專利名稱：一種混合硅烷自組裝法制備硫化釤薄膜圖案化的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硫化釤薄膜圖案化的制備方法，具體涉及一種單晶硅表面混合硅烷自組裝法制備硫化釤薄膜圖案化的方法，是一種利用自組裝單層膜來誘導SmS薄膜生長的方法，尤其是一種制備表面致密均一的純相SmS薄膜及具有微米級圖案的SmS薄膜的方法。
背景技術(shù)：
SmS晶體為立方結(jié)構(gòu)，是一種壓變色材料。在常溫常壓下是黑色的半導體 (S-SmS)，其晶格參數(shù)為0. 597nm，在6. 5X108pa的靜壓力下，SmS晶體會經(jīng)歷從半導體相向金屬相(M-SmS)的相變。晶格常數(shù)從0. 597nm減少到0. 570nm左右；而且，晶體顏色將從黑色變?yōu)榻瘘S色，體積收縮大約在16%左右[Jayaraman A，Narayanamurti V，Bucher Eetal. Continuous and Discontinuous Semiconductor-metal Tran-sition in Samarium Monochalcogenides Under Pressure [J]. Phy Rev Lett. 1970,25(20) : 1430. ]。SmS 的薄膜透過為綠色，反射則為藍色或者是偏藍的黑色，發(fā)生相轉(zhuǎn)變后，它會變成藍色的透過色和金黃色的反身寸色[Hickey C F，Gibson U J. Optical Response of Switching SmS in Thin Films Prepared by Reactive Evaporation[J]. J Appl Phys.1987,62(9) :3912 3916]。 因此，具有壓變色性質(zhì)的SmS可以用于全息記錄和貯存器、光學開關(guān)和光學數(shù)字貯存器等。 到目前為止，制備硫化釤薄膜的方法有反應性蒸鍍[Petrov M P. Holographies Storage in SmS Thin Films [J] · Optics Communications. 1977,22(3) :293 四6]、真空沉積、電子束蒸鍍、雙靶濺射等[黃劍鋒，馬小波等.SmS光學薄膜研究新進展[J].材料導報.2006， 20(9) :9 12]。這些制備工藝已經(jīng)比較成熟，但是需要的設備比較特殊，昂貴；制備工藝復雜，條件苛刻等因素，使得制備硫化釤薄膜的成本太高，不能簡單快速的制備性能良好的薄膜。自組裝(Self-assembled monolayers)技術(shù)(簡稱SAMs技術(shù))，是一種制備薄膜的新技術(shù)，通過表面活性劑與基底之間的化學吸附作用，在基板材料上自組形成排列整齊，致密，有序的單分子膜層。以自組裝膜為模板誘導無機前軀體溶液在基底表面沉積成膜的仿生合成制膜技術(shù)，具有傳統(tǒng)物理化學方法無可比擬的優(yōu)點，是一種極具應用前景的新型、高效的綠色制膜技術(shù)[談國強，劉劍，賀中亮.自組裝單層膜技術(shù)及其在制備功能薄膜領(lǐng)域中的應用[J].陶瓷.2009，7:9 13]。這種制膜方法操作簡便，成本低，不需特殊設備，且制備出的薄膜均勻、致密、低缺陷，強度高，結(jié)合力好，不需后期晶化處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種混合硅烷自組裝法制備硫化釤薄膜圖案化的方法，此方法能夠制備出具有良好微結(jié)構(gòu)的SmS薄膜級其圖案化。為達到上述目的，本發(fā)明的具體方法如下1)分別取0. 2-4. Og分析純的六水合氯化釤(SmCl3 ·6Η20)和0. 2-4. Og分析純的氯化銨(NH4Cl)置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到100-200°C保溫20-120min，然后繼續(xù)升溫到200-300°C，保溫20-120min 除掉所有水分，繼續(xù)升溫到300-400°C，保溫30-360min，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末A;2)取0. 2-2. Og的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到800 1000°C，保溫30 120min，然后降到室溫， 得到粉末B ；3)取0. 2-2. Og粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加IO-SOmL的去離子水攪拌均勻得溶液C;4)向溶液C中加入0. 1-10. Og的EDTA(乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入0. 01-10. OOg分析純的硫代硫酸鈉(Na2S2O3)攪拌均勻得溶液 E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的PH值至2. 0-6. 0得前驅(qū)液F ；7)將羥基化的硅基板置于體積濃度為1 2%的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡30min 360min，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于100 120°C干燥得OTS硅基板；8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為1 3cm照射30 360min，使沒有覆蓋光掩膜部分的OTS頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中30-360min，取出用丙酮溶液清洗，然后在氮氣氣氛保護下于100 120°C下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空， 然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在40 90°C下沉積l_50h制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中50 90°C干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。所述的羥基化的硅基板是先將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩30min 池后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N2吹干，然后在紫外線照射儀中，照射10 60min得羥基化的硅基板。本發(fā)明以十八烷基三氯硅烷(0化)和3-氨丙基甲基三乙氧基硅烷(APTQ為模板，采用紫外光照射儀作為光刻蝕設備，利用短波紫外光(λ = 184. 