專利名稱:一種低溫?zé)Y(jié)的固溶體微波介質(zhì)陶瓷材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬于微波介質(zhì)材料制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低溫?zé)Y(jié)的高品質(zhì)因數(shù)的固溶體陶瓷材料。
背景技術(shù):
近年來隨著移動(dòng)通信技術(shù)的迅速發(fā)展,微波器件的小型化、片式化和集成化成為重要的發(fā)展方向,其中包括多層濾波器、雙工器、片式天線等在內(nèi)的多層片式化微波器件得到了快速發(fā)展。多層微波器件的發(fā)展對(duì)微波介質(zhì)陶瓷材料提出了更高的要求,材料不僅具有高的介電常數(shù)、高的品質(zhì)因數(shù)等微波介電性能,更要求材料的燒結(jié)溫度必須低于1000℃或950℃,以便與高導(dǎo)電率的銅或銀金屬內(nèi)導(dǎo)體共燒結(jié)形成一體化多層結(jié)構(gòu)。高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的燒結(jié)溫度一般高于1500℃,目前,已發(fā)現(xiàn)的能與銀或銅共燒的低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷材料體系很少,為了達(dá)到微波介質(zhì)陶瓷的低溫?zé)Y(jié),通常在高燒介質(zhì)陶瓷體系中添加低熔點(diǎn)玻璃料,但會(huì)使材料的品質(zhì)因數(shù)顯著降低。
ZnO-Nb2O5體系介質(zhì)陶瓷具有優(yōu)異的微波介電性能和相對(duì)低的燒結(jié)溫(1150℃),通過外加低熔氧化物如CuO為助燒劑可使燒結(jié)溫度降到1000℃以下,但由于額外添加助燒劑的需要量大,且氧化物助燒劑在燒結(jié)陶瓷中以第二相的形式存在,使品質(zhì)因數(shù)顯著降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為克服已有技術(shù)的不足之處,提供基于Zn-Nb-V-Sb-O體系的微波介質(zhì)陶瓷材料,無需任何添加劑或調(diào)節(jié)劑,將材料的燒結(jié)溫度降低到1000℃以下,并獲得了很高的Q×f值,介電常數(shù)在22~25之間的一種低溫?zé)Y(jié)的微波介質(zhì)陶瓷材料。
本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)的固溶體微波介質(zhì)陶瓷材料,主要由ZnO、Nb2O5、V2O5、Sb2O5組成的不另外含有助燒劑的固溶體材料體系,它的表達(dá)式為xZnO.yNb2O5.mV2O5.nSb2O3,其按各組分摩爾比組成如下ZnO50~55mol%,Nb2O535~49mol%,V2O51.0~10mol%,Sb2O50~9.0mol%。
本發(fā)明提出制備上述固溶體微波介質(zhì)陶瓷材料的方法,是將ZnO、Nb2O5、V2O5、Sb2O5四種氧化物在875℃-1000℃下燒結(jié)形成具有致密的組織結(jié)構(gòu)和發(fā)育完整的晶粒形態(tài)的固溶體。
上述四種氧化物在燒結(jié)過程中與銀或銅內(nèi)導(dǎo)體共燒,可用于制備多層濾波器、雙工器、天線和功能模塊等多層微波器件。
本發(fā)明的特點(diǎn)是通過引入少量低熔氧化物形成固溶體材料,促進(jìn)晶粒生長,優(yōu)化顯微結(jié)構(gòu),達(dá)到在實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)的同時(shí),提高了材料的品質(zhì)因數(shù)。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)燒結(jié)溫度低,根據(jù)組成配比的不同,燒結(jié)溫度在875~1000℃之間,燒結(jié)氣氛為空氣,壓力條件為常壓;(2)具有高的Q×f值(即品質(zhì)因數(shù)與諧振頻率乘積),按組成配比的不同,其范圍在34000~102900GHz,微波頻率下介電常數(shù)在22~25之間;微波介質(zhì)陶瓷材料的Q×f值和介電常數(shù)等可以通過調(diào)整組成的方法改變;(3)制備工藝簡單、成本低、沒有毒副作用,無需任何助燒劑或添加劑;(4)可以用來制備應(yīng)用于微波頻段、可集成化的多層微波諧振器、濾波器等微波器件。
圖1為采用本發(fā)明在950℃時(shí)燒結(jié)材料的顯微結(jié)構(gòu)。
圖2為采用本發(fā)明共燒多層器件中銀導(dǎo)體與陶瓷微觀形貌。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了基于Zn-Nb-V-Sb-O體系的微波介質(zhì)陶瓷材料,無需添加調(diào)節(jié)劑,將材料的燒結(jié)溫度降低到1000℃以下,并獲得了Q×f值(即品質(zhì)因數(shù)與諧振頻率乘積)范圍在34000~102900GHz,微波頻率下介電常數(shù)在22~25之間的微波介質(zhì)陶瓷材料,其特征在于其按各組分摩爾比組成如下ZnO 50-55mol%,Nb2O535-49mol%,V2O5 1.0-10mol%,Sb2O50~9mol%。
