專利名稱：硅片清洗刷的清洗裝置及其清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路的制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指在濕法化學(xué)清洗技術(shù)中用于硅片清洗刷的清洗裝置及其清洗方法。
背景技術(shù)：
由于集成電路的集成度迅速提高和元器件尺寸的減小，對(duì)于晶片表面清潔度的要求更加嚴(yán)格，晶片生產(chǎn)中的每一道工序都存在著污染的可能，都可能導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生和元器件的失效，因此，在集成電路的生產(chǎn)中，大約有20％的工序和硅片的清洗有關(guān)。
其中的濕法化學(xué)清洗技術(shù)在硅片表面清洗中處于主導(dǎo)地位，而在濕法化學(xué)清洗技術(shù)中較為常用的一種技術(shù)，如圖1所示，是在硅片機(jī)臺(tái)上(圖中未示)的一個(gè)清潔洗槽放入化學(xué)清洗液，然后置入待清洗的硅片(圖中未示)，在該清潔洗槽的上方設(shè)置有一個(gè)電動(dòng)的清洗刷100，清洗刷100的刷柄與一個(gè)控制裝置200相連接，由刷控制裝置200控制清洗刷100的旋轉(zhuǎn)，清洗刷100下部裝有刷毛做成的刷頭，刷柄轉(zhuǎn)動(dòng)，也帶動(dòng)其下部的刷頭在硅片表面進(jìn)行刷洗。當(dāng)清洗刷100下部的刷頭需要清洗時(shí)，則將清洗刷100及其下部的刷頭移至另一個(gè)洗槽400的上方，并接通位于側(cè)邊的水管300中的去離子水，一邊使清洗刷100低速轉(zhuǎn)動(dòng)，一邊用去離子水沖洗刷頭。一般的，清洗干凈一個(gè)刷頭100需去離子水20ml，耗時(shí)5min。然而，上述以水管沖洗刷頭的技術(shù)存在以下不足1、只用一根水管對(duì)刷頭進(jìn)行清洗，不容易使刷頭完全洗凈，再用不完全干凈的刷頭刷洗硅片，則會(huì)造成硅片成品率的下降；2、去離子水的用量太大；3、必須邊轉(zhuǎn)動(dòng)使清洗刷100邊沖洗，既增添了操作上的煩瑣，又不節(jié)約電力。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種硅片清洗刷的清洗裝置及其清洗方法，目的就是要提高清洗效率并降低去離子水用量、還可節(jié)約能耗，從而提高硅片成品率。
為達(dá)成以上目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種硅片清洗刷的清洗裝置，安裝于硅片清洗刷上，該清洗刷的下部設(shè)有一個(gè)由刷毛作成的刷頭，清洗裝置包括一個(gè)套置于所述硅片清洗刷外周的圓周形噴淋管，在所述噴淋管內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)出水孔，所述噴淋管還設(shè)有一個(gè)進(jìn)水孔。其中所述圓周形噴淋管位于所述硅片清洗刷的刷頭根部的外周處，且不與清洗刷相接觸；所述進(jìn)水孔設(shè)于所述噴淋管的外側(cè)壁上。
一種硅片清洗刷的清洗方法，該硅片清洗刷的下部設(shè)有一個(gè)由刷毛作成的刷頭，該方法是在所述硅片清洗刷的外周以復(fù)數(shù)條去離子水的水流噴淋所述清洗刷，從不同方向?qū)λ銮逑此⒌乃⒚M(jìn)行清洗，這些復(fù)數(shù)條去離子水的水流呈輻射狀、且相互間隔均勻地噴出到位于圓周中央的刷頭上。其中，在復(fù)數(shù)條去離子水的水流噴淋所述清洗刷時(shí)，可以轉(zhuǎn)動(dòng)、也可以不轉(zhuǎn)動(dòng)所述清洗刷。
使用本發(fā)明的硅片清洗裝置及清洗方法，其有益效果是首先由于本發(fā)明在刷頭上安裝了圓周形的噴淋管，且通過(guò)位于圓周上的多個(gè)出水孔對(duì)刷毛進(jìn)行噴淋，所以增加了去離子水的清洗面積，可明顯提高刷頭的清潔度，經(jīng)實(shí)驗(yàn)表明以本發(fā)明的裝置和方法清洗后的硅片上的雜質(zhì)顆粒可由原先的100顆降至20顆；其次減少了去離子水的用量，節(jié)約了成本；再次沖洗時(shí)不必非轉(zhuǎn)動(dòng)清洗刷，既節(jié)約電力又簡(jiǎn)便了操作。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)以水管沖洗刷頭的示意圖；圖2為本發(fā)明的清洗裝置套置于刷頭外周上的示意圖；
