專利名稱：顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法、以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣型顯示裝置和其驅(qū)動(dòng)方法。本發(fā)明尤其涉及在每個(gè)像素中具有如薄膜晶體管(以下記為TFT)等的開(kāi)關(guān)元件和發(fā)光元件的顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。再有，本發(fā)明還涉及使用了該顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，形成TFT的技術(shù)有了大幅度的進(jìn)展，并推進(jìn)了有源矩陣型顯示裝置的應(yīng)用開(kāi)發(fā)。特別是，由于采用多晶硅膜作為活層的TFT具有比采用常規(guī)非晶硅膜的TFT更高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率(mobility)，因此可以高速工作。其結(jié)果，通過(guò)利用形成在與形成有像素的同一襯底上的由TFT形成的驅(qū)動(dòng)電路而可以控制像素。在如下顯示裝置中，即，由TFT構(gòu)成的各種電路形成在與形成有像素的同一襯底上，可以實(shí)現(xiàn)各種優(yōu)點(diǎn)如降低制造成本、小型化、提高成品率以及產(chǎn)量。
作為顯示裝置的每個(gè)像素所具有的顯示元件，具有電致發(fā)光元件(以下記為EL元件)即發(fā)光元件的有源矩陣型EL顯示裝置被積極地研究。EL顯示裝置也被稱為有機(jī)EL顯示器(OELDOrganic EL Display)或有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDOrganic Light Emitting Diode)一般來(lái)說(shuō)，EL元件的發(fā)光亮度和流過(guò)EL元件的電流值形成比例關(guān)系，因此，在EL元件用作顯示元件的EL顯示裝置中，發(fā)光亮度由電流值所控制。此外，還有如下驅(qū)動(dòng)方法發(fā)光亮度由電流流過(guò)EL元件的時(shí)間所控制，其中，流過(guò)EL元件的電流值是固定的。
由于EL元件的發(fā)光亮度和流過(guò)EL元件的電流值形成比例關(guān)系，因此，在EL元件用作顯示元件的EL顯示裝置中，當(dāng)電源線通過(guò)開(kāi)關(guān)元件而連接到EL元件時(shí)，開(kāi)關(guān)元件的關(guān)(OFF)電流成為問(wèn)題。解決了上述問(wèn)題的是專利文件1所記載的發(fā)明。
(專利文件1)日本專利公開(kāi)NO.2002-323873當(dāng)某個(gè)像素不管視頻信號(hào)而一直發(fā)光，即，發(fā)生一個(gè)亮點(diǎn)時(shí)，顯示裝置就大致成為不良品。與此相反，當(dāng)某個(gè)像素不管視頻信號(hào)而一直不發(fā)光，即發(fā)生暗點(diǎn)時(shí)，若只發(fā)生幾個(gè)暗點(diǎn)，顯示裝置就不成為不良品。
此外，發(fā)生亮點(diǎn)的原因之一如下在直列連接于EL元件的TFT中的源和漏之間發(fā)生短路，其結(jié)果，TFT的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子的電位與TFT的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子的電位相同，從而，EL元件不管TFT的柵電極的電位而一直發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決上述問(wèn)題，即使在直列連接于EL元件的TFT中的源和漏之間發(fā)生短路，也不發(fā)生亮點(diǎn)而發(fā)生暗點(diǎn)，以提高良品率。
本發(fā)明是一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括復(fù)數(shù)像素；形成在每個(gè)像素中的發(fā)光元件以及決定發(fā)光亮度的第一TFT、具有與第一TFT相反溝道型的第二TFT、以及電源線，其中，電源線通過(guò)第一TFT連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極；發(fā)光元件中的一個(gè)電極和第一TFT的接觸點(diǎn)通過(guò)第二TFT連接于具有如下電位的布線，即，使發(fā)光元件的一個(gè)電極和另一個(gè)電極之間的電位差低于發(fā)光元件的閾值電壓地來(lái)設(shè)定該電位；當(dāng)在第一TFT的源和漏之間發(fā)生短路并且發(fā)光元件的陽(yáng)極電位成為電源線電位而發(fā)生亮點(diǎn)的時(shí)候，開(kāi)(ON)第二TFT，以便使亮點(diǎn)成為暗點(diǎn)。例如，通過(guò)開(kāi)第二TFT而使發(fā)光元件的一個(gè)電極和另一個(gè)電極之間的電位差低于發(fā)光元件的閾值電壓，因此，發(fā)光元件就不會(huì)發(fā)光。這樣，可以使發(fā)生亮點(diǎn)的像素成為暗點(diǎn)。
連接第二TFT的低電位，只要是使發(fā)光元件的一個(gè)電極和另一個(gè)電極之間的電位差低于發(fā)光元件的閾值電壓的電位，就可以是任何電位。
發(fā)光元件的閾值電壓是指當(dāng)電流開(kāi)始流過(guò)發(fā)光元件時(shí)施加到該發(fā)光元件的電位。發(fā)光元件通過(guò)施加等于或高于閾值電壓的電位而使電流流動(dòng)從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
下面，將描述使用上述驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行顯示的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。
(第一結(jié)構(gòu))本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一開(kāi)關(guān)元件；第二開(kāi)關(guān)元件；具有一對(duì)電極的電容元件；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，第一布線通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極；第一和第二開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)被由電容元件保持的電位控制；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件開(kāi)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件關(guān)著；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件關(guān)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第二結(jié)構(gòu))本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線、第二布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一開(kāi)關(guān)元件；第二開(kāi)關(guān)元件；具有一對(duì)電極的電容元件；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，第一布線通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件連接于第二布線；第一和第二開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)被由電容元件保持的電位控制；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件開(kāi)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件關(guān)著；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件關(guān)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第三結(jié)構(gòu))本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線、第二布線、第三布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一開(kāi)關(guān)元件；第二開(kāi)關(guān)元件；第三開(kāi)關(guān)元件；具有一對(duì)電極的電容元件；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，第一布線通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極；控制第一和第二開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)的電極通過(guò)電容元件中的一個(gè)電極和開(kāi)著的第三開(kāi)關(guān)元件而連接于第二布線；電容元件中的另一個(gè)電極連接于第一布線；控制第三開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)的電極連接于第三布線；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件開(kāi)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件關(guān)著；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件關(guān)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