僅舉以下幾個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明予以進(jìn)一步說明,但不用以限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實(shí)施例1由ZnO、Nb2O5和V2O5組成固溶體材料體系,按摩爾比各組分如下ZnO 50.8mol%,Nb2O548.2mol%,V2O5 1.0mol%制備方法為將上述混合料置于球磨罐中,加入乙醇(約為混合料總重量的1.5-2.5倍),行星磨2小時(shí)后在烘箱中烘干,研磨過篩后待用;將所得粉體在空氣中預(yù)燒,800℃保溫2小時(shí);之后粉體經(jīng)6小時(shí)行星磨后在烘箱中烘干待用;在所得粉體中加入適量粘結(jié)劑造粒,經(jīng)干壓和冷等靜壓成型制成圓柱狀樣品,在875~1000℃、空氣中燒成,保溫時(shí)間為2小時(shí)即可;經(jīng)砂紙打磨拋光后待測(cè)試;通過對(duì)微波性能的測(cè)試,該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能如表一。950℃燒結(jié)材料的顯微結(jié)構(gòu)見圖1,陶瓷材料顯示出致密的組織結(jié)構(gòu)和發(fā)育完好的晶粒形態(tài)。
表一實(shí)施例1不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能
實(shí)施例2由ZnO、Nb2O5和V2O5組成固溶體材料體系,按摩爾比各組分如下ZnO 53.3mol%,Nb2O544.1mol%,V2O5 2.6mol%按實(shí)施例1所描述的制備工藝,制備上述組成的材料,通過對(duì)微波性能的測(cè)試,該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能如表二。
表二實(shí)施實(shí)例2不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能
實(shí)施例3由ZnO、Nb2O5、V2O5和Sb2O5組成固溶體材料體系,按摩爾比各組分如下ZnO 51.9mol%,Nb2O544.2mol%,V2O5 2.6mol%Sb2O51.3mol%
按實(shí)施例1所描述的制備工藝,制備上述組成的材料,通過對(duì)微波性能的測(cè)試,該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能如表三。
表三實(shí)施例3不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能
實(shí)施例4由ZnO、Nb2O5和V2O5組成固溶體材料體系,按摩爾比各組分如下ZnO 54.5mol%,Nb2O535.5mol%,V2O5 10mol%按實(shí)施例1所描述的制備工藝,制備上述組成的材料,通過對(duì)微波性能的測(cè)試,該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能如表四。
表四實(shí)施例4不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能
實(shí)施例5由ZnO、Nb2O5、V2O5和Sb2O5組成固溶體材料體系,按摩爾比各組分如下ZnO 54.5mol%,Nb2O534.5mol%,V2O5 1.0mol%,Sb2O59mol%按實(shí)施例1所描述的制備工藝,制備上述組成的材料,通過對(duì)微波性能的測(cè)試,該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能如表五。
表五實(shí)施實(shí)例5不同燒結(jié)溫度下的密度和微波介電性能
實(shí)施例6將在實(shí)施例2的材料制備成流延片,成膜后印刷銀電極,在適當(dāng)條件下疊層并切割,然后在900℃、空氣氣氛下燒成,保溫3小時(shí)后即可得到多層器件,圖2為共燒多層器件中銀導(dǎo)體與陶瓷微觀形貌,顯示陶瓷材料與銀有很好的共燒兼容性。
權(quán)利要求
1.一種低溫?zé)Y(jié)的固溶體微波介質(zhì)陶瓷材料,其特征在于,該材料主要由ZnO、Nb2O5、V2O5、Sb2O5組成的不另外含有助燒劑的固溶體材料體系,它的表達(dá)式為xZnO.yNb2O5.mV2O5.nSb2O3,各成份的含量(摩爾數(shù)%)為50≤x≤55,35≤y≤49,1.0≤m≤10,0≤n≤9,x+y+m+n=100,m+n≤10。
2.一種固溶體微波介質(zhì)陶瓷材料的制備方法,其特征在于,將ZnO、Nb2O5、V2O5、Sb2O5四種氧化物在875℃-1000℃下燒結(jié)形成具有致密的組織結(jié)構(gòu)和發(fā)育完整的晶粒形態(tài)的固溶體。
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述四種氧化物與銀或銅內(nèi)導(dǎo)體共燒,用于制備多層濾波器、雙工器、天線和功能模塊等多層微波器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種低溫?zé)Y(jié)后具有高品質(zhì)因數(shù)的微波介質(zhì)陶瓷材料,屬于微波介質(zhì)材料制造技術(shù)領(lǐng)域;該材料為xZnO·yNb
文檔編號(hào)C04B35/622GK1631840SQ20041010356
公開日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者岳振星, 王瑾, 趙飛, 李龍土, 桂治輪 申請(qǐng)人:清華大學(xué)