整體合并于此。在詳細的描述和附圖中包括其它的實施例的詳細情況。現(xiàn)在將參照其中示出本發(fā)明的示例性實施例的附圖更充分地描述實施例。然而，這些可以采用許多不同的形式來具體實現(xiàn)，而不應(yīng)當被解釋為限于這里所闡述的實施例。在附圖中，當一個部件連接至另一個部件時，該部件可直接連接至另一個部件，該部件也可利用在兩個部件之間插入的另一元件電連接至另一個部件。在附圖中，為了描述清楚起見，可省略與實施例無關(guān)的部件。在不同附圖中相同的附圖標記表示相同的元件，因此將省略對它們的描述。在下文中，將參照實施例以及描述這些實施例的附圖來描述根據(jù)實施例的像素以及使用該像素的有機發(fā)光顯示器。圖1是示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示器的視圖。參照圖1，根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示器包括像素單元20，該像素單元20包括連接至掃描線SI至Sn、數(shù)據(jù)線Dl至Dm、第一電源ELVDD和第二電源ELVSS的像素10，該有機發(fā)光顯示器還包括通過掃描線SI至Sn向像素10提供掃描信號的掃描驅(qū)動器30以及通過數(shù)據(jù)線Dl至Dm向像素10提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器40。有機發(fā)光顯示器可進一步包括用于控制掃描驅(qū)動器30和數(shù)據(jù)驅(qū)動器40的時序控制器50。像素10中的每一個均連接至第一電源ELVDD和第二電源ELVSS。接收第一電源ELVDD和第二電源ELVSS的像素10中的每一個均通過從第一電源ELVDD經(jīng)由有機發(fā)光二極管(OLED)流至第二電源ELVSS的電流產(chǎn)生與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的光。掃描驅(qū)動器30通過時序控制器50的控制產(chǎn)生掃描信號，并且通過掃描線SI至Sn將所產(chǎn)生的掃描信號提供至像素10。 數(shù)據(jù)驅(qū)動器40通過時序控制器50的控制產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，并且通過數(shù)據(jù)線Dl至Dn將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號提供至像素10。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器40可進行操作，使得數(shù)據(jù)信號具有第一電壓Vl或第二電壓V2。這里，第二電壓V2可被設(shè)置為大于第一電壓VI。圖2是示出根據(jù)實施例的像素的視圖。在圖2中，為方便起見，將舉例說明連接至第η條掃描線Sn和第m條數(shù)據(jù)線Dm的像素10。
具體地，在該實施例中，構(gòu)成像素10的晶體管Pl至P4可為P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)場效應(yīng)晶體管。參照圖2，根據(jù)實施例的像素10中的每一個均包括有機發(fā)光二極管(OLED)以及連接至數(shù)據(jù)線Dm和掃描線Sn的用以控制提供至OLED的電流量的像素電路12。OLED的陽極電極可連接至像素電路12，OLED的陰極電極連接至第二電源ELVSS。OLED產(chǎn)生預(yù)定亮度的光，以與由像素電路12供應(yīng)的電流對應(yīng)。在掃描信號提供至掃描線Sn時，像素電路12控制從第一電源ELVDD經(jīng)由OLED流至第二電源ELVSS的電流，以對應(yīng)于提供至數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)信號。因此，像素電路12可包括第一晶體管P1、第二晶體管P2、第三晶體管P3以及第四晶體管P4。OLED連接于第一節(jié)點NI和第二電源ELVSS之間。詳細地，OLED的陽極電極可連接至第一節(jié)點NI，而OLED的陰極電極可連接至第二電源ELVSS。作為驅(qū)動晶體管的第一晶體管Pl產(chǎn)生與提供至第一晶體管Pl的柵電極的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電流，以將所產(chǎn)生的電流提供至0LED。因此，第一晶體管Pl連接于第一電源ELVDD和第一節(jié)點NI之間，第 一晶體管Pl的柵電極連接至第二節(jié)點N2。