專利名稱：具有回掃電容性轉(zhuǎn)換的偏轉(zhuǎn)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管(CRT)的偏轉(zhuǎn)電路。
背景技術(shù)：
CRT用的典型水平偏轉(zhuǎn)電路包括偏轉(zhuǎn)線圈的水平偏轉(zhuǎn)繞組，它與由例如回掃電容器提供的回掃電容并聯(lián)連接。工作于水平偏轉(zhuǎn)頻率的水平輸出或開關(guān)晶體管連接在回掃電容器上。電壓電源經(jīng)供電電感連接到開關(guān)晶體管和回掃電容器。
在給定的偏轉(zhuǎn)繞組電感和電源電壓幅值時，產(chǎn)生相同的偏轉(zhuǎn)電流幅值所需的有效回掃電容，在較高偏轉(zhuǎn)頻率時比在較低偏轉(zhuǎn)頻率時小。因此，在較高偏轉(zhuǎn)頻率下水平輸出晶體管上產(chǎn)生的回掃脈沖電壓應較高。在給定的開關(guān)晶體管擊穿電壓特性下，在水平輸出晶體管上允許產(chǎn)生的最大回掃脈沖電壓限制了允許使用的最大水平頻率。因此，需要減小有效回掃電容，同時不明顯地增大水平輸出晶體管上產(chǎn)生的回掃脈沖電壓。
體現(xiàn)本發(fā)明特征的一種水平偏轉(zhuǎn)電路包括與偏轉(zhuǎn)繞組串聯(lián)連接的可開關(guān)的第一和第二回掃電容器。第一和第二開關(guān)晶體管分別連接在第一和第二回掃電容器上。電壓電源經(jīng)供電電感連接到回掃電容器之間的連接端子子。在回掃過程中，開關(guān)晶體管斷開，以在第一回掃電容上產(chǎn)生第一回掃脈沖電壓，在第二回掃電容上產(chǎn)生第二回掃脈沖電壓。偏轉(zhuǎn)繞組上的回掃脈沖電壓等于第一和第二回掃脈沖電壓之和，并且大于其中的每一個。偏轉(zhuǎn)繞組上的回掃脈沖電壓與第一和第二回掃電容之比成正比。由此，獲得電容性轉(zhuǎn)換。同樣，與偏轉(zhuǎn)繞組串聯(lián)的S整形電容器上的電壓也與第一和第二回掃電容之比成正比。
每個開關(guān)晶體管上產(chǎn)生的峰值電壓最好明顯小于偏轉(zhuǎn)繞組上產(chǎn)生的總回掃脈沖電壓。結(jié)果，有益的是，在給定的開關(guān)晶體管擊穿電壓特性下，能用的最大掃描頻率比其中偏轉(zhuǎn)繞組上的整個回掃脈沖電壓產(chǎn)生于單個開關(guān)晶體管上的偏轉(zhuǎn)電路中要高。
體現(xiàn)本發(fā)明特征的水平偏轉(zhuǎn)電路包括用于校正枕形光柵失真的東西(E-W)光柵失真校正電路。設(shè)置可轉(zhuǎn)換的第一和第二回掃電容器，用于提供上述的電容性轉(zhuǎn)換。在給定的垂直掃描間隔期間，每一個開關(guān)晶體管的回掃開關(guān)定時相對于另一開關(guān)晶體管的回掃開關(guān)定時保持相同。由此，可以有益地按避免產(chǎn)生回掃時間調(diào)制的方式得到東西光柵失真校正。
發(fā)明概述體現(xiàn)本發(fā)明特征的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置包括第一和第二回掃電容。偏轉(zhuǎn)繞組連接到第一和第二回掃電容，以在回掃過程中與第一和第二回掃電容構(gòu)成諧振電路。第一開關(guān)晶體管連接到第一回掃電容，以在諧振電路中產(chǎn)生第一回掃脈沖電壓。第二開關(guān)晶體管連接到第二回掃電容，以在第二回掃電容中產(chǎn)生第二回掃脈沖電壓。第一和第二回掃脈沖電壓以提供回掃電容性轉(zhuǎn)換的方式加到偏轉(zhuǎn)繞組上。第二開關(guān)晶體管響應第一回掃脈沖電壓，用于按第一回掃脈沖電壓控制第二開關(guān)晶體管中產(chǎn)生開關(guān)操作的時間。
