專利名稱：顯示設(shè)備以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及顯示設(shè)備以及電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為以液晶顯示器為代表的顯示設(shè)備，使用有機電致發(fā)光元件(下文簡稱為“有機EL元件”)的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備(下文簡稱為“有機EL顯示設(shè)備”)正在吸引注意。有機EL顯示設(shè)備是自發(fā)光型的，具有功耗低的特性。人們認(rèn)為有機EL顯示器對高清晰度和高速視頻信號具有足夠的響應(yīng)性，實際使用和商業(yè)化 的開發(fā)正在緊密地進行著。有機EL顯示設(shè)備含有多個發(fā)光元件I，每個發(fā)光元件I包括發(fā)光單元ELP和驅(qū)動發(fā)光單元ELP的驅(qū)動電路。例如，圖28是包括含有兩個晶體管和一個電容單元的驅(qū)動電路的發(fā)光元件I的等效電路圖，以及圖29是構(gòu)成顯示設(shè)備(例如，參見JP-A-2007-310311)的電路的概念圖。驅(qū)動電路含有包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管Ttov，包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管Tsig、和電容單元C1O標(biāo)號Ca代表發(fā)光單兀ELP的寄生電容。在驅(qū)動晶體管Itev中，源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與電流供應(yīng)線CSL連接，而源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與發(fā)光單元ELP連接并且還與電容單元C1的一端連接構(gòu)成第二節(jié)點ND20驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并且還與電容單元C1的另一端連接構(gòu)成第一節(jié)點ND115在視頻信號寫入晶體管Tsig中，源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與數(shù)據(jù)線DTL連接，柵極電極與掃描線SCL連接。顯示設(shè)備包括(a)電流供應(yīng)單元100 ;(b)掃描電路101 ; (C)視頻信號輸出電路102 ； (d)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向(特別是，與第一方向垂直的方向)M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件；(e)與電流供應(yīng)單元100連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線CSL ; (f )與掃描電路101連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線SCL ；以及(g)與視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL。盡管在圖29中示出了 3X3發(fā)光元件1，但這僅僅是為了例示。掃描電路101被安排在掃描線SCL的兩端上。

發(fā)明內(nèi)容
盡管驅(qū)動發(fā)光單元的方法將結(jié)合例子來詳細描述，但從掃描電路101發(fā)出，通過相應(yīng)掃描線SCL到達視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極的掃描信號隨發(fā)光元件I在第一方向的位置而變(參見圖26B)。這種改變由掃描線SCL的布線電容或布線電阻引起的。如果掃描信號發(fā)生變化，則發(fā)光單元中的亮度存在差異。特別是，在顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件(在圖26A和26B中，“像素中央”所代表)中，掃描線SCL的布線電容或布線電阻與與掃描電路101相鄰或在掃描電路101附近的發(fā)光元件(在圖26A和26B中，“像素末端”所代表)相比較大。由于這個原因，掃描信號的脈沖形狀發(fā)生了改變(也就是說，掃描信號的脈沖寬度在發(fā)光元件之間的差異增大了)，以及下述的遷移率校正效果(有效性)也發(fā)生了變化，使亮度增加(參見圖30A的示意圖)。從掃描電路101發(fā)出，通過掃描線SCL到達視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極的掃描信號也隨發(fā)光元件I在第二方向的位置而變。這種改變是因為掃描線SCL和數(shù)據(jù)線DTL形成的寄生電容在數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中和附近的發(fā)光元件I與其他區(qū)域中的發(fā)光元件I之間是不同的。在數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中和附近的發(fā)光元件中，尤其，在與掃描電路相鄰并在數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中和附近的發(fā)光元件中，由掃描線SCL和數(shù)據(jù)線DTL形成的寄生電容與其他區(qū)域中的發(fā)光元件相比較小。由于這個原因，掃描信號的脈沖形狀發(fā)生了改變(也就是說，掃描信號的脈沖寬度在發(fā)光元件之間的差異增大了)，以及下述的遷移率校正效果(有效性)也發(fā)生了變化，使亮度顯著降低(參見圖30B的示意圖)。于是，希望提供具有可以使顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件與與掃描電路相鄰的發(fā)光元件之間的亮度差小的配置或結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備，以及包括該顯示設(shè)備的電子裝置?！み€希望提供具有可以使數(shù)據(jù)線的終端部分中和附近的發(fā)光元件與其他區(qū)域中的發(fā)光元件之間的亮度差小的配置或結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備，以及包括該顯示設(shè)備的電子裝置。本公開的第一實施例針對包括如下的顯示設(shè)備(A)掃描電路；(B)視頻信號輸出電路；(C)電流供應(yīng)單元；(D)與所述電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線；(E)與所述掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線；(F)與所述視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路。構(gòu)成每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，以及將電容性負(fù)載單元配備在每條掃描線與每個掃描電路之間。本公開的第二實施例針對包括如下的顯示設(shè)備(A)掃描電路；(B)視頻信號輸出電路；(C)電流供應(yīng)單元；(D)與所述電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線；(E)與所述掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線；(F)與所述視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路。每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，以及將電容性負(fù)載單元配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中。為了區(qū)分按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備中的電容性負(fù)載單元和按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備中的電容性負(fù)載單元，為了方便起見，將前者稱為“第一電容性負(fù)載單元”，而為了方便起見，將后者稱為“第二電容性負(fù)載單元”。本公開的另一個實施例是包括按照本公開第一或第二實施例的顯示設(shè)備的電子
>J-U ρ α裝直。從每個掃描電路發(fā)出，通過掃描線到達構(gòu)成發(fā)光元件的視頻信號寫入晶體管的柵極電極的掃描信號隨發(fā)光元件在第一方向的位置而變。但是，在按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，將第一電容性負(fù)載單元配備在每條掃描線與每個掃描電路之間。由于這個原因，由于顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件和與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件具有較接近的掃描線布線電容或布線電阻值，所以掃描信號的脈沖寬度在這些發(fā)光元件之間的差異縮小了。也就是說，在這些發(fā)光元件之間掃描信號的脈沖形狀的變化較小。其結(jié)果是，可能縮小顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件與與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件之間的亮度差異。從每個掃描電路發(fā)出，通過掃描線到達構(gòu)成發(fā)光元件的視頻信號寫入晶體管的柵極電極的掃描信號隨發(fā)光元件在第二方向的位置而變。由于這個原因，在按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，將第二電容性負(fù)載單元配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中。由于這個原因，由于數(shù)據(jù)線的終端部分中和附近的發(fā)光元件和其他部分中的發(fā)光元件具有較接近的由掃描線和數(shù)據(jù)線形成的寄生電容值，所以掃描信號的脈沖寬度在這些發(fā)光元件之間的差異縮小了。也就是說，在這些發(fā)光元件之間掃描信號的脈沖形狀的變化較小。其結(jié)果是，可能縮小數(shù)據(jù)線的終端部分中和附近的發(fā)光元件與其他部分中的發(fā)光元件之間的亮度差異。其結(jié)果是，可能提供陰影或不規(guī)則性更小的均勻性極好的顯示設(shè)備或電子裝置。


圖I是構(gòu)成例子I的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖； 圖2是例子I的2Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖；圖3A和3B分別是例子I的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中包括驅(qū)動電路的發(fā)光元件的一部分的示意性局部剖面圖和電容性負(fù)載單元的示意性局部剖面圖；圖4A和4B分別是構(gòu)成例子I的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的一種變型的概念圖和電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)的示意圖；圖5是構(gòu)成例子2的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖；圖6是例子2的2Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖；圖7A和7B分別是構(gòu)成例子2的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的一種變型的概念圖和電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的示意圖；圖8是構(gòu)成例子3的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖；圖9是構(gòu)成例子4的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖；圖10是例子4的5Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖；圖11是示意性地示出例子4的5Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時序圖的圖；圖12A-12D是示意性地示出構(gòu)成例子4的5Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的圖；圖13A-13E是示意性地示出構(gòu)成例子4的5Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的接在圖12D之后的圖；圖14是構(gòu)成例子5的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖；圖15是例子5的4Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖；圖16是示意性地示出例子5的4Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時序圖的圖；圖17A-17D是示意性地示出構(gòu)成例子5的4Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的圖；圖18A-18D是示意性地示出構(gòu)成例子5的4Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的接在圖17D之后的圖19是構(gòu)成例子6的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖；圖20是例子6的3Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖；圖21是示意性地示出例子6的3Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時序圖的圖；圖22A-22D是示意性地示出構(gòu)成例子6的3Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的圖；圖23A-23E是示意性地示出構(gòu)成例子6的3Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的接在圖22D之后的圖；圖24是示意性地示出例子I和7的2Tr/lC驅(qū)動電路的驅(qū)動時序圖的圖； 圖25A-25F是示意性地示出構(gòu)成例子I和7的2Tr/lC驅(qū)動電路的每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等的圖；圖26A和26B是示出例子I的顯示設(shè)備和現(xiàn)有顯示設(shè)備中從掃描電路發(fā)出，通過掃描線到達視頻信號寫入晶體管的柵極電極的掃描信號隨發(fā)光元件位置的變化的圖；圖27A和27B分別是示意性地示出現(xiàn)有顯示設(shè)備和例子I的顯示設(shè)備中取決于發(fā)光元件在水平方向的位置的發(fā)光元件亮度的曲線圖；圖28是現(xiàn)有2Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖；圖29是構(gòu)成現(xiàn)有顯示設(shè)備的電路的概念圖；圖30A和30B是示意性地示出現(xiàn)有顯示設(shè)備中亮度均勻性喪失的狀態(tài)的圖。
具體實施例方式盡管下文參考附圖和結(jié)合例子對本公開加以描述，但本公開不局限于這些例子，例子中的各種數(shù)值或材料用于例示的目的。該描述按如下順序給出I.按照本公開第一和第二實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置的概述2.例子I (按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置)3.例子2 (按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置)4.例子3 (例子I的變型)5.例子4 (例子1-3的變型，5Tr/lC驅(qū)動電路)6.例子5 (例子1-3的變型，4Tr/lC驅(qū)動電路)7.例子6 (例子1-3的變型，3Tr/lC驅(qū)動電路)8.例子7 (例子1-3的變型，2Tr/lC驅(qū)動電路)等[按照本公開第一和第二實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置的概述]在按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，可以采取將第二電容性負(fù)載單元配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中的形式。注意，可以將這種形式稱為“按照本公開的實施例I-A的顯示設(shè)備”。利用按照本公開的實施例I-A的顯示設(shè)備，可以實現(xiàn)上述顯示設(shè)備。在按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，當(dāng)通過電容性負(fù)載單兀(第一電容性負(fù)載單兀)和相應(yīng)掃描線從每個掃描電路輸入到沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PW1-。，和輸入到沿著第二方向的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PWg時，可以滿足如下條件