9nm)對OTS-SAMs進行表面改性及圖案化刻蝕，得到微米級圖案，結(jié)合化學液相沉積法，在圖案化的SAMs表面制備SmS圖案化薄膜，而OTS自組裝單層膜具有制備簡單、有序程序更好，常溫下膜層對溶劑的穩(wěn)定性更好等特點。而且通過對這種膜進行紫外線照射，可以有選擇的地改性，進而使 APTS在OTS分子膜上進行選擇性的自組裝，使得薄膜表面具有不同的功能團，從而來改變組裝分子的結(jié)構(gòu)，很方便地對膜層的化學，物理和生物等性質(zhì)進行控制，進一步誘導無機材料在其表面進行選擇性沉積。本發(fā)明采用液相自組裝方法，制得的硫化釤納米薄膜，均勻，致密，低缺陷，強度高，并且通過控制前驅(qū)液濃度、PH值以及沉積時間可以控制薄膜厚度和晶粒大小。還可以根據(jù)不用的實際需要提供不同表面微結(jié)構(gòu)的SmS圖案化薄膜。這種方法制備的硫化釤納米薄膜重復性高，易于大面積制膜，制備過程中也不會產(chǎn)生污染，是一種環(huán)境友好薄膜制備技術(shù)。


圖1為實施例1所制備的圖案化的硫化釤納米薄膜未被紫外照射區(qū)域的原子力顯微鏡(AFM)圖片；圖2為實施例1所制備的圖案化的硫化釤薄膜被紫外照射區(qū)域的原子力顯微鏡 (AFM)圖片。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。實施例1 1)分別取0.2g分析純的六水合氯化釤(SmCl3 ·6Η20)和Ig分析純的氯化銨 (NH4Cl)置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到200°C保溫20min，然后繼續(xù)升溫到300°C，保溫20min除掉所有水分，繼續(xù)升溫到380°C，保溫lOOmin，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末A ；2)取0. 6g的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到800°C，保溫60min，然后降到室溫，得到粉末B ；3)取0. 2g粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加30mL的去離子水攪拌均勻得溶液C ；4)向溶液C中加入0. Ig的EDTA (乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入0. 2g分析純的硫代硫酸鈉(Naj2O3)攪拌均勻得溶液E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的pH值至2. O得前驅(qū)液F ；7)將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩30min后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用隊吹干，然后在紫外線照射儀中，照射IOmin得羥基化的硅基板；將羥基化的硅基板置于體積濃度為的OTS (十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡360min，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于100°C干燥得OTS硅基板；8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為Icm照射360min，使沒有覆蓋光掩膜部分的OTS 頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中360min，取出用丙酮溶液清洗，然后在氮氣氣氛保護下于100°c下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空， 然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在40°C下沉積50h制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中50°C干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。將該實施例制備的圖案化的硫化釤薄膜用日本精工的SPA400-SPI3800N型原子力顯微鏡(AFM)對其表面形貌進行分析。從照片可以看出未被紫外照射區(qū)域(圖1)非常光滑，說明沒有硫化釤薄膜的生成，被紫外照射區(qū)域(圖幻薄膜表面凹凸不平，說明被紫外照射區(qū)域形成了結(jié)晶較好的硫化釤薄膜。實施例2
5
1)分別取Ig分析純的六水合氯化釤(SmCl3 ·6Η20)和0.2g分析純的氯化銨 (NH4Cl)置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到100°C保溫120min，然后繼續(xù)升溫到200°C，保溫120min除掉所有水分，繼續(xù)升溫到300°C，保溫360min，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末A ；2)取0. 2g的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到1000°C，保溫30min，然后降到室溫，得到粉末B ；3)取0. 5g粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加IOmL的去離子水攪拌均勻得溶液C ；4)向溶液C中加入0. 5g的EDTA (乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入0. Olg分析純的硫代硫酸鈉(Naj2O3)攪拌均勻得溶液E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的pH值至5. 0得前驅(qū)液F ；7)將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩池后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N2吹干，然后在紫外線照射儀中，照射40min得羥基化的硅基板；將羥基化的硅基板置于體積濃度為2 %的OTS (十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡30min，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于110°C干燥得OTS硅基板；8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為2cm照射180min，使沒有覆蓋光掩膜部分的OTS 頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中30min，取出用丙酮溶液清洗， 然后在氮氣氣氛保護下于110°C下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空， 然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在70°C下沉積2 制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中70°C干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。