第四結(jié)構(gòu))本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線、第二布線、第三布線、第四布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一開(kāi)關(guān)元件；第二開(kāi)關(guān)元件；第三開(kāi)關(guān)元件；具有一對(duì)電極的電容元件；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，第一布線通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件連接于第四布線；控制第一和第二開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)的電極通過(guò)電容元件中的一個(gè)電極和開(kāi)著的第三開(kāi)關(guān)元件而連接于第二布線；電容元件中的另一個(gè)電極連接于第一布線；控制第三開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)的電極連接于第三布線；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件開(kāi)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件關(guān)著；當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)元件關(guān)著的時(shí)候，第二開(kāi)關(guān)元件開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第五結(jié)構(gòu))作為上述第一結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)元件，可以使用晶體管。下文將描述當(dāng)晶體管用作開(kāi)關(guān)元件時(shí)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一晶體管；第二晶體管；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件；具有一對(duì)電極的電容元件，其中，第一布線連接于第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極和第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極；第一晶體管中的柵電極和第二晶體管中的柵電極連接于電容元件中的一個(gè)電極；電容元件中的另一個(gè)電極連接于第一布線；當(dāng)?shù)谝痪w管開(kāi)著的時(shí)候，第二晶體管關(guān)著；當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)著的時(shí)候，第二晶體管開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第六結(jié)構(gòu))作為上述第二結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)元件，可以使用晶體管。下文將描述當(dāng)晶體管用作開(kāi)關(guān)元件時(shí)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線、第二布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一晶體管；第二晶體管；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件；具有一對(duì)電極的電容元件，其中，第一布線連接于第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極和第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于第二布線；第一晶體管中的柵電極和第二晶體管中的柵電極連接于電容元件中的一個(gè)電極；電容元件中的另一個(gè)電極連接于第一布線；當(dāng)?shù)谝痪w管開(kāi)著的時(shí)候，第二晶體管關(guān)著；當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)著的時(shí)候，第二晶體管開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第七結(jié)構(gòu))作為上述第三結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)元件，可以使用晶體管。下文將描述當(dāng)晶體管用作開(kāi)關(guān)元件時(shí)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線、第二布線、第三布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；具有一對(duì)電極的電容元件；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，第一布線連接于第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極和第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極；第一晶體管中的柵電極和第二晶體管中的柵電極連接于電容元件中的一個(gè)電極和第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；電容元件中的另一個(gè)電極連接于第一布線；第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于第二布線；第三晶體管中的柵電極連接于第三布線；當(dāng)?shù)谝痪w管開(kāi)著的時(shí)候，第二晶體管關(guān)著；當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)著的時(shí)候，第二晶體管開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
(第八結(jié)構(gòu))作為上述第四結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)元件，可以使用晶體管。下文將描述當(dāng)晶體管用作開(kāi)關(guān)元件時(shí)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明是一種顯示裝置，它包括第一布線、第二布線、第三布線、第四布線和復(fù)數(shù)像素，復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素又包括第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；具有一對(duì)電極的電容元件；具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，第一布線連接于第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件中的一個(gè)電極和第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于第四布線；第一晶體管中的柵電極和第二晶體管中的柵電極連接于電容元件中的一個(gè)電極和第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；電容元件中的另一個(gè)電極連接于第一布線；第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于第二布線；第三晶體管中的柵電極連接于第三布線；當(dāng)?shù)谝痪w管開(kāi)著的時(shí)候，第二晶體管關(guān)著；當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)著的時(shí)候，第二晶體管開(kāi)著。
此外，連接于第一布線的電容元件中的一個(gè)端子，只要在工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。例如，可以連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極，或者可以連接于其他布線。
注意，晶體管開(kāi)著是指如下?tīng)顟B(tài)超過(guò)閾值的電壓被施加到晶體管的柵和源之間而電流在源和漏之間流過(guò)。相反，晶體管關(guān)著是指如下?tīng)顟B(tài)低于閾值的電壓被施加到晶體管的柵和源之間而電流不在源和漏之間流過(guò)。
在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“連接”具有與電連接相同的意思。因此，在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，可以設(shè)有其他元件(例如，開(kāi)關(guān)、晶體管、二極管、電容器等的元件)，上述元件不僅實(shí)現(xiàn)指定的連接關(guān)系而且還實(shí)現(xiàn)電連接。
第五、六、七和八的結(jié)構(gòu)雖然示出晶體管用作開(kāi)關(guān)元件的一個(gè)例子，但是本發(fā)明不局限于此。作為開(kāi)關(guān)元件，只要是能夠控制電流的元件，就可以使用電開(kāi)關(guān)或機(jī)械開(kāi)關(guān)。作為開(kāi)關(guān)元件，還可以使用二極管，或者可以使用組合二極管和晶體管的邏輯電路。
此外，本發(fā)明不限定適用于開(kāi)關(guān)元件的晶體管種類，使用以非晶硅、多晶硅為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的TFT；使用半導(dǎo)體襯底或SOI襯底形成的MOS型晶體管；接合型晶體管；雙極晶體管；使用有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管；以及其他晶體管都可以用作開(kāi)關(guān)元件。此外，對(duì)于形成晶體管的襯底種類也沒(méi)有限制，可以任意地使用單結(jié)晶襯底、SOI襯底、石英襯底、玻璃襯底、樹(shù)脂襯底等。
