一種中低壓氧化鋅壓敏電阻及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種中低壓氧化鋅壓敏電阻及其制備方法。該壓敏電阻是由以ZnO為主體,再添加Bi2O3、Co3O4、Sb2O3、MnCO3、Ni2O3、ZrO2、SiO2、SnO2、MgO、TiO2、H3BO3、Al(NO3)3·9H2O、AgNO3、KNO3原料制備而成。制備方法是將中低壓氧化鋅壓敏電阻配方球磨混合、造粒后的粉料采用混雜成型工藝壓制成生坯體,然后再經(jīng)過排膠、燒結(jié)、絲網(wǎng)印銀、還原、焊接、包封工序,即可得到一種中低壓氧化鋅壓敏電阻。本發(fā)明的制備方法工藝簡單,所制備的壓敏電阻電壓梯度在80V/mm~150V/mm,壓敏電壓離散度小,非線性系數(shù)高,老化性能好,能量密度大,綠色環(huán)保。
【專利說明】一種中低壓氧化鋅壓敏電阻及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及的是一種中低壓氧化鋅壓敏電阻及其制備方法,屬于電子元器件制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件,具有大電流處理和能量吸收能力,在保護(hù)電力設(shè)備安全、保障電子設(shè)備正常穩(wěn)定工作方面起著重要作用,廣泛應(yīng)用于航空、航天、電力、郵電、鐵路、汽車、家用電器等領(lǐng)域。目前商品化的壓敏電阻器來自ZnO系、TiO2系、SrTiO3系和BaTiO3系壓敏陶瓷材料,其中性能最好,應(yīng)用最廣泛的當(dāng)屬20世紀(jì)60年代發(fā)展起來的ZnO基壓敏電阻器。根據(jù)臺(tái)灣工業(yè)研究院的研究數(shù)據(jù),2004年全球電阻器的市場規(guī)模為54億美元,其中壓敏電阻器約占17%,達(dá)到9億美元。近年來,隨著電路安規(guī)要求日益加強(qiáng),壓敏電阻器將呈現(xiàn)良好的發(fā)展趨勢。
[0003]目前壓敏電阻廠商重視技術(shù)和工藝發(fā)展,只有不斷推出新產(chǎn)品,開發(fā)高端市場,以品質(zhì)控制質(zhì)量,通過成本控制和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)提升,利用成本優(yōu)勢,保持高的毛利率,從而提高核心競爭力。到目前為止,已經(jīng)申請(qǐng)了多項(xiàng)發(fā)明專利,基本都以中高壓、高壓和低壓為主,如專利號(hào)為201210583288.0,名稱是一種壓敏電阻及壓敏電阻材料;專利號(hào)為200910049087.0,名稱是高能型氧化鋅壓敏電阻復(fù)合粉體及該壓敏電阻的制造方法;專利號(hào)為201210188114.4,名稱是一種多層壓敏電阻器及其制備方法;專利號(hào)為201110404540.2,名稱是一種氧化鋅壓敏電阻材料及其制備方法;專利號(hào)為201210582082.6,名稱是一種氧化鋅壓敏電阻材料及制備方法;專利號(hào)為201210554024.2,名稱是一種高焦耳型壓敏 電阻及其制備方法;專利號(hào)為200610097724.8,名稱是微波燒結(jié)氧化鋅壓敏電阻的方法;專利號(hào)為201210031381.0,名稱是一種Bi系氧化鋅壓敏電阻材料;專利號(hào)為200910219289.5,名稱是一種高壓壓敏電阻及其制備方法;專利號(hào)為201210017323.2,名稱是一種氧化鋅壓敏電阻生料;專利號(hào)為201010538897.5,名稱是一種氧化鋅壓敏電阻材料及其制備方法;專利號(hào)為201110278893.2,名稱是一種低壓壓敏電阻陶瓷材料及其制備方法。但是對(duì)于中低壓壓敏電阻材料研究較少,因此在壓敏電壓68疒200V的壓敏電阻的芯片制造中存在質(zhì)量下降,產(chǎn)品合格率低的缺點(diǎn)。通常選用中高壓壓敏電阻配方作為原始配方,這樣導(dǎo)致在成型工藝中,胚體壓制過薄,而使得壓敏電壓分散性較大,而且由于胚體厚度薄,導(dǎo)致在燒成工藝中容易變形,從而導(dǎo)致合格率低下。有部分廠商選擇使用低壓壓敏電阻材料作為原始配方,但是低壓壓敏電阻材料存在一個(gè)致命的缺點(diǎn)就是非線性系數(shù)低,漏電流偏大,通流性能差,這樣不利于提升產(chǎn)品的質(zhì)量。