專利名稱：電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法及電光學(xué)裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動方法，有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置等的適合于顯示裝置的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法和電光學(xué)裝置，以及具有電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。
有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置與以往的液晶顯示裝置等有所不同，它需要用電流控制發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)。其方法之一是ConductanceControl法(導(dǎo)電控制法)，(T.Shimoda，M.Kimura，et al.，Proc.Asia Display 98，217，M.Kimura，et al.，IEEE Trans.Elec.Dev.46，2282(1999)，M.Kimura，et al.，Proc.IDW99，171，M.Kimura，et al.，Dig.AM-LCD 2000，to be published)這種方法是采用電流值模擬地控制電子元件的發(fā)光狀態(tài)的方法，具體的是激勵晶體管柵電極參與驅(qū)動發(fā)光元件，使激勵晶體管柵電極上的電位發(fā)生變化。但是，當(dāng)使用電流特性容易發(fā)生偏差的薄膜晶體管的時(shí)候，各個(gè)晶體管的電流特性不同，有時(shí)直接出現(xiàn)發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)的不均勻性。
因此又研究出面積灰度等級法，(M.Kimura，el al.，Proc，EuroDisplay’99 Late-News Papers，71，特開平9-233107.M.Kimura，et al.，Proc.IDW99，171，M.Kimura，et al.，J.SID，to bepublished，M.Kimura，et al.，Dig.AM-LCD 2000，to bepublished)面積灰度等級法與上述導(dǎo)電控制法不同，不采用中間亮度的發(fā)光狀態(tài)，而是控制發(fā)光元件的發(fā)光狀態(tài)的方法。也就是把配置成矩陣狀的像素分割成復(fù)數(shù)的副像素，選擇這些副像素中所含有的發(fā)光元件的完全發(fā)光狀態(tài)，或者完全的非發(fā)光狀態(tài)?？蛇x擇2個(gè)狀態(tài)中的任何一個(gè)，在復(fù)數(shù)的副像素中，使發(fā)光狀態(tài)中的副像素的總面積發(fā)生變化，而進(jìn)行灰度等級顯示的方法。面積灰度等級法由于不需要設(shè)定相應(yīng)的中間亮度的中間電流值，這樣驅(qū)動發(fā)光元件的晶體管的電流特性的影響降低，達(dá)到提高圖象質(zhì)量均勻性目的，但是這種方法，灰度等級數(shù)受到副像素的限制，為了提更多的灰度等級數(shù)，需要把像素分割成更多的副像素，這樣像素結(jié)構(gòu)復(fù)雜是個(gè)問題。
為此又研究出時(shí)間灰度等級法，(M.Kimura，et al.，proc，IDW99，171，M.Kimura，et al.，Dig.AM-LCD 2000，to bepublished，M.Mizukami，et al.，Dig.SID 2000，912，K.Inukai，et al.，Dig，SID 2000，924)。時(shí)間灰度等級法是使在一個(gè)幀上的發(fā)光元件的完全發(fā)光狀態(tài)的期間發(fā)生變化而得到灰度等級的方法。因此如面積灰度等級法那樣，為了增加灰度等級數(shù)，不需要設(shè)置很多的副像素，因此能與面積灰度等級法并用，所以在數(shù)字上進(jìn)行灰度等級顯示是很有希望的方法。
因此本發(fā)明的第一個(gè)目的是，提供不設(shè)定復(fù)位線而得到電光學(xué)裝置的灰度等級的方法，尤其是，提供由時(shí)間灰度等級法而得到有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置等顯示裝置的灰度等級的方法。而且，本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供由此驅(qū)動方法所驅(qū)動的電光學(xué)裝置。
為了達(dá)到上述第一個(gè)目的，本發(fā)明的第1種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法是具有下述部件的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，即與掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相對應(yīng)的電光學(xué)元件、驅(qū)動此電光學(xué)元件的激勵晶體管、控制此激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將此激勵晶體管復(fù)位至非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征在于包括以下步驟，即將使上述開關(guān)晶體管成為接通狀態(tài)的接通信號，通過上述掃描線輸送給上述開關(guān)晶體管，對應(yīng)輸送接通信號的期間，將選擇激勵晶體管的導(dǎo)通或者非導(dǎo)通的置位信號通過上述數(shù)據(jù)線以及上述開關(guān)晶體管輸送給上述激勵晶體管的置位步驟，通過將使上述復(fù)位晶體管成為接通狀態(tài)的接通信號，通過上述掃描線輸送給上述復(fù)位晶體管，而將上述激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位步驟。