一種Ce-AlON陶瓷爐口磚的制備方法
【專利摘要】一種Ce-AlON陶瓷爐口磚的制備方法，其特征在于：將粒度為0.1~2μm的氧化鈰1~30wt%、AlN-Al2O3混合粉體70~99wt%混合均勻，經(jīng)冷等靜壓成型后在氮?dú)鈿夥障?500~2000℃的溫度下30~180分鐘燒制成Ce-AlON陶瓷爐口磚。本發(fā)明制備的Ce-AlON陶瓷爐口磚顯微結(jié)構(gòu)均勻，耐溫高，抗氧化性、力學(xué)性能和熱學(xué)性能優(yōu)良。
【專利說明】—種Ce-AION陶瓷爐口磚的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種Ce-AlON陶瓷爐口磚的制備方法，屬于陶瓷制備【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]AlON陶瓷材料具有優(yōu)良的光學(xué)性能、耐高溫性能、高溫力學(xué)性能和熱學(xué)性能，被廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、機(jī)械、冶金等領(lǐng)域。但是，由于其抗氧化能力較差，在有氧存在的條件下約1000°C左右開始氧化，因此，嚴(yán)重制約該材料的應(yīng)用領(lǐng)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種能克服上述缺陷、實(shí)現(xiàn)制備更高強(qiáng)度和高抗氧化能力的Ce-AlON陶瓷爐口磚材料。其技術(shù)方案為:
將粒度為0.1~2ΜΠ1的氧化鈰I~30wt%、AlN-Al2O3混合粉體7(T99wt%混合均勻，經(jīng)冷等靜壓成型后在氮?dú)鈿夥障?50(T2000°C的溫度下30~180分鐘燒制成Ce-AlON陶瓷爐口磚，其中AlN-Al2O3混合粉體是粒度為0.3^3Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為2飛的比例均勻混合制成的。
[0004]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)為:
1、本發(fā)明制備的Ce-AlON陶瓷爐口磚顯微結(jié)構(gòu)均勻，強(qiáng)度高，整體可靠性高；
2、通過添加氧化鈰可以將AlON結(jié)構(gòu)晶體的形成溫度降低到1500°C，且可以保持到室
溫；
3、Ce-AlON陶瓷爐口磚在氧化時(shí)生成穩(wěn)定的CeO2-Al2O3固溶體，使Ce-AlON陶瓷爐口磚材料具有優(yōu)良的抗氧化性能、力學(xué)性能及熱學(xué)性能。
【具體實(shí)施方式】
[0005]實(shí)施例1
將粒度為0.1Mm的氧化鋪lwt%、AlN-Al2O3混合粉體99wt%混合均勻，經(jīng)冷等靜壓成型后在氮?dú)鈿夥障?000°C的溫度下180分鐘燒制成Ce-AlON陶瓷爐口磚，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為0.3Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為2的比例均勻混合制成的。
[0006]實(shí)施例2
將粒度為IMm的氧化鋪15wt%、AlN- Al2O3混合粉體85wt%混合均勻，經(jīng)冷等靜壓成型后在氮?dú)鈿夥障?800°C的溫度下90分鐘燒制成Ce-AlON陶瓷爐口磚，其中AlN- Al2O3混合粉體是粒度為2Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為5的比例均勻混合制成的。
[0007]實(shí)施例3
將粒度為2Mm的氧化鈰30wt%、AlN- Al2O3混合粉體70wt%混合均勻，經(jīng)冷等靜壓成型后在氮?dú)鈿夥障?500°C的溫度下30分鐘燒制成Ce-AlON陶瓷爐口磚，其中AlN- Al2O3混合粉體是粒度為IMm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為3.5的比例均勻混合制成的。
【權(quán)利要求】
1.一種Ce-AlON陶瓷爐口磚的制備方法，其特征在于:將粒度為0.1-2μm的氧化鈰l~30wt%、AlN- Al2O3混合粉體70-99wt%混合均勻，經(jīng)冷等靜壓成型后在氮?dú)鈿夥障?500-2000°C的溫度下30~180分鐘燒制成Ce-AlON陶瓷爐口磚，其中AlN- Al2O3混合粉體是粒度為0.3^3Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為2飛的比例均勻混合制成的。
【文檔編號】C04B35/58GK103664182SQ201310611068
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月28日
【發(fā)明者】唐竹興 申請人:山東理工大學(xué)