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制備透明MgAlON陶瓷的方法及透明MgAlON陶瓷的制作方法

文檔序號:2015149閱讀:458來源:國知局
專利名稱:制備透明MgAlON陶瓷的方法及透明MgAlON陶瓷的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無機非金屬陶瓷領(lǐng)域,具體是一種用放電等離子燒結(jié)制備透明MgAlON陶瓷的方法及透明MgAlON陶瓷。
背景技術(shù)
透明MgAlON陶瓷是一種新型的光學(xué)陶瓷材料,具有優(yōu)異的光學(xué)、介電、物理和機械性能,其光學(xué)性能比藍(lán)寶石晶體、石英玻璃、熱壓MgF2等光學(xué)材料更為優(yōu)異,在紫外、可見光、紅外光波段具有良好的透過率??蓮V泛用于制造導(dǎo)彈頭罩、透明裝甲、各種高溫高壓設(shè)備觀察窗、紅外波段窗口材料及制導(dǎo)和光電對抗裝置中。但是透明MgAlON陶瓷面臨的最主要問題是難以制造。目前國內(nèi)外制備透明MgAlON陶瓷所采用的方法皆是兩步法即先采用固相反應(yīng)燒結(jié)或碳熱還原氮化法合成高純MgAlON粉,然后在利用熱壓燒結(jié)或熱等靜壓燒結(jié)在高溫下制備透明MgAlON陶瓷。這種方法的最大缺點是難度大,工藝復(fù)雜,生產(chǎn)過程難以控制,生產(chǎn)周期長,生產(chǎn)成本高。由于從熱力學(xué)上講,MgAlON能夠穩(wěn)定存在的氧氮分壓范圍很小,因此合成過程中必須嚴(yán)格控制氣氛的組成,氧氣的分壓一般要控制在10-19MPa左右,才有可能得到高純或單相MgAlON粉料,另外反應(yīng)燒結(jié)和碳熱還原氮化法皆需要1650℃以上的高溫和長的反應(yīng)時間,一般為幾個小時以上。此外在合成MgAlON粉料的過程中,還伴隨這各種副反應(yīng)的發(fā)生,這一點在碳熱還原過程中尤為顯著。如此嚴(yán)格的氣氛控制、如此高的合成溫度、如此長的反應(yīng)時間給目前MgAlON粉料的合成帶了極大的困難和高昂的生產(chǎn)成本。即使合成出高純或單相的MgAlON陶瓷粉料,要制備出透明的MgAlON陶瓷也相當(dāng)困難,因為MgAlON粉料的燒結(jié)性很差,需要高溫(1800℃以上)、高壓(氮氣壓力約為150MPa)且嚴(yán)格的氣氛(高純氮氣)保護下進(jìn)行。因此目前這種先合成MgAlON粉料,在加壓燒結(jié)制備透明MgAlON陶瓷的方法具有很大的難度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決目前透明MgAlON陶瓷難以制備的問題,提供一種簡單可行、快速高效的制備透明MgAlON陶瓷的方法以及按照此方法制得的透明MgAlON陶瓷。
本發(fā)明制備透明MgAlON陶瓷的方法采用如下步驟a、取高純含鎂化合物、高純含鋁化合物及AlN配制高純原料,其中各組分的質(zhì)量百分含量分別是,高純含鎂化合物0.5~25%、高純含鋁化合物60~90%、高純AlN 0.5~15%;b、將所述高純原料放入球磨罐中,以乙醇為介質(zhì)共磨12~36小時,干燥后得混合粉料;c、將所述混合粉料置于石墨模具中,然后放入放電等離子燒結(jié)爐中,施加10~100MPa壓力,進(jìn)行燒結(jié),升溫速率為50~400℃/min,燒結(jié)溫度為1500~1800℃,保溫后隨爐冷卻至室溫,即得透明MgAlON陶瓷。
采用上述方法能夠制得透明MgAlON陶瓷,該透明MgAlON陶瓷中各組分的質(zhì)量百分組成為MgO 0.5~25%,Al2O360~85%,AlN 0.5~15%。該透明MgAlON陶瓷的光學(xué)性能為0.3~0.5μm可見光波段透過率為60~80%,3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%。
本發(fā)明方法可制得另一種透明MgAlON陶瓷,該透明MgAlON陶瓷是由Mg、Al、O和N四種元素所構(gòu)成,其中N元素的質(zhì)量百分含量為0.5~5%。該透明MgAlON陶瓷的光學(xué)性能為0.3~0.5μm可見光波段透過率為60~80%,3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%。