附圖簡述

圖1a和1b展示出體現(xiàn)第一發(fā)明特征的組合偏轉(zhuǎn)電路；圖1a和1c展示出體現(xiàn)第二發(fā)明特征的組合偏轉(zhuǎn)電路；圖2a、2b、2c和2d是說明圖1a和1b所示組合電路的工作的波形圖。
發(fā)明詳述圖1a所示偏轉(zhuǎn)電路100與圖1b的電路100b組合時，在3fH的水平頻率和1/3H的周期下工作。fH是電視標準中的水平頻率，如15,525KHz。同樣，H是電視標準中的水平周期。
圖1a的偏轉(zhuǎn)電路100包括連接到恒定電壓為B+的電壓源的初級繞組W1。常規(guī)回掃變壓器T的繞組W1也連接到水平輸出或開關(guān)晶體管Q1，晶體管Q1由占空因數(shù)約為50％的水平驅(qū)動信號50控制。晶體管Q1的發(fā)射極電壓處于公用導體電位或地電位。繞組W1和晶體管Q1的集電極的連接端子51連接到回掃電容器C1a?；貟唠娙萜鰿b連接到端子51并與晶體管Q1并聯(lián)。電容器C1a的端子52連接到回掃電容器C1b。常規(guī)阻尼二極管D1a與電容器C1a并聯(lián)連接。常規(guī)阻尼二極管D1b與電容器C1b并聯(lián)連接。連接端子52連接到常規(guī)的東西調(diào)制電感器Lew。電感器Lew的端子53連接到常規(guī)的東西調(diào)制器的集電極和常規(guī)的濾波電容器Cew，形成二極管調(diào)制器。晶體管QEW由周期為V的垂直頻率東-西調(diào)制信號E/W-DRIVE按常規(guī)方式控制。周期V是指電視標準中的垂直周期，如16.6毫秒。晶體管的反饋電阻器Rew連接在晶體管QEW的基極與集電極之間，以提供A類工作模式下的工作。垂直頻率調(diào)制電壓Vm按常規(guī)方式產(chǎn)生于端子53處。常規(guī)的S整形電容器Cs連接在端子52與54之間。
圖1b所示偏轉(zhuǎn)繞組Ly連接到可開關(guān)的回掃電容器C2，在端子51與54之間形成串聯(lián)電路。開關(guān)晶體管Q2與電容器C2并聯(lián)連接，用于開關(guān)電容器C2。通過在同一集成電路中整體形成的阻尼二極管(未示出)與晶體管Q2的工作，回掃恢復電流在晶體管Q2中流動。
圖2a至2d是說明圖1a和1b所示電路的工作的波形圖。每個波形都適用于相應的水平周期H/3。圖1a、1b和2a-2d中相同的符號和數(shù)字指示相同的項目或功能。
在回掃過程中，圖1a中的晶體管Q1斷開，形成包括圖1b中的偏轉(zhuǎn)繞組Ly和圖1a中的電容器C1a的回掃諧振電路。在繞組Ly的端子51上產(chǎn)生周期為H/3的回掃諧振脈沖電壓V1。如圖2c所示，當圖1a中的晶體管Q1的圖2a所示集電極電流iQ1突然降到0時，產(chǎn)生電壓V1。圖2c所示的脈沖電壓V1連接到圖1a所示的變壓器T，產(chǎn)生最高電壓U。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的一個特征，端子51處產(chǎn)生的脈沖電壓V1加到由電源濾波電容器C101、電容器C3、電阻器R2、電阻器R1和晶體管Q2的內(nèi)部柵-源電容(未示出)形成的電流路徑上，電容器C101上產(chǎn)生+12伏的電源電壓V+12。由于脈沖電壓V1，相對于電阻器R2的端子61，電阻器R2的端子62上產(chǎn)生正電壓。電阻器R2連接在晶體管Q3的發(fā)射極與端子61之間。端子62形成晶體管Q3的發(fā)射極、電阻器R1和電阻器R2的連接端子。當二極管D4的正偏置使晶體管Q3導通時，電阻器R2的端子61處產(chǎn)生的電壓經(jīng)二極管D4連接到晶體管Q3的基極。
