專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，更具體地講，涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
通常，在主動(dòng)型平板顯示裝置中，多個(gè)像素以矩陣排列，并且根據(jù)給定的明度信息來(lái)控制像素中的光的強(qiáng)度，從而顯示圖像。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器是一種電激發(fā)磷有機(jī)材料來(lái)顯示圖像的顯示裝置。作為一種能耗低、視角廣、響應(yīng)速度高的自發(fā)射顯示裝置，OLED顯示器可輕松地顯示高品質(zhì)的運(yùn)動(dòng)圖像。
OLED顯示器包括有機(jī)發(fā)光器件(OLED)和驅(qū)動(dòng)OLED的薄膜晶體管(TFT)。根據(jù)主動(dòng)層(active layer)的類(lèi)型，TFT分為多晶硅TFT和非晶硅TFT。
由于可以在低溫下沉積非晶硅來(lái)形成薄膜，所以非晶硅主要用于包括低熔點(diǎn)的玻璃基底的顯示裝置的開(kāi)關(guān)元件的半導(dǎo)體層。然而，由于非晶硅TFT的電子遷移率低，從而難以通過(guò)利用非晶硅TFT來(lái)獲得大面積的顯示裝置。此外，由于對(duì)非晶硅TFT的控制端連續(xù)地供應(yīng)直流電，致使TFT的閾值電壓會(huì)漂移，從而會(huì)使TFT劣化。由于這個(gè)原因，OLED顯示器的使用壽命會(huì)大大地降低。
因此，需要具有高電子遷移率、良好的高頻工作特性和低泄漏電流的多晶硅TFT。具體地講，低溫多晶硅(LTPS)背板可延長(zhǎng)OLED顯示器的使用壽命。然而，包含在激光結(jié)晶化中的激光發(fā)射(laser shot)的痕跡會(huì)導(dǎo)致一個(gè)面板中的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓出現(xiàn)偏差，從而會(huì)劣化屏幕的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有多晶硅TFT的OLED顯示器和用于其的驅(qū)動(dòng)方法，所述OLED顯示器能夠補(bǔ)償閾值電壓的變化。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種包括多個(gè)像素的顯示裝置，其中，每個(gè)像素包括發(fā)光元件；第一電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管，具有輸入端、結(jié)合到發(fā)光元件的輸出端和連接到第二節(jié)點(diǎn)的控制端，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管將驅(qū)動(dòng)電流提供給發(fā)光元件以發(fā)光；第一開(kāi)關(guān)單元，根據(jù)第一掃描信號(hào)將第一基準(zhǔn)電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端并將第一節(jié)點(diǎn)連接到數(shù)據(jù)電壓或驅(qū)動(dòng)晶體管；第二開(kāi)關(guān)單元，根據(jù)第二掃描信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓提供到驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端并將第一節(jié)點(diǎn)連接到驅(qū)動(dòng)電壓。
在本發(fā)明的前述方面中，第一開(kāi)關(guān)單元可包括第一開(kāi)關(guān)晶體管，第一開(kāi)關(guān)晶體管根據(jù)第一掃描信號(hào)將第一基準(zhǔn)電壓連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端。
此外，第一開(kāi)關(guān)單元可包括第二開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)第一掃描信號(hào)將數(shù)據(jù)電壓連接到第一節(jié)點(diǎn)；第三開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)第一掃描信號(hào)將第一節(jié)點(diǎn)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端。
第二開(kāi)關(guān)單元可包括第四開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)第二掃描信號(hào)將數(shù)據(jù)電壓連接到第一節(jié)點(diǎn)；第五開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)第二掃描信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端。
所述第一掃描信號(hào)可以基本上同時(shí)導(dǎo)通第一開(kāi)關(guān)晶體管和第三開(kāi)關(guān)晶體管而截止第二開(kāi)關(guān)晶體管，或者基本上同時(shí)截止第一開(kāi)關(guān)晶體管和第三開(kāi)關(guān)晶體管而導(dǎo)通第二開(kāi)關(guān)晶體管。
第二掃描信號(hào)可以基本上同時(shí)導(dǎo)通第四開(kāi)關(guān)晶體管而截止第五開(kāi)關(guān)晶體管，或者基本上同時(shí)截止第四開(kāi)關(guān)晶體管而導(dǎo)通第五開(kāi)關(guān)晶體管。
第一開(kāi)關(guān)晶體管至第五開(kāi)關(guān)晶體管以及驅(qū)動(dòng)晶體管可由多晶硅薄膜晶體管制成，驅(qū)動(dòng)晶體管可為p溝道型薄膜晶體管。第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道類(lèi)型可與第二開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管的溝道類(lèi)型不同。
像素還可以包括連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二基準(zhǔn)電壓之間的第二電容器，第二基準(zhǔn)電壓可等于驅(qū)動(dòng)電壓。第一基準(zhǔn)電壓可等于數(shù)據(jù)電壓。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括發(fā)光元件；第一電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管，具有輸入端、連接到發(fā)光元件的輸出端和連接到第二節(jié)點(diǎn)的控制單元；第一開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第一掃描信號(hào)操作，并且連接在第一基準(zhǔn)電壓和第二節(jié)點(diǎn)之間；第二開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第一掃描信號(hào)操作，并且連接在數(shù)據(jù)電壓和第一節(jié)點(diǎn)之間；第三開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第一掃描信號(hào)操作，并且連接在第一節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端之間；第四開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第二掃描信號(hào)操作，并連接在數(shù)據(jù)電壓和第一節(jié)點(diǎn)之間；第五開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第二掃描信號(hào)操作，并連接在驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端之間。
