一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法
【專利摘要】一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：將粒度為0.1~2μm的Al粉和Al2O3粉體混合均勻，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下1600~2000℃的溫度下30~180分鐘燒制，研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體以Al：Al2O3摩爾之比為1~5的比例均勻混合制成的。本發(fā)明制備的AlON陶瓷粉體為片狀結(jié)構(gòu)，顯微結(jié)構(gòu)均勻。
【專利說明】—種AION片狀陶瓷粉體的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，屬于陶瓷制備【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]AlON陶瓷材料具有優(yōu)良的耐高溫性能、高溫力學(xué)性能和熱學(xué)性能，被廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、機械、冶金等領(lǐng)域。但是，由于其抗氧化能力較差，在有氧存在的條件下約1000°C左右開始氧化，因此，嚴(yán)重制約該材料的應(yīng)用領(lǐng)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法。其技術(shù)方案為: 一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，將粒度為0.1-2ΜΠ1的Al粉和Al2O3粉體混合均
勻，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下160(T2000°C的溫度下30-180分鐘燒制，研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3摩爾之比為I飛的比例均勻混合制成的。
[0004]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點為:
1、本發(fā)明制備的AlON片狀陶瓷粉體顯微結(jié)構(gòu)均勻，片與片之間成一定角度，并與機體相連；
2、每一個晶粒表面為片狀A(yù)lON相連形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，在與其他晶體復(fù)合時形成弱界面聯(lián)系。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1是實施例1制備的AlON片狀陶瓷粉體XRD照片；圖2是實施例2制備的AlON片狀陶瓷粉體顯微照片。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
將粒度為0.1Mffl的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下1600°C的溫度下180分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al:Al2O3摩爾之比為I的比例均勻混合制成的。
[0007]實施例2
將粒度為0.1Mffl的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下1600°C的溫度下180分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al:Al2O3摩爾之比為2的比例均勻混合制成的。
[0008]實施例3
將粒度為2Mm的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下2000°C的溫度下30分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3粉體之以摩爾比為3.5的比例均勻混合制成的。[0009]實施例4
將粒度為IMffl的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下1800°C的溫度下90分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3摩爾比為5的比例均勻`混合制成的。
【權(quán)利要求】
1.一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，其特征在于:將粒度為0.1~2mu的Al粉和Al2O3粉體混合均勻，經(jīng)干壓成型后在氮氣氣氛下160(T2000°C的溫度下3(Tl80分鐘燒制，研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3摩爾之比為I飛的比例均勻混合制 成的。
【文檔編號】C04B35/58GK103755349SQ201310611067
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月28日
【發(fā)明者】唐竹興, 王洪忠, 邢新明, 褚為靜 申請人:山東理工大學(xué)