當晶體管Q3導通時，維持晶體管Q2導通的晶體管Q2的正向充電的柵-源電容經(jīng)晶體管Q3和電阻器R1形成的電流路徑迅速放電。之后，晶體管Q2斷開，并在圖2a-2d所示回掃間隔TRET的整個剩余部分保持斷開狀態(tài)。由此，在電容器C2中產(chǎn)生圖1b所示回掃脈沖電壓V2。當圖1b的晶體管Q2的圖2b所示集電極電流iQ2突然降到0時，產(chǎn)生圖2c的電壓V2。
圖1a所示偏轉(zhuǎn)繞組Ly上產(chǎn)生的組合回掃脈沖電壓VLy等于回掃電容器C1a中產(chǎn)生的圖1a所示回掃脈沖電壓V1a和回掃電容器C2中產(chǎn)生的圖1b所示回掃脈沖電壓V2的之和。脈沖電壓VLy大于圖1a所示脈沖電壓V2和V1a中的任何一個。由此，有益的是，開關(guān)晶體管Q1上產(chǎn)生的脈沖電壓V1的峰值明顯小于電壓VLy。因此，有益的是，對給定的圖1b所示繞組Ly的電感和圖1a所示開關(guān)晶體管Q1的擊穿電壓，可用的掃描頻率較高。可用的掃描頻率比圖1b所示回掃脈沖電壓VLy完全在圖1a所示開關(guān)晶體管Q1上產(chǎn)生時要高。結(jié)果，得到了回掃電容性轉(zhuǎn)換。
圖1a所示電路100連接到圖1b所示電路100b，提供了電容性轉(zhuǎn)換，有益的是，在整個垂直掃描期間這種轉(zhuǎn)換是不變的。為了簡化起見，假設(shè)繞組W1的電感大或者無限大。因此，圖1a所示電容器Cs上的平均電壓VCs可用下式表示 式中VmAv是電壓Vm的平均值。 表示電容性轉(zhuǎn)換因數(shù)。
由此，由于用上述電容性轉(zhuǎn)換因數(shù)計量的回掃電容性轉(zhuǎn)換，對于給定的電壓B+和電壓Vm的平均值之差，電壓VCs是較大的。在較高偏轉(zhuǎn)頻率下，電壓VCs的平均值增大使得能產(chǎn)生給定幅值的偏轉(zhuǎn)電流iy。而且，由于回掃電容性轉(zhuǎn)換，有效回掃電容更小。更小的回掃電容使圖2a-2d所示回掃間隔TRET更短。
在掃描(行程)的第一半中，二極管D1a和D1b按常規(guī)方式導電。此外，圖1b中晶體管Q2的整體形成的阻尼二極管(未示出)也導電。在掃描(行程)的第二半中，圖1a中的晶體管Q1按常規(guī)方式導通。
圖1a中的阻尼二極管D1a和D1b和圖1b中的晶體管Q2的整體形成的二極管(未示出)一旦變成導通，圖1a的端子51就被鉗位到地電位。電壓V+12經(jīng)與電容器C3并聯(lián)連接的圖1b所示二極管D3施加。因此，二極管D3變成正偏置，晶體管Q3斷開，電流(未示出)經(jīng)電阻器R2和R1給晶體管Q2的柵-源電容(未示出)充電。二極管D4防止晶體管Q3通過反向基極-發(fā)射極電壓導通。
在由晶體管Q2的柵-源電容(未示出)決定的短延遲時間之后，晶體管Q2導通，形成小的漏-源電阻。對于與圖1a中的晶體管Q1的導通間隔相同的掃描間隔的一部分，該小電阻與晶體管Q2的整體形成的正偏置的阻尼二極管并聯(lián)。圖1b中的二極管D5保護晶體管Q2避免過大的柵極電壓。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的另一特征，在整個垂直間隔V期間，圖2c的回掃電壓V1和回掃電壓V2之間的相位在每個水平偏轉(zhuǎn)周期中保持相同。結(jié)果，在整個垂直間隔V期間，回掃間隔TRET的寬度相同。由此，有益地避免了回掃時間調(diào)制。
在第二個可選方案中，圖1a所示偏轉(zhuǎn)電路100連接到圖1c的升壓電路100c的電路，代替圖1b中的電路100b。除了右上角標(′)外，圖1c中與在圖1a、1b和圖2a-2d中的相同符號和數(shù)字指示相同的項目或功能。