在本發(fā)明的前述方面中，可順序地設(shè)置第一、第二、第三、第四時(shí)間段。在第一時(shí)間段內(nèi)，第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而第二開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管截止。在第二時(shí)間段內(nèi)，第一開(kāi)關(guān)晶體管和第三開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而第二開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管截止。在第三時(shí)間段內(nèi)，第二開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，并且第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管截止。在第四時(shí)間段內(nèi)，第五開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管截止。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種驅(qū)動(dòng)顯示裝置的方法，該顯示裝置包括發(fā)光元件、連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的第一電容器、連接到第一節(jié)點(diǎn)的第二電容器和驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有輸入端、輸出端和連接到第二節(jié)點(diǎn)的控制端，所述方法包括的步驟有將第一基準(zhǔn)電壓施加到第二節(jié)點(diǎn)；將驅(qū)動(dòng)電壓施加到第一節(jié)點(diǎn)；使存儲(chǔ)在第一電容器中的電壓放電；將數(shù)據(jù)電壓施加到第一節(jié)點(diǎn)；將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端。
在本發(fā)明的前述方面中，對(duì)第一節(jié)點(diǎn)施加驅(qū)動(dòng)電壓的步驟可包括將第一節(jié)點(diǎn)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端。
放電步驟可以包括將第一節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端從驅(qū)動(dòng)電壓斷開(kāi)。
對(duì)第一節(jié)點(diǎn)施加數(shù)據(jù)電壓的步驟可包括使驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端浮置。
浮置步驟可以包括將驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端從第一節(jié)點(diǎn)斷開(kāi)。
對(duì)第一節(jié)點(diǎn)施加數(shù)據(jù)電壓的步驟可以包括將第二節(jié)點(diǎn)從第一基準(zhǔn)電壓斷開(kāi)。該方法還可以包括將驅(qū)動(dòng)電壓施加到第二電容器。


通過(guò)參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的方框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器中的像素的等效電路圖；圖3是示出在圖2中示出的OLED顯示器的像素的驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)發(fā)光器件的剖面的剖視圖；
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的有機(jī)發(fā)光器件的示意性視圖；圖5是示出用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2中的OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的示例的時(shí)序圖；圖6至圖9是在圖5中示出的時(shí)間段內(nèi)像素的等效電路圖；圖10是示出響應(yīng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和閾值電壓的控制端電壓和輸出電流的波形圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED顯示器的方框圖；圖12是示出用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖11中的OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的示例的時(shí)序圖；圖13和圖14是根據(jù)本發(fā)明的可選擇實(shí)施例的OLED顯示器中的像素的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，從而本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
在附圖中，為了清晰地示出層和區(qū)域的目的，放大了層和區(qū)域的厚度。此外，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。如果指出層、膜、區(qū)域或板設(shè)置在不同的元件上，則包括所述的層、膜、區(qū)域或板直接設(shè)置在不同的元件上的情況，也包括在它們之間設(shè)置有另一元件的情況。相反，如果指出一個(gè)元件直接設(shè)置在另一元件上，則意思是在它們之間沒(méi)有設(shè)置其它元件。
首先，將參照?qǐng)D1和圖2來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的方框圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的像素的等效電路圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例的OLED顯示器包括顯示面板300、掃描驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500、發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700和信號(hào)控制器600，掃描驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700連接到顯示面板300，信號(hào)控制器600控制上述元件。
還參照?qǐng)D1，顯示面板300包括多條信號(hào)線G1-Gn、D1-Dm和S1-Sn以及多條電壓線(未示出)和多個(gè)像素Px，多個(gè)像素Px連接到信號(hào)線G1-Gn、D1-Dm和S1-Sn并且基本以矩陣排列。
信號(hào)線G1-Gn、D1-Dm和S1-Sn包括多條掃描信號(hào)線G1-Gn，其傳輸掃描信號(hào)；多條數(shù)據(jù)線D1-Dm，其傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；多條發(fā)射信號(hào)線S1-Sn，其傳輸發(fā)射信號(hào)。掃描信號(hào)線G1-Gn和發(fā)射信號(hào)線S1-Sn基本上在行方向上延伸并基本上相互平行，對(duì)于每個(gè)像素，設(shè)置一條掃描信號(hào)線和一條發(fā)射信號(hào)線。數(shù)據(jù)線D1-Dm基本上在列方向上延伸并基本上相互平行。
電壓線包括傳輸驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的驅(qū)動(dòng)電壓線(未示出)。
如圖2中的等效電路圖所示，每個(gè)像素Px包括有機(jī)發(fā)光元件LD、驅(qū)動(dòng)晶體管Qd、兩個(gè)電容器C1和C2和五個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5，有機(jī)發(fā)光元件LD例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
驅(qū)動(dòng)晶體管Qd具有輸出端Nd、輸入端Ns和控制端Ng。輸出端Nd連接到有機(jī)發(fā)光元件LD，輸入端Ns通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管Qs5連接到驅(qū)動(dòng)電壓Vdd。控制端Ng連接到節(jié)點(diǎn)N2，電容器C2和開(kāi)關(guān)晶體管Qs1也連接到該節(jié)點(diǎn)N2。