晶體管只是作為開(kāi)關(guān)元件工作的，因此，其極性(導(dǎo)電型)沒(méi)有特別的限定，即可以使用N型晶體管，也可以使用P型晶體管。注意，在希望關(guān)電流小的情況下，優(yōu)選使用具有關(guān)電流小這種特性的晶體管。如下晶體管可以作為關(guān)電流小的晶體管，即，賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素添加到溝道形成區(qū)域和源或漏之間形成低濃度雜質(zhì)區(qū)域(被稱為L(zhǎng)DD區(qū)域)。
當(dāng)晶體管在其源電位近于低電位側(cè)電源的狀態(tài)下工作時(shí)，N型晶體管優(yōu)選地用作上述晶體管。與此相反，當(dāng)晶體管在其源電位近于高電位側(cè)電源的狀態(tài)下工作時(shí)，P型晶體管優(yōu)選地用作上述晶體管。通過(guò)采用如上所述的結(jié)構(gòu)，可以使晶體管的柵和源之間的電壓的絕對(duì)值為大，從而，上述晶體管可以很容易地作為開(kāi)關(guān)工作。此外，還可以使用N型晶體管和P型晶體管兩者作為CMOS型開(kāi)關(guān)元件。
本發(fā)明可以適用于以流過(guò)一對(duì)電極之間的電流和亮度形成比例關(guān)系的元件為發(fā)光元件的顯示裝置。例如，可以適用于以EL元件或發(fā)光二極管為發(fā)光元件的顯示裝置。
在本發(fā)明的每個(gè)像素中，發(fā)光元件中的一個(gè)電極通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件連接于電源線，并且，發(fā)光元件中的一個(gè)電極通過(guò)第二開(kāi)關(guān)元件連接于發(fā)光元件中的另一個(gè)電極或如下布線，即，與發(fā)光元件中的另一個(gè)電極之間的電位差低于發(fā)光元件的閾值電壓的布線。因此，當(dāng)不管第一開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)而等于或高于發(fā)光元件的閾值的電位供應(yīng)到發(fā)光元件的電極之間使發(fā)光元件發(fā)光時(shí)，通過(guò)開(kāi)第二開(kāi)關(guān)元件而使施加到發(fā)光元件中的一個(gè)電極的電位和施加到發(fā)光元件中的另一個(gè)電極的電位之間的差異為低于發(fā)光元件的閾值電壓，即發(fā)光元件不發(fā)光，以實(shí)現(xiàn)不管視頻信號(hào)而發(fā)生暗點(diǎn)。因此，可以減少不良率，從而可以提高成品率和產(chǎn)量，并且可以提供能夠進(jìn)行高清晰顯示的顯示裝置。
本發(fā)明使用視頻信號(hào)進(jìn)行上述工作，因此不需要有復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)。
此外，本發(fā)明以電壓的信號(hào)作為圖像信號(hào)，從而可以使將圖像信號(hào)輸入到像素的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。
此外，在本發(fā)明的第五、六、七和八結(jié)構(gòu)中，設(shè)在每個(gè)像素的晶體管只是起著作為開(kāi)關(guān)元件的作用，從而可以減少顯示裝置的消費(fèi)電力。


圖1是表示本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的電路圖；圖2是表示本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的電路圖；圖3是表示本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的電路圖；圖4是表示本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的電路圖；圖5表示本發(fā)明的像素的定時(shí)圖；圖6表示本發(fā)明的像素的定時(shí)圖；圖7表示本發(fā)明的像素的定時(shí)圖；圖8表示本發(fā)明的像素的定時(shí)圖；圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例1的圖；圖10A和10B是表示本發(fā)明實(shí)施例2的圖；圖11A至11C是表示本發(fā)明實(shí)施例3的圖；圖12是表示本發(fā)明實(shí)施例4的圖；以及，圖13A至13H表示本發(fā)明制造的電子設(shè)備的例子。
最佳實(shí)施方案模式下文將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方案模式。注意，本發(fā)明可以以多種不同形式被執(zhí)行，并且只要是同一領(lǐng)域工作人員，就很容易了解一個(gè)事實(shí)，即，可以將本發(fā)明的形式和內(nèi)容更改而不脫離本發(fā)明的宗旨和范圍。所以，對(duì)本發(fā)明的解釋并不局限于本實(shí)施方案模式中所記載的內(nèi)容。
實(shí)施方案模式1以下將參照?qǐng)D1描述上述第五結(jié)構(gòu)的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。
在圖1中，101和102表示TFT；103，電容元件；104，發(fā)光元件；105，發(fā)光元件104的一對(duì)電極中的另一個(gè)電極，即，相對(duì)電極；106，電源線。
每個(gè)像素具有電容元件103、發(fā)光元件104，以及TFT 101和102。
電源線106連接于TFT 101的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 101的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件104中的一個(gè)電極和TFT102的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 102的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于發(fā)光元件104中的另一個(gè)電極；TFT 101的柵電極和TFT102的柵電極連接于電容元件103中的一個(gè)電極；電容元件103中的另一個(gè)電極連接于電源線106。
TFT 101、TFT 102和發(fā)光元件104中的一個(gè)電極的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)Vm 107。
電源線106和發(fā)光元件104中的另一個(gè)電極之間的電位差設(shè)定為高于發(fā)光元件104的閾值電壓。
以下將參照?qǐng)D5的定時(shí)圖來(lái)描述圖1所示的像素的驅(qū)動(dòng)方法。
首先描述不良工作，本發(fā)明就對(duì)上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下?tīng)顟B(tài)電源線106的電位不管TFT 101的開(kāi)或關(guān)而施加到節(jié)點(diǎn)Vm 107，或者，一種電位被施加，上述電位使節(jié)點(diǎn)Vm 107和發(fā)光元件中的另一個(gè)電極之間的電位差等于或高于發(fā)光元件的閾值電壓。換言之，上述不良工作是指在TFT 101的源和漏之間發(fā)生短路的時(shí)候，等等。
圖5表示在TFT 101的源和漏之間發(fā)生短路時(shí)的工作狀態(tài)。注意，電源線106的電位高于相對(duì)電極105的電位。
周期T1是指將開(kāi)TFT 101而關(guān)TFT 102的信號(hào)分別施加到TFT 101和TFT 102的柵的時(shí)候。在此，電源線106的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 107。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 107和發(fā)光元件104中的另一個(gè)電極之間的電位差變成等于或高于發(fā)光元件104的閾值電壓，所以發(fā)光元件104就發(fā)光。
周期T2是指將關(guān)TFT 101而開(kāi)TFT 102的信號(hào)分別施加到TFT 101和TFT 102的柵的時(shí)候。在此，節(jié)點(diǎn)Vm 107電連接于發(fā)光元件104中的另一個(gè)電極。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 107和發(fā)光元件104中的另一個(gè)電極之間的電位差變成低于發(fā)光元件104的閾值電壓，所以發(fā)光元件104就不發(fā)光。
當(dāng)在TFT 101的源和漏之間發(fā)生短路，且電源線106的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 107時(shí)，通過(guò)施加關(guān)TFT 101而開(kāi)TFT 102的柵電壓，可以使亮點(diǎn)成為暗點(diǎn)。
在圖1中，TFT 101是P型TFT，而TFT 102是N型TFT，但是只要TFT101和102的極性是相反的，就對(duì)各個(gè)TFT的極性沒(méi)有限制。
注意，在圖1中，電容元件103中的另一個(gè)電極連接于電源線106。但是，電容元件103中的另一個(gè)電極，只要當(dāng)TFT 101和102工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。
注意，數(shù)字灰度等級(jí)方式和模擬灰度等級(jí)方式都可以適用于表現(xiàn)顯示裝置的灰度等級(jí)的驅(qū)動(dòng)方式。數(shù)字灰度等級(jí)方式通過(guò)數(shù)字控制來(lái)開(kāi)關(guān)發(fā)光元件，以表現(xiàn)灰度等級(jí)。另一方面，模擬方式包括對(duì)發(fā)光元件的發(fā)光亮度進(jìn)行模擬控制的方式。作為本發(fā)明的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，適用所述模擬方式更有效果。下文將描述其理由。