詳細地，第一晶體管Pl的源電極可連接至第一電源ELVDD，而第一晶體管Pl的漏電極可連接至第一節(jié)點NI。第二晶體管P2可響應(yīng)于掃描信號的提供而向第二節(jié)點N2提供數(shù)據(jù)信號。當從掃描線Sn提供掃描信號時第二晶體管P2導(dǎo)通，并將來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)信號提供至第一晶體管Pl的柵電極。因此，第一晶體管Pl產(chǎn)生與提供至其柵電極的數(shù)據(jù)信號的電壓電平對應(yīng)的電流，以將所產(chǎn)生的電流提供至0LED。詳細地，第二晶體管P2的柵電極可連接至掃描線Sn，第二晶體管P2的源電極可連接至數(shù)據(jù)線Dm，以及第二晶體管P2的漏電極可連接至第二節(jié)點N2。第三晶體管P3可作為一種金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)電容器操作。第三晶體管P3的源電極可電連接至第三晶體管P3的漏電極。詳細地，第三晶體管P3的源電極和漏電極可連接至第一電源ELVDD，第三晶體管P3的柵電極可連接至第二節(jié)點N2。因此，第三晶體管P3的源電極和漏電極可彼此電連接，并且可電連接至第一晶體管Pl的源電極。具體地，當足夠低的使得在半導(dǎo)體層形成溝道的電壓(例如數(shù)據(jù)信號的第一電壓VI)提供至第三晶體管P3的柵電極時，半導(dǎo)體層和第三晶體管P3的柵電極可作為一個具有預(yù)定電容的電容器操作，其中在半導(dǎo)體層和第三晶體管P3之間插有柵極絕緣層。第四晶體管P4可作為一種類似第三晶體管P3的MOS電容器操作。第四晶體管P4的源電極和漏電極可彼此電連接。詳細地，第四晶體管P4的源電極和漏電極可電連接至第二節(jié)點N2，而第四晶體管P4的柵電極可連接至第一節(jié)點NI。因此，第四晶體管P4的源電極和漏電極可彼此電連接，并且可電連接至第一晶體管Pl的柵電極。具體地，當足夠低的使得在半導(dǎo)體層形成溝道的電壓(例如數(shù)據(jù)信號的第二電壓V2)提供至第四晶體管P4的源電極和漏電極時，半導(dǎo)體層和第四晶體管P4的柵電極可作為一個具有預(yù)定電容的電容器操作，其中在半導(dǎo)體層和第四晶體管P4之間插有柵極絕緣層。第一節(jié)點NI可被定義為OLED的陽極電極、第一晶體管Pl的漏電極以及第四晶體管P4的柵電極彼此連接的接觸點。
第二節(jié)點N2可被定義為第一晶體管Pl的柵電極、第二晶體管P2的漏電極、第三晶體管P3的柵電極以及第四晶體管P4的源電極和漏電極彼此連接的接觸點。作為高電位電源的第一電源ELVDD連接至第一晶體管Pl的源電極。作為電壓電平低于第一電源ELVDD的低電位電源的第二電源ELVSS連接至OLED的陰極電極。圖3是示出驅(qū)動圖2的像素的方法的波形圖。在下文中，參照圖2和圖3，將描述根據(jù)實施例的像素10的操作。首先，在第一周期Tl，提供具有低電平電壓的掃描信號，并且提供具有第一電壓Vl的數(shù)據(jù)信號。當提供掃描信號時，第二晶體管P2導(dǎo)通，并且通過導(dǎo)通的第二晶體管P2向第二節(jié)點N2提供數(shù)據(jù)信號。提供至第二節(jié)點N2的數(shù)據(jù)信號具有第一電壓Vl，該電壓為足夠低的電壓，使得當?shù)谝浑妷篤l提供至第三晶體管P3的柵電極時，在第三晶體管P3的半導(dǎo)體層中形成溝道，從而第三晶體管P3作為MOS電容器操作。然而，當向第四晶體管P4的源電極和漏電極提供第一電壓Vl時，由于在第四晶體管P4的半導(dǎo)體層中未形成溝道，因此第四晶體管P4不作為MOS電容器操作。因此，可在作為MOS電容器操作的第三晶體管P3中充電以與第一電源ELVDD和第一電壓Vi之間的差對應(yīng)的電壓，使得第一晶體管Pi的柵極-源極電壓在提供下一個掃描信號之前可均勻地保持。因此，第一晶體管Pi產(chǎn)生與對應(yīng)的柵極-源極電壓對應(yīng)的電流，使得OLED可發(fā)光。 然后，在第二周期T2中，提供具有低電平電壓的掃描信號，并且提供具有第二電壓V2的數(shù)據(jù)信號。當提供掃描信號時，第二晶體管P2導(dǎo)通，并且通過導(dǎo)通的第二晶體管P2向第二節(jié)點N2提供數(shù)據(jù)信號。提供至第二節(jié)點N2的數(shù)據(jù)信號具有第二電壓V2，該電壓為足夠高的電壓，使得當?shù)诙妷篤2提供至第三晶體管P3的柵電極時，在第三晶體管P3的半導(dǎo)體層中不形成溝道，從而第三晶體管P3不作為MOS電容器操作。 