亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

文檔序號:1911964閱讀:340來源:國知局
一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法,具有玻璃基片,從玻璃基片的空氣面由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有八個膜層,第一層為0~5nm厚的ZnO層;第二層為0~25nm的Ag層;第三層為0~10nm厚的Cu層;第四層為0~5nm厚的NiCr層;第五層為0~60nm厚的ZnO層;第六層為0~10nm厚的Ag層;第七層為0~8nm厚的NiCr層;第八層為0~10nm厚的SiN層。本發(fā)明的產(chǎn)品外觀為金色,實現(xiàn)了產(chǎn)品外觀的多樣化。且是用2層Ag和1層Cu代替Au實現(xiàn)金色,大幅度降低生產(chǎn)成本。且是在實現(xiàn)產(chǎn)品顏色為金色的同時,保證了鍍膜玻璃具備雙銀Low~e玻璃的良好節(jié)能性。
【專利說明】一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及玻璃深加工【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制 備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 低輻射玻璃(LOW?E)是在玻璃表面鍍上由多層銀等金屬或其他化合物組成的薄 膜而成,以實現(xiàn)一些光學和熱學性能的節(jié)能玻璃。
[0003] 普通單片玻璃陽光透過率一般,紅外反射率很低,隔熱隔音性能很差。如果用于幕 墻,大部分太陽光透過玻璃而進入室內(nèi),使室內(nèi)物體溫度上升,這些能量又會以輻射形式通 過玻璃散失掉,因此普通玻璃節(jié)能性差。而低輻射玻璃合中空使用具有良好的透光、保溫、 隔熱性能,適合廣泛用于玻璃幕墻等地方。
[0004] 隨著經(jīng)濟的發(fā)展,市場對LOW?e玻璃的要求越來越高,不僅要求其具有較高的性 能,較強的實用性,還必須集美觀、舒適、價廉于一體,金色玻璃體現(xiàn)富貴表現(xiàn)奢華,因而備 受人們的喜愛。
[0005] 現(xiàn)在金色的LOW?E鍍膜玻璃少,市場上有一些金色鍍膜玻璃,但是其大多屬于熱 反射膜系或單銀膜系,熱反射膜層一般設(shè)計為介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層,單銀膜層一般設(shè)計 為介質(zhì)層/紅外反射層/阻擋層介質(zhì)層,這兩種存在膜層設(shè)計節(jié)能性差的缺點。熱反射和 單銀玻璃的遮陽系數(shù)分別在〇. 3、0. 4以上,K值分別在4. 6W/M2*K和1. 8W/M2*K以上,輻射 率分別為〇. 3和0. 15以上,因此其節(jié)能效果不佳。有些金色鍍膜玻璃是用真黃金做的,由 于使用真黃金,價格昂貴,成本較高,一般普通人員很難消費得起。
[0006] 申請?zhí)枮?00820051152. 4的專利公開了一種雙銀低輻射鍍膜玻璃,包括玻璃基 片,它的技術(shù)要點在于,在玻璃基片上向外依次復(fù)合有氧化鈦膜層、氧化鋅膜層、銀層、鎳 鉻膜層、氧化鋅膜層、銀層、氮化硅膜層。本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有低輻射玻璃由 于銀層的銀粒子不均勻或凝聚,從而使鍍膜玻璃產(chǎn)生斑點、霧化的不足而提供的一種銀層 均勻分布從而低輻射效果好的低輻射玻璃。同時本實用新型兩層金屬銀,使其輻射率更 低,增加隔熱或保溫效果,更具節(jié)能效果。
[0007] 申請?zhí)枮?00810065654. 7的專利公開了一種金色低輻射鍍膜玻璃,玻璃單表面 鍍覆有復(fù)合膜層,復(fù)合膜層的最外層為一保護膜層,復(fù)合膜層包括三層金屬膜層,其中一 層金屬膜層是銅膜層,一層是銀膜層,緊貼保護膜層下面的一層金屬膜層是鎳鉻合金膜層 或鈦膜層。其制作方法包括清洗、干燥和鍍覆,鍍覆是真空磁控濺射鍍覆,將干燥后的玻璃 置入真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的靶材室逐層鍍覆復(fù)合膜層。本發(fā)明選用特定的靶材、氣氛及 組合替代金靶材制作金色低輻射鍍膜玻璃,具有性能優(yōu)良、色彩鮮艷且容易調(diào)節(jié)、質(zhì)量穩(wěn) 定、制作效率高、成本低、易于推廣的特點,并能通過改變各膜層的厚度獲得不同透過率、 透過色、反射率、反射色及遮陽系數(shù)、輻射率的多品種金色低輻射鍍膜玻璃,以適應(yīng)市場不 同需求。
[0008] 申請?zhí)枮?01110091107. 8的專利公開了一種可鋼化金色低輻射鍍膜玻璃及其制 造方法,旨在解決現(xiàn)有金色鍍膜玻璃產(chǎn)品難于鋼化處理、外觀色調(diào)不純正、抗氧化性差、節(jié) 能效果差等技術(shù)問題。本發(fā)明的可鋼化金色低輻射鍍膜玻璃,玻璃基層上依次沉積有如下 厚度的膜層,第一氮化硅膜層19. 1?41. 9nm、第一鎳鉻合金膜層2?41.Onm、銅銦合金膜 層2. 5?13. 7nm、銀膜層4. 9?14. 6nm、第二鎳鉻合金膜層1. 7?6. 3nm、第二氮化娃膜層 91. 8 ?128.Onm。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的是為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種顏色均勻性好、性能優(yōu)異且 節(jié)能的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。
[0010] 為了達到本發(fā)明的目的,技術(shù)方案如下:
[0011] 一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,具有玻璃基片,其特征在于:從玻璃基片的空氣 面,由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有八個膜層,其中第一層即最內(nèi)層為ZnO層,厚度為0?5nm; 第二層為Ag層,厚度為0?25nm;第三層為Cu層,厚度為0?10nm;第四層為NiCr層,厚 度0?5nm;第五層為ZnO層,厚度為0?60nm;第六層為Ag層,厚度為0?10nm;第七層 為NiCr層,厚度為0?8nm;第八層為SiN層,厚度為0?10nm。