當(dāng)采用模擬方式，即對(duì)發(fā)光元件的發(fā)光亮度進(jìn)行模擬控制時(shí)，將模擬的電位輸入到TFT 101的柵中，并且使TFT 101在飽和區(qū)域工作，以對(duì)發(fā)光元件的發(fā)光亮度進(jìn)行模擬控制。在此，若TFT 101短路，即使控制TFT 101的柵電位也對(duì)發(fā)光亮度不能進(jìn)行控制。換言之，即使當(dāng)希望以低亮度發(fā)光時(shí)也成為高于所希望的亮度，因此，其像素成為亮點(diǎn)。然而，通過(guò)采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，即使當(dāng)TFT 101短路的時(shí)候，也可以通過(guò)輸入開(kāi)TFT 102的信號(hào)，使其像素一直為暗點(diǎn)。
實(shí)施方案模式2以下將參照?qǐng)D2描述上述第六結(jié)構(gòu)的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。
在圖2中，201和202表示TFT；203，電容元件；204，發(fā)光元件；205，發(fā)光元件204的一對(duì)電極中的另一個(gè)電極，即，相對(duì)電極；206和207，電源線。
每個(gè)像素具有電容元件203、發(fā)光元件204，以及TFT 201和202。
電源線206連接于TFT 201的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 201的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件204中的一個(gè)電極和TFT202的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 202的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于電源線207；TFT 201的柵電極和TFT 202的柵電極連接于電容元件203中的一個(gè)電極；電容元件203中的另一個(gè)電極連接于電源線206。
TFT 201、TFT 202和發(fā)光元件204中的一個(gè)電極的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)Vm 208。
電源線206和發(fā)光元件204中的另一個(gè)電極之間的電位差設(shè)定為高于發(fā)光元件204的閾值電壓，而電源線207和發(fā)光元件204中的另一個(gè)電極之間的電位差設(shè)定為低于發(fā)光元件204的閾值電壓。
以下將參照?qǐng)D6的定時(shí)圖來(lái)描述圖2所示的像素的驅(qū)動(dòng)方法。
首先描述不良工作，本發(fā)明就對(duì)上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下?tīng)顟B(tài)電源線206的電位不管TFT 201的開(kāi)或關(guān)而施加到節(jié)點(diǎn)Vm 208的狀態(tài)，或者，一種電位被施加的狀態(tài)，上述電位使節(jié)點(diǎn)Vm 208和發(fā)光元件中的另一個(gè)電極之間的電位差等于或高于發(fā)光元件的閾值電壓。換言之，上述不良工作是指在TFT 201的源和漏之間發(fā)生短路的時(shí)候，等等。
圖6表示在TFT 201的源和漏之間發(fā)生短路時(shí)的工作狀態(tài)。注意，電源線206的電位高于電源線207的電位。
周期T1是指將開(kāi)TFT 201而關(guān)TFT 202的信號(hào)分別施加到TFT 201和TFT 202的柵的時(shí)候。在此，電源線206的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 208。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 208和發(fā)光元件204中的另一個(gè)電極之間的電位差變成等于或高于發(fā)光元件204的閾值電壓，所以發(fā)光元件204就發(fā)光。
周期T2是指將關(guān)TFT 201而開(kāi)TFT 202的信號(hào)分別施加到TFT 201和TFT 202的柵的時(shí)候。在此，節(jié)點(diǎn)Vm 208電連接于電源線207。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 208和發(fā)光元件204中的另一個(gè)電極之間的電位差變成低于發(fā)光元件204的閾值電壓，所以發(fā)光元件204就不發(fā)光。
當(dāng)在TFT 201的源和漏之間發(fā)生短路，且電源線206的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 208時(shí)，通過(guò)施加關(guān)TFT 201而開(kāi)TFT 202的柵電壓，可以使亮點(diǎn)成為暗點(diǎn)。
在圖2中，TFT 201是P型TFT，而TFT 202是N型TFT，但是只要TFT201和202的極性是相反的，就對(duì)各個(gè)TFT的極性沒(méi)有限制。
注意，在圖2中，電容元件203中的另一個(gè)電極連接于電源線206。但是，電容元件203中的另一個(gè)電極，只要當(dāng)TFT 201和202工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。
實(shí)施方案模式3以下將參照?qǐng)D3描述上述第七結(jié)構(gòu)的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。
在圖3中，301、302和303表示TFT；304，電容元件；305，發(fā)光元件；306，發(fā)光元件305的一對(duì)電極中的另一個(gè)電極，即，相對(duì)電極；307，電源線；308，源信號(hào)線；309，柵選擇線。
每個(gè)像素具有電容元件304、發(fā)光元件305，以及TFT 301、302和303。
電源線307連接于TFT 301的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 301的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件305中的一個(gè)電極和TFT302的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 302的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于發(fā)光元件305中的另一個(gè)電極；TFT 301的柵電極和TFT302的柵電極連接于電容元件304中的一個(gè)電極和TFT 303的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；電容元件304中的另一個(gè)電極連接于電源線307；TFT 303的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于源信號(hào)線308；TFT 303的柵電極連接于柵選擇線309。
TFT 301、TFT 302和發(fā)光元件305中的一個(gè)電極的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)Vm 310。
電源線307和發(fā)光元件305中的另一個(gè)電極之間的電位差設(shè)定為高于發(fā)光元件305的閾值電壓。
以下將參照?qǐng)D7的定時(shí)圖來(lái)描述圖3所示的像素的驅(qū)動(dòng)方法。
首先描述不良工作，本發(fā)明就對(duì)上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下?tīng)顟B(tài)電源線307的電位不管TFT 301的開(kāi)或關(guān)而施加到節(jié)點(diǎn)Vm 310的狀態(tài)，或者，一種電位被施加的狀態(tài)，上述電位使節(jié)點(diǎn)Vm 310和發(fā)光元件中的另一個(gè)電極之間的電位差等于或高于發(fā)光元件的閾值電壓。換言之，上述不良工作是指在TFT 301的源和漏之間發(fā)生短路的時(shí)候，等等。
圖7表示在TFT 301的源和漏之間發(fā)生短路時(shí)的工作狀態(tài)。注意，電源線307的電位高于相對(duì)電極306的電位。
周期T1是指通過(guò)開(kāi)著的TFT 303從源信號(hào)線308將開(kāi)TFT 301而關(guān)TFT302的信號(hào)分別施加到TFT 301和TFT 302的柵的時(shí)候。在此，電源線307的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 310。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 310和發(fā)光元件305中的另一個(gè)電極之間的電位差變成等于或高于發(fā)光元件305的閾值電壓，所以發(fā)光元件305就發(fā)光。
周期T2是指通過(guò)開(kāi)著的TFT 303從源信號(hào)線308將關(guān)TFT 301而開(kāi)TFT302的信號(hào)分別施加到TFT 301和TFT 302的柵的時(shí)候。在此，節(jié)點(diǎn)Vm 310電連接于發(fā)光元件305中的另一個(gè)電極。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 310和發(fā)光元件305中的另一個(gè)電極之間的電位差變成低于發(fā)光元件305的閾值電壓，所以發(fā)光元件305就不發(fā)光。