電容器C1的一端連接到節(jié)點(diǎn)N1，電容器C2及開(kāi)關(guān)晶體管Qs2和Qs3也連接到該節(jié)點(diǎn)N1，電容器C1的另一端連接到驅(qū)動(dòng)電壓Vdd。電容器C2連接在節(jié)點(diǎn)N1和節(jié)點(diǎn)N2之間。
有機(jī)發(fā)光元件LD具有連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的陽(yáng)極和連接到共電壓Vss的陰極。根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Qd提供的電流ILD的量，有機(jī)發(fā)光元件LD發(fā)射不同強(qiáng)度的光，從而可以顯示圖像。電流ILD的量取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng和輸入端Ns之間的電壓的大小。
開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs3響應(yīng)掃描信號(hào)Vgi操作。
開(kāi)關(guān)晶體管Qs1連接在數(shù)據(jù)電壓Vdat和節(jié)點(diǎn)N2之間，開(kāi)關(guān)晶體管Qs2連接在開(kāi)關(guān)晶體管Qs4和節(jié)點(diǎn)N1之間，開(kāi)關(guān)晶體管Qs3連接在節(jié)點(diǎn)N1和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸入端Ns之間。
開(kāi)關(guān)晶體管Qs4和Qs5響應(yīng)發(fā)射信號(hào)Vsi操作。
開(kāi)關(guān)晶體管Qs4連接在數(shù)據(jù)電壓Vdat和開(kāi)關(guān)晶體管Qs2之間，開(kāi)關(guān)晶體管Qs5連接在驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸入端Ns之間。
開(kāi)關(guān)晶體管Qs1、Qs3和Qs4是n溝道型多晶硅薄膜晶體管(TFT)，開(kāi)關(guān)晶體管Qs2和Qs5以及驅(qū)動(dòng)晶體管Qd是p溝道型多晶硅TFT。然而，這些晶體管可以是非晶硅TFT，并且晶體管Qs1-Qs5及Qd的溝道類(lèi)型可顛倒。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D3和圖4來(lái)詳細(xì)描述OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。
圖3是在圖2中示出的OLED顯示器的像素的示例性驅(qū)動(dòng)晶體管和示例性有機(jī)發(fā)光元件的剖視圖，圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的有機(jī)發(fā)光元件的示意性視圖。
如圖3所示，阻擋膜111設(shè)置在透明的介電基底110上。阻擋膜111可由氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)或其它形成，并且可具有多層結(jié)構(gòu)。
由多晶硅制成的半導(dǎo)體構(gòu)件151設(shè)置在阻擋膜111上。
半導(dǎo)體構(gòu)件151包括含有導(dǎo)電雜質(zhì)的非本征區(qū)域和幾乎不含導(dǎo)電雜質(zhì)的本征區(qū)域。非本征區(qū)域包括雜質(zhì)濃度高的重?fù)诫s區(qū)域和雜質(zhì)濃度低的輕摻雜區(qū)域。
本征區(qū)域包括溝道區(qū)154。重?fù)诫s區(qū)域包括源區(qū)153和漏區(qū)155，源區(qū)153和漏區(qū)155相對(duì)于置于其間的溝道區(qū)154相互分隔開(kāi)。輕摻雜區(qū)域152包括輕摻雜漏(LDD)區(qū)152，輕摻雜漏區(qū)152介于源區(qū)153和溝道區(qū)154以及漏區(qū)155和溝道區(qū)154之間，并且輕摻雜漏區(qū)152比其他區(qū)域窄。
這里，導(dǎo)電雜質(zhì)的例子可包括p型雜質(zhì)，如硼(B)和鎵(Ga)，或者包括n型雜質(zhì)，如磷(P)和砷(As)。LDD區(qū)152防止TFT中的電流泄漏或穿通現(xiàn)象。LDD區(qū)152可被不含雜質(zhì)的偏置區(qū)域代替。此外，在p型TFT中，可省略LDD區(qū)152。
柵極絕緣層140由硅氧化物(SiOx)或者硅氮化物(SiNx)制成，它的厚度為幾百個(gè)埃()，并且柵極絕緣層140設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件151上。
與半導(dǎo)體構(gòu)件151的溝道區(qū)154疊置的控制電極124設(shè)置在柵極絕緣層140上?？刂齐姌O124可由鋁基金屬如鋁(A1)和鋁合金，銀基金屬如銀(Ag)和銀合金，銅基金屬如銅(Cu)和銅合金，鉬基金屬如鉬(Mo)和鉬合金，鉻(Cr)，鈦(Ti)或鉭(Ta)制成。然而，控制電極124可具有包含兩個(gè)導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)，所述的兩個(gè)導(dǎo)電層具有不同的物理性能。為了減少信號(hào)延遲或降低壓降，兩個(gè)導(dǎo)電層之一由低電阻率的金屬制成，所述的低電阻率的金屬例如鋁基金屬、銀基金屬和銅基金屬。另一個(gè)導(dǎo)電層由具有良好的物理性能、化學(xué)性能并與其他材料尤其是ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)具有良好的電接觸性能的材料制成，所述材料例如鉬基金屬、鉻、鈦和鉭。優(yōu)選的組合例子為下鉻層和上鋁(合金)層的組合及下鋁(合金)層和上鉬(合金)層的組合。然而，控制電極124可由不同的金屬和導(dǎo)電材料制成?？刂齐姌O124的側(cè)表面相對(duì)于基底110的表面傾斜，從而其上的薄膜可平穩(wěn)地連接到此。
中間絕緣膜160形成在控制電極124和柵極絕緣層140上。中間絕緣膜160可由無(wú)機(jī)材料如硅氮化物、有機(jī)材料或者低介電絕緣材料制成。低介電絕緣材料可包括a-Si:C:O或a-Si:O:F，通過(guò)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)來(lái)形成它們。形成中間絕緣膜160的材料可具有感光性，并且中間絕緣膜160可具有平坦的表面。
暴露源區(qū)153和漏區(qū)155的接觸孔163和165形成在中間絕緣膜160和柵極絕緣層140中。
輸入電極173和輸出電極175形成在中間絕緣膜160上。
輸入電極173和輸出電極175相對(duì)于置于其間的控制電極124相互分隔開(kāi)。輸入電極173和輸出電極175通過(guò)接觸孔163和165連接到源區(qū)153和漏區(qū)155。
控制電極124、輸入電極173和輸出電極175與半導(dǎo)體構(gòu)件151一起形成了驅(qū)動(dòng)晶體管Qd。
輸入電極173和輸出電極175優(yōu)選地由鉻、鉬基金屬或者難熔金屬如鉭和鈦制成。此外，輸入電極173和輸出電極175可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由難熔金屬制成的下層(未示出)和位于下層之上的低電阻率材料制成的上層(未示出)。作為多層結(jié)構(gòu)的例子，雙層結(jié)構(gòu)為下鉻(合金)層和上鋁層及下鉬(合金)層和上鋁層，以及三層結(jié)構(gòu)為下鉬(合金)層、中間鋁(合金)層和上鉬(合金)層。輸入電極173和輸出電極175的側(cè)表面也相對(duì)于基底110的表面傾斜。
保護(hù)膜(鈍化膜)180形成在輸入電極173、輸出電極175和中間絕緣膜160上。保護(hù)膜180可由與中間絕緣膜160的材料相同的材料制成。暴露輸出電極175的接觸孔185形成在保護(hù)膜180中。
像素電極190形成在保護(hù)膜180上。像素電極190通過(guò)接觸孔185與輸出電極175物理連接并電連接，并且像素電極190可由透明的導(dǎo)電材料如ITO和IZO或者反射金屬如鋁、銀或其合金制成。
此外，隔墻360形成在保護(hù)膜180上。隔墻360像堤岸一樣圍繞像素電極190，用于限定開(kāi)口，并且隔墻360可由有機(jī)絕緣材料或者無(wú)機(jī)絕緣材料制成。
有機(jī)發(fā)光構(gòu)件370形成在被隔墻360圍繞的像素電極190的區(qū)域中。