圖3為本發(fā)明的清洗裝置套置于刷頭外周上的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳述。本發(fā)明的原理就是用一個(gè)圓周形噴淋管套置于圖1中的清洗刷100的外周，使去離子水從外圓周向位于中心的刷頭噴淋沖洗，形成很多條去離子水的水流，以增加去離子水的清洗面積并減少去離子水的使用量。
如圖2所示，為本發(fā)明的圓周形噴淋管1100套置于刷頭100外周上的示意圖，請(qǐng)同時(shí)參見(jiàn)圖3，為本發(fā)明的清洗裝置套置于刷頭外周上的俯視圖；噴淋管1100為圓周形中空管道，套置于清洗刷100的刷頭外周，為使刷毛的清洗效果達(dá)到最佳，圓周形噴淋管1100優(yōu)選裝設(shè)于所述硅片清洗刷100的刷頭根部的外周處，噴淋管1100與刷頭根部不直接接觸，以便去離子水首先噴淋到刷毛根部，然后在地球重力作用下流向低處的刷毛梢部，使刷毛上所沾染的污染物從上到下被去離子水沖洗掉。在噴淋管1100內(nèi)側(cè)的壁上設(shè)有許多的出水孔1101，一個(gè)與水管300相連接的進(jìn)水孔1102位于噴淋管1100外側(cè)的壁上，當(dāng)然，若為了生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際需要，也可將該進(jìn)水孔1102設(shè)于噴淋管1100的其他部位，比如說(shuō)內(nèi)側(cè)壁上等位置；這些出水孔1101均勻分布于內(nèi)側(cè)圓周上，當(dāng)打開(kāi)進(jìn)水孔1102時(shí)，去離子水進(jìn)入圓周形噴淋管1100內(nèi)，然后從出水孔1101呈輻射狀噴出到位于圓周中央的刷頭。
這樣一來(lái)，沾有污染物顆粒的刷頭需要清洗時(shí)，就可直接啟動(dòng)本發(fā)明的圓周形噴淋管1100，使去離子水呈輻射狀噴淋到刷頭上，形成很所條的去離子水的水流，分別從不同方向?qū)λ⒚M(jìn)行洗滌，這就大大增加了去離子水的清洗面積、并降低了去離子水的用量。而且，由于去離子水是呈輻射狀地對(duì)刷頭進(jìn)行噴淋清洗，所以刷頭本身就不是必需要轉(zhuǎn)動(dòng)，這就使得操作更加簡(jiǎn)便、電力消耗降低。當(dāng)然，若刷頭轉(zhuǎn)動(dòng)的話，清洗效果會(huì)更好。
本實(shí)施例中，圓周形噴淋管1100是由PVC材料作成的，其外直徑尺寸為6mm，壁厚度為1mm，進(jìn)水孔1102的數(shù)目是1個(gè)，進(jìn)水孔1102的孔徑是6mm，清洗干凈一個(gè)刷頭100需去離子水12ml，耗時(shí)3min去離子水的水流速為4ml/min。顯然，以同樣的水流速度清洗干凈一個(gè)刷頭，本發(fā)明比現(xiàn)有技術(shù)的方法可節(jié)約8ml的去離子水。
應(yīng)當(dāng)指出的是，圖3的俯視圖制是本發(fā)明的一個(gè)最佳實(shí)施例，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，出水孔1101于內(nèi)側(cè)圓周上的分布也可以是其他方式，如不均勻排列、分為上下兩排的排列、或隨機(jī)的排列方式，只要能在圓周的不同方向上沖刷到清洗刷100的刷毛即可。
由以上數(shù)據(jù)與前面的“背景技術(shù)”中的現(xiàn)有技術(shù)數(shù)據(jù)相互比較可看出，使用本發(fā)明的裝置和方法，達(dá)到同樣的清洗效果，去離子水的用量減少了，清洗時(shí)間縮短了，且不需要電力轉(zhuǎn)動(dòng)刷頭，既簡(jiǎn)化操作又節(jié)約電能。