當(dāng)在TFT 301的源和漏之間發(fā)生短路，且電源線307的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 310時(shí)，通過(guò)施加關(guān)TFT 301而開(kāi)TFT 302的柵電壓，可以使亮點(diǎn)成為暗點(diǎn)。
在圖3中，TFT 301是P型TFT；TFT 302是N型TFT；TFT 303是N型TFT，但是只要TFT 301和302的極性是相反的，就對(duì)各個(gè)TFT的極性沒(méi)有限制。
注意，在圖3中，電容元件304中的另一個(gè)電極連接于電源線307。但是，電容元件304中的另一個(gè)電極，只要當(dāng)TFT 301和302工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。
實(shí)施方案模式4以下將參照?qǐng)D4描述上述第八結(jié)構(gòu)的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。
在圖4中，401、402和403表示TFT；404，電容元件；405，發(fā)光元件；406，發(fā)光元件405的一對(duì)電極中的另一個(gè)電極，即，相對(duì)電極；407和410，電源線；408，源信號(hào)線；409，柵選擇線。
每個(gè)像素具有電容元件404、發(fā)光元件405，以及TFT 401、402和403。
電源線407連接于TFT 401的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 401的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)連接于發(fā)光元件405中的一個(gè)電極和TFT402的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；TFT 402的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于電源線410；TFT 401的柵電極和TFT 402的柵電極連接于電容元件404中的一個(gè)電極和TFT 403的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)端子；電容元件404中的另一個(gè)電極連接于電源線407；TFT 403的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)端子連接于源信號(hào)線408；TFT 403的柵電極連接于柵選擇線409。
TFT 401、TFT 402和發(fā)光元件405中的一個(gè)電極的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)Vm 411。
電源線407和發(fā)光元件405中的另一個(gè)電極之間的電位差設(shè)定為高于發(fā)光元件405的閾值電壓，而電源線410和發(fā)光元件405中的另一個(gè)電極之間的電位差設(shè)定為低于發(fā)光元件405的閾值電壓。
以下將參照?qǐng)D8的定時(shí)圖來(lái)描述圖4所示的像素的驅(qū)動(dòng)方法。
首先描述不良工作，本發(fā)明就對(duì)上述不良工作很有效果。
上述不良工作是指如下?tīng)顟B(tài)電源線407的電位不管TFT 401的開(kāi)或關(guān)而施加到節(jié)點(diǎn)Vm 411的狀態(tài)，或者，一種電位施加到節(jié)點(diǎn)Vm 411的狀態(tài)，上述電位使節(jié)點(diǎn)Vm 411和發(fā)光元件405中的另一個(gè)電極之間的電位差等于或高于發(fā)光元件的閾值電壓。換言之，上述不良工作是指在TFT 401的源和漏之間發(fā)生短路的時(shí)候，等等。
圖8表示在TFT 401的源和漏之間發(fā)生短路時(shí)的工作狀態(tài)。注意，電源線407的電位高于電源線410的電位。
周期T1是指通過(guò)開(kāi)著的TFT 403從源信號(hào)線408將開(kāi)TFT 401而關(guān)TFT402的信號(hào)分別施加到TFT 401和TFT 402的柵的時(shí)候。在此，電源線407的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 411。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 411和發(fā)光元件405中的另一個(gè)電極之間的電位差變成等于或高于發(fā)光元件405的閾值電壓，所以發(fā)光元件405就發(fā)光。
周期T2是指通過(guò)開(kāi)著的TFT 403從源信號(hào)線408將關(guān)TFT 401而開(kāi)TFT402的信號(hào)分別施加到TFT 401和TFT 402的柵的時(shí)候。在此，節(jié)點(diǎn)Vm 411電連接于電源線410。因此，節(jié)點(diǎn)Vm 411和發(fā)光元件405中的另一個(gè)電極之間的電位差變成低于發(fā)光元件405的閾值電壓，所以發(fā)光元件405就不發(fā)光。
當(dāng)在TFT 401的源和漏之間發(fā)生短路，且電源線407的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)Vm 411時(shí)，通過(guò)施加關(guān)TFT 401而開(kāi)TFT 402的柵電壓，可以使亮點(diǎn)成為暗點(diǎn)。
在圖4中，TFT 401是P型TFT；TFT 402是N型TFT；TFT 403是N型TFT，但是只要TFT 402相對(duì)于TFT 401的極性具有別的極性(即，當(dāng)TFT 401是P型時(shí)TFT 402是N型，相反，當(dāng)TFT 401是N型時(shí)TFT 402是P型)，就對(duì)各個(gè)TFT的極性沒(méi)有限制。
注意，在圖4中，電容元件404中的另一個(gè)電極連接于電源線407。但是，電容元件404中的另一個(gè)電極，只要當(dāng)TFT 401和402工作時(shí)被保持為固定的電位，就可以連接于任何地方。
在實(shí)施方案模式1、2、3和4中，參照?qǐng)D1、2、3和4描述了TFT的配置。但是在本發(fā)明中，TFT的配置不局限于圖1、2、3和4所示的配置。只要可以如圖5、6、7和8所示的定時(shí)圖那樣使像素工作，TFT就可以配置在任何地方。例如，可以再增加TFT，以提供如數(shù)字時(shí)分灰度等級(jí)方式的進(jìn)行消除工作的消除用TFT。
此外，作為判斷像素是否發(fā)生亮點(diǎn)的方法，可以通過(guò)只在每個(gè)像素和每幾個(gè)像素中的發(fā)光元件發(fā)光時(shí)的電流值來(lái)檢測(cè)，或者也可以通過(guò)目視或使用檢測(cè)亮點(diǎn)的裝置來(lái)檢測(cè)。檢測(cè)亮點(diǎn)的方法不受限制。
在本發(fā)明中，將信號(hào)輸入到像素的驅(qū)動(dòng)電路可以使用公知的驅(qū)動(dòng)電路。
實(shí)施例1在本實(shí)施例中，將對(duì)具有最佳實(shí)施方案模式中的圖3和4所示的像素結(jié)構(gòu)的顯示裝置進(jìn)行描述。圖9表示顯示裝置的結(jié)構(gòu)例子。上述顯示裝置包括顯示部905、以及分別設(shè)在顯示部905周圍的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路903、寫(xiě)入用柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路904和消除用柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路907。在上述顯示部905中，復(fù)數(shù)像素900配置為具有m行(m是自然數(shù))n列(n是自然數(shù))的矩陣狀態(tài)。以S1到Sn表示的源信號(hào)線901對(duì)于像素900的各列相應(yīng)地配置，以G1到Gm表示的柵選擇線902對(duì)于像素900的各行相應(yīng)地配置。
圖3中的源信號(hào)線308相當(dāng)于圖9中的源信號(hào)線901。圖3中的柵選擇線309相當(dāng)于圖9中的柵選擇線902。圖4中的源信號(hào)線408相當(dāng)于圖9中的源信號(hào)線901。圖4中的柵選擇線409相當(dāng)于圖9中的柵選擇線902。注意，圖3和4所示的其他布線，未在圖9中示出。
圖9所示的顯示裝置采用如下驅(qū)動(dòng)方法將一個(gè)柵選擇周期分成寫(xiě)入周期和消除周期，以便可以由一個(gè)柵選擇線902實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入和消除。
注意，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路903、寫(xiě)入用柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路904和消除用柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路907的結(jié)構(gòu)可以使用公知的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例2下文將描述實(shí)際制造本發(fā)明的顯示裝置的例子。
圖10A和10B是顯示裝置的像素的截面圖，上述顯示裝置是在最佳實(shí)施方案模式中的實(shí)施方案模式1、2、3和4所示的顯示裝置。以下將描述TFT用作配置在實(shí)施方案模式1、2、3和4所示的像素中的晶體管的例子。
在圖10A和10B中，1000表示襯底；1001，基底膜；1002，半導(dǎo)體層；1102，半導(dǎo)體層；1003，第一絕緣膜；1004，柵電極；1104，電極；1005，第二絕緣膜；1006，電極；1007，第一電極；1008，第3絕緣膜；1009，發(fā)光層；1010，第二電極。1100表示TFT；1011，發(fā)光元件；1101，電容元件。
在圖10A和10B中，代表性地表示出TFT 1100、電容元件1101和發(fā)光元件1011作為形成像素的元件。