O. 95 彡 PW1ViPKl。注意，配有電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)的驅(qū)動電路的時間常數(shù)優(yōu)選的是未配有電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)的驅(qū)動電路的時間常數(shù)的I. 01到I. 5倍。在按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)可以含有晶體管，電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)的電容可以由晶體管的柵極電容構(gòu)成?？商娲?，電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)可以具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，一個電極可以由相應(yīng)掃描線構(gòu)成。在按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)的電容可以通過沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件的亮度與沿著第二方向的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線的寄生電容確定。 在按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元)的電容可以是每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線的寄生電容的5倍到200倍。但是，形式不局限于此。在按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，其中，當(dāng)通過相應(yīng)掃描線從每個掃描電路輸入到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的終端部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光兀件中的掃描信號的脈沖寬度是PW2_E，和輸入到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PW2_。時，可以滿足如下條件O. 95 ( PW2_E/PW2_C〈1。注意，配有電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的驅(qū)動電路的時間常數(shù)優(yōu)選的是未配有電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的驅(qū)動電路的時間常數(shù)的I. 01到I. 5倍。在按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)可以含有晶體管，電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的電容可以由晶體管的柵極電容構(gòu)成?？商娲?，電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)可以具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，一個電極可以由相應(yīng)數(shù)據(jù)線構(gòu)成。在按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的電容可以通過相應(yīng)數(shù)據(jù)線的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度與相應(yīng)數(shù)據(jù)線的終端部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和終端部分中的一個發(fā)光元件中的掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容確定。在按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的電容可以是每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的5倍到10倍。但是，形式不局限于此。在按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元)的定義可以適用于按照本公開的實施例I-A的顯示設(shè)備中的第二電容性負(fù)載單元。在按照本公開第一或第二實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，驅(qū)動電路可以至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管；(B)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管；以及(C)電容單元，在驅(qū)動晶體管中，(A-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域可以與相應(yīng)電流供應(yīng)線連接；(A-2)源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域可以與發(fā)光單元連接并與電容單元的一端連接，并且可以形成第二節(jié)點；以及(A-3)柵極電極可以與視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并與電容單元的另一端連接，并且可以形成第一節(jié)點；以及在視頻信號寫入晶體管中，(B-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域可以與相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接；以及(B-2)柵極電極可以與相應(yīng)掃描線連接。驅(qū)動電路可以是，例如，含有兩個晶體管(驅(qū)動晶體管和視頻/[目號與入晶體管)和一個電容單元的驅(qū)動電路(稱為“2Tr/lC驅(qū)動電路”)、含有三個晶體管(驅(qū)動晶體管、視頻信號寫入晶體管和一個其他晶體管)和一個電容單元的驅(qū)動電路(稱為“3Tr/lC驅(qū)動電路”)、含有四個晶體管(驅(qū)動晶體管、視頻信號寫入晶體管和兩個其他晶體管)和一個電容單元的驅(qū)動電路(稱為“4Tr/lC驅(qū)動電路”)、或含有五個晶體管(驅(qū)動晶體管、視頻信號寫入晶體管和三個其他晶體管)和一個電容單元的驅(qū)動電路(稱為“5Tr/lC驅(qū)動電路”)。特別是，發(fā)光單元可以含有有機電致發(fā)光的發(fā)光單元(有機EL發(fā)光單元)。第一電容性負(fù)載單元優(yōu)選的是為所有掃描線安排的，而在一些情況下，可以為一·些掃描線，例如，為每條數(shù)據(jù)線的終端部分中和附近的掃描線安排。第二電容性負(fù)載單元優(yōu)選的是為所有掃描線安排的，而在一些情況下，第二電容性負(fù)載單元可以為所有數(shù)據(jù)線當(dāng)中與每個掃描電路最接近的5到10條數(shù)據(jù)線安排。按照本公開實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備可以具有進行所謂的單色顯示的配置或一個像素含有多個子像素，特別是，一個像素含有發(fā)紅光子像素、發(fā)綠光子像素、和發(fā)藍光子像素的三個子像素的配置。每個像素可以含有包括這三種類型的子像素和一種其他類型的子像素或多種其他類型的子像素的一組子像素(例如，包括發(fā)白光以便提高亮度的子像素的一組子像素、包括發(fā)補色光以便擴大顏色再現(xiàn)范圍的子像素的一組子像素、包括發(fā)黃色光以便擴大顏色再現(xiàn)范圍的子像素的一組子像素、或包括發(fā)黃色和青色光以便擴大顏色再現(xiàn)范圍的子像素的一組子像素)。在按照本公開實施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，像電流供應(yīng)單元、視頻信號輸出電路和掃描電路那樣的各種電路、像電流供應(yīng)線、數(shù)據(jù)線和掃描線那樣的各種布線以及發(fā)光單元的配置或結(jié)構(gòu)可能是已知的配置或結(jié)構(gòu)。特別是，例如，由有機EL發(fā)光單元構(gòu)成的發(fā)光單元可以具有，例如，陽極電極、有機材料層(例如，具有空穴輸運層、發(fā)光層、和電子輸運層疊在一起的結(jié)構(gòu))、陰極電極等。構(gòu)成驅(qū)動電路的電容單元可以具有一個電極、另一個電極、和介于這些電極之間的介電層(絕緣層)。構(gòu)成驅(qū)動電路的晶體管和電容單元在支承件上形成，而發(fā)光單元通過，例如，絕緣中間層在構(gòu)成驅(qū)動電路的晶體管和電容單元上面形成。驅(qū)動晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域通過，例如，接觸孔與發(fā)光單元的陽極電極連接。支承件的例子包括高應(yīng)變點玻璃基板、鈉玻璃(Na2O · CaO · SiO2)基板、硼硅玻璃(Na2O · B2O3 .SiO2)基板、鎂橄欖石(2Mg0 .SiO2)基板、鉛玻璃(Na2O · PbO .SiO2)基板、在其表面上形成絕緣膜的各種玻璃基板、石英基板、在其表面上形成絕緣膜的石英基板、在其表面上形成絕緣膜的硅基板、和像聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亞胺、聚碳酸酯，或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)那樣的有機聚合物(像由聚合物材料制成的柔性塑料薄膜、塑料板材、或塑料基板那樣以聚合物材料的形式)。[例子I]
例子I涉及按照本公開第一實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置，特別是涉及有機EL顯示設(shè)備以及包括有機EL顯示設(shè)備的電子裝置。在下文中，每個例子的顯示設(shè)備和電子裝置的顯示設(shè)備統(tǒng)統(tǒng)簡稱為“例子的顯示設(shè)備”。圖I示出了構(gòu)成例子I的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖2是例子I的顯示設(shè)備中包括驅(qū)動電路的發(fā)光元件的等效電路圖(在這個例子中，驅(qū)動電路是含有兩個晶體管Tltev和Tsig和一個電容單元C1的驅(qū)動電路(2Tr/lC驅(qū)動電路)。圖3A和3B是例子I的顯示設(shè)備中包括驅(qū)動電路的發(fā)光元件的一部分的示意性局部剖面圖和電容性負(fù)載單元的示意性局部剖面圖。例子I的顯示設(shè)備包括(A)掃描電路101 ； (B)視頻信號輸出電路102 ； (C)電流供應(yīng)單元100 ; (D)與電流供應(yīng)單元100連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線CSL ； (E)與掃描電路101連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線SCL ; (F)與視頻信號輸出電路102連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL ;以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光兀件I和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光兀件I的總共NXM個發(fā)光兀件1，每個發(fā)光元件I含有發(fā)光單元(特別是，有機EL發(fā)光單元)ELP和驅(qū)動發(fā)光單元ELP的驅(qū)動電路。每個發(fā)光元件I的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線CSL、相應(yīng)掃描線SCL、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線DTL連接。盡管在圖I中示出了 3X3發(fā)光元件1，但這僅僅是為了例示。掃描電路101被安排在掃描線SCL的兩端上，但也可以只安排在一端上。將電容性負(fù)載單元(第一電容性負(fù)載單元101A)配備在每條掃描線SCL與每個掃描電路101之間。例子I或下述的例子2-7的顯示設(shè)備具有以二維矩陣排列的NXM個像素。一個像素含有三個子像素(發(fā)紅光的發(fā)紅光子像素、發(fā)綠光的發(fā)綠光子像素、和發(fā)藍光的發(fā)藍光子像素)。在例子I或下述的例子2-7的顯示設(shè)備中，驅(qū)動電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管Tltev; (B)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管Tsig;以及(C)電容單元Q。特別是，驅(qū)動晶體管Tltev和視頻信號寫入晶體管Tsig都是薄膜晶體管(TFT)。在驅(qū)動晶體管Itev中，(A-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)電流供應(yīng)線CSL連接；(A-2)源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與發(fā)光單元ELP連接并與電容單元C1的一端連接，并且形成第二節(jié)點ND2 ;以及(A-3)柵極電極與視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并與電容單元C1的另一端連接，并且形成第一節(jié)點ND115在視頻信號寫入晶體管Tsig中，(B-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)數(shù)據(jù)線DTL連接；以及(B-2)柵極電極與相應(yīng)掃描線SCL連接。驅(qū)動晶體管!'㈣和視頻信號寫入晶體管Tsig或發(fā)光控制晶體管Ta。、第一節(jié)點初始化晶體管Tnm、和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2都是具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的η溝道TFT。視頻信號寫入晶體管Tsig、發(fā)光控制晶體管Ta。、第一節(jié)點初始化晶體管Tnm、和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2可以是P溝道TFT。圖3A是示出發(fā)光元件I的一部分的示意性局部剖面圖。構(gòu)成發(fā)光元件I的驅(qū)動電路的晶體管和電容單元C1在每個支承件10上形成,而發(fā)光單元ELP通過,例如,絕緣中間層40在構(gòu)成驅(qū)動電路的晶體管和電容單元C1上面形成。驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)通過接觸孔與發(fā)光單元ELP的陽極電極51連接。注意，圖3A只示出了驅(qū)動晶體管TDCT。除了驅(qū)動晶體管Tltev之外的其他晶體管都未示出。更明確地說，驅(qū)動晶體管Tltev具有柵極電極31、柵極絕緣層32、半導(dǎo)體層33、半導(dǎo)體層33中的源極/漏極區(qū)35、和與半導(dǎo)體層33源極/漏極區(qū)35之間的部分相對應(yīng)的溝道形成區(qū)34。電容單元C1具有另一個電極36、作為柵極絕緣層32的延伸部分的絕緣層(介電層)、和一個電極37 (對應(yīng)于第二節(jié)點ND2)。柵極電極31、柵極絕緣層32的一部分、和電容單元C1的另一個電極36都在支承件上形成。驅(qū)動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)35的一個區(qū)域與布線38連接，而源極/漏極區(qū)35的另一個區(qū)域與一個電極37 (對應(yīng)于第二節(jié)點ND2)連接。驅(qū)動晶體管TDCT、電容單元C1等被絕緣中間層40覆蓋，而具有陽極電極51、有機材料層52 (例如，具有空穴輸運層、發(fā)光層、和電子輸運層)、和陰極電極53的發(fā)光單元ELP配備在絕緣中間層40上。將第二絕緣中間層54配備在絕緣中間層40未配備發(fā)光單元ELP的部分上，并且將透明基板20安排在第二絕緣中間層54和陰極電極53上。從發(fā)光層發(fā)出的光通過基板20發(fā)射到外部。一個電極37 (第二節(jié)點ND2)和陽極電極51通過絕緣中間層40中的接觸孔連接在一起。陰極電極53通過第二絕緣中間層54和絕緣中間層40中的接觸孔56和55與柵極絕緣層32的延伸部分上的布線39連接。 換句話說，例子I的顯示設(shè)備含有多個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路。驅(qū)動電路至少含有發(fā)光單元ELP、電容單元C1、使驅(qū)動信號(亮度信號)VSig保持在電容單元C1中的視頻信號寫入晶體管Tsig、和根據(jù)保持在電容單元C1中的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig驅(qū)動發(fā)光單元ELP的驅(qū)動晶體管TDCT。如圖3B的示意性局部剖面圖所示，配備在每條掃描線SCL與每個掃描電路101之間的第一電容性負(fù)載單元IOlA含有晶體管(更明確地說，具有與TFT相同的結(jié)構(gòu)的晶體管)，第一電容性負(fù)載單元IOlA的電容由該晶體管的柵極電容構(gòu)成。更明確地說，該晶體管具有柵極電極61、柵極絕緣層62、半導(dǎo)體層63、半導(dǎo)體層63中的源極/漏極區(qū)65、和與半導(dǎo)體層63源極/漏極區(qū)65之間的部分相對應(yīng)的溝道形成區(qū)64。源極/漏極區(qū)65被絕緣中間層40中的接觸孔和短路部分66短路。在例子I中，第一電容性負(fù)載單元IOlA的電容通過沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件I的亮度與沿著第二方向的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線SCL的寄生電容確定。在顯示在圖27A中的例子中，沿著第一方向的中央部分中的發(fā)光元件I的亮度與沿著第二方向的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度之間的亮度差是大約10%。假設(shè)10%的亮度差被抑制成5%之內(nèi)的亮度差。具體地說，沿著第一方向的中央部分中的發(fā)光元件I的亮度是，例如，180cd/m2，沿著第二方向的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度是，例如，160cd/m2。也就是說，亮度差是20cd/m2。亮度的期望值，SP，允許亮度是，例如，171cd/m2。在N=1280的顯示設(shè)備中，171cd/m2的發(fā)光元件是第150發(fā)光元件或第(1280-150)發(fā)光元件。由于這個原因，如果第一電容性負(fù)載單元IOlA的電容是每個發(fā)光元件的掃描線的寄生電容的150倍，則沿著第一方向的中央部分中的發(fā)光元件I的亮度與沿著第二方向的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度之間的亮度差可以具有期望值(參見圖27B)。換句話說，寄生電容等效于將150個虛擬發(fā)光元件配備在掃描線SCL的一端上和將150個虛擬發(fā)光兀件配備在掃描線SCL的另一端上的時候，以及等效于將亮度未達到期望值的發(fā)光元件移到顯示設(shè)備外部的時候。在圖27B中，配備了電容性負(fù)載單元IOlA時顯示設(shè)備中的亮度分布用“執(zhí)行之后”表示，而未配備電容性負(fù)載單元IOlA時顯示設(shè)備中的亮度分布用“執(zhí)行之前”表示。在顯示在圖26B中的例子中，輸入到構(gòu)成與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件的視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極中的掃描信號(稱為“像素末端掃描信號”)具有陡峭脈沖波形。