盡管本發(fā)明是參照其特定的優(yōu)選實(shí)施例來(lái)描述的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種硅片清洗刷的清洗裝置，安裝于硅片清洗刷上，該清洗刷的下部設(shè)有一個(gè)由刷毛作成的刷頭，其特征是所述清洗裝置包括一個(gè)套置于所述硅片清洗刷外周的圓周形噴淋管，在所述噴淋管內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)出水孔，所述噴淋管還設(shè)有一個(gè)進(jìn)水孔。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征是所述圓周形噴淋管位于所述硅片清洗刷的刷頭根部的外周處，且不與清洗刷相接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征是所述進(jìn)水孔設(shè)于所述噴淋管的外側(cè)壁上。
4.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征是所述復(fù)數(shù)個(gè)出水孔均勻分布于內(nèi)側(cè)壁的圓周上。
5.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征是所述圓周形噴淋管由PVC材料制成。
6.一種硅片清洗刷的清洗方法，該硅片清洗刷的下部設(shè)有一個(gè)由刷毛作成的刷頭，其特征是在所述硅片清洗刷的外周以復(fù)數(shù)條去離子水的水流噴淋所述清洗刷，從不同方向?qū)λ銮逑此⒌乃⒚M(jìn)行清洗。
7.如權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征是所述復(fù)數(shù)條去離子水的水流呈輻射狀、且相互間隔均勻地噴出到位于圓周中央的刷頭上。
8.如權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征是在復(fù)數(shù)條去離子水的水流噴淋所述清洗刷時(shí)，不轉(zhuǎn)動(dòng)所述清洗刷。
9.如權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征是在復(fù)數(shù)條去離子水的水流噴淋所述清洗刷時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)所述清洗刷。
10.如權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征是所述復(fù)數(shù)條去離子水的水流速為4ml/min。
全文摘要
硅片清洗刷的清洗裝置及其清洗方法，該清洗裝置安裝于硅片清洗刷上，包括一個(gè)套置于所述硅片清洗刷外周的圓周形噴淋管，在所述噴淋管內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)出水孔，所述噴淋管還設(shè)有一個(gè)進(jìn)水孔。其中所述圓周形噴淋管位于所述硅片清洗刷的刷頭根部的外周處，且不與清洗刷相接觸；所述進(jìn)水孔設(shè)于所述噴淋管的外側(cè)壁上；該清洗方法是在清洗刷的外周以復(fù)數(shù)條呈輻射狀的去離子水的水流噴淋所述清洗刷，從不同方向?qū)λ銮逑此⒌乃⒚M(jìn)行清洗，噴淋時(shí)，可以轉(zhuǎn)動(dòng)、也可以不轉(zhuǎn)動(dòng)所述清洗刷；本發(fā)明增加了去離子水的清洗面積，可明顯提高刷頭的清潔度，減少了去離子水的用量，節(jié)約了成本；再次沖洗時(shí)不必非轉(zhuǎn)動(dòng)清洗刷，既節(jié)約電力又簡(jiǎn)便了操作。
文檔編號(hào)B08B1/00GK1603015SQ0315142
公開(kāi)日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2003年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月29日
發(fā)明者李景倫 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司