如圖4所示，有機(jī)發(fā)光構(gòu)件370具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括發(fā)射層(EML)和用于提高發(fā)射層的發(fā)光效率的輔助層。輔助層包括電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)，電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)平衡電子和空穴，電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)提高電子和空穴的注入。可省略輔助層。
共電極270形成在隔墻360和有機(jī)發(fā)光構(gòu)件370上。共電極270被供給共電壓Vss，并且由反射金屬如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鋁(Al)和銀(Ag)，或者透明的導(dǎo)電材料如ITO和IZO制成。
在頂部發(fā)射型OLED顯示器中采用不透明的像素電極190和透明的共電極270，頂部發(fā)射型OLED顯示器在顯示面板300的向上的方向上顯示圖像。在底部發(fā)射型OLED顯示器中采用透明的像素電極190和不透明的共電極270，底部發(fā)射型OLED顯示器在顯示面板300的向下的方向上顯示圖像。
像素電極190、有機(jī)發(fā)光構(gòu)件370和共電極270形成圖2中示出的有機(jī)發(fā)光元件LD。這里，像素電極190和共電極270分別變成陽(yáng)極和陰極。否則，像素電極190和共電極270分別變?yōu)殛帢O和陽(yáng)極。有機(jī)發(fā)光元件LD根據(jù)有機(jī)發(fā)光元件370的材料發(fā)射原色中的一種顏色的光。原色的例子是三原色，如紅色、綠色和藍(lán)色。通過(guò)原色的空間組合可以獲得期望的輸出顏色。
返回參照?qǐng)D1，掃描驅(qū)動(dòng)器400連接到顯示面板300的掃描信號(hào)線G1-Gn，并將由高電壓Von和低電壓Voff組成的掃描信號(hào)Vgi施加到掃描信號(hào)線G1-Gn。
發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700連接到發(fā)射信號(hào)線S1-Sn，并且將由高電壓Von和低電壓Voff組成的發(fā)射信號(hào)Vsi施加到發(fā)射信號(hào)線S1-Sn。
高電壓Von導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管Qs1、Qs3和Qs4，或者截止開(kāi)關(guān)晶體管Qs2和Qs5。低電壓Voff截止開(kāi)關(guān)晶體管Qs1、Qs3和Qs4，或者導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管Qs2和Qs5。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500連接到顯示面板300的數(shù)據(jù)線D1-Dm并將代表圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓Vdat施加到數(shù)據(jù)線D1-Dm。
信號(hào)控制器600控制掃描驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700的操作。
掃描驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700可以以多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)芯片的形式直接安裝在顯示面板300上?？蛇x擇地，掃描驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700可安裝在柔性印刷電路(FPC)膜(未示出)上，然后以載帶封裝(TCP)的形式附于顯示面板300上。可選擇地，掃描驅(qū)動(dòng)器400、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500或發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700可集成在顯示面板300上。另一方面，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500和信號(hào)控制器600可集成在單一IC芯片(一個(gè)芯片)中。在這種情況下，掃描驅(qū)動(dòng)器400和發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700可任選地集成在該IC中。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D5至圖9及圖1一起來(lái)詳細(xì)描述OLED顯示器的顯示操作。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2中的OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的例子的時(shí)序圖。圖6至圖9是在圖5中示出的時(shí)間段內(nèi)像素的等效電路圖。
信號(hào)控制器600從外部圖形控制器(未示出)接收輸入圖像信號(hào)R、G、B和用于控制輸入圖像信號(hào)R、G、B的顯示的輸入控制信號(hào)。作為輸入控制信號(hào)的例子，垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、主時(shí)鐘信號(hào)MCLK和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE被接收。信號(hào)控制器600根據(jù)顯示面板組件300的工作條件來(lái)處理圖像信號(hào)R、G、B，并基于輸入控制信號(hào)和輸入圖像信號(hào)R、G、B來(lái)產(chǎn)生掃描控制信號(hào)CONT1、已處理的圖像信號(hào)DAT、數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2和發(fā)射控制信號(hào)CONT3。然后，信號(hào)控制器600將掃描控制信號(hào)CONT1發(fā)送到掃描驅(qū)動(dòng)器400，將已處理的圖像信號(hào)DAT和數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2發(fā)送到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，將發(fā)射控制信號(hào)CONT3發(fā)送到發(fā)射控制器700。
掃描控制信號(hào)CONT1包括用于向掃描驅(qū)動(dòng)器400指出圖像掃描的起始的圖像掃描起始信號(hào)STV和用于控制掃描信號(hào)Vgi中高電壓Von和低電壓Voff的輸出時(shí)序的至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)等。掃描控制信號(hào)CONT1還可以包括用于限定掃描信號(hào)Vgi中高電壓Von的持續(xù)時(shí)間的輸出使能信號(hào)OE。
數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2包括水平同步起始信號(hào)STH，用于表示一個(gè)像素行的數(shù)據(jù)傳輸；負(fù)載信號(hào)LOAD，用于命令數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500將相關(guān)的數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線D1-Dm；數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)HCLK等。
發(fā)射控制信號(hào)CONT3包括同步信號(hào)，用于發(fā)射掃描的起始；至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，用于控制發(fā)射信號(hào)Vsi中高電壓Von和低電壓Voff的輸出時(shí)序。發(fā)射控制信號(hào)CONT3還可以包括用于限定發(fā)射信號(hào)Vsi中高電壓Von的持續(xù)時(shí)間的信號(hào)。