輸入到構(gòu)成沿著第一方向的中央部分中的發(fā)光元件的視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極中的掃描信號(稱為“像素中央掃描信號”)的脈沖波形比像素末端掃描信號的波形平緩。特別是，像素中央掃描信號的脈沖寬度與像素末端掃描信號的脈沖寬度之差是2. 89%。關(guān)于掃描信號的脈沖寬度，如果視頻信號寫入晶體管Tsig是η溝道型的，由于當(dāng)超過數(shù)據(jù)線STL中的電位與視頻信號寫入晶體管Tsig的閾值 電壓之和時提供電導(dǎo)，作為簡化例子，當(dāng)數(shù)據(jù)線STL中的電位與視頻信號寫入晶體管Tsig的閾值電壓之和是5. O伏時對脈沖寬度加以比較。在瞬變(時間常數(shù))變平緩大約兩倍的例子I中，如圖26Α所示，像素中央掃描信號的脈沖寬度與像素末端掃描信號的脈沖寬度之差被抑制到O. 436%，以便可以改善陰影或不規(guī)則性。圖27Β示意性地示出了沿著第一方向的中央部分中的發(fā)光元件I的亮度與沿著第二方向的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度之間的亮度差降低時發(fā)光元件的亮度分布。像素中央掃描信號的脈沖寬度是通過第一電容性負(fù)載單元IOlA和掃描線SCL從掃描電路101輸入到沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖寬度PWk。像素末端掃描信號的脈沖寬度是輸入到沿著第二方向的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖寬度PW1I在這種情況下，滿足如下條件O. 95 彡 PW卜e/PWk〈1。如上所述，配有第一電容性負(fù)載單元IOlA的驅(qū)動電路的時間常數(shù)是未配有第一電容性負(fù)載單元的驅(qū)動電路的時間常數(shù)的大約兩倍。上述的發(fā)光元件I可以通過已知方法制造，制造發(fā)光元件I時使用的各種材料可以是已知材料。例子I的驅(qū)動電路的操作將在下面描述的示例7中描述。在例子I的顯示設(shè)備中，第一電容性負(fù)載單元IOlA配備在每條掃描線SCL與每個掃描電路101之間。由于這個原因，雖然從掃描電路101發(fā)出，通過掃描線SCL到達構(gòu)成發(fā)光元件I的視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極的掃描信號隨發(fā)光元件I在第一方向的位置而變，但顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件I和與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I具有較接近的掃描線SCL的布線電容或布線電阻值。由于這個原因，掃描信號的脈沖寬度差變得較小。也就是說，輸入到與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖波形變平緩，并與輸入到顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖波形接近。其結(jié)果是，可能減小顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件I與與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I之間的亮度差。其結(jié)果是，可以提供陰影或不規(guī)則性更小的均勻性極好的顯示設(shè)備。如圖4A—構(gòu)成例子I的顯示設(shè)備的電路的一種變型的概念圖所示，第一電容性負(fù)載單元IOlB可以具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，一個電極可以由掃描線SCL構(gòu)成。如圖4B的示意性局部平面圖所示，沿著第一方向延伸的與一個電極相對應(yīng)的掃描線SCL和另一個電極IOlb通過介電層重疊的部分的面積可能增大。另一個電極IOlb可以接地或可以處在浮置狀態(tài)。[例子2]例子2涉及按照本公開第二實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置，特別是，與例子I 一樣，涉及有機EL顯示設(shè)備以及包括有機EL顯示設(shè)備的電子裝置。圖5是構(gòu)成例子2的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖6是例子2的顯示設(shè)備中包括驅(qū)動電路的發(fā)光元件的等效電路圖(在這個例子中，驅(qū)動電路是含有兩個晶體管Tltev和Tsig和一個電容單元C1的驅(qū)動電路(2Tr/lC驅(qū)動電路)。例子2的顯示設(shè)備包括(A)掃描電路101 ； (B)視頻信號輸出電路102 ； (C)電流供應(yīng)單元100 ; (D)與電流供應(yīng)單元100連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線CSL ；(E)與掃描電路101連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線SCL ; (F)與視頻信號輸出電路102連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL ;以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光兀件I和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光兀件I的總共NXM個發(fā)光兀件·1，每個發(fā)光元件I含有發(fā)光單元(特別是，有機EL發(fā)光單元)ELP和驅(qū)動發(fā)光單元ELP的驅(qū)動電路。每個發(fā)光元件I的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線CSL、相應(yīng)掃描線SCL、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線DTL連接。盡管在圖5中示出了 3X3發(fā)光元件1，但這僅僅是為了例示。掃描電路101被安排在掃描線SCL的兩端上，但也可以只安排在一端上。將電容性負(fù)載單元(第二電容性負(fù)載單元102A)配備在每條數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中。在例子2中，第二電容性負(fù)載單元102A含有晶體管，第二電容性負(fù)載單元102A的電容由晶體管的柵極電容構(gòu)成。每條數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中的第二電容性負(fù)載單元102A的配置或結(jié)構(gòu)與顯示在圖3B中和描述在例子I中的第一電容性負(fù)載單元IOlA大致相同。在例子2中，第二電容性負(fù)載單元102A的電容通過數(shù)據(jù)線DTL的中央部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度與數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和終端部分中的一個發(fā)光元件I中的掃描線SCL與數(shù)據(jù)線DTL之間的寄生電容確定。在例子2中，第二電容性負(fù)載單元102A的電容是每個發(fā)光元件的掃描線SCL與數(shù)據(jù)線DTL之間的寄生電容的10倍?？商娲?，在例子2的顯示設(shè)備中，當(dāng)通過掃描線從掃描電路101輸入到數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中與掃描電路101相鄰的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖寬度是PW2_E，和輸入到數(shù)據(jù)線DTL的中央部分中與掃描電路相鄰101的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖寬度是PW2_。時，滿足如下條件O. 95 彡 PW2_E/PW2_C〈1。配有第二電容性負(fù)載單元102A的驅(qū)動電路的時間常數(shù)是未配有第二電容性負(fù)載單元102A的驅(qū)動電路的時間常數(shù)的O. 99倍。在例子2的顯示設(shè)備中，第二電容性負(fù)載單元102A配備在每條數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中。由于這個原因，雖然從掃描電路101發(fā)出，通過掃描線SCL到達構(gòu)成發(fā)光元件I的視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極的掃描信號隨發(fā)光元件I在第二方向的位置而變，但數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中和附近的發(fā)光元件I和其他區(qū)域中的發(fā)光元件I具有較接近的由掃描線SCL和數(shù)據(jù)線DTL形成的寄生電容值。由于這個原因，掃描信號的差異減小了。也就是說，輸入到數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中和附近的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖波形變平緩，并與輸入到其他區(qū)域中的發(fā)光元件I中的掃描信號的脈沖波形接近。其結(jié)果是，可以減小數(shù)據(jù)線DTL的終端部分中和附近的發(fā)光元件I與其他部分中的發(fā)光元件I之間的亮度差，從而提供陰影或不規(guī)則性更小的均勻性極好的顯示設(shè)備。如圖7A—構(gòu)成例子2的顯示設(shè)備的電路的一種變型的概念圖所示，第二電容性負(fù)載單元102B可以具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，一個電極可以由數(shù)據(jù)線DTL構(gòu)成。如圖7B的示意性局部平面圖所示，沿著第二方向延伸的與一個電極相對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DTL和另一個電極102b通過介電層重疊的部分的面積可能增大。另一個電極102b可以接地或可以處在浮置狀態(tài)。[例子3]例子3是例子I的一種變型，涉及按照本公開的實施例I-A的顯示設(shè)備，特別是，描述在例子I中的第一電容性負(fù)載單元IOlA和描述在例子2中的第二電容性負(fù)載單元102A的組合。圖8是構(gòu)成例子3的顯示設(shè)備的電路的概念圖?？梢越M合描述在例子I中的第一電容性負(fù)載單元IOlB和描述在例子2中的第二電容性負(fù)載單元102A，可以組合描述在 例子I中的第一電容性負(fù)載單元IOlA和描述在例子2中的第二電容性負(fù)載單元102B，或可以組合描述在例子I中的第一電容性負(fù)載單兀IOlB和描述在例子2中的第二電容性負(fù)載單元102B。除了上述點之外，例子3的顯示設(shè)備、發(fā)光元件和驅(qū)動電路具有與例子I和2的顯示設(shè)備、發(fā)光元件和驅(qū)動電路相同的配置或結(jié)構(gòu)，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[例子4]在例子4或下述的例子5-7中，進行按照本公開實施例的驅(qū)動電路的操作。例如，在例子4或下述的例子5-7中驅(qū)動發(fā)光單元ELP的方法的概況如下。也就是說，驅(qū)動發(fā)光單元ELP的方法包括如下步驟(a)進行將第一節(jié)點初始化電壓施加于第一節(jié)點ND1和將第二節(jié)點初始化電壓施加于第二節(jié)點ND2,以便第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差超過驅(qū)動晶體管Itev的閾值電壓Vth，和第二節(jié)點ND2與發(fā)光單元ELP的陰極電極之間的電位差不超過發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi的預(yù)處理；(b)在保持第一節(jié)點ND1的電位的狀態(tài)下，將驅(qū)動晶體管Tltev的漏極區(qū)的電位設(shè)置成高于步驟(a)中第二節(jié)點ND2的電位，以便使第二節(jié)點ND2的電位升高，并進行使第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差接近驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth的閾值電壓抵消處理；(c)進行通過響應(yīng)來自掃描線SCL的信號變成接通狀態(tài)的視頻信號寫入晶體管Tsig將視頻信號電壓從數(shù)據(jù)線DTL施加到第一節(jié)點ND1上，并使驅(qū)動晶體管Tltev處在接通狀態(tài)下的寫入處理；(d)響應(yīng)來自掃描線SCL的信號使視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，以便使第一節(jié)點ND1處在浮置狀態(tài)下；以及(e)使基于第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差的數(shù)值的電流通過驅(qū)動晶體管Tltev從電流供應(yīng)單元100流入發(fā)光單元ELP中，以便驅(qū)動發(fā)光單元ELP。如上所述，在步驟(b)中，進行使第一節(jié)點與第二節(jié)點之間的電位差接近驅(qū)動晶體管的閾值電壓的閾值電壓抵消處理。定性地說，在閾值電壓抵消處理中，使第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差(換句話說，驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差Vgs)與驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth有多接近取決于閾值電壓抵消處理的時間。于是，例如，在保證閾值電壓抵消處理有足夠時間的形式下，第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差達到驅(qū)動晶體管Itev的閾值電壓Vth，使驅(qū)動晶體管Itev處在斷開狀態(tài)下。在閾值電壓抵消處理的時間必須設(shè)置成較短的形式下，第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管TD 的閾值電壓vth，可能未使驅(qū)動晶體管Itev處在斷開狀態(tài)下。作為閾值電壓抵消處理的結(jié)果，驅(qū)動晶體管Tltev未必處在斷開狀態(tài)下。假設(shè)構(gòu)成每個像素的發(fā)光元件被逐行驅(qū)動，以及顯示幀速率是FR (次/秒)。也就是說，構(gòu)成排列在第m (其中，m=l，2，3，. . ·，Μ)行上的N個像素(3XN個子像素)的每一個的發(fā)光元件被同時驅(qū)動。換句話說，在構(gòu)成一行的每個發(fā)光元件中，按這些發(fā)光元件所屬的行控制發(fā)光/不發(fā)光定時。將視頻信號寫入構(gòu)成一行的每個像素中的處理可以是將視頻信號同時寫入所有像素中的處理(同時寫入處理)，或?qū)⒁曨l信號順序?qū)懭朊總€像素中的處理(順序?qū)懭胩幚?。這些寫入處理可以依照發(fā)光元件或驅(qū)動電路的配置來適當(dāng)選擇。在下文中，將描述構(gòu)成第m行和第η列(其中，η=1，2，3，. . . ,N)上的像素中的一個子像素的發(fā)光元件的驅(qū)動或操作。下文將相關(guān)子像素或發(fā)光元件稱為第(n，m)子像素或第(n，m)發(fā)光元件。各種處理(閾值電壓抵消處理、寫入處理、和遷移率校正處理)是在排列在第m行上的每個發(fā)光元件的水平掃描時段(第m水平掃描時段)結(jié)束之前進行的。寫入處理 和遷移率校正處理必須在第m水平掃描時段內(nèi)進行。取決于發(fā)光元件或驅(qū)動電路的類型，閾值電壓抵消處理或相關(guān)預(yù)處理可以在第m水平掃描時段之前進行。在上述的各種處理結(jié)束之后，構(gòu)成排列在第m行上的每個發(fā)光元件的發(fā)光單元發(fā)光。該發(fā)光單元可以在上述的各種處理結(jié)束之后馬上發(fā)光或經(jīng)過了預(yù)定時間(例如，預(yù)定行數(shù)的水平掃描時段)時發(fā)光。預(yù)定時段可以依照顯示設(shè)備的規(guī)范、發(fā)光元件或驅(qū)動電路的配置等適當(dāng)設(shè)置。在如下描述中，為了便于描述，假設(shè)發(fā)光單元在各種處理結(jié)束之后馬上發(fā)光。構(gòu)成排列在第m行上的每個發(fā)光元件的發(fā)光單元的發(fā)光持續(xù)到緊接在排列在第(m+m/ )行上的每個發(fā)光元件的水平掃描時段開始之前?！癿' ”按顯示設(shè)備的設(shè)計規(guī)范確定。也就是說，某個顯示幀中構(gòu)成排列在第m行上的每個發(fā)光元件的發(fā)光單元的發(fā)光持續(xù)到第(m+m' -I)水平掃描時段。構(gòu)成排列在第m行上的每個發(fā)光元件從第(m+m')水平掃描時段的開頭直到在下一個顯示幀中在第m水平掃描時段內(nèi)完成寫入處理或遷移率校正處理維持在不發(fā)光狀態(tài)下。如果提供上述不發(fā)光狀態(tài)的時段(下文簡稱為“不發(fā)光時段”)，則可以減輕由于主動矩陣驅(qū)動造成的殘像模糊，和可以達到極好的運動圖像質(zhì)量。每個子像素(發(fā)光元件)的發(fā)光狀態(tài)/不發(fā)光狀態(tài)不局限于上述的狀態(tài)。水平掃描時段的時間長度是小于(1/FR)X (1/M)的時間長度。當(dāng)(m+n^ )的值超過M時，在下一個顯示幀中處理超出的水平掃描時段。在如下描述中，在一個晶體管的兩個源極/漏極區(qū)當(dāng)中，術(shù)語“源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域”指的是與電流供應(yīng)單元或供電單元連接的源極/漏極區(qū)。當(dāng)晶體管處在接通狀態(tài)下時，這指的是在源極/漏極區(qū)之間形成溝道的狀態(tài)。電流是否從某個晶體管的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域流到源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域是無關(guān)緊要的。當(dāng)晶體管處在斷開狀態(tài)下時，這指的是在源極/漏極區(qū)之間未形成溝道的狀態(tài)。當(dāng)某個晶體管的源極/漏極區(qū)與另一個晶體管的源極/漏極區(qū)連接時，這包括某個晶體管的源極/漏極區(qū)和另一個晶體管的源極/漏極區(qū)占據(jù)相同區(qū)域的形式。源極/漏極區(qū)可以由像包含雜質(zhì)的多晶硅或非晶硅那樣的導(dǎo)電材料形成，或可以由金屬、合金、導(dǎo)電粒子、它們的層狀結(jié)構(gòu)、或由有機材料(導(dǎo)電聚合物)制成的層形成。在用在如下描述中的時序圖中，代表每個時段的水平軸的長度(時間長度)是示意性示出的，無意代表每個時段的時間長度的比例。特別是，例子4的驅(qū)動電路是含有四個晶體管和一個電容單元C1的驅(qū)動電路(5Tr/lC驅(qū)動電路)。圖9是構(gòu)成例子4的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖10是5Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖。圖11是示意性驅(qū)動時序圖。圖12A-12D和13A-13E示意性地示出了每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等。在圖9，10，14，15，19和20中，只示出一個掃描電路101，