[0012] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案:所述第二層厚度為8?25nm。
[0013] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案:所述第三層厚度為5?8nm。
[0014] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案:所述第二層與第三層的厚度比為1. 4 :1?2:1。
[0015] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案:所述第五層的厚度為40?60nm。
[0016] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案:所述第七層NiCr層的厚度大于第四層NiCr層的厚度。
[0017] 一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
[0018] A、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)鋅靶,在玻璃基板上磁控濺 射ZnO層;厚度為0?5nm,氬氣與氧氣的流量比為3 :4,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW;
[0019] B、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銀靶,在步驟A中ZnO層上磁控濺射 Ag層;厚度為0?25nm,所述電源的濺射功率控制在0?30KW;
[0020] C、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銅靶,在步驟B中的Ag層上磁控濺 射Cu層;厚度為0?10nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0021] D、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面鎳鉻靶,在步驟C中Cu層上磁控濺 射NiCr層;厚度為0?5nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0022] E、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺旋轉(zhuǎn)鋅靶,在步驟D中的NiCr層上磁 控濺射ZnO層;厚度為0?60nm,氬氣與氧氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在 0 ?60KW;
[0023] F、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺銀靶,在步驟E中的ZnO層上磁控濺射Ag 層;厚度為〇?l〇nm,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0024] G、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺平面鎳鉻靶,在步驟F中的Ag層上磁控濺 射NiCr層;厚度為0?8nm,所述電源的濺射功率控制在0?10KW;
[0025] H、采用氬氣和氮氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)硅靶,在步驟G中NiCr層上磁 控濺射SiN層;厚度為0?10nm,氬氣與氮氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在 0 ?60KW。
[0026] 為了降低生產(chǎn)成本,本發(fā)明使用Ag+Cu代替Au實現(xiàn)金色,并且是雙Ag(兩層銀 層)+Cu,因此,整個制備過程與現(xiàn)有的方法是不一樣的,對過程控制,例如各膜層的添加順 序和厚度等要求更精確,例如Ag+Cu的順序:本發(fā)明是用Ag+Cu代替Au(金),如果將膜層換 成Cu+Ag,經(jīng)過試驗證明,對于產(chǎn)品玻璃與膜層附著力不夠牢固,容易產(chǎn)生脫膜、氧化現(xiàn)象, 無法達到金色雙銀可加工生產(chǎn)性。
[0027] 并且通過后期不斷實驗,第一層Ag膜層(簡稱lAg)與Cu膜層的比例對最終產(chǎn)品 性能也有很大影響,將lAg的厚度控制在8?25nm,將Cu膜層的厚度控制在5?8nm時,且 lAg的厚度與Cu膜層的厚度比控制在1. 4 :1?2:1,為最佳狀態(tài)。如果厚度及厚度比例比 例不對,就達不到雙銀性能的要求。
[0028] 同樣,控制NiCr層的厚度對節(jié)能效果有重要影響,對于普通的雙銀膜系,正常的 厚度控制在lAg后的NiCr保護層厚,2Ag(第二層銀膜層)后面的NiCr層薄,這樣的目的是 為了保證產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中不發(fā)生中途Ag氧化現(xiàn)象。但是作為金色雙銀Low?e,采用傳統(tǒng) 的模式,對于金色雙銀的外觀無法達到要求。后續(xù)不斷實驗,打破原有的模式,將INiCr(第 一層NiCr層)減薄,2NiCr(第二層NiCr層)加厚,可以有效的降低并控制室內(nèi)面(膜面) 的反射色。如果按照原有的模式,將INiCr加厚,2NiCr減薄,室內(nèi)面的反射色增高,由Yf: 15變成Yf:25. 2,對于室內(nèi)的反射增大,節(jié)能效果降低。
[0029] 為了突出金色雙銀產(chǎn)品,最開始采用Ag+Cu的模式代替Au金,將lAg和2Ag后面 都加上Cu,結(jié)果會使產(chǎn)品的透過率偏低,使產(chǎn)品對于人們居住辦公無法有陽光色進入,并且 透過色偏負嚴重,也就是透過色呈綠色不能使產(chǎn)品的透過射達到18K黃金的顏色。
