專利名稱：：一種低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料及所得mlcc電容器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及陶瓷介質(zhì)材料，尤其涉及一種符合NP0特性瓷料的低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料及所得多層陶瓷電容器MLCC的制備方法。
背景技術(shù)：
：隨著電子整機設(shè)備向小型化方向發(fā)展，多層片式陶瓷電容器的需求越來越大。目前以賤金屬鎳為內(nèi)電極的多層片式陶瓷電容器己經(jīng)得到廣泛的使用，但是只能應(yīng)用于低頻領(lǐng)域。近年來，隨著移動通信、衛(wèi)星通信、全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)、藍(lán)牙技術(shù)以及無線局域網(wǎng)(WLA)等現(xiàn)代通信技術(shù)的飛速發(fā)展，微波技術(shù)也向著更高頻率，即向著毫米波和亞毫米波的方向發(fā)展。相對介電常數(shù)在6-10,具有高Q值與近零諧振頻率溫度系數(shù)的低介電常數(shù)陶瓷材料的研究已越來越受關(guān)注。低介電常數(shù)的介質(zhì)陶瓷材料可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊，導(dǎo)彈遙控和全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)天線等。這些應(yīng)用領(lǐng)域除了要求陶瓷具有較低的介電損耗、低的諧振頻率溫度系數(shù)外，還要求陶瓷具有較小的介電常數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需解決的第一個技術(shù)問題是提供一種符合NP0瓷介特性、環(huán)保型好、材料分散性高、成型工藝好、介電常數(shù)小、介質(zhì)材料燒結(jié)時不裂開的低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料。本發(fā)明需解決的第二個技術(shù)問題是提供用該陶瓷介質(zhì)材料制備片式多層陶瓷電容器MLCC產(chǎn)品的方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，由主晶相、改性添加劑、燒結(jié)助熔劑組成。各組份的重量百分組成為，主晶相50-70wt%、改性添加劑0-13.4wt%、玻璃助熔劑16.6-40.5wt%。所述的主晶相是氧化鋁Al203。所述的改性添加劑是BaO、Ti02、MgO、CaO中的一種或幾種。所述的玻璃助熔劑是Si02、ZnO、B203、BiO中的一種或幾種。進(jìn)一步在上述低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料中，按重量份計，所述的改性添加劑在低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料中的組成是BaO0-3wt%、Ti020_3wt%、MgO0-5wt%、CaO0-2.4wt9L按重量份計，所述的玻璃助熔劑在低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料中的組成是Si0210-30wt%、ZnO0-5wt%、B2030-2wt%、BiO0.1-3.5wt%。再進(jìn)一步所述的低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，氧化鋁八1203優(yōu)選的百分組成為60-70wt%。本發(fā)明還提供了由上述陶瓷介質(zhì)材料制備陶瓷電容器的方法，包括制漿、流延、絲印、層壓、切割、燒結(jié)、封端工藝，所述的燒結(jié)溫度是800'C-100(TC。較低的燒結(jié)溫度杜絕瓷料裂開。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的主晶相選用A1203，改性添加劑是BaO、Ti02、MgO、CaO中的一種或幾種。玻璃助熔劑是Si02、ZnO、B203、BiO中的一種或幾種。玻璃助熔劑不含鉛Pb、鉻0+6、鎘Cd、汞Hg等有害元素，瓷料環(huán)保安全。材料的電氣性能滿足NPO瓷料的要求。將上述材料的各組份混合均勻得MLCC瓷料，再在該低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料中加入本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的高分子樹脂和溶劑，比如乙基纖維素、氫化松香樹脂有機粘合劑和乙醇等溶劑，通過三輥軋機進(jìn)行研磨輥軋得到相應(yīng)的介質(zhì)漿料(制漿)。最后將該漿料通過流延、絲印、層壓、切割、燒結(jié)、封端工藝制得多層陶瓷電容器MLCC產(chǎn)品。所述的燒結(jié)溫度是80(TC-100(TC。該制備方法中，燒結(jié)溫度低，對工藝設(shè)備的要求簡單，陶瓷介質(zhì)材料粒度分布均勻、晶粒生長均勻、致密、MLCC產(chǎn)品電氣性能好。尤其是MLCC產(chǎn)品的射頻特性好、Q值高、具有廣闊的市場前景。具體實施例方式本發(fā)明的主旨是采用A1A體系，加入改性添加劑、燒結(jié)助熔劑幫助降低燒結(jié)溫度。采用常規(guī)的工藝制成所需瓷料，得到一種符合NPO瓷介特性、環(huán)保型、材料分散性高、成型工藝好的高頻低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料。