而未示出第一電容性負(fù)載單元和/或第二電容性負(fù)載單元。5Tr/lC驅(qū)動電路含有包括描述在例子1_3中的第一電容性負(fù)載單兀和/或第二電容性負(fù)載單元的視頻信號寫入晶體管Tsig和驅(qū)動晶體管Tltev、發(fā)光控制晶體管Ta—。、第一節(jié)點初始化晶體管TND1、第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的五個晶體管、和一個電容單元Cf[發(fā)光控制晶體管TelJ發(fā)光控制晶體管的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與電流供應(yīng)單元(電壓V。。)100連接，而發(fā)光控制晶體管Ta c的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與驅(qū)動晶體管Tltev的源極/漏 極區(qū)的一個區(qū)域連接。發(fā)光控制晶體管Ta c的接通/斷開操作通過與發(fā)光控制晶體管TaC的柵極電極連接的發(fā)光控制晶體管控制線CLel c來控制。[驅(qū)動晶體管TDrv]如上所述，驅(qū)動晶體管Itev的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與發(fā)光控制晶體管Ta c的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接。也就是說，驅(qū)動晶體管Itev通過發(fā)光控制晶體管Tl。與電流供應(yīng)單元100連接。驅(qū)動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與(I)發(fā)光單元ELP的陽極電極；(2)第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域；以及(3)電容單元C1的一個電極連接，并且形成第二節(jié)點ND2。驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與(I)視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域；(2)第一節(jié)點初始化晶體管Tnm的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域；以及(3)電容單元仏的另一個電極連接，并且形成第一節(jié)點ND115在發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)下，驅(qū)動晶體管Itev受到驅(qū)動，使依照表達式(I)的漏極電流Ids流過。在發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)下，驅(qū)動晶體管Itev的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域起漏極區(qū)的作用，而源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域起源極區(qū)的作用。如例子I所述，在下文中，將驅(qū)動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域簡稱為漏極區(qū)，而將源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域簡稱為源極區(qū)。μ :有效遷移率L :溝道長度W :溝道寬度Vgs :柵極電極與源極區(qū)之間的電位差Vth:閾值電壓Cox (柵極絕緣層的相對介電常數(shù))X (真空介電常數(shù))/ (柵極絕緣層的厚度)k = (1/2) · (W/L) · CoxIds=k· μ · (Vgs-Vth)2 ... (I)如果漏極電流Ids流入發(fā)光單元ELP中，則發(fā)光單元ELP發(fā)光。發(fā)光單元ELP的發(fā)送狀態(tài)(亮度)取決于漏極電流Ids的數(shù)值的幅度地控制。[視頻信號寫入晶體管Tsig]如例子I所述，視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極連接。視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與數(shù)據(jù)線DTL連接。控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig通過數(shù)據(jù)線DTL從視頻信號輸出電路102供應(yīng)給源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域。除了 Vsig之外的其他各種信號/電壓(預(yù)充電驅(qū)動的信號、各種參考電壓等)可以通過數(shù)據(jù)線DTL供應(yīng)給源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域。視頻信號寫入晶體管Tsig的接通/斷開操作通過與視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極連接的掃描線SCL中的掃描信號來控制。掃描線SCL中的掃描信號的脈沖波形通過描述在例子1-3中的第一電容性負(fù)載單元和/或第二電容性負(fù)載單元變成平緩脈沖波形。在如下描述中，可以將該掃描信號稱為“平緩掃描信號”。[第一節(jié)點初始化晶體管Tndi]如上所述，第一節(jié)點初始化晶體管Tnm的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極連接。將初始化第一節(jié)點ND1的電位(即，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電位)的電壓Vms供應(yīng)給第一節(jié)點初始化晶體管Tndi的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域。第一節(jié)點初始化晶體管Tndi的接通/斷開操作通過與第一節(jié)點初始化晶體管Tndi的柵極電極連接的第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi來控制。第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi與第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104連接。
[第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2]如上所述，第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)連接。將初始化第二節(jié)點ND2的電位(即，驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)的電位)的電壓Vss供應(yīng)給第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域。第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的接通/斷開操作通過與第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的柵極電極連接的第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2來控制。第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2與第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105連接。[發(fā)光單元ELP]如上所述，發(fā)光單元ELP的陽極電極與驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)連接。將電壓Vcat施加于發(fā)光單兀ELP的陽極電極。發(fā)光單兀ELP的寄生電容用標(biāo)號Ca表不。假設(shè)發(fā)光單元ELP發(fā)光所需的閾值電壓是Vth_a。也就是說，如果在發(fā)光單元ELP的陽極電極與陰極電極之間施加等于或高于Vthi的電壓，則發(fā)光單元ELP發(fā)光。盡管在如下描述中，電壓或電位的值像如下那樣，但這些值僅僅是為了例示，電壓或電壓不局限于這些值。Vsig :控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)......0V-10VVcc :控制發(fā)光單元ELP發(fā)光的電流供應(yīng)單元的電壓……20VV0fs 初始化驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電位(第一節(jié)點ND1的電位)的電壓......OVVss 初始化驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)的電位(第二節(jié)點ND2的電位)的電壓......-IOVVth 驅(qū)動晶體管TDrv的閾值電壓......3VVcat :施加于發(fā)光單元ELP的陰極電極的電壓......OVVth_EL :發(fā)光單元ELP的閾值電壓......3V在下文中，將描述5Tr/lC驅(qū)動電路的操作。如上所述，盡管描述發(fā)光狀態(tài)在各種處理(閾值電壓抵消處理、寫入處理、和遷移率校正處理)完成之后馬上開始的情況，形式不局限于此。這同樣適用于下述的4Tr/lC驅(qū)動電路、3Tr/lC驅(qū)動電路和2Tr/lC驅(qū)動電路。
[時段_TP(5)_J (參見圖 11 和 12A)[時段-TP(5) _J是，例如，前顯示幀中的操作，并且是第(n，m)發(fā)光單元ELP在各種前處理完成之后處在發(fā)光狀態(tài)下的時段。也就是說，基于表達式(5)的漏極電流I ' ds流入構(gòu)成第(n，m)子像素的發(fā)光單元ELP中，構(gòu)成第(n，m)子像素的發(fā)光單元ELP的亮度具有與相關(guān)漏極電流P ds相對應(yīng)的值。視頻信號寫入晶體管Tsig、第一節(jié)點初始化晶體管Tnm、和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處在斷開狀態(tài)下，而發(fā)光控制晶體管和驅(qū)動晶體管Ttov處在接通狀態(tài)下。第(n，m)發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)到緊接在排列在第(m+m')行上的發(fā)光單元ELP的水平掃描時段開始之前。顯示在圖11中的[時段-TP(5) J-[時段-TP(5)4]是從發(fā)光狀態(tài)結(jié)束的時間開始，完成了各種前處理之后，緊接在進行下一個寫入處理之前的操作時段。也就是說，[時段-TP (5) [時段-TP (5) 4]是從前顯示幀中的第(m+m')水平掃描時段開始到當(dāng)前顯示幀的第(m-Ι)水平掃描時段結(jié)束的某時間長度的時段。[時段-TP (5) J-[時段-TP (5) 4]可 以包括在當(dāng)前顯示幀中的第m水平掃描時段內(nèi)。在[時段-TP (5) J-[時段-TP (5) 4]中，第(n，m)發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。也就是說，在[時段-TP (5) J-[時段-TP (5) J和[時段-TP (5)3]_ [時段-TP (5)4]中，由于發(fā)光控制晶體管處在斷開狀態(tài)下，所以發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP(5)2]中，發(fā)光控制晶體管處在接通狀態(tài)下。但是，在這個時段中，進行下面所述的閾值電壓抵消處理。盡管下面將詳細描述閾值電壓抵消處理，但如果假設(shè)滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在下文中，將首先描述[時段-TP(5)Q]_[時段-TP(5)4]的每個時段。注意，[時段_TP(5)J的開頭或[時段-TP (5) J-[時段-TP (5) 4]的每個時段的長度可以依照顯示設(shè)備的設(shè)計適當(dāng)設(shè)置。[時段-TP(5) 0]如上所述，在[時段-TP(5) J中，第(n，m)發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。視頻信號寫入晶體管Tsig、第一節(jié)點初始化晶體管Tndi、和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處在斷開狀態(tài)下。在從[時段_TP(5)_J變成[時段-TP(S)tl]的時間上，由于發(fā)光控制晶體管Ta c處在斷開狀態(tài)下，所以第二節(jié)點ND2 (驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)或發(fā)光單元ELP的陽極電極)的電位下降到(Vthi+V&t)，使發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。為了跟隨第二節(jié)點ND2的電位下降，處在浮置狀態(tài)下的第一節(jié)點ND1 (驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極)的電位也下降。[時段1卩(5)1](參見圖128和120在[時段_TP(5)J中，進行進行下面所述的閾值電壓抵消處理的預(yù)處理。也就是說，在[時段-TP (5) J開始的時間上，如果第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi和第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2根據(jù)第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104和第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105的操作處在高電平上，則第一節(jié)點初始化晶體管Tnm和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位變成Vms (例如，0V)。第二節(jié)點ND2的電位變成Vss (例如，-10V)。在[時段-TP (5) J結(jié)束之前，如果第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2根據(jù)第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105的操作處在低電平上，則第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處在斷開狀態(tài)下。第一節(jié)點初始化晶體管Tndi和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2可以同時處在接通狀態(tài)下，第一節(jié)點初始化晶體管Tndi可以在前處在接通狀態(tài)下，或第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2可以在前處在接通狀態(tài)下。借助于上述處理，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差等于或大于Vth,驅(qū)動晶體管Tltev變成接通狀態(tài)。[時段-TP(5)2](參見圖12D)接著，進行閾值電壓抵消處理。也就是說，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在高電平上，而第一節(jié)點初始化晶體管Tnm保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果 是，雖然第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在Vws=OV上)，但處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位上升，使第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電位差接近驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差達到Vth，則驅(qū)動晶體管Itev處在斷開狀態(tài)下。特別是，使處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位接近(VMs-Vth=-3V>Vss)，最終變成(Vws-Vth)。如果表達式(2)得到保證，換句話說，如果電位被選擇和確定成滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。定性地說，在閾值電壓抵消處理中，使第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差(換句話說，驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差)與驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth有多接近取決于閾值電壓抵消處理的時間。于是，例如，當(dāng)保證閾值電壓抵消處理有足夠時間時，第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差達到驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth，使驅(qū)動晶體管!'D 處在斷開狀態(tài)下。例如，當(dāng)閾值電壓抵消處理的時間必須設(shè)置成較短時，第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差大于驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth，可能未使驅(qū)動晶體管Tltev處在斷開狀態(tài)下。也就是說，作為閾值電壓抵消處理的結(jié)果，驅(qū)動晶體管Tltev未必處在斷開狀態(tài)下。(V0fs-Vth) <(Vth_EL+VCat) ... (2)在[時段-TP (5) 2]中，第二節(jié)點ND2的電位最終變成，例如，(VQfs_Vth)。也就是說，第二節(jié)點ND2的電位只取決于驅(qū)動晶體管Itev的閾值電壓Vth和初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電壓Vms確定。換句話說，第二節(jié)點ND2的電位不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓
^th-EL。[時段_丁卩(5)3](參見圖13八)此后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在低電平上，而第一節(jié)點初始化晶體管TNDi—保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管Tac處在斷開狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在Vms=OV上)，和處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位也未改變，保持在(VMs-Vth=-3V)上。[時段-TP(5)4](參見圖13B)接著，如果第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi根據(jù)第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104的操作處在低電平上，則第一節(jié)點初始化晶體管Tnm處在斷開狀態(tài)下。第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電位基本上未改變(實際上，電位因像寄生電容那樣的靜電耦合而發(fā)生改變，但這種改變通?？珊雎圆挥?。接著，描述[時段-ΤΡ(5)5]-[時段-TP(5)7]的每個時段。如下所述，在[時段-TP (5) 5]中進行寫入處理，在[時段-TP (5) 6]中進行遷移率校正處理。如上所述，這些處理必須在第m水平掃描時段內(nèi)進行。為了便于描述，將假設(shè)[時段-TP (5) 5]的開頭和[時段-TP (5) 6]的末端分別與第m水平掃描時段的開頭和末端匹配地加以描述。
[時段-TP(5)5](參見圖13C)此后，進行驅(qū)動晶體管Itev的寫入處理。特別是，雖然第一節(jié)點初始化晶體管Tm、第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2、和發(fā)光控制晶體管保持在斷開狀態(tài)下，但如果根據(jù)視頻信號輸出電路102的操作將數(shù)據(jù)線DTL的電位被設(shè)置成控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig，然后根據(jù)掃描電路101的操作(也就是說，通過平緩掃描信號)使掃描線SCL處在高電平上，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位上升到VSig。電容單元C1的電容具有值C1，發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca的電容具有值ca。假設(shè)驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的寄生電容的值是cgs。當(dāng)驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電位從Vws變化到VSig(>VMs)時，原則上，電容單元C1兩端上的電位(第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點ND2的電位)發(fā)生改變。也就是說，基于驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電位(=第 一節(jié)點ND1的電位)的變化(Vsig-Vws)的電荷被分配給電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca、和驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的寄生電容。順便說一下，如果值Ca充分大于值C1和值Cgs，則基于驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電位變化(Vsig-Vws)的驅(qū)動晶體管TD 的源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位變化很小。一般說來，發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca的電容值大于電容單元C1的電容值C1和驅(qū)動晶體管Itev的寄生電容的電容值cgs。為了便于描述，不考慮由第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化地加以描述，除非另有特別要求。這同樣適用于其他驅(qū)動電路。圖11的驅(qū)動時序圖是未考慮由第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化示出的。當(dāng)驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極(第一節(jié)點ND1)的電位是Vg，和驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位是Vs時，Vg的值和Vs的值如下。由于這個原因，第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差，即，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差Vgs可以用表達式(3)表達。Vg=VsigVs^Voft-VlI,Vgs=Vslg-(VofS-Vth) ... (3)也就是說，在驅(qū)動晶體管Tltev的寫入處理中獲得的Vgs只取決于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig、驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth、和初始化驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電壓VMs。Vgs不取決于發(fā)光單兀ELP的閾值電壓Vthi。[時段-TP(5)6](參見圖13D)此后，根據(jù)驅(qū)動晶體管遷移率μ的幅度校正驅(qū)動晶體管源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位(遷移率校正處理)。一般說來，當(dāng)使用多晶硅薄膜晶體管等制造驅(qū)動晶體管Tltev時，在晶體管之間不可避免地引起遷移率μ不同。于是，即使將相同值的驅(qū)動信號Vsig施加于遷移率μ不同的多個驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極，在流入遷移率μ大的驅(qū)動晶體管Tltev中的漏極電流Ids與流入遷移率μ小的驅(qū)動晶體管Tltev中的漏極電流Ids之間存在差異。如果產(chǎn)生了這種差異，則顯示設(shè)備的屏幕均勻性受到損害。于是，特別是，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa_。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在高電平上，而驅(qū)動晶體管Tltev保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管處在接通狀態(tài)下。接著，如果掃描線SCL在經(jīng)過了預(yù)定時間Utl)之后根據(jù)掃描電路101的操作處在低電平上，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，而第一節(jié)點ND1(驅(qū)動晶體管Ttov的柵極電極)處在浮置狀態(tài)下。其結(jié)果是，當(dāng)驅(qū)動晶體管！'㈣的遷移率μ的值大時，驅(qū)動晶體管！'D 的源極區(qū)的電位的上升量AV (電位校正值)增大。當(dāng)驅(qū)動晶體管Tltev的遷移率μ的值小時，驅(qū)動晶體管TD 的源極區(qū)的電位的上升量AV (電位校正值)減小。驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差Vgs從表達式(3)修改成表達式(4)。Vgs=Vslg-(Voft-Vlll)-AV ... ( 3 )進行遷移率校正處理的預(yù)定時間([時段-TP (5) 6]的總時間h)可以在設(shè)計顯示設(shè)備時事先確定為設(shè)計值。[時段-TP(5)6]的總時間h被確定，以便那時的驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)的電位(VQfs-Vth+AV)滿足表達式(2丨)。于是，在[時段-TP(5)6]中，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。借助于遷移率校正處理，同時校正系數(shù)k (1/2) · (ff/L) -Cm)的變化。(V0fs-Vth+ Δ V) < (Vth_EL-VCat) ... (2 / )·
[時段-TP(5)7](參見圖13E)借助于上述操作，完成了閾值電壓抵消處理、寫入處理、和遷移率校正處理。另一方面，如果掃描線SCL根據(jù)掃描電路101的操作處在低電平上，則結(jié)果是，視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，第一節(jié)點ND1, S卩，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極處在浮置狀態(tài)下。發(fā)光控制晶體管保持在接通狀態(tài)下，發(fā)光控制晶體管的漏極區(qū)與控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電流供應(yīng)單元100 (電壓V。。，例如，20V)連接，用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光。其結(jié)果是，第二節(jié)點ND2的電位上升。如上所述，由于驅(qū)動晶體管柵極電極處在浮置狀態(tài)下，以及配備了電容單元C1，所以驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極經(jīng)受與所謂自舉電路相同的現(xiàn)象，第一節(jié)點ND1的電位也上升。其結(jié)果是，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差Vgs保持在表達式(4)的數(shù)值上。由于第二節(jié)點ND2的電位上升并超過(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，由于流入發(fā)光單元ELP中的電流是從驅(qū)動晶體管Tltev的漏極區(qū)流到源極區(qū)的漏極電流Ids，所以這個電流可以用表達式(I)表達。根據(jù)表達式(I)和(4)，可以將表達式(I)修改成表達式(5)。Ids=k· μ · (Vsig-V0fs-AV)2 ... (5)于是，當(dāng)Vws被設(shè)置成OV時，流入發(fā)光單元ELP中的電流Ids與從控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig的值中減去由驅(qū)動晶體管Itev的遷移率μ引起的第二節(jié)點ND2 (驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū))的電位校正值Λ V獲得的值的平方成正比。換句話說，流入發(fā)光單元ELP中的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管TDrv的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth影響。第(n，m)發(fā)光單元ELP的亮度具有與相關(guān)電流Ids相對應(yīng)的值。由于驅(qū)動晶體管Tltev具有較大遷移率μ，所以電位校正值A(chǔ)V，使表達式(4)左側(cè)的Vgs值降低。于是，在表達式(5)中，即使遷移率μ的值較大，(Vsig-Vws-AV)2的值也減小，從而校正漏極電流ids。也就是說，在遷移率μ不同的驅(qū)動晶體管Itev中，如果驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig的值相同，則漏極電流Ids也基本相同。其結(jié)果是，流入發(fā)光單元ELP中和控制發(fā)光單元ELP亮度的電流Ids達到均勻。也就是說，可以校正由遷移率μ的變化(也是k的變化)引起的發(fā)光單元的亮度變化。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)到第(m+m' _1)水平掃描時段。這個時間對應(yīng)于[時段-TP (5)-J的末端。通過上面的處理，完成了發(fā)光單元ELP (第(n，m)子像素)的發(fā)光操作。在[時段-TP(5)5](參見圖13C)的寫入處理中，從掃描電路101發(fā)出，通過掃描線SCL到達構(gòu)成發(fā)光元件I的視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極的掃描信號的長短取決于發(fā)光元件I的位置。于是，在這種情況下，第一節(jié)點ND1的電位朝著Vsig上升，但第一節(jié)點ND1的電位不對應(yīng)于、…其結(jié)果是，在顯示設(shè)備顯示時出現(xiàn)陰影或不規(guī)則。順便說一下，在例子的顯示設(shè)備中，配備了第一電容性負(fù)載單元和/或第二電容性負(fù)載單元。由于這個原因，到達視頻信號寫入晶體管Tsig的柵極電極的掃描信號的脈沖寬度在顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元件與與掃描電路相鄰的發(fā)光元件之間的差異減小了。其結(jié)果是，可以抑制第一節(jié)點ND1的電位不對應(yīng)于Vsig的現(xiàn)象，并且，可以減小在顯示設(shè)備的中央部分中的發(fā)光元·件與與掃描電路相鄰的發(fā)光元件之間的亮度差異，從而解決了像在在顯示設(shè)備顯示時出現(xiàn)陰影或不規(guī)則那樣的問題。這同樣適應(yīng)用于下述的例子5-7。[例子5]例子5涉及4Tr/lC驅(qū)動電路。圖14是例子5的驅(qū)動電路的概念圖。圖15是4Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖。圖16是示意性驅(qū)動時序圖。圖17A-17D和18A-18D示意性地示出了每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等。在4Tr/lC驅(qū)動電路中，從上述5Tr/lC驅(qū)動電路中除去了第一節(jié)點初始化晶體管Tndio也就是說，4Tr/lC驅(qū)動電路含有視頻信號寫入晶體管Tsig、驅(qū)動晶體管Itev、發(fā)光控制晶體管TEu、和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的四個晶體管、和一個電容單元Q。[發(fā)光控制晶體管TElJ發(fā)光控制晶體管Ta。的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的發(fā)光控制晶體管Ta。相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[驅(qū)動晶體管TDrv]驅(qū)動晶體管Tltev的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的驅(qū)動晶體管Tltev相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2]第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[視頻信號寫入晶體管Tsig]視頻信號寫入晶體管Tsig的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的視頻信號寫入晶體管Tsig相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。雖然視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與數(shù)據(jù)線DTL連接，但從視頻信號輸出電路102不僅供應(yīng)控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)，而且供應(yīng)初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電壓VMs。這一點與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的視頻信號寫入晶體管Tsig的操作不同。除了 Vsig或Vms之外的其他信號/電壓(例如，預(yù)充電驅(qū)動的信號)也可以通過數(shù)據(jù)線DTL從視頻信號輸出電路102供應(yīng)給源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域。[發(fā)光單元ELP]
