專利名稱：憎水性硅片的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的內(nèi)容，總地說涉及晶片的種種清洗方法。更具體地說，這項(xiàng)發(fā)明涉及在清洗之前處理硅片的方法，其目的是，使某些可能在清洗過程中形成于硅片表面上的缺陷達(dá)到最小的程度。
單晶硅片的制備方法一般包括以下幾步單晶硅塊的生長，單晶硅塊的切片，硅片的研磨、腐蝕和拋光。此外，還可能需要對硅片進(jìn)行一次熱處理，比如進(jìn)行外延沉積的處理，以形成硅外延片。然而，這步處理是否進(jìn)行，將取決于電子器件生產(chǎn)者(廠家)提出的產(chǎn)品規(guī)格而定。
外延片是通過在硅片的表面上生長出外延硅層而形成的。一般說，硅是由四氯化硅、三氯硅烷、二氯硅烷或一氯硅烷，通過氣相沉積在950℃以上的溫度下形成。外延層的生長，往往能夠在低電阻率的沉積襯底上形成一個高電阻率層，其電阻率可達(dá)0.4-50歐坶—厘米，以符合電子器件生產(chǎn)者的設(shè)計要求。硅外延片的制備方法皆為眾所周知的方法，其具體制做方法在美國專利3,945,864號中有詳細(xì)的記述。
硅外延片，以及經(jīng)過腐蝕或拋光后的硅片，一般均具有憎水性的表面，它容易吸引各種微粒和雜質(zhì)。在硅片加工過程中帶來的雜質(zhì)，通常是用刷子或者用噴射高壓流體的辦法，將其從硅片表面上除掉。然而，這些辦法會給硅片帶來機(jī)械損傷，比如刷子的花紋會留在硅片的表面上。刷洗過程本身也會把金屬留在表面，使其污染。
具有憎水性表面的硅外延片，以及類似的特種晶片，也可以通過浸泡的辦法，即將晶片放在SC-1腐蝕液中浸泡，達(dá)到清洗的目的。不過，腐蝕液中所含的氫氧化銨組分，會對晶片表面產(chǎn)生過度的腐蝕，使表面粗糙和點(diǎn)蝕。因此，對于具有憎水性表面的晶片來說，如外延片，就要求提供一種方法，既能夠?qū)χM(jìn)行徹底的清洗，同時又能夠在腐蝕過程中使晶片上形成的缺陷總量減少到最低限。
本發(fā)明的主要目的是提供一種清洗表面屬憎水性的硅片，例如硅外延片的方法。其中通過保護(hù)硅外延片的表面免遭過度腐蝕，使器件產(chǎn)率上的損失可以降到最低水平。因此，本發(fā)明的一個相關(guān)目的就是提供一種硅片，其表面污染的微?？蛇_(dá)到最少的程度。
至于本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)，將可從下文的詳細(xì)記述中明顯地看出。
根據(jù)本發(fā)明，通過提供從硅片的憎水性表面上清除微粒的方法，則可實(shí)現(xiàn)上文所述的目標(biāo)。硅片的憎水性表面經(jīng)過化學(xué)氧化處理后，在表面上便生長出一個氧化物層，但不會對表面產(chǎn)生非均勻腐蝕。此氧化物層使硅片表面呈現(xiàn)出親水的性質(zhì)。然后，可以用苛性腐蝕液清洗這個親水性表面，以除掉表面上的微粒。
本發(fā)明還涉及在硅片清洗之前，對其憎水性外延表面進(jìn)行鈍化處理的方法。硅片的憎水性外延表面，經(jīng)過化學(xué)氧化在表面上生長出一個氧化物層，但不會對表面產(chǎn)生非均勻腐蝕。此氧化物層使表面呈現(xiàn)親水的性質(zhì)，同時該氧化物層的平均表面粗糙度，在1μm×1μm見方的面積范圍內(nèi)，小于0.06納米RMS。
本發(fā)明的另一實(shí)施方案為一硅外延片，它具有硅外延表面，而且有一個親水性的、濕化學(xué)氧化物層與該表面相接觸，其中硅片的平均粗糙度，在1μm×1μm見方的面積范圍內(nèi)，小于0.06納米RMS。


圖1表明，當(dāng)硅外延片用SC-1清洗前(-■-)和清洗后(-□-)，在硅外延片的表面上檢測的尺寸大于0.12μm的光點(diǎn)缺陷總數(shù)。
圖2表明，當(dāng)硅外延片經(jīng)氧化，并用SC-1清洗之后-■-，在硅外延片的表面上檢測到的尺寸大于0.13μm的光點(diǎn)缺陷總數(shù)。
圖3表明，在硅外延片處理之前(-◆-)和接受氧化處理并用SC-1清洗之后，(-■-)在硅外延片的表面上檢測到的尺寸大于0.3μm的光點(diǎn)缺陷總數(shù)。
據(jù)本發(fā)明，曾發(fā)現(xiàn)硅外延片的表面，或者其他憎水性的晶片表面，在用苛性溶液清洗過程中，如果對清洗液的組份未能細(xì)心控制的話，則會使晶片表面粗糙和點(diǎn)蝕。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種處理方法，它通過在憎水性表面上，形成一個親水性的氧化物層，可以使硅片的憎水性表面受到保護(hù)，免遭過度的腐蝕。