實施例3 1)分別取2g分析純的六水合氯化釤(SmCl3 ·6Η20)和3g分析純的氯化銨(NH4Cl) 置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到130°C保溫90min，然后繼續(xù)升溫到250°C，保溫SOmin除掉所有水分，繼續(xù)升溫到 4000C，保溫30min，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末A ；2)取Ig的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到900°C，保溫90min，然后降到室溫，得到粉末B ；3)取1. 5g粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加SOmL的去離子水攪拌均勻得溶液C ；4)向溶液C中加入5g的EDTA (乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入3g分析純的硫代硫酸鈉(Na2S2O3)攪拌均勻得溶液E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的pH值至6. O得前驅(qū)液F ；7)將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩Ih后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N2吹干，然后在紫外線照射儀中，照射60min得羥基化的硅基板；將羥基化的硅基板置于體積濃度為1. 5%的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡180min，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于105°C干燥得OTS硅基板；
8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為3cm照射30min，使沒有覆蓋光掩膜部分的OTS 頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中180min，取出用丙酮溶液清洗，然后在氮氣氣氛保護下于105°C下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空， 然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在90°C下沉積Ih制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中90°C干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。實施例4 1)分別取4g分析純的六水合氯化釤(SmCl3 ·6Η20)和2g分析純的氯化銨(NH4Cl) 置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到150°C保溫60min，然后繼續(xù)升溫到220°C，保溫IOOmin除掉所有水分，繼續(xù)升溫到 3300C，保溫^Omin，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末A ；2)取1. 5g的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到950°C，保溫40min，然后降到室溫，得到粉末B ；3)取2g粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加60mL的去離子水攪拌均勻得溶液C ；4)向溶液C中加入8g的EDTA (乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入5. OOg分析純的硫代硫酸鈉(Naj2O3)攪拌均勻得溶液E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的pH值至4. O得前驅(qū)液F ；7)將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩池后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N2吹干，然后在紫外線照射儀中，照射20min得羥基化的硅基板；將羥基化的硅基板置于體積濃度為1. 3%的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡^Omin，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于115°C干燥得OTS硅基板；8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm,在一個大氣壓下，保持照射距離為2. 5cm照射lOOmin，使沒有覆蓋光掩膜部分的 OTS頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中260min，取出用丙酮溶液清洗，然后在氮氣氣氛保護下于115°C下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空， 然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在8o°c下沉積1 制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中80°c干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。實施例5 1)分別取3g分析純的六水合氯化釤(SmCl3 ·6Η20)和4g分析純的氯化銨(NH4Cl) 置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到180°C保溫40min，然后繼續(xù)升溫到觀01，保溫50min除掉所有水分，繼續(xù)升溫到 3500C，保溫160min，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末A ；2)取2g的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到850°C，保溫120min，然后降到室溫，得到粉末B ；