發(fā)光單元ELP的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的發(fā)光單元ELP相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。在下文中，描述4Tr/lC驅(qū)動電路的操作。[時段-TP(4) _J (參見圖 16 和 17A)[時段-TP(4) _J是，例如，前顯示幀中的操作，并且是與5Tr/lC驅(qū)動電路中的[時段_TP(5)_J相同的操作。顯示在圖16中的[時段時段-TP(4)4]是與顯示在圖11中的[時段-TP(5) J-[時段-TP(5)4]相對應(yīng)的時段，并且是緊接在進行下一個寫入處理之前的時段。與5Tr/lC驅(qū)動電路類似，在[時段-TP(4)J-[時段_TP(4)4]中，第(n，m)發(fā)光單 元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。4Tr/lC驅(qū)動電路的操作與5Tr/lC驅(qū)動電路的操作不同之處在于，除了顯示在圖16中的[時段-TP(4)5]-[時段-ΤΡ(4)6]之外，[時段-TP(4)2]-[時段-TP (4) 4]也包括在第m水平掃描時段中。為了便于描述，將假設(shè)[時段-TP (4) 2]的開頭和[時段-TP(4)6]的末端分別與第m水平掃描時段的開頭和末端匹配地加以描述。在下文中，將描述[時段-TP (4) J-[時段-TP (4) 4]的每個時段。如5Tr/lC驅(qū)動電路所述，[時段-TP (4) J的開頭或[時段-TP (4) J-[時段-TP (4) 4]的每個時段的長度可以依照顯示設(shè)備的設(shè)計適當(dāng)設(shè)置。[時段-TP(4) J[時段-TP(A)tl]是，例如，從前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作，并且是與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP (5) J基本相同的操作。[時段-丁卩⑷丨](參見圖17B)[時段_TP(4)J對應(yīng)于在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段_TP(5)J。在[時段_TP(4)J中，進行進行下面所述的閾值電壓抵消處理的預(yù)處理。在[時段_TP(4)J開始的時間上，如果第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2根據(jù)第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105的操作處在高電平上，則第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，第二節(jié)點ND2的電位變成Vss (例如，-10V)。為了跟隨第二節(jié)點ND2的電位下降，處在浮置狀態(tài)下的第一節(jié)點ND1 (驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極)的電位也下降。由于在[時段-TP (4) J中第一節(jié)點ND1的電位取決于[時段_TP(4)_J中第一節(jié)點ND1的電位(由前幀中Vsig的值決定)，所以第一節(jié)點ND1的電位不具有恒定值。[時段-TP(4)2](參見圖17C)此后，如果根據(jù)視頻信號輸出電路102的操作將數(shù)據(jù)線DTL的電位設(shè)置成VQfs，以及掃描線SCL根據(jù)掃描電路101的操作處在高電平上，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位變成Vws (例如，0V)。第二節(jié)點ND2的電位保持在Vss (例如，-10V)上。此后，如果第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2根據(jù)第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105的操作處在低電平上，則第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處在斷開狀態(tài)下。與[時段-TP(4)2]的開頭或[時段-TP(4)2]的中途同時，可以使視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。借助于上述處理，使驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差等于或大于Vth，并且使驅(qū)動晶體管Tltev處在接通狀態(tài)下。
[時段-TP(4)3](參見圖17D)接著，進行閾值電壓抵消處理。也就是說，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在高電平上，而視頻信號寫入晶體管Tsig保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，雖然第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在Vws=OV上)，但處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位上升，使第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差接近驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差達到Vth，則驅(qū)動晶體管Itev處在斷開狀態(tài)下。特別是，使處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位接近(VQfs-Vth=-3V)，最終變成(Vws-Vth)。如果表達式(2)得到保證，換句話說，如果電位被選擇和確定成滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP⑷3]中，第二節(jié)點ND2的電位最終變成，例如，(Vws-Vth)。也就是說，第二節(jié)點ND2的電位只取決于驅(qū)動晶體管Itev的閾值電壓Vth和初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵 極電極的電壓Vws地確定。第二節(jié)點ND2的電位不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_a。[時段-TP(4)J(參見圖 18A)此后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在低電平上，而視頻信號寫入晶體管Tsig保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管處在斷開狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在Vms=OV上)，和處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位基本上也未改變(實際上，電位因像寄生電容那樣的靜電耦合而發(fā)生改變，但這種改變通?？珊雎圆挥?，保持在(VMs-Vth=_3V)上。接著，將描述[時段-ΤΡ(4)5]-[時段-TP(4)7]的每個時段。這些時段是與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP(5)5]-[時段-TP (5) 7]基本相同的操作。[時段-TP(4)5](參見圖18B)接著，進行驅(qū)動晶體管Tltev的寫入處理。具體地說，視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，并且，雖然視頻信號寫入晶體管Tsig、第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2、和發(fā)光控制晶體管保持在斷開狀態(tài)下，但根據(jù)視頻信號輸出電路102的操作將數(shù)據(jù)線DTL的電位改變成控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)VSig。此后，如果掃描線SCL在第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管保持在斷開狀態(tài)下的時候處在高電平上(也就是說，通過平緩掃描信號)，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。于是，如5Tr/lC驅(qū)動電路所述，可以獲得描述在表達式(3)中的值作為第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差，即，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差。也就是說，在4Tr/lC驅(qū)動電路中，在驅(qū)動晶體管Tltev的寫入處理中獲得的Vgs只取決于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig、驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth、和初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電壓VMs。Vgs不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓
^th-EL。[時段-TP⑷6](參見圖18C)此后，根據(jù)驅(qū)動晶體管Tltev的遷移率μ的幅度校正驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位(遷移率校正處理)。具體地說，可以進行與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP (5)6]相同的操作。進行遷移率校正處理的預(yù)定時間([時段-TP (4)6]的總時間t0)可以在設(shè)計顯示設(shè)備時事先確定為設(shè)計值。[時段-TP⑷7](參見圖18D)
借助于上述操作，完成了閾值電壓抵消處理、寫入處理、和遷移率校正處理。由于進行了與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP(5)7]相同的處理，以及第二節(jié)點ND2的電位上升并超過(Vthi+VCat )，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，由于流入發(fā)光單元ELP中的電流可以通過表達式(5 )獲得，所以流入發(fā)光單元ELP中的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth影響。還可以抑制由驅(qū)動晶體管!'㈣的遷移率μ變化引起的漏極電流Ids變化的發(fā)生。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)到第(m+m' -I)水平掃描時段。這個時間對應(yīng)于[時段-TP (4) _J的末端。通過上面的處理，完成了發(fā)光單元ELP (第(n，m)子像素)的發(fā)光操作。[例子6]
例子6涉及3Tr/lC驅(qū)動電路。圖19是例子6的驅(qū)動電路的概念圖。圖20是3Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖。圖21是示意性驅(qū)動時序圖。圖22A-22D和23A-23E示意性地示出了每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等。在3Tr/lC驅(qū)動電路中，從上述5Tr/lC驅(qū)動電路中除去了第一節(jié)點初始化晶體管Tnm和第二節(jié)點初始化晶體管TND2。也就是說，3Tr/lC驅(qū)動電路含有視頻信號寫入晶體管Tsig、發(fā)光控制晶體管TEIj—。、和驅(qū)動晶體管Itev的二個晶體管、和一個電容單兀G。[發(fā)光控制晶體管TelJ發(fā)光控制晶體管Ta。的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的發(fā)光控制晶體管Ta c相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[驅(qū)動晶體管TDrv]驅(qū)動晶體管Tltev的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的驅(qū)動晶體管Tltev相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[視頻信號寫入晶體管Tsig]視頻信號寫入晶體管Tsig的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的視頻信號寫入晶體管Tsig相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。雖然視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與數(shù)據(jù)線DTL連接，但從視頻信號輸出電路102不僅供應(yīng)控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)，而且供應(yīng)初始化驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電壓VMs_H和電壓VMs_p這一點與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的視頻信號寫入晶體管Tsig的操作不同。除了 Vsig* VMs_H/VMd之外的其他信號/電壓(例如，預(yù)充電驅(qū)動的信號)也可以通過數(shù)據(jù)線DTL從視頻信號輸出電路102供應(yīng)給源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域。電壓VMs_H和電壓VMs<的值不局限于，例如，如下的值。V0fs_H=大約 30VV0fs_L=大約 OV[值cEL與C1之間的關(guān)系]如下所述，在3Tr/IC驅(qū)動電路中，必須使用數(shù)據(jù)線DTL改變第二節(jié)點ND2的電位。在上述的5Tr/lC驅(qū)動電路或4Tr/lC驅(qū)動電路中，假設(shè)值Ca充分大于值C1和值Cgs而未考慮基于驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電位變化(Vsig-Vws)的驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位變化地作了描述(這同樣適用于下述的2Tr/lC驅(qū)動電路)。在3Tr/lC驅(qū)動電路中，為了設(shè)計，將值C1設(shè)置成大于其他驅(qū)動電路(例如，值C1是值Ca的大約1/4到1/3)。于是，由第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化與其他驅(qū)動電路相比較大。由于這個原因，在3Tr/lC的情況下，將考慮由第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化地加以描述。圖21的驅(qū)動時序圖被顯示成考慮了由第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的發(fā)光單元ELP相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。在下文中，描述3Tr/lC驅(qū)動電路的操作。[時段-TP(3)_J(參見圖 21 和 22A)[時段_TP(3)_J是，例如，前顯示幀中的操作，并且是與在5Tr/lC驅(qū)動電路中描 述的[時段-TP (5) _J基本相同的操作。顯示在圖21中的[時段-TP(3)q]_[時段_TP(3)4]是與顯示在圖11中的[時段-TP(5) J-[時段-TP(5)4]相對應(yīng)的時段，并且是緊接在進行下一個寫入處理之前的時段。與5Tr/lC驅(qū)動電路類似，在[時段-TP (3) J-[時段-TP (3) 4]中，第(n，m)發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。如圖21所示，3Tr/lC驅(qū)動電路的操作與5Tr/lC驅(qū)動電路的操作不同之處在于，除了 [時段-TP (3) 5]_ [時段-TP (3) 6]之外，[時段-TP⑶J-[時段-TP (3)4]也包括在第m水平掃描時段中。為了便于描述，將假設(shè)[時段-TP (3) J的開頭和[時段-TP (3) 6]的末端分別與第m水平掃描時段的開頭和末端匹配地加以描述。在下文中，將描述[時段-TP (3) J-[時段-TP (3) 4]的每個時段。如5Tr/lC驅(qū)動電路所述，[時段_TP(3)J-[時段-TP(3)4]的每個時段的長度可以依照顯示設(shè)備的設(shè)計適
當(dāng)設(shè)置。[時段_ΤΡ(3)。](參見圖 22B)[時段-TPOci]是，例如，從前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作，并且是與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP (5) J基本相同的操作。[時段-TP(3) J (參見圖 22C)當(dāng)前幀中的第m行的水平掃描時段從這里開始。在[時段_TP(3)J開始的時間上，如果根據(jù)視頻信號輸出電路102的操作將數(shù)據(jù)線DTL的電位設(shè)置成初始化驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電壓VMs_H，然后如果掃描線SCL根據(jù)掃描電路101的操作處在高電平上，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位變成VMs_H。如上所述，為了設(shè)計，由于電容單元C1的值C1大于其它驅(qū)動電路，所以源極區(qū)的電位(第二節(jié)點ND2的電位)上升。由于發(fā)光單元ELP兩端的電位差超過閾值電壓Vthi，所以發(fā)光單元ELP處在導(dǎo)通狀態(tài)下，但驅(qū)動晶體管！'DCT的源極區(qū)的電位再次直降到(Vthi+VCat)。在些期間，盡管發(fā)光單元ELP可能發(fā)光，但發(fā)光是短暫的，不會對實際使用造成問題。驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極保持在電壓VMs_H上。[時段-TP(3)2](參見圖22D)此后，如果根據(jù)視頻信號輸出電路102的操作將數(shù)據(jù)線DTL的電位從初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電壓VMs_H改變成電壓Vn，則第一節(jié)點ND1的電位變成VMs_p隨著第一節(jié)點ND1的電位下降，第二節(jié)點ND2的電位也下降。也就是說，基于驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電位變化(VMs_fVMs_H)的電荷被分配給電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca、和驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的寄生電容。作為下述的[時段-TP(3)3]中的操作的假設(shè)，在[時段-TP (3) 2]結(jié)束的時間上，第二節(jié)點ND2的電位必須低于V^-Vth。V0fS_H等的值被設(shè)置成滿足這些條件。也就是說，借助于上述處理，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差等于或大于vth，使驅(qū)動晶體管Tltev處在接通狀態(tài)下。[時段-TP(3)3](參見圖23A)接著，進行閾值電壓抵消處理。也就是說，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在高電平上，而視頻信號寫入晶體管Tsig保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，雖然第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在VMs_fOV上)，但處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位上升，使第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電位差接近驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動晶體管Itev的