圖1c中的偏轉(zhuǎn)繞組Ly′設(shè)在圖1a中的電容器C2′和C1a之間。有益的是，圖1c中的電路100c把繞組Ly′上的回掃脈沖電壓VLy′分成在端子51上的對地正電壓和在端子54上的對稱的對地負電壓。因此，提供了對稱驅(qū)動的電路。在端子51和54上的每個回掃脈沖電壓相對于地的峰值小于它們的總和的峰值。因此，有益的是，與圖1a和1b中的提供不對稱驅(qū)動的電路的組合電路相比，所需的電隔離要求低。
圖1c中的電容器C3′用來檢測在端子51上出現(xiàn)的回掃脈沖電壓V1，這與圖1b中的方法相同。圖1c中的正偏置二極管D4′串聯(lián)連接電容器C3′和C4′，它通過給電容器C4′充電使晶體管Q3′導通。因此，晶體管Q2′的正充電的柵-源電容經(jīng)電阻器R1′和晶體管Q3′迅速放電。晶體管Q2′斷開，并且在回掃的整個剩余部分保持斷開。在水平回掃的第二半中，當圖2c中的電壓V1從它的峰值下降時，圖1c中的電容器C3′經(jīng)二極管D3′、電阻器R1′、正偏置二極管D5′和偏轉(zhuǎn)繞組Ly′放電。二極管D3相對于二極管D4′逆并聯(lián)連接。由于電容器C4′不包括在電容器C3′的回掃放電電流路徑中，因此，在回掃過程中電容器C4′中的能量保持存儲。由于在回掃的第二半期間沒有產(chǎn)生基極電流，所以晶體管Q3′維持不導通。
電容器C3′一旦完成放電，表示回掃結(jié)束，電容器C4′立即開始放電。連接在晶體管Q3′的基極和繞組Ly′之間的二極管D6′正偏置。電容器C4′現(xiàn)在是一個電壓源，它經(jīng)電阻器R2′給晶體管Q2′的柵-源電容(未示出)充電。在與圖1b所示相同的延遲時間之后，晶體管Q2′導通。二極管D5′也實現(xiàn)與對于圖1b中的二極管D5所述的保護功能相同的保護功能。
權(quán)利要求
1.一種視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，包括第一回掃電容(圖1a中的C1a)；第二回掃電容(圖1b中的C2)；偏轉(zhuǎn)繞組(Ly)，它連接到所述第一和第二回掃電容，以在回掃期間與所述第一和第二回掃電容構(gòu)成諧振電路；第一開關(guān)晶體管(圖1a中Q1)，它連接到所述第一回掃電容，以在所述諧振電路中產(chǎn)生第一回掃脈沖電壓(V1)，其特征是還包括第二開關(guān)晶體管(圖1b中Q2)，它連接到所述第二回掃電容，用于在所述第二回掃電容中產(chǎn)生第二回掃脈沖電壓(V2)，所述第一和第二回掃脈沖電壓以提供回掃電容性轉(zhuǎn)換的方式加到所述偏轉(zhuǎn)繞組上，所述第二開關(guān)晶體管響應所述第一回掃脈沖電壓，用于按所述第一回掃脈沖電壓控制所述第二開關(guān)晶體管中產(chǎn)生開關(guān)操作的時間。
2.按權(quán)利要求1的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是還包括東-西調(diào)制器(圖1a中QEW，Lew，Cew)，它響應周期性的控制信號(E/W-DRIVE)，所述控制信號具有與垂直偏轉(zhuǎn)頻率相關(guān)的頻率，用于調(diào)制所述偏轉(zhuǎn)繞組(Ly)中的偏轉(zhuǎn)電流，其中，所述第一和第二回掃脈沖電壓之間的相位差在垂直掃描間隔(V)中保持大致相同。
3.按權(quán)利要求2的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是所述東-西調(diào)制器(QEW，Lew，Cew)包括二極管調(diào)制器。
4.按權(quán)利要求1的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是所述第一和第二回掃電容(C1a)和(C2)串聯(lián)，形成與所述偏轉(zhuǎn)繞組(Ly)并聯(lián)連接的電路支路。