然而，當向第四晶體管P4的源電極和漏電極提供第二電壓V2時，在第四晶體管P4的半導(dǎo)體層中形成溝道，使得第四晶體管P4作為MOS電容器操作。因此，可在作為MOS電容器操作的第四晶體管P4中充電以與第二電壓V2和第一節(jié)點NI的電壓(0LED的陽極電極電壓)之間的差對應(yīng)的電壓，使得第一晶體管Pl在提供下一個掃描信號之前截止，以停止OLED的發(fā)射。因此，在提供具有第一電壓Vl的數(shù)據(jù)信號的第一周期Tl中，第三晶體管P3可作為MOS電容器操作。然而，在提供具有第二電壓V2的數(shù)據(jù)信號的第二周期T2中，第四晶體管P4可作為MOS電容器操作。另外，當提供具有第一電壓Vl的數(shù)據(jù)信號以提高第三晶體管P3的電容器特性時，第三晶體管P3可以以強反型模式(strong inversions mode)操作。當提供具有第二電壓V2的數(shù)據(jù)信號以便提高第四晶體管P4的電容器特性時，第四晶體管P4可以以強反型模式操作。
因此，數(shù)據(jù)信號的第一電壓Vl可被設(shè)置為具有不高于OLED的陽極電極電壓的電壓值，而數(shù)據(jù)信號的第二電壓V2可被設(shè)置為具有不低于第一電源ELVDD的電壓的電壓值。圖4是示出根據(jù)另一實施例的像素的視圖。具體地，在該實施例中，構(gòu)成像素10的晶體管Pl至P4可為η型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)場效應(yīng)晶體管。在該例子中，圖4所示的像素中的大部分元件與圖2所示的像素中的元件相同。不過，圖4所示的像素的導(dǎo)電型(conduction type)與圖2所示的像素的導(dǎo)電型相反。從而，第三晶體管P3和第四晶體管P4之間的連接關(guān)系被顛倒。也就是說，第三晶體管P3的源電極和漏電極連接至第二節(jié)點N2，并且第三晶體管P3的柵電極連接至第一電源ELVDD。另外，第四晶體管P4的源電極和漏電極連接至第一節(jié)點NI，并且第四晶體管P4的柵電極連接至第二節(jié)點N2。作為對根據(jù)本實施例的像素的操作的描述，如果提供具有高電平電壓的掃描信號并且提供具有第一電壓Vl的數(shù)據(jù)信號，則通過導(dǎo)通的第二晶體管P2將數(shù)據(jù)信號提供至第二節(jié)點N2。提供至第二節(jié)點N2的數(shù)據(jù)信號具有第一電壓VI，該電壓為足夠低的電壓，使得當?shù)谝浑妷篤l提供至第三晶體管P3的源電極和漏電極時，在第三晶體管P3的半導(dǎo)體層中形成溝道，從而第三晶體管P3作為MOS電容器操作。然而，當向 第四晶體管P4的柵電極提供第一電壓Vl時，由于在第四晶體管P4的半導(dǎo)體層中不形成溝道，因此第四晶體管P4不作為MOS電容器操作。因此，可在作為MOS電容器操作的第三晶體管P3中充電以與第一電源ELVDD和第一電壓Vl的差對應(yīng)的電壓。第一晶體管Pl的柵極-源極電壓可在提供下一個掃描信號之前均勻地維持。因此，在預(yù)定的周期內(nèi)第一晶體管Pl可截止，從而可停止OLED的發(fā)射。當提供具有高電平電壓的掃描信號并且提供具有第二電壓V2的數(shù)據(jù)信號時，通過導(dǎo)通的第二晶體管P2將數(shù)據(jù)信號提供至第二節(jié)點N2。提供至第二節(jié)點N2的數(shù)據(jù)信號具有第二電壓V2，該電壓為足夠高的電壓，使得當?shù)诙妷篤2提供至第三晶體管P3的源電極和漏電極時，在第三晶體管P3的半導(dǎo)體層中不形成溝道，從而第三晶體管不作為MOS電容器操作。然而，當向第四晶體管P4的柵電極提供第二電壓V2時，在第四晶體管P4的半導(dǎo)體層中形成溝道，使得第四晶體管P4作為MOS電容器操作。因此，可在作為MOS電容器操作的第四晶體管P4中充電以與第二電壓V2和第一節(jié)點NI的電壓(0LED的陽極電極的電壓)之間的差對應(yīng)的電壓，使得第一晶體管Pl在提供下一個掃描信號之前產(chǎn)生與對應(yīng)的柵極-源極電壓對應(yīng)的電流，從而使得OLED可發(fā)光。另外，當提供具有第一電壓Vl的數(shù)據(jù)信號以提高第三晶體管P3的電容器特性時，第三晶體管P3可以以強反型模式操作。當提供具有第二電壓V2的數(shù)據(jù)信號以便提高第四晶體管P4的電容器特性時，第四晶體管P4可以以強反型模式操作。圖5是示出圖2的像素的截面的視圖。圖6是示出圖5的像素的布局圖。