也就是說，通過相同的掃描線，根據(jù)輸送開關(guān)晶體管的接通信號以及復(fù)位晶體管的接通信號，不需要設(shè)定復(fù)位線就能夠恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定發(fā)光期間。這里的電光學(xué)元件以及電光學(xué)裝置，分別意味著用電控制發(fā)光狀態(tài)和光學(xué)特性的元件以及裝置。作為電光學(xué)裝置的具體例子，比如可以有發(fā)光顯示裝置，液晶顯示裝置，或是電泳顯示裝置等的顯示裝置。
另外，通過本說明書，“將接通信號通過上述掃描線，輸送給開關(guān)晶體管，并與此相應(yīng)地將選擇上述激勵晶體管導(dǎo)通或非導(dǎo)通的置位信號通過上述數(shù)據(jù)線以及上述開關(guān)晶體管，輸送給上述激勵晶體管的步驟”，定義為“置位步驟”，“通過將使上述復(fù)位晶體管變成接通狀態(tài)的接通信號，通過上述掃描線輸送給上述復(fù)位晶體管，而將上述激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的步驟]，定義為“復(fù)位步驟”。
本發(fā)明的第2種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，上述電光學(xué)裝置還包括通過上述激勵晶體管向電光學(xué)元件供給電流的電源線，而復(fù)位晶體管的一端與此電源線相連接。
本發(fā)明的第3種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，上述開關(guān)晶體管的導(dǎo)電型與上述復(fù)位晶體管的導(dǎo)電型相互不同。這意味著，例如開關(guān)晶體管是n型的時(shí)候，則復(fù)位晶體管是p型，而開關(guān)晶體管是p型的時(shí)候，則復(fù)位晶體管是n型。由此通過適當(dāng)?shù)剡x擇高電位和低電位的信號，能使開關(guān)晶體管和復(fù)位晶體管互補(bǔ)地操作。
本發(fā)明的第4種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，上述開關(guān)晶體管，上述激勵晶體管以及上述復(fù)位晶體管的導(dǎo)電型分別為n型，p型以及p型。也就是通過輸送高電位的掃描信號，能使開關(guān)晶體管變?yōu)榻油顟B(tài)，通過輸送低電位的掃描信號，能使復(fù)位晶體管變?yōu)榻油顟B(tài)，從而能使開關(guān)晶體管以及復(fù)位晶體管互補(bǔ)地操作。
本發(fā)明的第5種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法。其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，使上述開關(guān)晶體管變?yōu)榻油顟B(tài)的接通信號的相應(yīng)電壓值VS，使上述復(fù)位晶體管變?yōu)榻油顟B(tài)的接通信號的相應(yīng)電壓值VR，使上述開關(guān)晶體管和上述復(fù)位晶體管同時(shí)變?yōu)閿嚅_狀態(tài)的斷開信號的相應(yīng)電壓值VO，滿足VS＞VO＞VR的關(guān)系式。
本發(fā)明的第6種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，滿足-VSVR，以及VO＝OV(伏特)的關(guān)系式。根據(jù)權(quán)利要求5和權(quán)利要求6有關(guān)的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，只要設(shè)定VS，VO以及VR這3個(gè)電壓值，就能夠進(jìn)行開關(guān)晶體管的接通-斷開操作和復(fù)位晶體管的接通-斷開操作。
本發(fā)明的第7種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，在上述開關(guān)晶體管變?yōu)榻油顟B(tài)的期間，使復(fù)位晶體管變?yōu)閿嚅_狀態(tài)，及在上述復(fù)位晶體管變?yōu)榻油顟B(tài)期間，使上述開關(guān)晶體管變?yōu)閿嚅_狀態(tài)。由此，可以明確地設(shè)定保持電光學(xué)元件的狀態(tài)的選擇以及其選擇的狀態(tài)的期間本發(fā)明的第8種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，通過設(shè)定上述置位步驟和復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔而得到灰度等級。也就是因?yàn)橹梦徊襟E和復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔對應(yīng)著電光學(xué)元件的被選擇的狀態(tài)的保持期間，因而通過恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定這個(gè)時(shí)間間隔，可以得到灰度等級。