柵極電極與源極區(qū)之間的電位差達到Vth，則驅(qū)動晶體管Itev處在斷開狀態(tài)下。特別是，使處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位接近(VMs_f Vth=-3V)，最終變成(VMs_f Vth)。如果表達式(2)得到保證，換句話說，如果電位被選擇和確定成滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP⑶3]中，第二節(jié)點ND2的電位最終變成，例如，(V0fs_L-Vth)o也就是說，第二節(jié)點ND2的電位只取決于驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth和初始化驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極的電壓Vms+地確定。第二節(jié)點ND2的電位不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓
^th-EL。[時段1卩(3)4](參見圖238)此后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。根據(jù)發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處在低電平上，而視頻信號寫入晶體管Tsig保持在接通狀態(tài)下，則發(fā)光控制晶體管處在斷開狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在￥%<=0￥上)，和處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位也未改變，保持在(Vn_Vth=_3V)上。接著，將描述[時段-ΤΡ(3)5]-[時段-TP(3)7]的每個時段。這些時段是與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP(5)5]-[時段-TP (5) 7]基本相同的操作。[時段-TP(3)5](參見圖23C)接著，進行驅(qū)動晶體管Tltev的寫入處理。具體地說，視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，并且，雖然視頻信號寫入晶體管Tsig和發(fā)光控制晶體管Tl。保持在斷開狀態(tài)下，但將數(shù)據(jù)線DTL的電位改變成控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)VSig。此后，如果掃描線SCL在發(fā)光控制晶體管Ta。保持在斷開狀態(tài)下的時候處在高電平上(也就是說，通過平緩掃描信號)，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。在[時段-TP (3) 5]中，第一節(jié)點ND1的電位從VMs_l上升到VSig。由于這個原因，如果考慮由第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化，則第二節(jié)點ND2的電位略有上升。也就是說，第二節(jié)點ND2的電位可以通過VMs_fVth+α · (Vsig-V0fsJ來表達。關(guān)系0〈α〈1成立，α的值由電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca等來決定。于是，如5Tr/lC驅(qū)動電路所述，可以獲得描述在表達式(3丨)中的值作為第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差，即，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差。
Vgg=VSig-(VOivL-V(h)-a*(VSig-VQis-lJ ... ( 3f)也就是說，在3Tr/lC驅(qū)動電路中，在驅(qū)動晶體管Tltev的寫入處理中獲得的Vgs只取決于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig、驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth、和初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電壓VMs_p Vgs不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓
^th-EL。[時段_丁卩(3)6](參見圖230)此后，根據(jù)驅(qū)動晶體管Tltev的遷移率μ的幅度校正驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位(遷移率校正處理)。具體地說，可以進行與在 5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP (5)6]相同的操作。進行遷移率校正處理的預(yù)定時間([時段-TP (3)6]的總時間t0)可以在設(shè)計顯示設(shè)備時事先確定為設(shè)計值。[時段-TP⑶7](參見圖23E)借助于上述操作，完成了閾值電壓抵消處理、寫入處理、和遷移率校正處理。由于進行了與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-TP(5)7]相同的處理，以及第二節(jié)點ND2的電位上升并超過(Vthi+VCat )，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，由于流入發(fā)光單元ELP中的電流可以通過表達式(5 )獲得，所以流入發(fā)光單元ELP中的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth影響。還可以抑制由驅(qū)動晶體管!'㈣的遷移率μ變化引起的漏極電流Ids變化的發(fā)生。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)到第(m+m' _1)水平掃描時段。這個時間對應(yīng)于[時段-TP (3) _J的末端。通過上面的處理，完成了發(fā)光單元ELP (第(n，m)子像素)的發(fā)光操作。[例子7]例子7涉及2Tr/lC驅(qū)動電路。圖I是構(gòu)成例子7的驅(qū)動電路的電路的概念圖。圖2示出了 2Tr/lC驅(qū)動電路的等效電路圖。圖24是示意性驅(qū)動時序圖。圖25A-25F示意性地示出了每個晶體管的接通/斷開狀態(tài)等。在2Tr/lC驅(qū)動電路中，從上述5Tr/lC驅(qū)動電路中除去了第一節(jié)點初始化晶體管Tnm、發(fā)光控制晶體管Ta e和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的三個晶體管。也就是說，2Tr/lC驅(qū)動電路含有視頻信號寫入晶體管Tsig和驅(qū)動晶體管Tltev的兩個晶體管、和一個電容單元C10[驅(qū)動晶體管TDrv]驅(qū)動晶體管Tltev的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的驅(qū)動晶體管Tltev相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。驅(qū)動晶體管!'DCT的漏極區(qū)與電流供應(yīng)單元100連接。控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電壓Vrc_H和控制驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)的電位的電壓都從電流供應(yīng)單元100供應(yīng)。電壓Vcmi和Vrc+可以是如下值。Vcc_h=20VVCC_L=-10V但是，電壓Vcxhi和Vcxmj不局限于這些值。[視頻信號寫入晶體管Tsig]視頻信號寫入晶體管Tsig的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的視頻信號寫入晶體管Tsig相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的發(fā)光單元ELP相同，因此不再重復(fù)對它的詳細描述。 在下文中，描述2Tr/lC驅(qū)動電路的操作。[時段-TP(2) _J (參見圖 24 和 25A)[時段_TP(2)_J是，例如，前顯示幀中的操作，并且是與在5Tr/lC驅(qū)動電路中描述的[時段-TP (5) _J基本相同的操作。
顯示在圖24中的[時段-TP(2)q]_[時段_TP(2)2]是與顯示在圖11中的[時段-TP (5) J -[時段-TP (5) 4]相對應(yīng)的時段，并且是緊接在進行下一個寫入處理之前的操作時段。與5Tr/lC驅(qū)動電路類似，在[時段-TP(2) J-[時段-TP(2)2]中，第(n，m)發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。如圖24所示，2Tr/lC驅(qū)動電路的操作與5Tr/lC驅(qū)動電路的操作不同之處在于，除了 [時段-TP(2)3]之外，[時段-TP (2) J-[時段-TP (2) 2]也包括在第m水平掃描時段中。為了便于描述，將假設(shè)[時段-TP (2) J的開頭和[時段-TP (3) 3]的末端分別與第m水平掃描時段的開頭和末端匹配地加以描述。在下文中，將描述[時段-TP (2) J-[時段-TP (2) 2]的每個時段。如5Tr/lC驅(qū)動電路所述，[時段_TP(2)J-[時段-TP(2)3]的每個時段的長度可以依照顯示設(shè)備的設(shè)計適
當(dāng)設(shè)置。[時段_ΤΡ(2)。](參見圖 25B)[時段-TP^tl]是，例如，從前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作。也就是說，[時段-TP^tl]是從前顯示幀中的第(m+m')水平掃描時段到當(dāng)前顯示幀中的第(m-1)水平掃描時段的時段。在[時段-TP (2) J中，第(n，m)發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下，在從[時段_TP(2)_J變到[時段-TP^tl]的時間上，從電流供應(yīng)單元100供應(yīng)的電壓從Vrc_H切換到電壓上。其結(jié)果是，第二節(jié)點ND2 (驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)或發(fā)光單元ELP的陽極電極)的電位下降到V。。+使發(fā)光單元ELP處在不發(fā)光狀態(tài)下。為了跟隨第二節(jié)點ND2的電位下降，處在浮置狀態(tài)下的第一節(jié)點ND1 (驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極)的電位也下降。[時段-TP(2) J (參見圖 25C)當(dāng)前幀中的第m行的水平掃描時段.開始。在[時段_TP(2)J開始的時間上，如果掃描線SCL根據(jù)掃描電路101的操作處在高電平上，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下。其結(jié)果是，第一節(jié)點ND1的電位變成Vws (例如，0V)。第二節(jié)點ND2的電位保持在 Vcc-L (例如，-ι ν)上。借助于上述處理，驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差等于或大于Vth,使驅(qū)動晶體管Tltev處在接通狀態(tài)下。[時段-TP(2)2](參見圖25D)接著，進行閾值電壓抵消處理。也就是說，如果視頻信號寫入晶體管Tsig保持在接通狀態(tài)下，則從電流供應(yīng)單元100供應(yīng)的電壓從電壓V。。+切換到Vrc_H。其結(jié)果是，雖然第一節(jié)點ND1的電位未改變(保持在Vws=OV上)，但處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位上升，使第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差接近驅(qū)動晶體管Itev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極與源極區(qū)之間的電位差達到Vth，則驅(qū)動晶體管Tltev處在斷開狀態(tài)下。特別是，使處在浮置狀態(tài)下的第二節(jié)點ND2的電位接近(VMs-Vth=-3V)，最終變成(VMs_Vth)。如果表達式(2)得到保證，換句話說，如果電位被選擇和確定成滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP⑵2]中，第二節(jié)點ND2的電位最終變成，例如，(Vws-Vth)。也就是說，第二節(jié)點ND2的電位只取決于驅(qū)動晶體管Itev的閾值電壓Vth和初始化驅(qū)動晶體管Tltev的柵極電極的電壓VMs。第二節(jié)點ND2的電位不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_a。[時段-TP(2)3](參見圖25E)接著，進行驅(qū)動晶體管Tltev的寫入處理和根據(jù)驅(qū)動晶體管Tltev的遷移率μ的幅度校正驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位(遷移率校正處理)。具體地說，視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，將數(shù)據(jù)線DTL的電位改變成控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)Vsig,然后，如果掃描線SCL處在高電平上(也就是說，通過平緩掃描·信號)，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在接通狀態(tài)下，使驅(qū)動晶體管Itev處在接通狀態(tài)下。與5Tr/lC驅(qū)動電路的描述不同，由于將電位從電流供應(yīng)單元100施加于驅(qū)動晶體管Itev的漏極區(qū)，所以驅(qū)動晶體管Tltev的源極區(qū)的電位上升。當(dāng)經(jīng)過了預(yù)定時間Utl)時，如果掃描線SCL處在低電平上，則視頻信號寫入晶體管Tsig處在斷開狀態(tài)下，和第一節(jié)點ND1 (驅(qū)動晶體管Itev的柵極電極)處在浮置狀態(tài)下。[時段-TP(2)3]的總時間h可以在設(shè)計顯示設(shè)備時事先確定為設(shè)計值，以便第二節(jié)點ND2的電位變成(VMs-Vth+AV)。在[時段-TP(2)3]中，當(dāng)驅(qū)動晶體管Tltev的遷移率μ的值大時，驅(qū)動晶體管Itev的源極區(qū)的電位的上升量AV就大。當(dāng)驅(qū)動晶體管Itev的遷移率μ的值小時，驅(qū)動晶體管Ttov的源極區(qū)的電位的上升量AV就小。[時段_丁卩(2)4](參見圖25卩)借助于上述操作，完成了閾值電壓抵消處理、寫入處理、和遷移率校正處理。由于進行了與在5Tr/lC驅(qū)動電路中所述的[時段-ΤΡ(5)7]相同的處理，以及第二節(jié)點ND2的電位上升并超過(Vthi+VCat )，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，由于流入發(fā)光單元ELP中的電流可以通過表達式(5 )獲得，所以流入發(fā)光單元ELP中的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動晶體管Tltev的閾值電壓Vth影響。還可以抑制由驅(qū)動晶體管!'㈣的遷移率μ變化引起的漏極電流Ids變化的發(fā)生。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)到第(m+m' _1)水平掃描時段。這個時間對應(yīng)于[時段-TP (2)-J的末端。通過上面的處理，完成了發(fā)光單元ELP (第(n，m)子像素)的發(fā)光操作。盡管根據(jù)優(yōu)選例子描述了按照本公開實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置，但按照本公開實施例的顯示設(shè)備以及電子裝置不局限于這些例子。這些例子中的顯示設(shè)備、發(fā)光元件或驅(qū)動電路的配置或結(jié)束是用于例示的，可以作適當(dāng)改變。盡管在這些例子中，各種晶體管都是TFT，但也可以替代性地使用M0SFET。例如，在2Tr/lC驅(qū)動電路的操作中，可以將[時段-TP (2) 3]劃分成[時段-TP (2) 3]和[時段-TP (2) ’ 3]的兩個時段。在[時段-TP(2)3]中，如上所述，視頻信號寫入晶體管Tsig可以立即處在斷開狀態(tài)下，并且可以將數(shù)據(jù)線DTL的電位改變成控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動信號(亮度信號)VSig。此后，在[時段-TP(2)丨3]中，如果掃描線SCL處在高電平上(也就是說，通過平緩掃描線信號)，則視頻信號寫入晶體管Tsig可以處在接通狀態(tài)下。盡管在這些例子中，已經(jīng)描述了各種晶體管是η溝道型的情況，但在一些情況下，一部分或整個驅(qū)動電路可以由P溝道晶體管構(gòu)成。按照本公開實施例的顯示設(shè)備可以應(yīng)用于，例如，電視接收器、構(gòu)成數(shù)碼相機的監(jiān)視器、構(gòu)成攝像機的監(jiān)視器、構(gòu)成個人計算機的監(jiān)視器、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)中的各種顯示單元、移動電話、智能電話、便攜式音樂播放器、游戲機、電子書、電子字典、電子取景器(EVF)、和頭戴式顯示器(HMD)。也就是說，按照本公開實施例的電子裝置的例子包括電視接收器、數(shù)碼相機、攝像機、個人計算機、PDA、移動電話、智能電話、便攜式音樂播放器、游戲機、電子書、電子字典、電子取景器、和頭戴式顯示器。按照本公開實施例的顯示設(shè)備配備在這些電子裝置中。盡管在這些例子中，描述了顯示單元唯獨由有機電致發(fā)光發(fā)光單元構(gòu)成的顯示單元的情況，但發(fā)光單元也可以由像液晶發(fā)光單元、無機電致發(fā)光發(fā)光單元、LED發(fā)光單元、或半導(dǎo)體激光發(fā)光單元那樣的自發(fā)光發(fā)光單元構(gòu)成。本發(fā)明可以實現(xiàn)成如下配置。