5.按權(quán)利要求1的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是在所述第一回掃電容(C1a)中產(chǎn)生所述第一回掃脈沖電壓(V1)。
6.一種視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，包括第一回掃電容(圖1a中的C1a)；第二回掃電容(圖1b中的C2)；偏轉(zhuǎn)繞組(Ly)，它連接到所述第一和第二回掃電容，以在回掃過程中與所述第一和第二回掃電容構(gòu)成諧振電路；第一開關(guān)晶體管(圖1a中的Q1)，它響應在與第一偏轉(zhuǎn)頻率(fH)相關(guān)的頻率下的輸入信號(HOR.DRIVE)并連接到所述第一回掃電容，以在所述第一回掃電容中產(chǎn)生諧振的第一回掃脈沖電壓(V1)；其特征是還包括第二開關(guān)晶體管(圖1b中的Q2)，它響應所述輸入信號，并連接到所述第二回掃電容，以在所述第二回掃電容中產(chǎn)生第二回掃脈沖電壓(V2)，所述第二和第一回掃脈沖電壓按提供回掃電容性轉(zhuǎn)換的方式加到所述偏轉(zhuǎn)繞組上，以在所述偏轉(zhuǎn)繞組中產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流；和調(diào)制器(圖1a中的QEW，Lew，Cew)，它響應頻率與第二偏轉(zhuǎn)頻率(V)相關(guān)的周期性控制信號(F/W DRIVE)，用于調(diào)制所述偏轉(zhuǎn)繞組中的偏轉(zhuǎn)電流，以在所述控制信號周期中進行光柵失真校正，同時不改變所述第一和第二回掃脈沖電壓之間的相位差。
7.按權(quán)利要求6的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是所述調(diào)制器(QEW，Lew，Cew)提供東-西光柵失真校正。
8.按權(quán)利要求6的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是所述第二開關(guān)晶體管(Q2)響應所述第一回掃脈沖電壓(V1)，以按所述第一回掃脈沖電壓控制所述第二開關(guān)晶體管產(chǎn)生開關(guān)操作的時間。
9.按權(quán)利要求6的視頻顯示偏轉(zhuǎn)裝置，其特征是所述第一和第二回掃電容(C1a)和(C2)串聯(lián)，構(gòu)成與所述偏轉(zhuǎn)繞組(Ly)并聯(lián)的電路支路。
全文摘要
一種視頻顯示器的水平偏轉(zhuǎn)電路,包括第一和第二回掃電容(圖1a中C1a)和(圖1b中C2)。偏轉(zhuǎn)繞組(Ly)連接到第一和第二回掃電容,以在回掃期間構(gòu)成諧振電路。第一開關(guān)晶體管(Q1)連接到第一回掃電容,以在諧振電路中產(chǎn)生諧振的第一回掃脈沖電壓(V1)。第二開關(guān)晶體管(圖1b中Q2)響應第一回掃脈沖電壓,并連接到第二回掃電容,以按第一回掃脈沖電壓控制第二開關(guān)晶體管。在第二回掃電容中按準備電容生轉(zhuǎn)換的方式產(chǎn)生第二回掃脈沖電壓(V2)。調(diào)制器(QEW,Lew,Cew)用于調(diào)制偏轉(zhuǎn)繞組中的偏轉(zhuǎn)電流,同時基本上不改變第一和第二回掃電壓之間的相位差,以進行東－西光柵失真校正。
文檔編號G09G1/04GK1345158SQ011410
公開日2002年4月17日 申請日期2001年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月25日
發(fā)明者R·韋伯 申請人:湯姆森許可公司