本發(fā)明的第9種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，通過將上述置位步驟和上述復(fù)位步驟所規(guī)定的置位-復(fù)位操作反復(fù)多次進(jìn)行可得到灰度等級。在上述置位步驟選擇電光學(xué)元件的狀態(tài)，在復(fù)位步驟確定其已被選擇的狀態(tài)的保持期間，因此通過此將置位-復(fù)位操作反復(fù)多次進(jìn)行，可以得到多種灰度等級。另外，通過本說明書，置位-復(fù)位操作定義為由在先定義的置位步驟和復(fù)位步驟所規(guī)定的操作。
本發(fā)明的第10種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，在多次反復(fù)進(jìn)行的上述置位-復(fù)位操作中的上述置位步驟和上述復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔各不相同。
本發(fā)明的第11種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，多次反復(fù)的上述置位-復(fù)位操作的上述置位步驟與上述復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔都不相同，這些時(shí)間間隔的比，以上述時(shí)間間隔中的最小時(shí)間間隔為基準(zhǔn)大致設(shè)定為1∶2∶……∶2n(n是1以上的整數(shù))。例如，在進(jìn)行上述時(shí)間間隔的比為1∶2的2次置位-復(fù)位操作時(shí)，能夠顯示0、1、2、3的4灰度等級。另一方面，在進(jìn)行上述時(shí)間間隔比為1∶1的2次置位-復(fù)位操作時(shí)，變?yōu)?、1、2的3灰度等級?？傊?，在這種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，用置位-復(fù)位操作的最小限度的反復(fù)可以獲得最大限度的灰度等級數(shù)。另外，上述時(shí)間間隔比并不需要準(zhǔn)確的1∶2∶...2n(n為1以上整數(shù))，只要精確到所需要的灰度等級精度程度即可。
本發(fā)明的第12種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，上述置位信號是代替選擇上述激勵晶體管的導(dǎo)通或者非導(dǎo)通，而決定上述激勵晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的信號。這就意味著，在激勵晶體管的導(dǎo)通及非導(dǎo)通2個(gè)狀態(tài)以外還能夠選擇中間的導(dǎo)通狀態(tài)，而且可通過使置位信號具有連續(xù)值或者3個(gè)以上不連續(xù)的值來實(shí)現(xiàn)。這個(gè)驅(qū)動方法是實(shí)現(xiàn)多種灰度等級的有效方法。
本發(fā)明的第13種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于在上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法中，上述電光學(xué)元件是有機(jī)場致發(fā)光元件。有機(jī)場致發(fā)光元件是將有機(jī)物質(zhì)作為電場發(fā)光材料而使用的發(fā)光元件。
本發(fā)明的第1種電光學(xué)裝置，其特征在于是由上述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法而被驅(qū)動。也就是用這種電光學(xué)裝置，通過相同的掃描線，輸送開關(guān)晶體管的接通信號以及復(fù)位晶體管的接通信號，由此，不需要設(shè)定復(fù)位線而能夠恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定由置位步驟所選擇的電光學(xué)元件的狀態(tài)的保持期間。
本發(fā)明的第2種電光學(xué)裝置，包括與掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相對應(yīng)的電光學(xué)元件、驅(qū)動這個(gè)電光學(xué)元件的激勵晶體管、控制激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將此激勵晶體管復(fù)位至非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征在于至少包括一個(gè)發(fā)生使上述開關(guān)晶體管以及上述復(fù)位晶體管成為接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的信號，并且對應(yīng)使上述開關(guān)晶體管成為接通狀態(tài)的信號，發(fā)生置位上述激勵晶體管的信號的驅(qū)動電路。在這里，沒有必要只用一個(gè)驅(qū)動電路“發(fā)生使上述開關(guān)晶體管以及上述復(fù)位晶體管成為接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的信號，并且對應(yīng)使上述開關(guān)晶體管成為接通狀態(tài)的信號，發(fā)生置位上述激勵晶體管的信號”，還可以用多個(gè)驅(qū)動電路來進(jìn)行。