參照圖5和圖6，將詳細描述構(gòu)成像素10的第一晶體管Pl至第四晶體管P4的結(jié)構(gòu)。第一晶體管Pl至第四晶體管P4形成在基板100上?；?00可由諸如玻璃、塑料、硅或合成樹脂的具有絕緣特性的材料形成，并且優(yōu)選地由諸如玻璃基板的透明基板形成。首先，將示意性地描述第三晶體管P3的結(jié)構(gòu)。第三晶體管P3包括半導(dǎo)體層102、柵極絕緣層103、柵電極104、中間絕緣層105以及源電極106a/漏電極106b。另外，緩沖層101可形成在基板100上。用于防止在基板100中包含的雜質(zhì)的污染的緩沖層101可由諸如氧化硅層SiO2或氮化硅層SiNx的絕緣材料形成。半導(dǎo)體層102以預(yù)定的圖案形成在緩沖層101上。半導(dǎo)體層102可由低溫多晶硅(LTPS)形成，其中該低溫多晶硅通過利用激光器使沉積在緩沖層101上的非晶硅結(jié)晶而得到。柵極絕緣層103形成在半導(dǎo)體層102上。柵極絕緣層103可形成為氮化物層或氧化物層，例如氧化硅層或氮化硅層，或者形成為其它適合的材料。柵電極104以預(yù)定圖案形成在柵極絕緣層103上。中間絕緣層105形成在柵電極104 上。柵極絕緣層103使半導(dǎo)體層 102與柵電極104絕緣。中間絕緣層105使柵電極104與源電極106a/漏電極106b絕緣。源電極106a/漏電極106b形成在中間絕緣層105上。源電極106a/漏電極106b通過形成在柵極絕緣層103和中間絕緣層105中的接觸孔ch電連接至半導(dǎo)體層102的兩側(cè)。柵電極104和源電極106a/漏電極106b可由諸如Mo、W、Ti和Al的金屬、或上述金屬的合金或復(fù)合、或者其它適合的材料形成。平坦化層107形成在中間絕緣層105和源電極106a/漏電極106b上，并且可由氮化物或氧化物或者其它適合的材料形成。OLED的陽極電極110形成在平坦化層107局部被去除的部分中。OLED的陽極電極110電連接至第一晶體管Pl的漏電極。另外，發(fā)光層112形成在OLED的陽極電極110上。發(fā)光層112具有空穴傳輸層、有機發(fā)光層和電子傳輸層堆疊的結(jié)構(gòu)。可進一步包括空穴注入層和電子注入層。另外，OLED的陰極電極形成在發(fā)光層112上。OLED的陰極電極114連接至第二電源 ELVSS。第三晶體管P3的上述結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于其余的晶體管P1、P2和P4。從而，將不再重復(fù)對應(yīng)用于其余晶體管P1、P2和P4的結(jié)構(gòu)的描述。圖7是示出其中第三晶體管的源電極和漏電極以及第四晶體管的源電極和漏電極均作為一個板形成在第三晶體管的相應(yīng)柵電極和第四晶體管的柵電極的上方的像素的截面的視圖。圖8是示出圖7的像素的布局圖。參照圖5和圖6，第三晶體管P3和第四晶體管P4中的每一個的源電極106a和漏電極106b均可彼此連接，而無需接觸柵電極104。不過，參照圖7和圖8，第三晶體管P3和第四晶體管P4中的每一個的源電極106a和漏電極106b均可作為一個板130形成在柵電極104上方。因此，可通過形成于由源電極106a和漏電極106b形成的板130和柵電極104之間的重疊區(qū)域確保額外的電容。圖9是示出其中另外形成有接觸孔的像素的布局圖。參照圖9，用于將第三晶體管P3和第四晶體管P4的源電極106a/漏電極106b連接至相應(yīng)的半導(dǎo)體層102的多個接觸孔ch可形成在板130的邊緣，以增大源電極106a/漏電極106b和半導(dǎo)體層102之間的接觸面積。隨著源電極106a/漏電極106b和半導(dǎo)體層102之間的接觸面積增大，可穩(wěn)定地維
持數(shù)據(jù)信號。因此，在第三晶體管P3中，接觸孔ch可形成在由源電極106a和漏電極106b形成的板130的上側(cè)和下側(cè)的邊緣，而另外的接觸孔ch可形成在板130的右側(cè)和左側(cè)的邊緣。另外，在第四晶體管P4中，另外的接觸孔ch可僅僅形成在左側(cè)的邊緣，從而可增大源電極106a/漏電極106b和半導(dǎo)體層102的接觸面積。通過總結(jié)和回顧，有源矩陣型有機發(fā)光顯示器(AMOLED )包括用于充電以數(shù)據(jù)信號的儲能電容器。儲能電容器可通過向多晶娃摻入雜質(zhì)而米用金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的形式。不過，在這種情況下，由于會增加用于對半導(dǎo)體進行摻雜的溝道摻雜掩膜，因此延長了制造時間，并且提高了制造成本。相反，示例性實施例可提供一種簡單結(jié)構(gòu)的像素和利用該像素的有機發(fā)光顯示器，從而通過省略溝道摻雜掩膜而可縮短制造時間，并降低制造成本。雖然結(jié)合特定示例性實施例描述了實施例，但應(yīng)當理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，旨在覆蓋包含于所附權(quán)利要求的精神和范圍以及其等同物內(nèi)的各種修改和等 同布置。