[0030] 中間介子層厚度的控制:金色雙銀通過實驗累積證明,對于此膜系膜層材料的中 間介子層,對于產(chǎn)品的外觀側(cè)面干涉色有非常重要性,中間介子層的厚度過厚或者過薄,對 于產(chǎn)品的干涉色都會存在很大的顏色變化,使產(chǎn)品的外觀正面和側(cè)面顏色不能達成一致 性,存在偏紅或偏綠,無法達到側(cè)面顏色為金色。后期通過一系列實驗證明中間介子層厚度 控制在40?60nm時,外觀的側(cè)面干涉色才會與正面金色一致性。
[0031] 各膜層結(jié)構(gòu)中,功能層是Ag層,其作用是反射和吸收絕大部分紅外光和一部分可 見光;兩層NiCr層主要起阻擋作用,防止Ag層擴散;ZnO層為介質(zhì)層,增強膜層與玻璃結(jié)合 力,主要起衍射作用,改變玻璃顏色;SiN層質(zhì)地堅硬,耐磨損,作為保護層主要起保護膜面 的作用。
[0032] 采用磁控濺射技術(shù)在玻璃上鍍ZnO后,膜層比較蓬松,比較松軟,膜層平整度較 差;而在玻璃上鍍SiN膜層則比較堅硬,膜層平整度很好,但SiN膜層容易發(fā)生龜裂。本發(fā)明 專利技術(shù)的重點在于膜層的設(shè)置順序、以及每個膜層厚度的控制,因為在低輻射玻璃中,膜 層選用的材料以及大體的結(jié)構(gòu)都比較類似,但是不同材料在膜層上的設(shè)置順序、以及厚度 的改變決定了各種低輻射玻璃相互性能的差異,采用這種膜層結(jié)構(gòu)的設(shè)計后,實現(xiàn)ZnO和 SiN的互補,介質(zhì)層用ZnO和Si,用氧化物分擔硅層,防止龜裂,并且鍍膜后平整度會更好。 [0033] 本發(fā)明具有的有益效果:
[0034] 本專利的膜層設(shè)計產(chǎn)品外觀為金色,實現(xiàn)了產(chǎn)品外觀的多樣化。且是用2層Ag和 1層Cu代替Au實現(xiàn)金色,大幅度降低生產(chǎn)成本。
[0035] 本專利的膜層設(shè)計產(chǎn)品節(jié)能性更好,且是在實現(xiàn)產(chǎn)品顏色為金色的同時,保證了 鍍膜玻璃具備雙銀Low?e玻璃的良好節(jié)能性。
[0036] 并且膜層的抗氧化和抗損傷性能也好,SiN層不存在龜裂現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 圖1為本發(fā)明金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038] 圖中標記:9、玻璃基片;l、ZnO層;2、Ag層;3、Cu層;4、NiCr層;5、Zn0 層;6、Ag 層;7、NiCr層;8、SiN層。

【具體實施方式】
[0039] 下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步描述,但本發(fā)明的保護范圍不僅僅局限于實施 例。
[0040] 實施例1
[0041] 結(jié)合圖1所示,一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法,包括以下步驟:
[0042] A、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)鋅靶,在玻璃基板上磁控濺射 ZnO層;厚度為5nm,氬氣與氧氣的流量比為3 :4,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0043] B、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銀靶,在步驟A中ZnO層上磁控濺射 Ag層;厚度為20nm,所述電源的濺射功率控制在0?30KW;
[0044] C、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銅靶,在步驟B中的Ag層上磁控濺 射Cu層;厚度為10nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0045] 第二層與第三層的厚度比為2:1。
[0046] D、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面鎳鉻靶,在步驟C中Cu層上磁控濺 射NiCr層;厚度為5nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0047] E、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺旋轉(zhuǎn)鋅靶,在步驟D中的NiCr層上磁 控濺射ZnO層;厚度為60nm,氬氣與氧氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW;
[0048] F、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺銀靶,在步驟E中的ZnO層上磁控濺射Ag 層;厚度為l〇nm,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0049] G、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺平面鎳鉻靶,在步驟F中的Ag層上磁控濺 射NiCr層;厚度為8nm,所述電源的濺射功率控制在0?10KW;
[0050] H、采用氬氣和氮氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)硅靶,在步驟G中NiCr層上磁 控濺射SiN層;厚度為10nm,氬氣與氮氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW。
[0051] 實施例2
[0052] 結(jié)合圖1所示,一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法,包括以下步驟:
[0053] A、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)鋅靶,在玻璃基板上磁控濺射 ZnO層;厚度為4nm,氬氣與氧氣的流量比為3 :4,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0054] B、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銀靶,在步驟A中ZnO層上磁控濺射 Ag層;厚度為12nm,所述電源的濺射功率控制在0?30KW;