現(xiàn)在，以下的描述指的是顯示面板300中的特定像素行，例如第i行。
響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500接收用于第i像素行的像素Px的圖像數(shù)據(jù)DAT，并且將對(duì)應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)DAT的數(shù)據(jù)電壓Vdat施加到數(shù)據(jù)線D1-Dm。
掃描驅(qū)動(dòng)器400響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的掃描控制信號(hào)CONT1，將施加到掃描信號(hào)線Gi的掃描信號(hào)Vgi的電壓電平轉(zhuǎn)換成高電壓Von。因此，在連接到掃描信號(hào)線Gi的第i像素行中，開(kāi)關(guān)晶體管Qs1和Qs3導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)晶體管Qs2截止。這時(shí)，發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700將施加到發(fā)射信號(hào)線Si的發(fā)射信號(hào)Vsi的電壓電平維持在低電壓Voff，連接到發(fā)射信號(hào)線Si的第i像素行中的開(kāi)關(guān)晶體管Qs4維持在截止?fàn)顟B(tài)，而在第i像素行中的開(kāi)關(guān)晶體管Qs5保持在導(dǎo)通狀態(tài)。
圖6示出了在上述步驟中的像素Px的等效電路圖。與這個(gè)步驟對(duì)應(yīng)的時(shí)間段指的是圖5中的預(yù)充電時(shí)間段T1。
如圖6所示，節(jié)點(diǎn)N1和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸入端Ns被供給驅(qū)動(dòng)電壓Vdd，節(jié)點(diǎn)N2，即，驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng，被供給數(shù)據(jù)電壓Vdat。兩個(gè)節(jié)點(diǎn)N1和N2之間的壓差存儲(chǔ)在電容器C2中。這時(shí)，優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)電壓Vdd比數(shù)據(jù)電壓Vdat高很多，從而導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管Qd。
因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Qd導(dǎo)通，然后通過(guò)輸出端Nd將取決于數(shù)據(jù)電壓Vdat和閾值電壓Vth的電流提供給有機(jī)發(fā)光元件LD。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)可以發(fā)光。然而，由于預(yù)充電時(shí)間段T1比一幀短很多，所以在預(yù)充電時(shí)間段T1期間有機(jī)發(fā)光元件LD發(fā)射的光不能被識(shí)別，并且?guī)缀醪荒苡绊懩繕?biāo)亮度。
隨后，發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700將發(fā)射信號(hào)Vsi的電壓電平轉(zhuǎn)換成高電壓Von，使得開(kāi)關(guān)晶體管Qs4導(dǎo)通而開(kāi)關(guān)晶體管Qs5截止，從而可以開(kāi)始放電時(shí)間段T2。由于在放電時(shí)間段T2期間，掃描信號(hào)Vgi保持高電壓Von，所以開(kāi)關(guān)晶體管Qs1和Qs3維持在導(dǎo)通狀態(tài)而開(kāi)關(guān)晶體管Qs2維持在截止?fàn)顟B(tài)。
然后，如圖7所示，驅(qū)動(dòng)電壓Vdd從節(jié)點(diǎn)N1和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸入端Ns斷開(kāi)。
在此期間，由于驅(qū)動(dòng)電壓Vdd大于數(shù)據(jù)電壓Vdat，所以當(dāng)放電時(shí)間段T2開(kāi)始時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管Qd維持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，存儲(chǔ)在電容器C2中的電荷通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Qd被釋放。放電一直進(jìn)行直到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng和輸入端Ns之間的壓差等于驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓Vth。這里，節(jié)點(diǎn)N1的電壓VN1會(huì)聚成等式1中示出的電壓，閾值電壓Vth存儲(chǔ)在電容器C2中。
VN1＝Vdat-Vth (等式1)其后，掃描驅(qū)動(dòng)器400將掃描信號(hào)Vgi的電壓電平轉(zhuǎn)換成低電壓Voff，使得開(kāi)關(guān)晶體管Qs1和Qs3截止而開(kāi)關(guān)晶體管Qs2導(dǎo)通，從而開(kāi)始數(shù)據(jù)輸入時(shí)間段T3。由于在數(shù)據(jù)輸入時(shí)間段T3期間，發(fā)射信號(hào)Vsi保持高電壓Von，所以開(kāi)關(guān)晶體管Qs4維持在導(dǎo)通狀態(tài)，而開(kāi)關(guān)晶體管Qs5維持在截止?fàn)顟B(tài)。
然后，如圖8所示，驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸入端Ns從節(jié)點(diǎn)N1斷開(kāi)，使得Ns處于懸浮狀態(tài)，并且節(jié)點(diǎn)N1連接到數(shù)據(jù)電壓Vdat。因此，閾值電壓Vth存儲(chǔ)在電容器C2中。由于沒(méi)有電流流過(guò)電容器C2，所以節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可指定為VN2＝Vdat+Vth(等式2)此外，電壓VC1被充入電容器C1，電壓VC1可表示為VC1＝Vdd-Vdat(等式3)當(dāng)掃描信號(hào)Vgi的電壓電平轉(zhuǎn)換成低電壓Voff后的預(yù)定時(shí)間過(guò)后，發(fā)射驅(qū)動(dòng)器700將發(fā)射信號(hào)Vsi的電壓電平轉(zhuǎn)換成低電壓Voff，使得開(kāi)關(guān)晶體管Qs4截止而開(kāi)關(guān)晶體管Qs5導(dǎo)通，從而可以開(kāi)始發(fā)射時(shí)間段T4。在反射時(shí)間段T4期間，掃描信號(hào)Vgi還保持低電壓。
然后，如圖9所示，驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸入端Ns連接到驅(qū)動(dòng)電壓Vdd，節(jié)點(diǎn)N1從數(shù)據(jù)電壓Vdat斷開(kāi)。驅(qū)動(dòng)電壓Vdd被設(shè)置成足夠高的值，從而可在飽和區(qū)操作驅(qū)動(dòng)晶體管Qd。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Qd將輸出電流ILD供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光元件LD，從而發(fā)光。
由于基本沒(méi)有電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng，所以在數(shù)據(jù)輸入時(shí)間段T3期間充入電容器C1和C2的電壓在發(fā)射時(shí)間段T4期間還維持。
結(jié)果，在節(jié)點(diǎn)N2還維持由等式2給出的電壓VN2。不用考慮驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓Vth，確定在發(fā)射時(shí)間段T4期間通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Qd流過(guò)OLED LD的驅(qū)動(dòng)電流ILD，并且OLED LD的驅(qū)動(dòng)電流ILD被給定為ILD＝1/2×K×(Vgs-Vth)2＝1/2×K×(VN2-Vdd-Vth)2＝1/2×K×(Vdat+Vth-Vdd-Vth)2