而且以上大多數(shù)專利配方中含有大量的鉛、鉻元素,不利于人體健康,并且難以滿足歐盟的環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),嚴(yán)重影響產(chǎn)品的出口。因此從產(chǎn)品本征結(jié)構(gòu)出發(fā),在材料配方改進(jìn)和工藝改進(jìn)方面還有很大的技術(shù)突破空間。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出了一種混雜成型工藝,研制出了一種中低壓氧化鋅壓敏電阻,可以填補(bǔ)壓敏電壓68疒200V的壓敏電阻原配方的缺陷,并且有效地提高產(chǎn)品的致密度,大大減小壓敏電壓的離散度,從而使得合格率大幅度提升。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采取了如下技術(shù)方案:一種中低壓氧化鋅壓敏電阻,主要由下述摩爾百分比的原料制備而成:
ZnO: Bi2O3: Co3O4: Sb2O3: MnCO3: Ni2O3: ZrO2: SiO2:
SnO2: MgO: TiO2:H3BO3: Al (NO3) 3.9H20: AgNO3: KNO3 等于 95.4%~97.0%:
0.45%~0.6%: 0.3%~0.55%: 0.5%~1.1%: 0.5%~0.75%: 0.35%~0.45%: 0.01%~0.04%: 0.08%~0.15%: 0.05%~0.13%: 0.1%~0.2%: 0.5%~1.0%: 0.015%~0.025%:
0.004%~0.006%: 0.ΟΡ/1~Ο.015%: 0.005%~0.012%,各組分含量之和為 100% ;
一種中低壓氧化鋅壓敏電阻的制備方法的具體步驟是:
(1)取下述摩爾百分比的分析純?cè)?ZnO: Bi2O3: Co3O4: Sb2O3: MnCO3: Ni2O3: Zr02: SiO2: SnO2: MgO: TiO2: H3BO3: Al (NO3) 3.9Η20: AgNO3: KNO3等于95.4%~97.0%:
0.45%~0.6%: 0.3%~0.55%: 0.5%~1.1%: 0.5%~0.75%: 0.35%~0.45%: 0.01%~0.04%: 0.08%~0.15%: 0.05%~0.13%: 0.1%~0.2%: 0.5%~1.0%: 0.015%~0.025%:
0.004%~0.006%: 0.ΟΡ/1~Ο.015%: 0.005%~0.012%稱量配置成中低壓氧化鋅壓敏電阻混合粉體,然后放入球磨罐中,加入鋯球、去離子水和分散劑,濕式球磨混合4~8小時(shí),取出,并在120°C ~150°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干;其中,鋯球、去離子水、分散劑、原料總重量的比為3~4:1~2:0.01~0.03: I ;所述分散劑指的是銨鹽類陽離子表面活性劑;
(2)將步驟(1)中烘干的粉體用研缽碾碎,加入質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在80°C~100°C烘箱中烘焙,得造粒粉料;其中,聚乙烯醇水溶液的重量占烘干粉體總重量的15%~30%,造粒粉料的含水率為0.35%~0.55% ;
(3)將步驟(2)中的造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng),然后將過60目篩網(wǎng)下的顆粒粉料依次過80目,100目,120目,200目的篩網(wǎng),分選出不同粒徑范圍的粉料顆粒;將過篩下來60目~80目、80目~100目、100目~120目、120目~200目以及200目以下不同粒徑的顆粒粉料按照重量百分比8%~16%: 25%~40%: 35%~45%: 5%~10%: 1%~5%配制,并進(jìn)行充分混合均勻;其中,不同粒徑的粉料顆粒各組分含量之和為100%;
(4)將步驟(3)中混合均勻的粉料壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.3擴(kuò)1.45毫米,重量為0.98^1.05克的生坯體;
(5)將步驟(4)中的生坯體經(jīng)550°C~650°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1050°C~1250°C,保溫2~4小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,得到燒結(jié)好的瓷片;