本發(fā)明的第3種電光學(xué)裝置，包括與掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相對應(yīng)的電光學(xué)元件、驅(qū)動這個(gè)電光學(xué)元件的激勵晶體管、控制激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將此激勵晶體管復(fù)位至非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征是包括下述2個(gè)激勵器，即將使上述開關(guān)晶體管以及上述復(fù)位晶體管成為接通狀態(tài)或者斷開狀態(tài)的信號輸送給上述掃描線的掃描激勵器、與上述掃描線激勵器的操作相對應(yīng)，將置位上述激勵晶體管的信號輸送給上述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線激勵器。
本發(fā)明的第4種電光學(xué)裝置，包括與掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相對應(yīng)的電光學(xué)元件、驅(qū)動這個(gè)電光學(xué)元件的激勵晶體管、控制激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將此激勵晶體管復(fù)位至非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征在于將為進(jìn)行置位上述電光學(xué)元件的顯示狀態(tài)的置位步驟的接通信號，通過上述掃描線輸送到上述開關(guān)晶體管，以及將為進(jìn)行復(fù)位上述顯示狀態(tài)的復(fù)位步驟的接通信號，通過上述掃描線輸送到上述復(fù)位晶體管。這里的“置位步驟”及“復(fù)位步驟”的意思實(shí)質(zhì)上分別與權(quán)利要求1中的置位步驟及復(fù)位步驟相同。
本發(fā)明的第5種電光學(xué)裝置，其特征在于在上面記載的電光學(xué)裝置中，上述電光學(xué)裝置還包括通過上述激勵晶體管向電光學(xué)元件供給電流的電源線，并且上述復(fù)位晶體管的一端連接到此電源線上。為此，本發(fā)明的第1種～第5種的電光學(xué)裝置，不需要為進(jìn)行時(shí)間灰度等級法的復(fù)位線。因此，有可以確保足夠的顯示面積的優(yōu)點(diǎn)。另外，為了進(jìn)一步得到更多的灰度等級數(shù)，可以在此電光學(xué)裝置的像素內(nèi)設(shè)置副像素，這樣就能夠與面積灰度等級法并用。
本發(fā)明的第6種電光學(xué)裝置，其特征在于在上面記載的電光學(xué)裝置中，上述電光學(xué)元件是有機(jī)場致發(fā)光元件。
本發(fā)明的第1種電子設(shè)備，其特征在于安裝上面記載的電光學(xué)裝置。


圖1表示本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置的像素等效電路圖。
圖2表示本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置的像素配置圖。
圖3表示本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法圖。
圖4表示本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的發(fā)光元件的電流特性圖。
圖5表示本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置的部分制造工序圖。
圖6表示本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置的部分制造工序圖。
圖7表示將本發(fā)明的實(shí)施例的電光學(xué)裝置應(yīng)用于移動型專用電腦(PC)時(shí)的一個(gè)例圖。
圖8表示將本發(fā)明的實(shí)施例的電光學(xué)裝置應(yīng)用于移動型專用電腦(PC)時(shí)的一個(gè)例圖。
圖9表示將本發(fā)明的實(shí)施例的電光學(xué)裝置應(yīng)用于取景器部分的數(shù)字照相機(jī)的斜視圖的圖。
符號說明V電源線A陰極L11發(fā)光元件DT11激勵晶體管ST11開關(guān)晶體管C11電容器S1第1個(gè)掃描線S2第2個(gè)掃描線S3第3個(gè)掃描線D1第1個(gè)數(shù)據(jù)線D2第2個(gè)數(shù)據(jù)線SS(S1)第1個(gè)掃描線的掃描信號SS(S2)第2個(gè)掃描線的掃描信號SS(S3)第3個(gè)掃描線的掃描信號DS(D1)第1個(gè)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號DS(D2)第2個(gè)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號DS(D3)第3個(gè)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號E1(11)像素11的第1發(fā)光期間E2(11)像素11的第2發(fā)光期間E3(11)像素11的第3發(fā)光期間E1(21)像素21的第1發(fā)光期間E2(21)像素21的第2發(fā)光期間E3(21)像素21的第3發(fā)光期間E1(31)像素31的第1發(fā)光期間E2(31)像素31的第2發(fā)光期間E3(31)像素31的第3發(fā)光期間Vsig控制電位