權(quán)利要求
1.一種像素，包括: 連接于第一電源和第一節(jié)點之間的第一晶體管，所述第一晶體管包括連接至第二節(jié)點的柵電極； 連接于所述第一節(jié)點和第二電源之間的有機發(fā)光二極管； 用于響應(yīng)于掃描信號而向所述第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)信號的第二晶體管； 具有彼此電連接的源電極和漏電極的第三晶體管，所述第三晶體管連接至所述第一電源和所述第二節(jié)點；以及 具有彼此電連接的另一源電極和另一漏電極的第四晶體管，所述第四晶體管連接于所述第二節(jié)點和所述第一節(jié)點之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述數(shù)據(jù)信號具有第一電壓或第二電壓，所述第二電壓設(shè)為具有比所述第一電壓大的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素，其中: 在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管被配置為作為金屬氧化物半導(dǎo)體電容器操作，并且 在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管被配置為作為金屬氧化物半導(dǎo)體電容器操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素，其中: 在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點，所述第三晶體管被配置為以強反型模式被驅(qū)動，并 且 在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管被配置為以強反型模式被驅(qū)動。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中: 所述第三晶體管和所述第四晶體管均包括: 位于基板上的半導(dǎo)體層； 位于所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層上的柵電極； 位于所述柵電極和所述柵極絕緣層上的中間絕緣層；并且 所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極位于所述中間絕緣層上，并且通過所述柵極絕緣層和所述中間絕緣層中的多個接觸孔電連接至所述半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素，其中所述源電極、所述漏電極、所述另一源電極和所述另一漏電極采用位于所述柵電極上方的一個板的形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素，其中所述多個接觸孔形成在所述板的邊緣，使得所述第三晶體管的源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的接觸面積、以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的另一接觸面積增大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一晶體管至所述第四晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或者為η型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