(6)將燒結(jié)好的瓷片印銀、還原、焊接、包封;所述印銀采用的工藝是絲網(wǎng)印刷工藝技術(shù),銀漿采用的是含銀量為75%的銀漿。
[0006]采取上述措施的本發(fā)明具有以下特點(diǎn):
(I)本發(fā)明的制備方法工藝簡單,所制備的壓敏電阻電壓梯度在80V/mnTl50V/mm,非線性系數(shù)高,老化性能好,耐組合波能力強(qiáng),能量密度大,綠色環(huán)保。
[0007](2)本發(fā)明通過混雜成型工藝,制備出的瓷片致密度高,并且產(chǎn)品壓敏電壓離散度小。[0008](3)本發(fā)明可以有效的克服在燒結(jié)中產(chǎn)品變形,成品合格率達(dá)99.9%以上。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。需要指出的是,按照本發(fā)明的技術(shù)方案,下述實(shí)施例還可以舉出許多,根據(jù) 申請(qǐng)人:大量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,在本發(fā)明的權(quán)利要求書所提出的范圍,均可以達(dá)到本發(fā)明的目的。
[0010]實(shí)施例1
1.分別稱量分析純?cè)?150 克 ZnO,4.0159 克 Bi2O3' 1.8847 克 Co3O4,4.4666 克 Sb2O3'1.1008 克 MnCO3U.1087 克 Ni203、0.0708 克 ZrO2、0.0921 克 Si02、0.1444 克 Sn02、0.0772克 Mg。、1.5293 克 Ti02、0.0178 克 Η3Β03、0.0288 克 Al (NO3) 3.9Η20、0.0326 克 AgN03、0.0097克KNO3至球磨罐中,然后加入500克鋯球、250克去離子水和1.7克分散劑,濕式球磨混合 4小時(shí),取出,并在120°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干,得中低壓壓敏電阻混合粉體。
[0011 ] 2.將步驟I中烘干的混合粉體用研缽碾碎,加入35克質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在80°C烘箱中烘焙,得含水率為0.35%~0.55%造粒粉料;
3.將步驟2中造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng),然后將過60目篩網(wǎng)下的顆粒粉料依次過80目,100目,120目,200目的篩網(wǎng),分選出不同粒徑范圍的粉料顆粒;將過篩下來60目~80目、80目~100目、100目~120目、120目~200目以及200目以下不同粒徑的顆粒粉料按照重量百分比8%: 40%: 43%: 5%: 4%配制,并進(jìn)行充分混合均勻;
4.將步驟3中混合均勻的粉料在壓片機(jī)上壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.39^1.45暈米,重量為0.98 1.05克的生還體;
5.將步驟4中的生坯體經(jīng)550°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1225°C,保溫4小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,即可得到燒結(jié)好的瓷片;
6.將燒結(jié)好的瓷片采用含銀量為75%的銀電極漿料絲網(wǎng)印銀、還原、焊接、包封,即可得到一種中低壓氧化鋅壓敏電阻。產(chǎn)品性能見下表1。
[0012]實(shí)施例2
1.分別稱量分析純?cè)?150 克 ZnO,5.344 克 Bi2O3U.8587 克 Co3O4,5.288 克 Sb2O3'1.3309 克 MnCO3'1.2766 克 Ni203、0.0942 克 Zr02、0.1724 克 Si02、0.374 克 Sn02、0.1542克 Mg。、1.5291 克 Ti02、0.0296 克 Η3Β03、0.0431 克 Al (NO3) 3.9Η20、0.0487 克 AgN03、0.0232克KNO3至球磨罐中,然后加入600克鋯球、250克去離子水和1.7克分散劑,濕式球磨混合4小時(shí),取出,并在140°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干,得中低壓壓敏電阻混合粉體。