Iiep電流值1玻璃基片2多晶硅層3柵絕緣膜4柵電極5a p型晶體管5b n型晶體管6第1層間絕緣膜7源電極和漏電電極8第2層間絕緣膜9像素電極10粘著層11層間層12正孔注入層13發(fā)光層14陰極15密封層有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例的基本電路，配置攝氏600度以下低溫工藝形成的多晶硅薄膜晶體管(低溫poly-Si TFT)。低溫poly-Si TFT在廉價(jià)的玻璃基片上能夠大面積形成，由于面板上能內(nèi)裝驅(qū)動電路，所以適用于光顯示裝置等的電光學(xué)裝置的制造。并且雖然尺寸小，但因?yàn)殡娏鞴┙o能力高，也適應(yīng)于高精細(xì)電流發(fā)光顯示元件。而在低溫poly-Si TFT以外，對于使用非晶體硅薄膜晶體管(a-Si TFT)，硅基片晶體管或者有機(jī)半導(dǎo)體，即由有機(jī)薄膜晶體管所驅(qū)動的電光學(xué)裝置，本發(fā)明也適用。
有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例的電光學(xué)裝置的像素等效電路如圖1所示。在本實(shí)施例的電光學(xué)裝置中，形成掃描線(S1)、數(shù)據(jù)線(D1)以及電源線(V)，包括與掃描線(S1)和數(shù)據(jù)線(D1)的交點(diǎn)相對應(yīng)的發(fā)光元件(L11)、驅(qū)動發(fā)光元件(L11)的激勵晶體管(DT11)、控制此激勵晶體管(DT11)的開關(guān)晶體管(ST11)、復(fù)位此激勵晶體管(DT11)的復(fù)位晶體管(RT11)、電容器(C11)，發(fā)光元件(L11)的一端連接在陰級(A)上。這里的激勵晶體管(DT11)因?yàn)槭莗型，所以由低電位的數(shù)據(jù)信號激勵晶體管(DT11)的導(dǎo)通被選擇，發(fā)光元件(L11)成為發(fā)光狀態(tài)。另一方面，由高電位的數(shù)據(jù)信號激勵晶體管(DT11)的非導(dǎo)通被選擇，發(fā)光元件成為非發(fā)光狀態(tài)。另外，在此圖所示的像素等效電路中，開關(guān)晶體管(ST11)、激勵晶體管(DT11)、以及復(fù)位晶體管(RT11)分別是n型、p型、以及p型，但不受此限制。
圖2是有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例的電光學(xué)裝置的配線以及像數(shù)配置的圖。通過多條掃描線(S1，S2，……)以及多條數(shù)據(jù)線(D1，D2，……)，像素形成矩陣狀，與各掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相對應(yīng)，形成像素。例如，與S1和D1的交點(diǎn)相對應(yīng)，設(shè)置像素11。像素如圖1所示的那樣，基本上包括開關(guān)晶體管(ST11)、復(fù)位晶體管(RT11)、電容器(C11)、激勵晶體管(DT11)、以及發(fā)光元件(L11)，在像素內(nèi)也可以包括多個(gè)副像素。另外，在這個(gè)圖中省略了電源線(V)。
圖3表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例的具有圖1和圖2所示的電路以及像素配置的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法。第1掃描信號SS(S1)供給掃描線(S1)，第2掃描信號SS(S2)供給第2掃描線(S2)，掃描信號SS(S3)供給第3掃描線(S3)。第1數(shù)據(jù)信號DS(D1)供給第1數(shù)據(jù)線D1，第2數(shù)據(jù)信號DS(D2)供給第2數(shù)據(jù)線D2，第3數(shù)據(jù)信號DS(D3)供給第3數(shù)據(jù)線D3。
本實(shí)施例中，開關(guān)晶體管(ST11)，激勵晶體管(DT11)，以及復(fù)位晶體管(RT11)分別是n型，p型，以及p型，因此，高電位的掃描信號作為開關(guān)晶體管的接通信號工作，將開關(guān)晶體管變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。與此開關(guān)晶體管的接通信號相對應(yīng)，基于輸送斜線部所示的低電位的置位信號的置位步驟，激勵晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且發(fā)光元件發(fā)光。另一方面低電位的掃描信號作為復(fù)位晶體管的接通信號工作，基于此復(fù)位步驟，通過復(fù)位晶體管可把高電位從電源線輸送給p型的激勵晶體管，因而激勵晶體管成為非導(dǎo)通狀態(tài)，且發(fā)光元件成為非發(fā)光狀態(tài)。