下文將描述圖10A的結(jié)構(gòu)。
襯底1000可以使用玻璃襯底如鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃；石英襯底或陶瓷襯底等，也可以使用表面設(shè)置了絕緣膜的包括不銹鋼襯底的金屬襯底或半導(dǎo)體襯底。襯底1000還可以使用由柔性合成樹(shù)脂如塑料形成的襯底。通過(guò)應(yīng)用拋光如CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)法，襯底1000表面可被平整。
基底膜1001可以使用絕緣膜如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅?；啄?001可以防止包含在襯底1000中的堿金屬如Na或堿土金屬擴(kuò)散到半導(dǎo)體層1002而影響TFT 1100的特性。在圖10A和10B中，基底膜1001雖然由單層形成，但還可以采用兩層或更多的疊層。注意，當(dāng)雜質(zhì)的擴(kuò)散不成為太大的問(wèn)題時(shí)如使用石英襯底時(shí)，基底膜1001不是必需的。
半導(dǎo)體層1002和1102可以使用進(jìn)行了選擇性蝕刻的晶體半導(dǎo)體膜或非晶體半導(dǎo)體膜。通過(guò)使非晶體半導(dǎo)體膜結(jié)晶化而可以獲得晶體半導(dǎo)體膜。作為結(jié)晶化的方法，可以使用激光結(jié)晶化、采用RTA(快速熱退火，RapidThermal Annealing)或爐內(nèi)退火的熱結(jié)晶化法或使用促使結(jié)晶化的金屬元素的熱結(jié)晶化等。半導(dǎo)體層1002具有溝道形成區(qū)域和賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素被添加的一對(duì)雜質(zhì)區(qū)域。注意，可以在溝道形成區(qū)域和一對(duì)雜質(zhì)區(qū)域之間提供雜質(zhì)以低濃度被添加的雜質(zhì)區(qū)域。半導(dǎo)體層1102還可以采用賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素被添加到整個(gè)半導(dǎo)體層1102中的結(jié)構(gòu)。
第一絕緣膜1003可以使用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等的單層或疊層形成。
柵電極1004和電極1104可以由單層或疊層形成。上述單層和疊層由從Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中選擇出來(lái)的一種元素，或包括上述幾種元素的合金或化合物形成。
TFT 1100由半導(dǎo)體層1002、柵電極1004、介于半導(dǎo)體層1002和柵電極1004之間的第一絕緣膜1003形成。在圖10A和10B中，雖然只表示連接于發(fā)光元件1011中的第一電極1007的TFT 1100作為形成像素的TFT，但是還可以采用具有復(fù)數(shù)TFT的結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)施例雖然以頂柵型晶體管表示TFT 1100，但是也可以采用只在半導(dǎo)體層下有柵電極的底柵型晶體管或在半導(dǎo)體層上下都有柵電極的雙柵型晶體管。
電容元件1101通過(guò)以第一絕緣膜1003作為電介質(zhì)并以中間夾第一絕緣膜1003互相面對(duì)的半導(dǎo)體層1102和電極1104作為一對(duì)電極而被形成。注意，圖10A和10B表示如下例子作為像素具有的電容元件，其一對(duì)電極之一用作與TFT 1100的半導(dǎo)體層1002一起形成的半導(dǎo)體層1102，而另一電極用作與TFT 1100的柵電極1004一起形成的電極1104。然而，電容元件不局限于上述結(jié)構(gòu)。
第二絕緣膜1005可以使用由無(wú)機(jī)絕緣膜或有機(jī)絕緣膜形成的單層或疊層。作為無(wú)機(jī)絕緣膜，可以使用由CVD法形成的氧化硅膜或由SOG(旋涂玻璃、Spin On Glass)法涂敷的氧化硅膜等。作為有機(jī)絕緣膜，可以使用如下膜聚酰亞胺、聚酰胺、BCB(苯并環(huán)丁烯)、丙烯酸、正型光敏有機(jī)樹(shù)脂或負(fù)型光敏感有機(jī)樹(shù)脂。
此外，第二絕緣膜1005還可以使用包含硅氧烷的材料。注意，硅氧烷是具有Si(硅)-O(氧)鍵的骨架結(jié)構(gòu)的材料?？梢允褂弥辽侔瑲涞挠袡C(jī)基團(tuán)(例如烷基、芳香族碳化氫)作為取代基。也可以使用氟基團(tuán)作為取代基。此外，作為取代基，還可以使用至少包含氫的有機(jī)基團(tuán)和氟基團(tuán)。
電極1006可以由單層或疊層形成。上述單層或疊層由從Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au和Mn中選擇出來(lái)的一種元素，或包含上述幾種元素的合金形成。
第一電極1007和第二電極1010兩者之一，或者雙方都可以由透明電極形成。作為透明電極，可以使用氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、添加了鎵的氧化鋅(GZO)或其他透光氧化物導(dǎo)電材料。或者，還可以使用包含氧化硅的氧化銦錫、包含氧化鈦的氧化銦錫、包含氧化鉬的氧化銦錫、添加了鈦、鉬或鎵的ITO、或以添加了2-20wt％的氧化鋅(ZnO)的包含氧化硅的氧化銦為靶而形成的材料。
第一電極1007和第二電極1010兩者中的另一個(gè)可以由不透光的材料形成。例如，可以使用堿金屬如Li、Cs；堿土金屬如Mg、Ca、Sr；包含上述金屬的合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)；以及上述金屬的化合物(CaF2、CaN)，以及稀土金屬如Yb、Er。
第3絕緣膜1008可以由與第二絕緣膜1005相同的材料形成。第3絕緣膜1008形成于第一電極1007的周圍并覆蓋第一電極1007的端部。第3絕緣膜1008起著隔離相鄰像素之間的發(fā)光層1009的作用。
發(fā)光層1009由單層或疊層形成。當(dāng)發(fā)光層1009由疊層形成時(shí)，這些層從載流子輸運(yùn)性能的角度可以分類成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等。注意，各層之間的邊界不必清晰，有時(shí)因?yàn)樾纬筛鲗拥牟牧喜糠只旌希越缑婵赡懿磺逦?。?duì)于各層，可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。作為有機(jī)材料，可以使用高分子量、中等分子量、和低分子量材料中的任何一種。
發(fā)光元件1011由發(fā)光層1009、第一電極1007和第二電極1010形成，上述發(fā)光層1009介于上述兩個(gè)電極之間。第一電極1007和第二電極1010兩者之一相當(dāng)于陽(yáng)極，而另一個(gè)相當(dāng)于陰極。在對(duì)發(fā)光元件1011的陽(yáng)極和陰極之間施加高于其閾值電壓的正向偏壓時(shí)，電流從陽(yáng)極流到陰極，上述發(fā)光元件1011就發(fā)光。
下文將描述圖10B的結(jié)構(gòu)。注意，與圖10A相同的部分以相同符號(hào)表示，并且省略其描述。
圖10B表示如下結(jié)構(gòu)絕緣膜1108介于圖10A所示的第二絕緣膜1005和第三絕緣膜1008之間。
提供在絕緣膜1108的接觸孔中，電極1006通過(guò)電極1106連接于第一電極1007。
絕緣膜1108可以具有與第二絕緣膜1005相同的結(jié)構(gòu)。電極1106可以具有與電極1006相同的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例可以與最佳實(shí)施方案模式和實(shí)施例1自由地組合。
實(shí)施例3本實(shí)施例將參照?qǐng)D11A至11C描述密封后的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。圖11A是通過(guò)密封顯示裝置而形成的顯示面板的頂視圖。圖11B和11C分別是按照?qǐng)D11A中的A’-A線切割的截面圖。圖11B和11C分別表示以不同方法進(jìn)行密封的例子。
在圖11A至11C中，具有復(fù)數(shù)像素的顯示部1302設(shè)在襯底1301上，密封材料1306設(shè)為包圍上述顯示部的模式，并且，密封用材料1307被貼上。作為像素的結(jié)構(gòu)，可以使用最佳實(shí)施方案模式、實(shí)施例1和2所述的結(jié)構(gòu)。
在圖11B所示的顯示面板中，圖11A中的密封用材料1307相當(dāng)于相對(duì)襯底1321。透明的相對(duì)襯底1321通過(guò)以密封材料1306為貼接層而被貼接，從而，密閉空間1322由襯底1301、相對(duì)襯底1321和密封材料1306形成。彩色濾光片1320和保護(hù)上述彩色濾光片的保護(hù)膜1323設(shè)在相對(duì)襯底1321上。從配置在顯示部1302的發(fā)光元件發(fā)射的光經(jīng)由彩色濾光片1320而向外部發(fā)出。使用非活性樹(shù)脂或液體等填充密閉空間1322。注意，作為填充密閉空間1322的樹(shù)脂，可以使用分散有吸濕材料的透光樹(shù)脂。此外，可以通過(guò)使密封材料1306和用于填充密閉空間1322的材料相同而同時(shí)進(jìn)行相對(duì)襯底1321的貼接和顯示部1302的密封。
圖11C所示的顯示面板中，圖11A中的密封用材料1307相當(dāng)于密封用材料1324。密封用材料1324通過(guò)以密封材料1306為貼接層而被貼接，從而，密閉空間1308由襯底1301、密封材料1306和密封用材料1324形成。將吸濕劑1309預(yù)先提供在密封用材料1324的凹部，上述吸濕劑起著如下作用通過(guò)吸收水分、氧氣等使密閉空間1308保持為干凈的氣氛，以便防止發(fā)光元件的劣化。細(xì)網(wǎng)狀覆蓋材料1310覆蓋上述凹部。覆蓋材料1310雖然可使空氣和水分通過(guò)，但是不通過(guò)吸濕劑1309。注意，可以使用氮?dú)饣蛳”怏w如氬氣等填充密閉空間1308，而且只要是非活性的，也可以使用樹(shù)脂或液體來(lái)填充。