[0013]2.將步驟I中烘干的混合粉體用研缽碾碎,加入40克質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在100°c烘箱中烘焙,得含水率為0.35%~0.55%造粒粉料;
3.將步驟2中造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng),然后將過60目篩網(wǎng)下的顆粒粉料依次過80目,100目,120目,200目的篩網(wǎng),分選出不同粒徑范圍的粉料顆粒;將過篩下來60目~80目、80目~100目、100目~120目、120目~200目以及200目以下不同粒徑的顆粒粉料按照重量百分比16%: 30%: 39%: 10%: 5%配制,并進(jìn)行充分混合均勻;
4.將步驟3中混合均勻的粉料在壓片機(jī)上壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.39^1.45暈米,重量為0.98 1.05克的生還體;
5.將步驟4中的生坯體經(jīng)650°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1180°C,保溫3小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,即可得到燒結(jié)好的瓷片;
6.將燒結(jié)好的瓷片采用含銀量為75%的銀電極漿料絲網(wǎng)印銀、還原、焊接、包封,即可得到一種中低壓氧化鋅壓敏電阻。產(chǎn)品性能見下表1。
[0014]實(shí)施例3
1.分別稱量分析純?cè)?150 克 ZnO,4.9324 克 Bi2O3U.8537 克 Co3O4,5.274 克 Sb2O3'1.2831 克 MnCO3U.3897 克 Ni203、0.0711 克 Zr02、0.1156 克 Si02、0.375 克 Sn02、0.1163克 Mg。、1.3834 克 Ti02、0.0296 克 Η3Β03、0.0375 克 Al (NO3) 3.9Η20、0.0327 克 AgN03、0.0156克KNO3至球磨罐中,然后加入600克鋯球、250克去離子水和1.7克分散劑,濕式球磨混合4小時(shí),取出,并在130°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干,得中低壓壓敏電阻混合粉體。
[0015]2.將步驟I中烘干的混合粉體用研缽碾碎,加入40克質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在100°c烘箱中烘焙,得含水率為0.35%~0.55%造粒粉料;
3.將步驟2中造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng),然后將過60目篩網(wǎng)下的顆粒粉料依次過80目,100目,120目,200目的篩網(wǎng),分選出不同粒徑范圍的粉料顆粒;將過篩下來60目~80目、80目~100目、100目~120目、120目~200目以及200目以下不同粒徑的顆粒粉料按照重量百分比12%: 35%: 40%: 8%: 5%配制,并進(jìn)行充分混合均勻;
4.將步驟3中混合均勻的粉料在壓片機(jī)上壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.39^1.45暈米,重量為0.98 1.05克的生還體;
5.將步驟4中的生坯體經(jīng)650°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1200°C,保溫3小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,即可得到燒結(jié)好的瓷片;
6.將燒結(jié)好的瓷片采用含銀量為75%的銀電極漿料絲網(wǎng)印銀、還原、焊接、包封,即可得到一種中低壓氧化鋅壓敏電阻。產(chǎn)品性能見下表1。
`[0016]實(shí)施例4
1.分別稱量分析純?cè)?150 克 ZnO,5.213 克 Bi2O3U.8579 克 Co3O4,6.1395 克 Sb2O3'