放電等離子燒結(jié)技術(shù)是一種嶄新的燒結(jié)工藝,其顯著的特點是升溫速率快、燒結(jié)溫度低、燒結(jié)時間短。其基本原理是用脈沖大電流通過加壓的被燒結(jié)體,使被燒結(jié)體內(nèi)部顆粒間發(fā)生放電激發(fā)等離子,從而使每個顆粒均勻地自身發(fā)熱和表面活化,傳質(zhì)和傳熱過程瞬時完成,在極短的時間內(nèi)使被燒結(jié)體致密化。由于MgAlON的形成實際上是MgO、Al2O3和AlN之間的固溶過程。由于放電等離子燒結(jié)能夠除去粉料顆粒表面的惰性膜,使顆粒表面活化,從而能夠在很短的時間內(nèi)完成固溶過程,形成單相的MgAlON陶瓷。由于放電等離子燒結(jié)是在高度真空條件下進(jìn)行且反應(yīng)時間很短,一般只要幾分鐘到幾十分鐘,因此能有效地避免傳統(tǒng)燒結(jié)過程中嚴(yán)格的氣氛控制和各種副反應(yīng)的不利影響。在反應(yīng)燒結(jié)形成MgAlON的過程中又能完全致密化而得到透明MgAlON陶瓷,這就將MgAlON陶瓷的合成和致密化結(jié)合為一體,從而避免了傳統(tǒng)方法先制備高純MgAlON粉料,然后再熱壓燒結(jié)制備透明陶瓷所帶來的一系列難題。
本發(fā)明的優(yōu)點在于它以高純含鎂化合物、含鋁化合物及AlN為原料,采用放電等離子燒結(jié)技術(shù),通過合理的燒結(jié)工藝,經(jīng)反應(yīng)燒結(jié)直接制備出一定組成和規(guī)格的透明MgAlON陶瓷,解決了傳統(tǒng)工藝制備透明MgAlON陶瓷工藝復(fù)雜,生產(chǎn)周期長、生產(chǎn)成本高的難題。本方法工藝簡單、高效,能夠一步制備出透明MgAlON陶瓷。所制備的透明MgAlON陶瓷N元素的質(zhì)量百分含量為0.5~5%,可見光波段透過率60~80%,在3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%,可廣泛應(yīng)用于各種高溫窗口及國防科技等領(lǐng)域中的各種透波部件。
具體實施例方式
以下結(jié)合實施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
本制備透明MgAlON陶瓷的方法以高純含鎂化合物、含鋁化合物及AlN為原料,采用放電等離子燒結(jié)技術(shù),通過合理的燒結(jié)工藝,經(jīng)反應(yīng)燒結(jié)直接制備出一定組成和規(guī)格的透明MgAlON陶瓷。具體方法為a、取高純含鎂化合物、高純含鋁化合物及AlN配制高純原料,其中各組分的質(zhì)量百分含量分別是,高純含鎂化合物5~25%、高純含鋁化合物60~90%、高純AlN 0.5~15%;b、將所述高純原料放入球磨罐中,以乙醇為介質(zhì)共磨12~36小時,干燥后得混合粉料;c、將所述混合粉料置于石墨模具中,然后放入放電等離子燒結(jié)爐中,施加10~100Mpa的軸向壓力,施加800~3500A的脈沖電流,使?fàn)t內(nèi)溫度以50~400℃/min的升溫速率升至1500~1800℃,進(jìn)行燒結(jié),保溫0~2h后,將爐溫快速降到600℃以下,然后隨爐冷卻至室溫,即制得透明MgAlON陶瓷。
其中,高純含鎂化合物可以采用純度不低于99.9%的MgO、或Mg(OH)2或MgCO3,高純含鋁化合物可以采用純度不低于99.9%的Al2O3、或Al(OH)2。
球磨罐中使用的磨球可以采用高純剛玉質(zhì)磨球、或高純Al2O3磨球等。
按照上述方法可制得質(zhì)量百分組成為MgO 0.5~25%,Al2O360~85%,AlN 0.5~15%的透明MgAlON陶瓷。該透明MgAlON陶瓷的光學(xué)性能為0.3~0.5μm可見光波段透過率為60~80%,3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%。
按照上述方法還可制得N元素的質(zhì)量百分含量為0.5~5%的透明MgAlON陶瓷。該透明MgAlON陶瓷的光學(xué)性能為0.3~0.5μm可見光波段透過率為60~80%,3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%。
上述透明MgAlON陶瓷為片狀結(jié)構(gòu),厚度為0.5~10mm,橫截面積為100mm2。
下面為兩個具體的實施例。
實施例1將純度為99.99%的MgO、Al2O3和AlN粉料按質(zhì)量百分含量為MgO10%、Al2O380%、AlN 10%的比例配料,然后放入球磨罐中以無水乙醇為介質(zhì)共磨12h并干燥后制得混合粉料。將混合粉料裝入放電等離子燒結(jié)爐的石墨模具中。以200℃/min的升溫速率將溫度升至1750℃并保溫60min。升溫及保溫過程中施加的壓力為40MPa。保溫結(jié)束后,在6min內(nèi)將爐溫降至600℃以下。完全冷卻后取出樣品,即得到透明MgAlON陶瓷。
實施例2將純度為99.99%的Mg(OH)2、Al(OH)3及AlN粉料按質(zhì)量百分含量為MgO 20%、Al2O370%、AlN 10%的比例配料,然后放入球磨罐中以無水乙醇為介質(zhì)共磨12h并干燥后制得混合粉料。將混合粉料裝入放電等離子燒結(jié)爐的石墨模具中。以200℃/min的升溫速率將溫度升至1000℃并保溫20min,保溫結(jié)束后將溫度升至1800℃并保溫60min。升溫及保溫過程中施加的壓力為40MPa。保溫結(jié)束后,在6min內(nèi)將爐溫降至600℃以下。完全冷卻后取出樣品,即得到透明MgAlON陶瓷。