7
3)取Ig粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加50mL的去離子水攪拌均勻得溶液C ；4)向溶液C中加入IOg的EDTA (乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入10. OOg分析純的硫代硫酸鈉(Naj2O3)攪拌均勻得溶液E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的pH值至3. 0得前驅(qū)液F ；7)將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩池后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N2吹干，然后在紫外線照射儀中，照射30min得羥基化的硅基板；將羥基化的硅基板置于體積濃度為1. 8%的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡120min，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于120°C干燥得OTS硅基板；8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為1. 5cm照射^Omin，使沒有覆蓋光掩膜部分的 OTS頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中120min，取出用丙酮溶液清洗，然后在氮氣氣氛保護下于120°C下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空， 然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在60°C下沉積40h制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中60°C干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。
權(quán)利要求
1.一種混合硅烷自組裝法制備硫化釤薄膜圖案化的方法，其特征在于1)分別取0.2-4. Og分析純的六水合氯化釤(SmCl3 · 6H20)和0. 2-4. Og分析純的氯化銨(NH4Cl)置于研缽中混合均勻，然后將其放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空管式爐，氬氣氣體保護下升溫到100-200°C保溫20-120min，然后繼續(xù)升溫到200-300°C，保溫20-120min除掉所有水分，繼續(xù)升溫到300-400°C，保溫30-360min，除掉NH4Cl,然后降到室溫，得到粉末 A；2)取0.2-2. Og的金屬釤粉末與粉末A混合均勻，放入氧化鋁瓷舟中，在高溫真空式管式爐中，通入氬氣氣體保護下升溫到800 1000°C，保溫30 120min，然后降到室溫，得到粉末B;3)取0.2-2. Og粉末B置于燒杯中，向燒杯中滴加IO-SOmL的去離子水攪拌均勻得溶液C；4)向溶液C中加入0.1-10. Og的EDTA (乙二胺四乙酸)，常溫下磁力攪拌均勻得溶液D ；5)向溶液D中加入0.01-10. OOg分析純的硫代硫酸鈉(Naj2O3)攪拌均勻得溶液E ；6)用氨水調(diào)節(jié)溶液E的pH值至2.0-6. 0得前驅(qū)液F ；7)將羥基化的硅基板置于體積濃度為1 2%的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室溫下浸泡30min 360min，取出后用丙酮清洗，然后在氮氣氣氛保護下于100 120°C干燥得OTS硅基板；8)將干燥的OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，紫外光輻射波波長 184. 9nm，在一個大氣壓下，保持照射距離為1 3cm照射30 360min，使沒有覆蓋光掩膜部分的OTS頭基的烷基在紫外光的光激發(fā)下進行羥基化轉(zhuǎn)變，得到圖案化的硅基板I ；9)然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中30-360min，取出用丙酮溶液清洗， 然后在氮氣氣氛保護下于100 120°C下干燥，得到圖案化的硅基板II ；10)將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液F中，將燒杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后將真空干燥皿置于干燥箱中，在40 90°C下沉積l_50h制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中50 90°C干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合硅烷自組裝法制備硫化釤薄膜圖案化的方法，其特征在于所述的羥基化的硅基板是先將硅基板浸泡在王水中，使用超聲波震蕩30min 池后在室溫中自然冷卻，然后再用去離子水反復清洗，用N2吹干，然后在紫外線照射儀中，照射 10 60min得羥基化的硅基板。
全文摘要
一種混合硅烷自組裝法制備硫化釤薄膜圖案化的方法，將六水合氯化釤與氯化銨在高溫真空管式爐中燒結(jié)得粉末A；將金屬釤粉末與粉末A混合在高溫真空式管式爐燒結(jié)得粉末B；將粉末B溶于去離子水中后再加入EDTA、硫代硫酸鈉后調(diào)節(jié)pH值至2.0-6.0得前驅(qū)液；將OTS硅基板用光掩膜覆蓋，放在紫外線照射儀中，照射得到圖案化的硅基板I；然后將圖案化的硅基板I浸入APTS-甲苯溶液中得到圖案化的硅基板II；將圖案化后的硅基板II置于前驅(qū)液中于干燥箱中沉積制備硫化釤薄膜，將制備好的薄膜置于真空干燥箱中干燥得圖案化硫化釤納米薄膜。本發(fā)明采用液相自組裝方法，制得的硫化釤納米薄膜，均勻，致密，低缺陷，強度高，并且通過控制前驅(qū)液濃度、pH值以及沉積時間可以控制薄膜厚度和晶粒大小。
文檔編號C04B41/52GK102503556SQ20111037491
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月23日
發(fā)明者侯艷超, 曹麗云, 李意峰, 殷立雄, 黃劍鋒 申請人:陜西科技大學