1.286 克 MnCO3U.3928 克 Ni203、0.0713 克 Zr02、0.1159 克 Si02、0.2907 克 Sn02、0.1166克 Mg。、1.4635 克 Ti02、0.0298 克 Η3Β03、0.0376 克 Al (NO3) 3.9Η20、0.0393 克 AgN03、0.0156克KNO3至球磨罐中,然后加入600克鋯球、250克去離子水和1.7克分散劑,濕式球磨混合4小時(shí),取出,并在150°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干,得中低壓壓敏電阻混合粉體。
[0017]2.將步驟I中烘干的混合粉體用研缽碾碎,加入40克質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在100°c烘箱中烘焙,得含水率為0.35%~0.55%造粒粉料;
3.將步驟2中造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng),然后將過60目篩網(wǎng)下的顆粒粉料依次過80目,100目,120目,200目的篩網(wǎng),分選出不同粒徑范圍的粉料顆粒;將過篩下來60目~80目、80目~100目、100目~120目、120目~200目以及200目以下不同粒徑的顆粒粉料按照重量百分比10%: 33%: 45%: 10%: 2%配制,并進(jìn)行充分混合均勻;
4.將步驟3中混合均勻的粉料在壓片機(jī)上壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.39^1.45暈米,重量為0.98 1.05克的生還體;
5.將步驟4中的生坯體經(jīng)600°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1150°C,保溫4小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,即可得到燒結(jié)好的瓷片;
6.將燒結(jié)好的瓷片采用含銀量為75%的銀電極漿料絲網(wǎng)印銀、還原、焊接、包封,即可得到一種中低壓氧化鋅壓敏電阻。產(chǎn)品性能見下表1。[0018]實(shí)施例5
1.分別稱量分析純?cè)?150 克 ZnO,4.9324 克 Bi2O3U.8537 克 Co3O4,5.274 克 Sb2O3'1.2831 克 MnCO3U.3897 克 Ni203、0.0711 克 Zr02、0.1156 克 Si02、0.375 克 Sn02、0.1163克 Mg。、1.3834 克 Ti02、0.0296 克 Η3Β03、0.0375 克 Al (NO3) 3.9Η20、0.0327 克 AgN03、0.0156克KNO3至球磨罐中,然后加入600克鋯球、250克去離子水和1.7克分散劑,濕式球磨混合
4小時(shí),取出,并在130°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干,得中低壓壓敏電阻混合粉體。
[0019]2.將步驟I中烘干的混合粉體用研缽碾碎,加入40克質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在100°c烘箱中烘焙,得含水率為0.35%~0.55%造粒粉料;
3.將步驟2中造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng);
4.將步驟3中混合均勻的粉料在壓片機(jī)上壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.39^1.45暈米,重量為0.98 1.05克的生還體;
5.將步驟4中的生坯體經(jīng)650°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1200°C,保溫3小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,即可得到燒結(jié)好的瓷片;
6.將燒結(jié)好的瓷片采用含銀量為75%的銀電極漿料絲網(wǎng)印銀、還原、焊接、包封,即可得到一種中低壓氧化鋅壓敏電阻。產(chǎn)品性能見下表1。
[0020]為了檢測本發(fā)明產(chǎn)品的性能,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了性能測試,測試結(jié)果如下表1所示,從表1中各實(shí)施例測試結(jié)果可知,本發(fā)明的各項(xiàng)性能指標(biāo)均優(yōu)于現(xiàn)有同類產(chǎn)品,并且本發(fā)明中采用的混雜成型工藝, 制備出的壓敏電阻瓷片比傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備出的壓敏電阻瓷片致密度高,壓敏電壓離散度小,合格率大幅度提升。