[1] 顯示設(shè)備第一實施例>>一種顯示設(shè)備，其包括(A)掃描電路；(B)視頻信號輸出電路；(C)電流供應(yīng)單元；(D)與所述電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線；(E)與所述掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線；(F)與所述視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路，其中，每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，以及將電容性負(fù)載單元配備在每條掃描線與每個掃描電路之間。[2]如[I]所述的顯示設(shè)備，其中將第二電容性負(fù)載單元配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中。[3]如[I]或[2]所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)通過電容性負(fù)載單元和相應(yīng)掃描線從每個掃描電路輸入到沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PW1-。,和輸入到沿著第二方向的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PWg時，滿足如下條件O. 95 彡 PW1VPKl。[4]如[1]_[3]的任何一項所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元含有晶體管，以及電容性負(fù)載單元的電容由晶體管的柵極電容構(gòu)成。[5]如[1]_[3]的任何一項所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，以及—個電極由相應(yīng)掃描線構(gòu)成。
[6]如[1]-[5]的任何一項所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元的電容通過沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件的亮度與沿著第二方向的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線的寄生電容確定。[7]如[1]_[6]的任何一項所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元的電容是每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線的寄生電容的5倍到200倍。[8]如[1]_[7]的任何一項所述的顯示設(shè)備,其中驅(qū)動電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管；(B)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管；以及(C)電容單元， 在該驅(qū)動晶體管中，(A-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)電流供應(yīng)線連接；(A-2)源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與發(fā)光單元連接并與電容單元的一端連接，形成第二節(jié)點；以及(A-3)柵極電極與視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并與電容單元的另一端連接，形成第一節(jié)點；以及在該視頻信號寫入晶體管中，(B-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接；以及(B-2)柵極電極與相應(yīng)掃描線連接。[9] 顯示設(shè)備第二實施例>>一種顯示設(shè)備，其包括(A)掃描電路；(B)視頻信號輸出電路；(C)電流供應(yīng)單元；(D)與所述電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線；(E)與所述掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線；(F)與所述視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路，其中，每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，以及將電容性負(fù)載單元配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中。[10]如[9]所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)通過相應(yīng)掃描線從每個掃描電路輸入到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的終端部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PW2_E，和輸入到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件中的掃描信號的脈沖寬度是PW2_。時，滿足如下條件O. 95 ( PW2_E/PW2_C〈1。[11]如[9]或[10]所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元含有晶體管，以及
電容性負(fù)載單元的電容由晶體管的柵極電容構(gòu)成。[12]如[9]或[10]所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，以及一個電極由相應(yīng)數(shù)據(jù)線構(gòu)成。[13]如[9]或[12]的任何一項所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元的電容通過相應(yīng)數(shù)據(jù)線的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度與相應(yīng)數(shù)據(jù)線的終端部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和終端部分中的一個發(fā)光元件中的掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容確定。
[14]如[9]或[13]的任何一項所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元的電容是每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的5倍到10倍。[15]如[9]或[13]的任何一項所述的顯示設(shè)備,其中驅(qū)動電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管；(B)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管；以及(C)電容單元，在該驅(qū)動晶體管中，(A-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)電流供應(yīng)線連接；(A-2)源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與發(fā)光單元連接并與電容單元的一端連接，形成第二節(jié)點；以及(A-3)柵極電極與視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并與電容單元的另一端連接，形成第一節(jié)點；以及在該視頻信號寫入晶體管中，(B-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接；以及(B-2)柵極電極與相應(yīng)掃描線連接。[16]〈〈電子裝置》一種電子裝置，其包括如[1]_[15]的任何一項所述的顯示設(shè)備。本公開包含與公開在2011年8月23日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2011-181798中的主題有關(guān)的主題，特此通過引用并入其全部內(nèi)容。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以出現(xiàn)各種修改、組合、子組合和變更，只要它們在所附權(quán)利要求或其等價物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種顯不設(shè)備，其包含 (A)掃描電路； (B)視頻信號輸出電路； (C)電流供應(yīng)單元； (D)與所述電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線； (E)與所述掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線； (F)與所述視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及 (G)以二維矩陣排列的沿著第一方向的N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方 向的M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路， 其中，每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，以及 將電容性負(fù)載單元配備在每條掃描線與每個掃描電路之間。
2.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中將第二電容性負(fù)載單元進一步配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中。
3.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中，當(dāng)通過電容性負(fù)載單元和相應(yīng)掃描線從每個掃描電路，輸入到沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件的掃描信號的脈沖寬度是PW1-。，和輸入到沿著第二方向的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的掃描信號的脈沖寬度是PW1-E時，滿足如下條件 0. 95 ≤ PW卜E/P l。
4.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元含有晶體管，以及 電容性負(fù)載單元的電容由晶體管的柵極電容構(gòu)成。
5.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，以及 一個電極由相應(yīng)掃描線構(gòu)成。
6.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元的電容通過沿著第一方向的中央部分和沿著第二方向的中央部分中的發(fā)光元件的亮度與沿著第二方向的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線的寄生電容確定。
7.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元的電容是每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線的寄生電容的5倍到200倍。
8.按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備， 其中驅(qū)動電路至少包括 (A)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管； (B)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管；以及 (C)電容單元，在該驅(qū)動晶體管中， (A-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)電流供應(yīng)線連接； (A-2)源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與發(fā)光單元連接并與電容單元的一端連接，并且形成第二節(jié)點；以及 (A-3)柵極電極與視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并與電容單元的另一端連接，并且形成第一節(jié)點；以及在該視頻信號寫入晶體管中， (B-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接；以及 (B-2)柵極電極與相應(yīng)掃描線連接。
9.一種顯不設(shè)備,其包含 (A)掃描電路； (B)視頻信號輸出電路； (C)電流供應(yīng)單元； (D)與所述電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線； (E)與所述掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線； (F)與所述視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及 (G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光元件的總共NXM個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路， 其中，每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接，以及 將電容性負(fù)載單元配備在每條數(shù)據(jù)線的終端部分中。
10.按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備， 其中，當(dāng)通過相應(yīng)掃描線從每個掃描電路，輸入到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的終端部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的掃描信號的脈沖寬度是PW2_E，和輸入到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的掃描信號的脈沖寬度是PW2_。時，滿足如下條件 0.95 ( PW2_E/PW2_C〈1。
11.按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元含有晶體管，以及 電容性負(fù)載單元的電容由晶體管的柵極電容構(gòu)成。
12.按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元具有兩個電極和介于兩個電極之間的介電層，以及 一個電極由相應(yīng)數(shù)據(jù)線構(gòu)成。
13.按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備， 其中電容性負(fù)載單元的電容通過相應(yīng)數(shù)據(jù)線的中央部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度與相應(yīng)數(shù)據(jù)線的終端部分中與每個掃描電路相鄰的發(fā)光元件的亮度之間的亮度差、該亮度差的期望值、和終端部分中的一個發(fā)光元件上的掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容確定。
14.按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中電容性負(fù)載單元的電容是每個發(fā)光元件的相應(yīng)掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的5倍到10倍。
15.按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備， 其中驅(qū)動電路至少包括 (A)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的驅(qū)動晶體管； (B)具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、和柵極電極的視頻信號寫入晶體管；以及 (C)電容單元， 在該驅(qū)動晶體管中， (A-I)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)電流供應(yīng)線連接； (A-2)源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域與發(fā)光單元連接并與電容單元的一端連接，并且形成第二節(jié)點；以及 (A-3)柵極電極與視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)的另一個區(qū)域連接并與電容單元的另一端連接，并且形成第一節(jié)點；以及在該視頻信號寫入晶體管中， (B-1)源極/漏極區(qū)的一個區(qū)域與相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接；以及 (B-2)柵極電極與相應(yīng)掃描線連接。
16.一種電子裝置，其包含 按照權(quán)利要求I所述的顯示設(shè)備。
17.一種電子裝置，其包含 按照權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備。
全文摘要
公開了一種顯示設(shè)備以及電子裝置，該顯示設(shè)備包括(A)掃描電路；(B)視頻信號輸出電路；(C)電流供應(yīng)單元；(D)與電流供應(yīng)單元連接和沿著第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線；(E)與掃描電路連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線；(F)與視頻信號輸出電路連接和沿著第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線；以及(G)以二維矩陣排列的沿著第一方向N個發(fā)光元件和沿著與第一方向不同的第二方向M個發(fā)光元件的總共N×M個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件含有發(fā)光單元和驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動電路。每個發(fā)光元件的驅(qū)動電路與相應(yīng)電流供應(yīng)線、相應(yīng)掃描線、和相應(yīng)數(shù)據(jù)線連接。將電容性負(fù)載單元配備在每條掃描線與每個掃描電路之間。
文檔編號G09G3/32GK102956194SQ20121030318
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月23日
發(fā)明者三并徹雄 申請人:索尼公司