[0055] C、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銅靶,在步驟B中的Ag層上磁控濺 射Cu層;厚度為8nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0056] 第二層與第三層的厚度比為1.5:1。
[0057] D、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面鎳鉻靶,在步驟C中Cu層上磁控濺 射NiCr層;厚度為4nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0058] E、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺旋轉(zhuǎn)鋅靶,在步驟D中的NiCr層上磁 控濺射ZnO層;厚度為50nm,氬氣與氧氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW;
[0059] F、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺銀靶,在步驟E中的ZnO層上磁控濺射Ag 層;厚度為8nm,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0060] G、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺平面鎳鉻靶,在步驟F中的Ag層上磁控濺 射NiCr層;厚度為6nm,所述電源的濺射功率控制在0?10KW;
[0061] H、采用氬氣和氮氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)硅靶,在步驟G中NiCr層上磁 控濺射SiN層;厚度為8nm,氬氣與氮氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW。
[0062] 實施例3
[0063] 結(jié)合圖1所示,一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法,包括以下步驟:
[0064] A、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)鋅靶,在玻璃基板上磁控濺射 ZnO層;厚度為3nm,氬氣與氧氣的流量比為3 :4,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0065] B、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銀靶,在步驟A中ZnO層上磁控濺射 Ag層;厚度為8. 4nm,所述電源的濺射功率控制在0?30KW;
[0066] C、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銅靶,在步驟B中的Ag層上磁控濺 射Cu層;厚度為6nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0067] 第二層與第三層的厚度比為1.4:1。
[0068] D、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面鎳鉻靶,在步驟C中Cu層上磁控濺 射NiCr層;厚度為3nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0069] E、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺旋轉(zhuǎn)鋅靶,在步驟D中的NiCr層上磁 控濺射ZnO層;厚度為40nm,氬氣與氧氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW;
[0070] F、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺銀靶,在步驟E中的ZnO層上磁控濺射Ag 層;厚度為6nm,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0071] G、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺平面鎳鉻靶,在步驟F中的Ag層上磁控濺 射NiCr層;厚度為5nm,所述電源的濺射功率控制在0?10KW;
[0072] H、采用氬氣和氮氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)硅靶,在步驟G中NiCr層上磁 控濺射SiN層;厚度為6nm,氬氣與氮氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW。
[0073] 實施例4
[0074] 結(jié)合圖1所示,一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法,包括以下步驟:
[0075] A、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)鋅靶,在玻璃基板上磁控濺射 ZnO層;厚度為2nm,氬氣與氧氣的流量比為3 :4,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0076] B、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銀靶,在步驟A中ZnO層上磁控濺射 Ag層;厚度為10nm,所述電源的濺射功率控制在0?30KW;
[0077] C、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銅靶,在步驟B中的Ag層上磁控濺 射Cu層;厚度為4nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0078] 第二層與第三層的厚度比為2. 5:1。