9.一種有機發(fā)光顯不器,包括: 像素單元，包括連接至掃描線、數(shù)據(jù)線、第一電源和第二電源的像素；用于通過所述掃描線向所述像素提供掃描信號的掃描驅(qū)動器；以及 用于通過所述數(shù)據(jù)線向所述像素提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器， 其中每個像素包括: 連接于第一節(jié)點和所述第二電源之間的有機發(fā)光二極管； 連接于所述第一電源和所述第一節(jié)點之間的第一晶體管，所述第一晶體管包括連接至第二節(jié)點的柵電極； 用于響應(yīng)于掃描信號而向所述第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)信號的第二晶體管； 具有彼此電連接的源電極和漏電極的第三晶體管，所述第三晶體管連接于所述第一電源和所述第二節(jié)點之間；以及 具有彼此電連接的另一源電極和另一漏電極的第四晶體管，所述第四晶體管連接于所述第二節(jié)點和所述第一節(jié)點之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述數(shù)據(jù)信號具有第一電壓或第二電壓，所述第二電壓設(shè)為具有比所述第一電壓大的值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示器，其中: 在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管被配置為作為金屬氧化物半導(dǎo)體電容器操作，并且 在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管被配置為作為金屬氧化物半導(dǎo)體電容器操作。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示器，其中: 在具有所述第一電壓的所述數(shù)據(jù)信號被提供至所述第二節(jié)點時，所述第三晶體管被配置為以強反型模式被驅(qū)動，并且 在具有所述第二電壓的所述數(shù)據(jù)信號提供至所述第二節(jié)點時，所述第四晶體管被配置為以強反型模式被驅(qū)動。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中: 所述第三晶體管和所述第四晶體管均包括: 位于基板上的半導(dǎo)體層； 位于所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層上的柵電極； 位于所述柵電極和所述柵極絕緣層上的中間絕緣層；并且 所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極位于所述中間絕緣層上，并且通過所述柵極絕緣層和所述中間絕緣層中的多個接觸孔電連接至所述半導(dǎo)體層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述源電極、所述漏電極、所述另一源電極和所述另一漏電極采用位于所述柵電極上方的一個板的形式。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述多個接觸孔形成在所述板的邊緣，使得所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的接觸面積、以及所述第四晶體管的所述另一源電極和所述另一漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的另一接觸面積增大。
16.根據(jù)權(quán)利 要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一晶體管至所述第四晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或η型金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素以及使用該像素的有機發(fā)光顯示器。該像素包括連接于第一電源和第一節(jié)點之間的第一晶體管，所述第一晶體管包括連接至第二節(jié)點的柵電極；連接于所述第一節(jié)點和第二電源之間的有機發(fā)光二極管(OLED)；用于響應(yīng)于掃描信號而向所述第二節(jié)點提供數(shù)據(jù)信號的第二晶體管；具有彼此電連接的源電極和漏電極的第三晶體管，所述第三晶體管連接至所述第一電源和所述第二節(jié)點；以及具有彼此電連接的另一源電極和另一漏電極的第四晶體管，所述第四晶體管連接于所述第二節(jié)點和所述第一節(jié)點之間。
文檔編號G09G3/32GK103247253SQ201210303009
公開日2013年8月14日 申請日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月3日
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