將信號(hào)傳到顯示部1302等的輸入端子部1311設(shè)在襯底1301上。圖像信號(hào)等的信號(hào)通過(guò)FPC(柔性印刷電路)1312傳到上述輸入端子部1311。在輸入端子部1311中，設(shè)在襯底1301上的布線通過(guò)分散有導(dǎo)電體的樹(shù)脂(異方性導(dǎo)電樹(shù)脂ACF)電連接于設(shè)在FPC 1312上的布線。
將信號(hào)輸入到顯示部1302的驅(qū)動(dòng)電路可以一體地設(shè)在形成有顯示部1302的襯底1301上。首先使用IC芯片形成將信號(hào)輸入到顯示部1302的驅(qū)動(dòng)電路，然后可以通過(guò)COG(玻璃上芯片、Chip On Glass)方式連接于襯底1301，或者可以使用TAB(卷帶式自動(dòng)結(jié)合、Tape Auto Bonding)或印刷襯底將IC芯片設(shè)在襯底1301上。
本發(fā)明可以與最佳實(shí)施方案模式、實(shí)施例1和2自由地組合。
實(shí)施例4本發(fā)明可以適用于安裝有將信號(hào)輸入到顯示面板的電路的顯示模塊。
圖12表示組合顯示面板1200和電路襯底1204的顯示模塊。
圖12表示如下例子控制電路1205和信號(hào)分割電路1206等形成在電路襯底1204上。形成在電路襯底1204上的電路不局限于此。只要是產(chǎn)生控制顯示面板的信號(hào)的電路，就可以形成任何電路。
形成在電路襯底1204上的上述電路輸出的信號(hào)由連接布線1207輸入顯示面板1200。
顯示面板1200具有顯示部1201、源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1202和柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路1203。顯示面板1200的結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施例2等所示的結(jié)構(gòu)相同。圖12表示如下例子源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1202和柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路1203形成在與形成有顯示部1201相同的襯底上。然而，本發(fā)明的模塊不局限于此。也可以是只有柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路形成在與形成有顯示部相同的襯底上，而源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路可以形成在電路襯底上。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵選擇線驅(qū)動(dòng)電路雙方都可以形成在電路襯底上。
通過(guò)安裝如上所述的顯示模塊，可以形成各種電子設(shè)備的顯示部。
本實(shí)施例可以與最佳實(shí)施方案模式和實(shí)施例1至3自由地組合。
實(shí)施例5使用本發(fā)明的顯示模塊的電子設(shè)備包括如攝像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)等的照相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(汽車音響設(shè)備、音響設(shè)備等)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提電話、便攜式游戲機(jī)、電子書(shū)等)、包括記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置等(更具體地說(shuō)，可再現(xiàn)記錄介質(zhì)如數(shù)字通用盤(pán)(DVD)等的裝置，并包括用于顯示再現(xiàn)圖像的顯示器)。尤其是便攜式信息終端有很多機(jī)會(huì)從傾斜方向看畫(huà)面，所以視野角度的大小成為要點(diǎn)，因此，優(yōu)選使用自發(fā)光型的顯示裝置。本發(fā)明特別對(duì)于以減少消費(fèi)電力為重要課題的便攜式信息設(shè)備有效果。
圖13A至13H表示電子設(shè)備的具體例子。注意，這里示出的電子設(shè)備僅僅是一個(gè)例子，本發(fā)明的電子設(shè)備不局限于此。
圖13A表示顯示器，其包括外殼2001、支撐臺(tái)2002、顯示部2003、揚(yáng)聲器部2004、視頻輸入端子2005等。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2003。顯示器包括用于顯示信息的所有顯示裝置，如個(gè)人計(jì)算機(jī)、TV廣播的接收、廣告顯示器。
圖13B表示數(shù)字照相機(jī)，其包括主體2101、顯示部2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接口2105、操作開(kāi)關(guān)2106等。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2102。
圖13C表示個(gè)人計(jì)算機(jī)，其包括主體2201、外殼2202、顯示部2203、鍵盤(pán)2204、外部連接口2205、點(diǎn)擊鼠標(biāo)2206等。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2203。
圖13D表示移動(dòng)計(jì)算機(jī)，其包括主體2301、顯示部2302、開(kāi)關(guān)2303、操作鍵2304、紅外連接口2305等。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2302。
圖13E表示包括記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(具體為DVD再現(xiàn)裝置)，其包括主體2401、外殼2402、顯示部A 2403、顯示部B 2404、記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部分2405、操作鍵2406、揚(yáng)聲器部2407等。顯示部A 2403主要用于顯示圖像信息，而顯示部B 2404主要用于顯示文本信息。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部分A 2403和顯示部分B 2404。注意，包括記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置還包括家用游戲機(jī)等。
圖13F表示護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)，其包括主體2501、顯示部2502、臂部2503。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2502。
圖13G表示攝像機(jī)，其包括主體2601、顯示部2602、外殼2603、外部連接口2604、遙控接收部2605、圖像接收部2606、電池2607、聲音輸入部2608、操作鍵2609等。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2602。
圖13H表示手提電話，其包括主體2701、外殼2702、顯示部2703、聲音輸入部2704、聲音輸出部2705、操作鍵2706、外部連接口2707、天線2708等。本發(fā)明制造的顯示模塊可以用于顯示部2703。
如果將來(lái)發(fā)光元件的發(fā)光亮度被提高了，本發(fā)明制造的顯示模塊就還可以通過(guò)將包括輸出的圖像信息的光由鏡頭之類放大并投射出去來(lái)適用于前或后投影器。
目前，上述電子設(shè)備有越來(lái)越多的機(jī)會(huì)顯示由電子通訊線路如互聯(lián)網(wǎng)和CATV(有線電視)發(fā)送的信息，特別是動(dòng)畫(huà)信息。由于發(fā)光材料具有非?？斓捻憫?yīng)速度，因此，本發(fā)明的顯示模塊適用于動(dòng)畫(huà)顯示。
在本發(fā)明的顯示裝置中，發(fā)光部分消費(fèi)電力，因此優(yōu)選以較少發(fā)光部分的方式顯示信息。當(dāng)顯示模塊用在便攜式信息終端的顯示部中，尤其是手提電話和音頻再現(xiàn)裝置這類主要顯示文本信息的裝置中時(shí)，優(yōu)選以如下方式驅(qū)動(dòng)上述裝置，即，使不發(fā)光部分形成背景，而發(fā)光部分形成文本信息。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍如此廣泛，以致可應(yīng)用到任何領(lǐng)域的電子設(shè)備上。
本實(shí)施例可以與最佳實(shí)施方案模式和實(shí)施例1至4自由地組合。
本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2005年1月31日在日本專利局受理的日本專利申請(qǐng)編號(hào)2005-024616而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括布線和復(fù)數(shù)像素，所述復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素包括第一晶體管、第二晶體管、具有一對(duì)電極的發(fā)光元件、以及具有一對(duì)電極的電容元件，其中，所述布線電連接于所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極并電連接于所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述發(fā)光元件中的另一個(gè)電極；所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵電極電連接于所述電容元件中的一個(gè)電極；所述電容元件中的另一個(gè)電極電連接于所述布線，而且，所述驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟當(dāng)所述第一晶體管的源電極和漏電極短路，并且所述布線的電位施加到所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極時(shí)，通過(guò)使所述第二晶體管開(kāi)著來(lái)使所述發(fā)光元件的一對(duì)電極之間的電位差低于所述發(fā)光元件的閾值電壓，以使所述發(fā)光元件不發(fā)光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管具有不同的導(dǎo)電型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管在飽和區(qū)域工作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由模擬灰度等級(jí)方式控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由數(shù)字灰度等級(jí)方式控制。