＝1/2×K×(Vdat-Vdd)2(等式4)這里，K是根據(jù)TFT性能的常數(shù)，即，K＝μCiW/L。這里，μ表示場(chǎng)效應(yīng)遷移率；Ci表示絕緣層的電容；W表示驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的溝道寬度；L表示驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的溝道長(zhǎng)度。
如等式4給出，在發(fā)射時(shí)間段T4期間的輸出電流ILD僅由數(shù)據(jù)電壓Vdat和驅(qū)動(dòng)電壓Vdd確定。由于驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓Vth不影響輸出電流ILD，所以不管驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓Vth的變化如何，都可以顯示均勻的圖像。
發(fā)射時(shí)間段T4一直進(jìn)行直到下一幀的第i像素行中的像素Px的預(yù)充電時(shí)間段T1開(kāi)始。對(duì)下一像素行中的像素Px重復(fù)上述的時(shí)間段T1至T4的操作。然而，例如，在第i像素行的數(shù)據(jù)輸入時(shí)間段結(jié)束后，第(i+1)像素行的預(yù)充電時(shí)間段T1開(kāi)始。在這種方式下，對(duì)于所有的掃描信號(hào)線G1-Gn和發(fā)射信號(hào)線S1-Sn順序地重復(fù)時(shí)間段T1-T4，從而可以顯示與所有像素Px相關(guān)的圖像。
可根據(jù)需要來(lái)調(diào)節(jié)時(shí)間段T1-T4的長(zhǎng)度。在預(yù)充電時(shí)間段T1期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可將數(shù)據(jù)電壓Vdat施加到數(shù)據(jù)線D1-Dm。然而，在放電時(shí)間T2段內(nèi)，數(shù)據(jù)電壓Vdat可不改變。
同時(shí)，在傳統(tǒng)的OLED顯示器中，為了將驅(qū)動(dòng)晶體管初始化，控制端和輸出端被二極管連接。出于這個(gè)原因，開(kāi)關(guān)晶體管設(shè)置在控制端和輸出端之間。然而，由于開(kāi)關(guān)晶體管的柵電極和源電極之間的寄生電容根據(jù)TFT的結(jié)構(gòu)而變化顯著，所以不能初始化二極管連接的驅(qū)動(dòng)晶體管。結(jié)果，不能補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，從而不能顯示均勻的圖像。
然而，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器中，驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng和輸出端Nd沒(méi)有被二極管連接。但是，通過(guò)在預(yù)充電時(shí)間段T1期間直接將數(shù)據(jù)電壓Vdat直接施加到控制端Ng并且將驅(qū)動(dòng)電壓Vdd施加到輸入端Ns來(lái)將驅(qū)動(dòng)晶體管Qd初始化，從而可以穩(wěn)定地補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓的變化。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D10來(lái)描述取決于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器中的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變化的輸出電流的仿真結(jié)果。
圖10示出了響應(yīng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和閾值電壓的控制端電壓和輸出電流的波形。
圖10示出了在驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth為-1.0V、-1.5V和-2.0V的情況下驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端電壓Vng和輸出電流ILD。通過(guò)利用SPICE(集成電路模擬的仿真程序)來(lái)執(zhí)行仿真。作為仿真的條件，高電壓Von、低電壓Voff和數(shù)據(jù)電壓Vdat分別被設(shè)置為10V、-4V和大約2.5V。在該仿真條件下，隨著驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓變化大約0.5V的電壓階躍，控制端Ng的電壓變化大約0.5V的電壓階躍。結(jié)果，可以得知對(duì)于這種情況有機(jī)發(fā)光元件LD的驅(qū)動(dòng)電流ILD基本彼此相等。
所述仿真示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓Vth的變化。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D11和圖12描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED顯示器。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED顯示器的框圖，圖12是示出用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖11中的OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的例子的時(shí)序圖。
如圖11所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示器的每個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光元件LD、驅(qū)動(dòng)晶體管Qd、兩個(gè)電容器C1和C2、五個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5。
圖11中的像素的開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5的溝道類(lèi)型與圖2中示出的像素的開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5的溝道類(lèi)型相反。即，在本實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管Qs1、Qs3和Qs4是p溝道型TFT，開(kāi)關(guān)晶體管Qs2和Qs5是n溝道型TFT。除了溝道類(lèi)型之外，這兩個(gè)實(shí)施例中的像素基本相同，因此省略對(duì)圖11中示出的像素的詳細(xì)描述。
由于開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5的溝道類(lèi)型改變，因此用于使開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5導(dǎo)通和截止的電壓也改變。如圖12所示，掃描信號(hào)Vgi和發(fā)射信號(hào)Vsi的電壓電平與圖5中示出的電壓電平相反。在本實(shí)施例中，在T1-T4期間的顯示操作與前述的實(shí)施例的顯示操作相同，因此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D13和圖14來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED顯示器。
圖13和圖14是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的OLED顯示器中的像素的等效電路圖。