且在制作MLCC產(chǎn)品時，燒結(jié)溫度低。下面結(jié)合實施例對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步詳述，實施例中所提及的內(nèi)容并非對本發(fā)明的限定，材料配方選擇可因地制宜而對結(jié)果無實質(zhì)性的影響。首先，簡述本發(fā)明材料配方的基本方案一種低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，由主晶相、改性添加劑、玻璃助熔劑組成，各組份的重量百分組成為，主晶相50-70wt%、改性添加劑(M3.4wt%、玻璃助烙劑16.6-40.5wt%，所述的主晶相是氧化鋁Al203。所述的改性添加劑是BaO、Ti02、MgO、CaO中的一種或幾種。所述的玻璃助熔劑是Si02、ZnO、B203、BiO中的一種或幾種。實施例一種低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，選擇純度為分析純的原材料Al203，加入改性添加劑，按照表l的1-16號配方，經(jīng)過組分微調(diào)、濕式球磨、砂磨、干燥等工序處理后可以獲得分散性好，成份均一的主材料。按照表1的1-16號配方，量取玻璃助熔劑，經(jīng)過組分微調(diào)、濕式混合、干燥、煅燒工序處理后可以獲得分散性好，成份均一的玻璃材料。將上述主材料和玻璃材料按照表1的1-16號配方混合均勻得陶瓷介質(zhì)瓷料，用常規(guī)的方法制得陶瓷槳料，最后將該漿料通過流延、絲印、層壓、切割、燒結(jié)、封端工藝制得多層陶瓷電容器MLCC產(chǎn)品。所述的燒結(jié)溫度是800°C-1000°C。MLCC流延30um，做0603CQ規(guī)格產(chǎn)品，制作成MLCC后，在室溫25。C時，利用HP4278。在lMHz，1.OV(AC)下測試電容器容量、損耗。利用SF2512快速絕緣機，施加100V的DC額定電壓10秒，測試絕緣電阻。利用高低溫箱，在-55125'C之間，測試介電常數(shù)溫度系數(shù)。利用HP4991A測試電容器頻率特性等。產(chǎn)品性能測試參數(shù)如表2的116號材料配方對應(yīng)的MLCC測試參數(shù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>權(quán)利要求1、一種低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，由主晶相、改性添加劑、玻璃助熔劑組成，其特征在于各組份的重量百分組成為，主晶相50-70wt％、改性添加劑0-13.4wt％、玻璃助熔劑16.6-40.5wt％，所述的主晶相是氧化鋁Al2O3；所述的改性添加劑是BaO、TiO2、MgO、CaO中的一種或幾種；所述的玻璃助熔劑是SiO2、ZnO、B2O3、BiO中的一種或幾種。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于按重量份計，所述的改性添加劑在低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料中的組成是BaO0-3wt%、Ti020-3wt%、MgO0-5wt%、CaO0-2.4wt0/0。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于按重量份計，所述的玻璃助熔劑在低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料中的組成是Si0210-30wt%、ZnO0—5wt%、B2030-2wt%、BiO0.1-3.5wt%。4、根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于所述的氧化鋁Al203優(yōu)選的百分組成為60-70wt%。5、一種根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的陶瓷介質(zhì)材料制備陶瓷電容器的方法，包括制漿、流延、絲印、層壓、切割、燒結(jié)、封端工藝，其特征在于所述的燒結(jié)溫度是80(TC-1000°C。全文摘要本發(fā)明公開了一種低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料，由主晶相、改性添加劑、玻璃助熔劑組成。各組份的重量百分組成為，主晶相50-70wt％、改性添加劑0-13.4wt％、玻璃助熔劑16.6-40.5wt％。所述的主晶相是氧化鋁Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。所述的改性添加劑是BaO、TiO<sub>2</sub>、MgO、CaO中的一種或幾種。所述的玻璃助熔劑是SiO<sub>2</sub>、ZnO、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、BiO中的一種或幾種。用該陶瓷介質(zhì)材料制備陶瓷電容器的方法，包括制漿、流延、絲印、層壓、切割、燒結(jié)、封端工藝，所述的燒結(jié)溫度是800℃-1000℃。該介質(zhì)材料符合NPO瓷介特性、環(huán)保型好、材料分散性高、成型工藝好、介質(zhì)材料燒結(jié)時不開裂。文檔編號H01G4/30GK101671165SQ200910042390公開日2010年3月17日申請日期2009年8月28日優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日發(fā)明者付振曉,岑遠(yuǎn)清,杜澤偉,陳梓賢,巍韓申請人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司