根據(jù)上述置位步驟和復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔，規(guī)定發(fā)光元件的發(fā)光期間E1、E2和E3。這里發(fā)光期間E1、E2和E3的長度比大約設(shè)定為1∶2∶4，由此可得到0，1，2，3，4，5，6，7的8種灰度等級。另外，本實(shí)例中，是從置位步驟和復(fù)位步驟的時(shí)間間隔短的置位-復(fù)位操作開始按順序進(jìn)行，但是時(shí)間間隔短的置位-復(fù)位操作不一定需要在最初進(jìn)行，關(guān)于以怎樣的順序來進(jìn)行時(shí)間間隔不同的置位-復(fù)位操作可以根據(jù)使用情況或規(guī)格說明進(jìn)行選擇。另外，晶體管或者發(fā)光元件對于信號的響應(yīng)，有時(shí)需要一定的時(shí)間，因而發(fā)光期間的開始時(shí)間和結(jié)束時(shí)間如此圖所示分別與置位步驟的開始時(shí)間和復(fù)位步驟的開始時(shí)間相偏離。而且，在該圖中，輸送開關(guān)晶體管的接通信號期間與輸送置位信號的期間完全重疊，根據(jù)使用情況和規(guī)格說明，有時(shí)不一定需要完全重疊。
圖4表示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光元件的電流特性圖。橫軸是表示輸送給激勵晶體管的柵電極的控制電位(Vsig)，縱軸是表示有機(jī)場致發(fā)光元件上的電流值(IIep)。由于有機(jī)場致發(fā)光元件上的電流值和發(fā)光亮度大致為比例關(guān)系，所以考慮縱軸與發(fā)光亮度相對應(yīng)就可以了。本實(shí)施例中將有機(jī)場致發(fā)光元件控制在完全接通狀態(tài)或者完全斷開狀態(tài)之中的任何一個(gè)狀態(tài)是最理想的。因此，完全接通狀態(tài)或者完全斷開狀態(tài)，即使晶體管特性發(fā)生變動，因?yàn)殡娏髦?IIep)基本一定，所以發(fā)光元件上的電流值幾乎不變化，發(fā)光亮度也基本一定。由此能夠?qū)崿F(xiàn)圖像質(zhì)量的均一性。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置的薄膜晶體管的制造工序示意圖。首先在玻璃基片1上，使用已采納SiH4的PECVD和已采納Si2H6的LPCVD，形成非晶硅。利用受激準(zhǔn)分子激光器的照射和固相生長，使非晶硅變成多晶化，形成多晶硅層2(圖5(a))。多晶硅層2形成圖案以后，形成柵絕緣膜3，再進(jìn)一步形成柵電極4(圖5(b))。使用柵電極4自調(diào)整地將磷和硼等雜質(zhì)摻入多晶硅層2內(nèi)，進(jìn)而形成MOS晶體管5a以及5b。另外，這里的5a和5b分別是p型激勵晶體管和n型開關(guān)晶體管。并且在圖5中復(fù)位晶體管被省略。形成第1層間絕緣膜6以后，接觸點(diǎn)開孔，進(jìn)一步形成源電極以及漏電電極7(圖5(c))。接著形成第2層間絕緣膜8以后，接觸點(diǎn)開孔，進(jìn)一步形成由ITO組成的像素電極9(圖5(d))。
圖6是本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)的電光學(xué)裝置像素的制造工序圖。首先形成粘著層10，與發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)，形成孔口。形成層間層11之后，形成孔口(圖6(a))。接著進(jìn)行氧等離子和CF4等離子等的等離子處理，由此控制基片表面的潤濕性。其后，再經(jīng)過旋轉(zhuǎn)涂染，涂漿，墨水噴射等的液相工藝，噴射，真空鍍膜等的真空工藝，形成正孔注入層12和發(fā)光層13，進(jìn)一步形成含有鋁等金屬的陰極14。最后形成密封層15，完成有機(jī)場致發(fā)光元件(圖6(b))。粘著層10的作用是提高基片和層間層的粘著性，并且得到準(zhǔn)確的發(fā)光面積。層間層11的作用是使柵電極4和源電極以及漏電電極7避開陰極14，降低寄生容量，并且在采用液相工藝形成正孔注入層12和發(fā)光層13的時(shí)候，控制表面的潤濕性，進(jìn)行準(zhǔn)確的圖案制作。
下面，對以上說明的應(yīng)用于電光學(xué)裝置的電子設(shè)備的幾個(gè)事例進(jìn)行說明。圖7是表示應(yīng)用上述電光學(xué)裝置的移動型專用電腦(PC)的結(jié)構(gòu)斜視圖。此圖中專用電腦(PC)1100由配置電鍵盤1102的主體1104和顯示器1106構(gòu)成，這個(gè)顯示器1106配置上述電光學(xué)裝置100。
圖8是表示上述電光學(xué)裝置100應(yīng)用于其顯示部的便攜式電話的結(jié)構(gòu)斜視圖。本圖中便攜式電話1200配置多個(gè)操作鍵1202，此外配置接收口1204，通話口1206以及上述電光學(xué)裝置100。
圖9是表示電光學(xué)裝置100應(yīng)用于其取景器的數(shù)字照相機(jī)的結(jié)構(gòu)斜視圖。而且本圖中也簡單標(biāo)明了關(guān)于照相機(jī)與外部部件的連接。這里，普通的照相機(jī)是采用拍照景體的光像使膠卷感光，對此數(shù)字照相機(jī)1300是采用CCD(Charge Coupled Device)等的攝像元件，對拍照景體的光像進(jìn)行光電變換進(jìn)而產(chǎn)生攝像信號。在數(shù)字照相機(jī)1300的機(jī)身1302的背面，配置上述電光學(xué)裝置100，通過CCD的攝像信號進(jìn)行顯示，電光學(xué)裝置100具有顯示拍照景體的取景器的功能。并且在像機(jī)機(jī)身1302的觀察一側(cè)(圖中內(nèi)側(cè))，配置包括光學(xué)透鏡和CCD等的光接收部件1304。