6.一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括第一布線、第二布線，以及復(fù)數(shù)像素，所述復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素包括第一晶體管、第二晶體管、具有一對(duì)電極的發(fā)光元件、以及具有一對(duì)電極的電容元件，其中，所述第一布線電連接于所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極并電連接于所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述第二布線；所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵電極電連接于所述電容元件中的一個(gè)電極；所述電容元件中的另一個(gè)電極電連接于所述第一布線，而且，所述驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟當(dāng)所述第一晶體管的源電極和漏電極短路，并且所述第一布線的電位施加到所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極時(shí)，通過(guò)使所述第二晶體管開(kāi)著來(lái)使所述第二布線電連接于所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極；使所述發(fā)光元件的一對(duì)電極之間的電位差低于所述發(fā)光元件的閾值電壓，以使所述發(fā)光元件不發(fā)光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管具有不同的導(dǎo)電型。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管在飽和區(qū)域工作。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由模擬灰度等級(jí)方式控制。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由數(shù)字灰度等級(jí)方式控制。
11.一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括第一布線、第二布線、第三布線，以及復(fù)數(shù)像素，所述復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、具有一對(duì)電極的電容元件、以及具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，所述第一布線電連接于所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極并電連接于所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述發(fā)光元件中的另一個(gè)電極；所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵電極電連接于所述電容元件中的一個(gè)電極并電連接于所述第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述電容元件中的另一個(gè)電極電連接于所述第一布線，并且所述第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述第二布線；所述第三晶體管的柵電極電連接于所述第三布線；而且，所述驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟當(dāng)所述第一晶體管的源電極和漏電極短路，并且所述第一布線的電位施加到所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極時(shí)，通過(guò)將所述第三布線的電位施加到所述第三晶體管來(lái)使所述第三晶體管開(kāi)著；通過(guò)將所述第二布線的電位施加到所述第二晶體管來(lái)使所述第二晶體管開(kāi)著；使所述發(fā)光元件的一對(duì)電極之間的電位差低于所述發(fā)光元件的閾值電壓，以使所述發(fā)光元件不發(fā)光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管具有不同的導(dǎo)電型。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管在飽和區(qū)域工作。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由模擬灰度等級(jí)方式控制。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由數(shù)字灰度等級(jí)方式控制。
16.一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括第一布線、第二布線、第三布線、第四布線，以及復(fù)數(shù)像素，所述復(fù)數(shù)像素的每個(gè)像素包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、具有一對(duì)電極的電容元件、以及具有一對(duì)電極的發(fā)光元件，其中，所述第一布線電連接于所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第一晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極并電連接于所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述第二晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述第四布線；所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵電極電連接于所述電容元件中的一個(gè)電極并電連接于所述第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的一個(gè)；所述電容元件中的另一個(gè)電極電連接于所述第一布線；所述第三晶體管的源電極和漏電極兩者中的另一個(gè)電連接于所述第二布線；所述第三晶體管的柵電極電連接于所述第三布線；而且，所述驅(qū)動(dòng)方法包括如下步驟當(dāng)所述第一晶體管的源電極和漏電極短路，并且所述第一布線的電位施加到所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極時(shí)，通過(guò)將所述第三布線的電位施加到所述第三晶體管來(lái)使所述第三晶體管開(kāi)著；通過(guò)將所述第二布線的電位施加到所述第二晶體管來(lái)使所述第二晶體管開(kāi)著；將所述第四布線電連接于所述發(fā)光元件中的一個(gè)電極；使所述發(fā)光元件的一對(duì)電極之間的電位差低于所述發(fā)光元件的閾值電壓，以使所述發(fā)光元件不發(fā)光。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管具有不同的導(dǎo)電型。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述第一晶體管在飽和區(qū)域工作。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由模擬灰度等級(jí)方式控制。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中所述發(fā)光元件的亮度由數(shù)字灰度等級(jí)方式控制。
全文摘要
本發(fā)明的目的是通過(guò)防止發(fā)生亮點(diǎn)來(lái)提高產(chǎn)率，以提供一種具有高顯示性能的顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。具有不同極性的第一和第二開(kāi)關(guān)元件直列地配置在供給發(fā)光元件的電源線和具有等于或低于發(fā)光元件的閾值電壓的電位的電源線之間，并且發(fā)光元件中的一個(gè)電極連接到上述兩個(gè)開(kāi)關(guān)元件的連接點(diǎn)。當(dāng)?shù)扔诨蚋哂诎l(fā)光元件的閾值電壓的電位不管第一開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)或關(guān)而施加到發(fā)光元件時(shí)，通過(guò)開(kāi)第二開(kāi)關(guān)元件而使施加到發(fā)光元件的電位低于閾值，以防止發(fā)生亮點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1815540SQ200610004670
公開(kāi)日2006年8月9日 申請(qǐng)日期2006年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月31日
發(fā)明者梅崎敦司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所