實施例3將純度為99.99%的Mg(OH)2、Al(OH)3及AlN粉料按質(zhì)量百分含量為MgO 20%、Al2O365%、AlN 15%的比例配料,然后放入球磨罐中以無水乙醇為介質(zhì)共磨24h并干燥后制得混合粉料。將混合粉料裝入放電等離子燒結(jié)爐的石墨模具中燒結(jié),采用實施例2所述的工藝條件,即可制得透明MgAlON陶瓷。
權(quán)利要求
1.一種制備透明MgAlON陶瓷的方法,其特征是包括以下步驟a、取高純含鎂化合物、高純含鋁化合物及高純AlN配制高純原料,其中各組分的質(zhì)量百分含量分別是,高純含鎂化合物0.5~25%、高純含鋁化合物60~90%、高純AlN 0.5~15%;b、將所述高純原料放入球磨罐中,以乙醇為介質(zhì)共磨12~36小時,干燥后得混合粉料;c、將所述混合粉料置于石墨模具中,然后放入放電等離子燒結(jié)爐中,施加10~100MPa壓力,進(jìn)行燒結(jié),升溫速率為50~400℃/min,燒結(jié)溫度為1500~1800℃,保溫后隨爐冷卻至室溫,即得透明MgAlON陶瓷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備透明MgAlON陶瓷的方法,其特征是步驟c中,放電等離子燒結(jié)時的保溫時間為0~2小時,保溫結(jié)束后,將爐溫快速降到600℃以下,然后隨爐冷卻至室溫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備透明MgAlON陶瓷的方法,其特征是所述高純含鎂化合物是純度不低于99.9%的MgO、或Mg(OH)2、或MgCO3,高純含鋁化合物是純度不低于99.9%的Al2O3、或Al(OH)2,高純AlN原料的純度不低于99.9%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備透明MgAlON陶瓷的方法,其特征是燒結(jié)時的脈沖電流為800~3500A。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備透明MgAlON陶瓷的方法,其特征是所制得的片狀透明MgAlON陶瓷的光學(xué)性能是0.3~0.5μm可見光波段透過率為60~80%,3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1方法制備的透明MgAlON陶瓷,其特征是該透明MgAlON陶瓷中各組分的質(zhì)量百分組成為MgO 0.5~25%,Al2O360~85%,AlN 0.5~15%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1方法制備的透明MgAlON陶瓷,其特征是該透明MgAlON陶瓷是由Mg、Al、O和N四種元素所構(gòu)成,其中N元素的質(zhì)量百分含量為0.5~5%。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述透明MgAlON陶瓷,其特征是該透明MgAlON陶瓷的光學(xué)性能為0.3~0.5μm可見光波段透過率為60~80%,3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述透明MgAlON陶瓷,其特征是所述的透明MgAlON陶瓷為片狀結(jié)構(gòu),厚度為0.5~10mm,橫截面積為100mm2。
全文摘要
本發(fā)明涉及透明MgAlON陶瓷的制備方法及透明MgAlON陶瓷,它以高純含鎂化合物、含鋁化合物及AlN為原料,采用放電等離子燒結(jié)技術(shù),經(jīng)反應(yīng)燒結(jié)直接制備出一定組成和規(guī)格的透明MgAlON陶瓷。本方法工藝簡單、高效。所制備的透明MgAlON陶瓷N元素的質(zhì)量百分含量為0.5~5%,可見光波段透過率60~80%,在3.0~5.0μm紅外波段透過率為60~85%,可廣泛應(yīng)用于各種高溫窗口及國防科技等領(lǐng)域中的各種透波部件。
文檔編號C04B35/10GK1709823SQ20051003530
公開日2005年12月21日 申請日期2005年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月21日
發(fā)明者張厚興, 黃勇, 李海峰, 萬之堅, 黃晴 申請人:清華大學(xué)深圳研究生院
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