攝像者確認(rèn)電光學(xué)裝置100上顯示的拍照景體像，按動1306快門按鈕，此時(shí)的CCD攝像信號被傳送到電路基片1308的存儲器內(nèi)存儲。并且在這個(gè)數(shù)字照相機(jī)1300的機(jī)身1302的側(cè)面，配置視頻信號輸出端子1312和數(shù)字通信用的輸入輸出端子1314。而且如圖所示，根據(jù)需要，可以分別在前者視頻信號輸出端子1312上連接電視監(jiān)視器1430，而且在后者的數(shù)字通信用的輸入輸出端子1314上連接專用電腦(PC)1430。再按照所規(guī)定的操作，電路基片1308的存儲器內(nèi)所存儲的攝像信號，輸出到電視監(jiān)視器1430和專用電腦(PC)1440。
另外，作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置100所適用的電子設(shè)備，可以是圖7的專用電腦(PC)，圖8的便攜式電話，圖9的數(shù)字照相機(jī)，此外，液晶電視，取景器型、監(jiān)視器直視型的磁帶錄像機(jī)，汽車駕駛導(dǎo)向裝置，尋呼機(jī)，電子記事本，計(jì)算器，字處理機(jī)，工作站，電視電話，POS終端，具有觸感屏的設(shè)備等。不言而喻，這些各種電子設(shè)備的顯示部位都適用于上述的電光學(xué)裝置100。
權(quán)利要求
1.一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其電光學(xué)裝置對應(yīng)掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)，具有電光學(xué)器件、驅(qū)動該電光學(xué)器件的激勵晶體管、控制該激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將該激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征包括下述步驟置位步驟，通過所述掃描線將使所述開關(guān)晶體管呈接通狀態(tài)的接通信號提供給所述開關(guān)晶體管，與提供所述接通信號期間相對應(yīng)，通過所述數(shù)據(jù)線及所述開關(guān)晶體管將選擇所述激勵晶體管為導(dǎo)通還是非導(dǎo)通狀態(tài)的置位信號提供給所述激勵晶體管；復(fù)位步驟，通過所述掃描線將使所述復(fù)位晶體管呈接通狀態(tài)的接通信號提供給所述復(fù)位晶體管，由此，將所述激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)。
2.權(quán)利要求1所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于所述電光學(xué)裝置還包括通過所述激勵晶體管向電光學(xué)器件提供電流的電源線，并且所述復(fù)位晶體管的一端與該電源線連接。
3.權(quán)利要求1或2所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于所述開關(guān)晶體管的導(dǎo)電型與所述復(fù)位晶體管的導(dǎo)電型互不相同。
4.權(quán)利要求1至3之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于所述開關(guān)晶體管、所述激勵晶體管及所述復(fù)位晶體管的導(dǎo)電型分別為n型、p型及p型。
5.權(quán)利要求4所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于與使所述開關(guān)晶體管呈接通狀態(tài)的接通信號相對應(yīng)的電壓值VS、與使所述復(fù)位晶體管呈接通狀態(tài)的接通信號相對應(yīng)的電壓值VR、與使所述開關(guān)晶體管及所述復(fù)位晶體管都呈斷開狀態(tài)的斷開信號相對應(yīng)的電壓值VO，滿足VS＞VO＞VR的關(guān)系式。
6.權(quán)利要求5所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于滿足-VSVR及VO＝0(伏特)的關(guān)系式。
7.權(quán)利要求1至6之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于在所述開關(guān)晶體管呈接通狀態(tài)期間則復(fù)位晶體管呈斷開狀態(tài)，在所述復(fù)位晶體管呈接通狀態(tài)期間則所述開關(guān)晶體管呈斷開狀態(tài)。
8.權(quán)利要求1至7之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于通過設(shè)定所述置位步驟與所述復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隙而得到灰度等級等級。
9.權(quán)利要求1至8之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于通過多次反復(fù)進(jìn)行在所述置位步驟和所述復(fù)位步驟中所規(guī)定的置位-復(fù)位操作而得到灰度等級等級。
10.權(quán)利要求9所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于在多次反復(fù)進(jìn)行的所述置位-復(fù)位操作中，所述置位步驟和所述復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔各不相同。