圖13中示出的像素與圖2中示出的像素基本相同，除了開(kāi)關(guān)晶體管Qs1連接在基準(zhǔn)電壓Vref和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng之間。因此，在預(yù)放電時(shí)間段T1和放電時(shí)間段T2期間，開(kāi)關(guān)晶體管Qs1導(dǎo)通，為常數(shù)的基準(zhǔn)電壓Vref被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng。作為這種構(gòu)造，由于施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng的電壓保持在基準(zhǔn)電壓Vref并且不變，所以能更好地補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的閾值電壓Vth的變化。此外，由于在放電時(shí)間段T2期間會(huì)施加數(shù)據(jù)電壓Vdat，所以能夠確保數(shù)據(jù)電壓Vdat的驅(qū)動(dòng)時(shí)序的容限(Margin)。
此外，在圖14中示出的像素中，開(kāi)關(guān)晶體管Qs1連接在基準(zhǔn)電壓Vref和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端Ng之間。除了圖14中示出的像素的開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5的溝道類(lèi)型與圖13中示出的像素的開(kāi)關(guān)晶體管Qs1-Qs5的溝道類(lèi)型相反之外，這兩個(gè)實(shí)施例中的像素中的其他元件基本相同，因此省略對(duì)它們的詳細(xì)描述。
盡管根據(jù)本實(shí)施例的OLED顯示器的電容器C1連接在驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和節(jié)點(diǎn)N1之間，但是代替驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的另一電壓可連接到電容器C1。
根據(jù)本發(fā)明，五個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管、單個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管、兩個(gè)電容器和單個(gè)有機(jī)發(fā)光元件被設(shè)置在單個(gè)像素中，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓存儲(chǔ)在電容器中，從而能夠通過(guò)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變化來(lái)顯示均勻的圖像。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例和修改的示例，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例和示例，而是在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求、詳細(xì)描述和附圖的范圍內(nèi)的情況下，可以以各種形式做出修改。因此，自然這種修改就落入了本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種包括多個(gè)像素的顯示裝置，其中，每個(gè)所述像素包括發(fā)光元件；第一電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管，具有輸入端、連接到所述發(fā)光元件的輸出端、連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端，所述驅(qū)動(dòng)晶體管將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述發(fā)光元件以使其發(fā)光；第一開(kāi)關(guān)單元，根據(jù)第一掃描信號(hào)將第一基準(zhǔn)電壓提供給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端并將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到數(shù)據(jù)電壓或所述驅(qū)動(dòng)晶體管；第二開(kāi)關(guān)單元，根據(jù)第二掃描信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓提供到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端并將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述驅(qū)動(dòng)電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一開(kāi)關(guān)單元包括第一開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管根據(jù)所述第一掃描信號(hào)將所述第一基準(zhǔn)電壓連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述控制端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第一開(kāi)關(guān)單元還包括第二開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)所述第一掃描信號(hào)將所述數(shù)據(jù)電壓連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；第三開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)所述第一掃描信號(hào)將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第二開(kāi)關(guān)單元包括第四開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)所述第二掃描信號(hào)將所述數(shù)據(jù)電壓連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；第五開(kāi)關(guān)晶體管，根據(jù)所述第二掃描信號(hào)將所述驅(qū)動(dòng)電壓連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第一掃描信號(hào)基本上同時(shí)導(dǎo)通所述第一開(kāi)關(guān)晶體管和所述第三開(kāi)關(guān)晶體管而截止所述第二開(kāi)關(guān)晶體管，或者基本上同時(shí)截止所述第一開(kāi)關(guān)晶體管和所述第三開(kāi)關(guān)晶體管而導(dǎo)通所述第二開(kāi)關(guān)晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第二掃描信號(hào)基本上同時(shí)導(dǎo)通所述第四開(kāi)關(guān)晶體管而截止所述第五開(kāi)關(guān)晶體管，或者基本上同時(shí)截止所述第四開(kāi)關(guān)晶體管而導(dǎo)通所述第五開(kāi)關(guān)晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管至所述第五開(kāi)關(guān)晶體管以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管包含多晶硅薄膜晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包含p溝道型薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)晶體管和所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道類(lèi)型與所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的溝道類(lèi)型不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述像素還包括連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和第二基準(zhǔn)電壓之間的第二電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述第二基準(zhǔn)電壓等于所述驅(qū)動(dòng)電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一基準(zhǔn)電壓等于所述數(shù)據(jù)電壓。