[0021]表1:實(shí)施例壓敏電阻性能測試表
【權(quán)利要求】
1.一種中低壓氧化鋅壓敏電阻,其特征在于所述壓敏電阻主要由下述摩爾百分比的原料制備而成:
ZnO: Bi2O3: Co3O4: Sb2O3: MnCO3: Ni2O3: ZrO2: SiO2: SnO2: MgO: TiO2:H3BO3: Al (NO3)3.9H20: AgNO3: KNO3 等于 95.4%~97.0%: 0.45%~0.6%:.0.3%~0.55%: 0.5%~1.1%: 0.5%~0.75%: 0.35%~0.45%: 0.01%~0.04%: 0.08%~0.15%: 0.059Π).13%: 0.Ρ/ Ο.2%: 0.59Tl.0%: 0.0159Π).025%: 0.004%~0.006%:.0.01%~0.015%: 0.005%~0.012%,各組分含量之和為100%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中低壓氧化鋅壓敏電阻的制備方法,其特征在于所述方法的具體步驟是:
(1)取下述摩爾百分比的分析純?cè)?ZnO: Bi2O3: Co3O4: Sb2O3: MnCO3: Ni2O3: Zr02: SiO2: SnO2: MgO: TiO2: H3BO3: Al (NO3) 3.9Η20: AgNO3: KNO3等于95.4%~97.0%:.0.45%~0.6%: 0.3%~0.55%: 0.5%~1.1%: 0.5%~0.75%: 0.35%~0.45%: 0.01%~0.04%: 0.08%~0.15%: .0.05%~0.13%: 0.1%~0.2%: 0.5%~1.0%: 0.015%~0.025%:.0.004%~0.006%: 0.ΟΡ/ Ο.015%: 0.005%~0.012%稱量配置成中低壓氧化鋅壓敏電阻混合粉體,然后放入球磨罐中,加入鋯球、去離子水和分散劑,濕式球磨混合4~8小時(shí),取出,并在120°C ~150°C烘箱內(nèi)快速干燥,直至完全烘干;其中,鋯球、去離子水、分散劑、原料總重量的比為3~4:1~2: 0.01~0.03: I ;所述分散劑指的是銨鹽類陽離子表面活性劑; (2)將步驟(1)中烘干的粉體用研缽碾碎,加入質(zhì)量濃度為5%的聚乙烯醇水溶液,造粒,然后在80°C~100°C烘箱中烘焙,得造粒粉料;其中,聚乙烯醇水溶液的重量占烘干粉體總重量的15%~30%,造粒粉料的含水率為0.35%~0.55% ; (3)將步驟(2)中的造粒粉料碾碎,完全過60目篩網(wǎng),然后將過60目篩網(wǎng)下的顆粒粉料依次過80目,100目,120目,200目的篩網(wǎng),分選出不同粒徑范圍的粉料顆粒;將過篩下來60目~80目、80目~100目、100目~120目、120目~200目以及200目以下不同粒徑的顆粒粉料按照重量百分比8%~16%: 25%~40%: 35%~45%: 5%~10%: 1%~5%配制,并進(jìn)行充分混合均勻;其中,不同粒徑的粉料顆粒各組分含量之和為100% ; (4)將步驟(3)中混合均勻的粉料壓制成直徑為16.6毫米,厚度為1.3擴(kuò)1.45毫米,重量為0.98^1.05克的生坯體; (5)將步驟(4)中的生坯體經(jīng)550°C~650°C排膠后進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1050°C~.1250°C,保溫2~4小時(shí),然后隨電阻爐自然降溫,得到燒結(jié)好的瓷片; (6)將燒結(jié)好的瓷片印銀、還原、焊接、包封;所述印銀采用的工藝是絲網(wǎng)印刷工藝技術(shù),銀漿采用的是含銀量為75%的銀漿。
【文檔編號(hào)】C04B35/622GK103693953SQ201310610318
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月27日
【發(fā)明者】褚冬進(jìn), 劉丹, 常寶成, 覃遠(yuǎn)東, 梁自偉, 陳玉萍, 周軍偉, 周煥福 申請(qǐng)人:廣西新未來信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司