11.權(quán)利要求9或10所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于在多次反復(fù)進(jìn)行的所述置位-復(fù)位操作的所述置位步驟和所述復(fù)位步驟之間的時(shí)間間隔各不相同，并以所述時(shí)間間隔中的最小時(shí)間間隔為基準(zhǔn)，設(shè)定這些時(shí)間間隔的比大約為1∶2∶……∶2n(n為大于1的整數(shù))。
12.權(quán)利要求1至11之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于所述置位信號不是選擇所述激勵晶體管的導(dǎo)通或非導(dǎo)通的信號，而是決定所述激勵晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的信號。
13.權(quán)利要求1至12之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征還在于以所述電光學(xué)器件是有機(jī)場致發(fā)光器件。
14.一種電光學(xué)裝置，其特征在于由權(quán)利要求1至13之一所記載的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法而被驅(qū)動。
15.一種電光學(xué)裝置，其對應(yīng)掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)，具有電光學(xué)器件、驅(qū)動該電光學(xué)器件的激勵晶體管、控制該激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將該激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征在于至少包括1個(gè)驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路發(fā)生使所述開關(guān)晶體管及所述復(fù)位晶體管呈接通狀態(tài)或斷開狀態(tài)的信號，和與使所述開關(guān)晶體管呈接通狀態(tài)的信號相對應(yīng)發(fā)生置位所述激勵晶體管的信號。
16.一種電光學(xué)裝置，其對應(yīng)掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)，具有電光學(xué)器件、驅(qū)動該電光學(xué)器件的激勵晶體管、控制該激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將該激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征在于包括掃描線激勵器，其用于將使所述開關(guān)晶體管及所述復(fù)位晶體管呈接通狀態(tài)或斷開狀態(tài)的信號提供給所述掃描線；和數(shù)據(jù)線激勵器，其用于對應(yīng)所述掃描線激勵器的操作，將置位所述激勵晶體管的信號提供給所述數(shù)據(jù)線。
17.一種電光學(xué)裝置，其對應(yīng)掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)，具有電光學(xué)器件、驅(qū)動該電光學(xué)器件的激勵晶體管、控制該激勵晶體管的開關(guān)晶體管、將該激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管，其特征在于通過所述掃描線，將為進(jìn)行置位所述電光學(xué)器件的置位步驟的接通信號提供給所述開關(guān)晶體管，及通過所述掃描線，將為進(jìn)行復(fù)位所述電光學(xué)器件的復(fù)位步驟的接通信號，提供給所述復(fù)位晶體管。
18.權(quán)利要求15至17之一所記載的電光學(xué)裝置，其特征還在于所述電光學(xué)裝置還包括通過所述激勵晶體管向電光學(xué)器件提供電流的電源線，并且所述復(fù)位晶體管的一端與該電源線連接。
19.權(quán)利要求15至18之一所記載的電光學(xué)裝置，其特征還在于所述電光學(xué)器件是有機(jī)場致發(fā)光器件。
20.一種電子設(shè)備，其特征在于安裝了權(quán)利要求14至19之一所記載的所述電光學(xué)裝置。
全文摘要
一種不需設(shè)置復(fù)位線而采用時(shí)間灰度等級法可得到電光學(xué)裝置灰度等級的方法。與掃描線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)相對應(yīng),設(shè)置電光學(xué)元件、驅(qū)動此電光學(xué)元件的激勵晶體管、控制這個(gè)激勵晶體管的開關(guān)晶體管和將激勵晶體管復(fù)位為非導(dǎo)通狀態(tài)的復(fù)位晶體管,使用這樣的顯示裝置,經(jīng)掃描線將接通信號輸送給開關(guān)晶體管,與此相對應(yīng),對在將選擇激勵晶體管的導(dǎo)通或非導(dǎo)通的置位信號輸送給激勵晶體管的置位步驟,以及經(jīng)掃描線通過輸送復(fù)位晶體管的接通信號使激勵晶體管成為非導(dǎo)通的復(fù)位步驟中所規(guī)定的置位－復(fù)位操作反復(fù)多次地進(jìn)行,由此得到灰度等級。
文檔編號G09G3/32GK1347071SQ011411
公開日2002年5月1日 申請日期2001年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月29日
發(fā)明者木村睦 申請人:精工愛普生株式會社