13.一種顯示裝置，包括發(fā)光元件；第一電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管，具有輸入端、連接到所述發(fā)光元件的輸出端和連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端；第一開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第一掃描信號(hào)操作，并且連接在第一基準(zhǔn)電壓和所述第二節(jié)點(diǎn)之間；第二開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)所述第一掃描信號(hào)操作，并且連接在數(shù)據(jù)電壓和所述第一節(jié)點(diǎn)之間；第三開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)所述第一掃描信號(hào)操作，并且連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端之間；第四開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第二掃描信號(hào)操作，并連接在所述數(shù)據(jù)電壓和所述第一節(jié)點(diǎn)之間；第五開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)所述第二掃描信號(hào)操作，并連接在驅(qū)動(dòng)電壓和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，順序地設(shè)置第一、第二、第三、第四時(shí)間段，其中，在所述第一時(shí)間段內(nèi)，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)晶體管和所述第五開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和所述第四開(kāi)關(guān)晶體管截止，其中，在所述第二時(shí)間段內(nèi)，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管和所述第三開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和所述第五開(kāi)關(guān)晶體管截止，其中，在所述第三時(shí)間段內(nèi)，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和所述第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)晶體管和所述第五開(kāi)關(guān)晶體管截止，其中，在所述第四時(shí)間段內(nèi)，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，而所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)晶體管和所述第四開(kāi)關(guān)晶體管截止。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，還包括連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和第二基準(zhǔn)電壓之間的第二電容器。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述第二基準(zhǔn)電壓等于所述驅(qū)動(dòng)電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述第一基準(zhǔn)電壓等于所述數(shù)據(jù)電壓。
18.一種驅(qū)動(dòng)顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括發(fā)光元件、連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的第一電容器、連接到第一節(jié)點(diǎn)的第二電容器和驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有輸入端、輸出端和連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端，所述方法包括的步驟有將第一基準(zhǔn)電壓施加到所述第二節(jié)點(diǎn)；將驅(qū)動(dòng)電壓施加到所述第一節(jié)點(diǎn)；使存儲(chǔ)在所述第一電容器中的電壓放電；將數(shù)據(jù)電壓施加到所述第一節(jié)點(diǎn)；將所述驅(qū)動(dòng)電壓施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將所述驅(qū)動(dòng)電壓施加到所述第一節(jié)點(diǎn)的步驟包括將所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述放電步驟包括將所述第一節(jié)點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端從所述驅(qū)動(dòng)電壓斷開(kāi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將所述數(shù)據(jù)電壓施加到所述第一節(jié)點(diǎn)的步驟包括使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端浮置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述浮置步驟包括將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述輸入端從所述第一節(jié)點(diǎn)斷開(kāi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將所述數(shù)據(jù)電壓施加到所述第一節(jié)點(diǎn)的步驟包括將所述第二節(jié)點(diǎn)從所述第一基準(zhǔn)電壓斷開(kāi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括將所述驅(qū)動(dòng)電壓施加到所述第二電容器。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括多個(gè)像素，其中，每個(gè)像素包括發(fā)光元件；第一電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管，具有輸入端、輸出端和連接到第二節(jié)點(diǎn)的控制端，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管將驅(qū)動(dòng)電流提供給發(fā)光元件以發(fā)光；第一開(kāi)關(guān)單元，根據(jù)第一掃描信號(hào)將第一基準(zhǔn)電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管并將第一節(jié)點(diǎn)連接到數(shù)據(jù)電壓或驅(qū)動(dòng)晶體管；第二開(kāi)關(guān)單元，根據(jù)第二掃描信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓提供到驅(qū)動(dòng)晶體管并將第一節(jié)點(diǎn)連接到驅(qū)動(dòng)電壓。因此，可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變化，從而能夠顯示均勻的圖像。
文檔編號(hào)G09G3/30GK1835058SQ200610057439
公開(kāi)日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月16日
發(fā)明者樸基燦, 孟昊奭, 樸圣日, 金哲民, 金治宇, 朱勝鏞, 金一坤 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社