[0079] D、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面鎳鉻靶,在步驟C中Cu層上磁控濺 射NiCr層;厚度為2nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW;
[0080] E、采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺旋轉(zhuǎn)鋅靶,在步驟D中的NiCr層上磁 控濺射ZnO層;厚度為44nm,氬氣與氧氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW;
[0081] F、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺銀靶,在步驟E中的ZnO層上磁控濺射Ag 層;厚度為4nm,所述電源的濺射功率控制在0?60KW;
[0082] G、采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺平面鎳鉻靶,在步驟F中的Ag層上磁控濺 射NiCr層;厚度為3nm,所述電源的濺射功率控制在0?10KW;
[0083] H、采用氬氣和氮氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)硅靶,在步驟G中NiCr層上磁 控濺射SiN層;厚度為4nm,氬氣與氮氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW。
[0084] 實施例5
[0085] 在步驟E中控制ZnO層的厚度為33nm,其余跟實施例4相同。
[0086] 對本發(fā)明各實施例制得的玻璃產(chǎn)品性能進行測試,并取市場購買的普通雙銀玻璃 作為對比,測試標準按照中國JGJ151標準進行,結(jié)果如下表1所示:
[0087] 表1金色雙銀低輻射鍍膜玻璃性能測試結(jié)果
[0088]

【權(quán)利要求】
1. 一種金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,具有玻璃基片,其特征在于:從玻璃基片的空氣面, 由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有八個膜層,其中第一層即最內(nèi)層為ZnO層,厚度為0?5nm ;第 二層為Ag層,厚度為0?25nm ;第三層為Cu層,厚度為0?10nm ;第四層為NiCr層,厚度 0?5nm ;第五層為ZnO層,厚度為0?60nm ;第六層為Ag層,厚度為0?10nm ;第七層為 NiCr層,厚度為0?8nm ;第八層為SiN層,厚度為0?10nm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第二層厚度為 8 ?25nm〇
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第三層厚度為 5 ?8nm〇
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第二層與第三 層的厚度比為1.4 :1?2:1。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第五層的厚度 為 40 ?60nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第七層NiCr層 的厚度大于第四層NiCr層的厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6所述的金色雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,包括 以下步驟 A、 采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)鋅靶,在玻璃基板上磁控濺射ZnO 層;厚度為〇?5nm,氬氣與氧氣的流量比為3 :4,所述電源的濺射功率控制在0?60KW ; B、 采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銀靶,在步驟A中ZnO層上磁控濺射Ag 層;厚度為〇?25nm,所述電源的濺射功率控制在0?30KW ; C、 采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面銅靶,在步驟B中的Ag層上磁控濺射Cu 層;厚度為〇?l〇nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW ; D、 采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺射平面鎳鉻靶,在步驟C中Cu層上磁控濺射 NiCr層;厚度為0?5nm,所述電源的濺射功率控制在0?20KW ; E、 采用氬氣和氧氣為工藝氣體,交流電源濺旋轉(zhuǎn)鋅靶,在步驟D中的NiCr層上磁控濺 射ZnO層;厚度為0?60nm,氬氣與氧氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW ; F、 采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺銀靶,在步驟E中的ZnO層上磁控濺射Ag層;厚 度為0?10nm,所述電源的濺射功率控制在0?60KW ; G、 采用氬氣作為工作氣體,直流電源濺平面鎳鉻靶,在步驟F中的Ag層上磁控濺射 NiCr層;厚度為0?8nm,所述電源的濺射功率控制在0?10KW ; H、 采用氬氣和氮氣為工藝氣體,交流電源濺射旋轉(zhuǎn)硅靶,在步驟G中NiCr層上磁控濺 射SiN層;厚度為0?10nm,氬氣與氮氣的流量比為6 :7,所述電源的濺射功率控制在0? 60KW。
【文檔編號】C03C17/36GK104386921SQ201410530957
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】余華駿, 江維, 胡勇 申請人:咸寧南玻節(jié)能玻璃有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1