二氧化硅是親水性的，易于被水潤濕，可是硅的表面卻是憎水性的。就本發(fā)明而言，親水度或憎水度的大小，可以參照放置于表面上的小水滴的接觸角的大小來確定。在本文中，如果接觸角小于20度，則認(rèn)為表面是親水性的。若放置在硅片表面上的水滴的接觸角大于20度，則該表面被認(rèn)為是憎水性的。如果硅片具有憎水性表面，比如象外延表面、腐蝕過的表面或者拋光過的表面，則可以利用這種處理方法，使硅片受到保護(hù)。如果一個經(jīng)過切片和研磨過的表面，同時又是憎水性的，那么只有當(dāng)表面經(jīng)過腐蝕或者拋光后、即將表面粗糙的狀況已大部分消除之后，才宜于采用本發(fā)明提供的方法予以保護(hù)。雖然各種不同的憎水性硅片的表面，都可以用本發(fā)明介紹的處理方法得到保護(hù)，但是，本文只對硅的外延表面，做出詳細(xì)的描述。
首先，硅片須接受濕化學(xué)處理，其間硅片的表面將接觸氧化性溶液，以在硅片的表面上形成一個親水的氧化物層。這個通過濕化學(xué)處理而在硅片表面上形成的氧化物層，有時被稱為是一種天然的氧化物層，或者是一種濕化學(xué)氧化物層。這種濕化學(xué)氧化物層，其厚度為0.6到2納米左右，理想的厚度為1到1.5納米。一般說，如果氧化物層的厚度是理想的話，那么水滴在氧化物層上面所形成的接觸角大約為3度到5度左右。通過干法氧化處理，或者熱法氧化處理而形成的、厚度較大的氧化物層，比如柵氧化物層或者場氧化物層，在本發(fā)明的方法中沒有被采用，因?yàn)檫@種氧化物層過于堅實(shí)。
在濕化學(xué)方法中所使用的氧化性溶液，通常是不會腐蝕硅片表面的組合物，比如象過氧化氫或者臭氧水。然而，某些能夠均勻地腐蝕硅片表面的氧化性溶液，也是可以使用的。盡管某些苛性腐蝕劑會使硅片的表面發(fā)生氧化，但是它們不適合用作本發(fā)明中的氧化性溶液，因?yàn)樗鼈儠构杵砻媸艿椒蔷鶆虻母g。
本發(fā)明中最可取的氧化性溶液是高純度的臭氧水，即含臭氧的去離子水，而且所含任何金屬的濃度(重量/體積)不超過10億分之10左右，包括鐵、鉻、鈷、銅、鋁、鍺、銀、錫、錳、鎳和鈦，但不限于上述金屬。暴露于氧化性溶液中便會在硅外延層的表面上產(chǎn)生一個親水的、濕化學(xué)氧化物層，從而把外延層的表面鈍化起來(即保護(hù)起來)，免遭過度的腐蝕，而不會加入金屬，否則就會污染表面。氧化硅層中上文列出的任一種金屬濃度不超過1×1010個原子/厘米2。
具有這樣厚度與純度的氧化硅層，可通過下法制出將硅片浸泡在水浴中，內(nèi)盛3到18兆歐的去離子水，水中含有0.05到50ppm的臭氧，水浴溫度從0℃左右到60℃左右，浸泡時間從2分鐘到60分鐘左右。硅片浸泡在臭氧水中的時間可以更長一些，盡管暴露時間超過1小時后，在表面上形成附加氧化物層很少。如果把硅片浸泡在盛有大約10到18兆歐的去離子水的水浴中，水里含大約10到15ppm的臭氧，溫度為室溫，浸泡時間約2到20分鐘左右，那么這樣的浸泡處理也是可取的。
如果硅外延片沒有能在形成氧化物層之后立即進(jìn)行清洗，那么在硅片進(jìn)行干燥之前，則須漂洗，以除去硅片表面上的泡沫和松散地粘附在表面上的微粒。處理過的硅片，須經(jīng)大約2到60分鐘的漂洗，典型的漂洗時間為大約5到45分鐘，漂洗是在電阻率大約從3到18兆歐的去離子水中進(jìn)行的，優(yōu)選的電阻率應(yīng)大于17兆歐。漂洗用的水可循環(huán)使用，循環(huán)水的流量為每分鐘大約3到8加侖(13.64-36.36升)，以保證表面反應(yīng)受到抑制，同時，表面上的微粒又被清除。如果循環(huán)水的流速過高，則水的渦流會使微粒重新沉積到硅片的表面上。
為了清洗，可以把處理過的硅外延片放到某種清洗液中進(jìn)行浸泡。這類清洗液，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，都是十分熟悉的。這類溶液包括piranha混合物(硫酸與過氧化氫的混合物)和SC-1混合物。SC-1溶液能夠同時除掉有機(jī)雜質(zhì)及微粒，因?yàn)樗哂须p重作用；其一是，它所含的氫氧化銨具有溶解作用，其二是，它所含的過氧化氫具有極強(qiáng)的氧化作用。當(dāng)氫氧化銨腐蝕氧化物表面，從而除掉一部分氧化物時，過氧化氫則可在親水性氧化物表面上沉積附加的氧化物。氫氧化銨尚可使金屬形成配位化合物，如銅、金、鎳、鈷、鋅和鈣。在SC-1清洗之后，在硅片表面上仍能保留上述厚度和金屬濃度的親水性氧化物層。
SC-1清洗液的成分含量為，按體積計，H2O∶H2O2∶NH4OH介于1000∶1∶1和1∶1∶1之間(配制重量百分濃度為30-35％的H2O2水溶液和重量百分濃度為28-30％的NH4OH水溶液備用)；也就是說，SC-1清洗液的成分為H2O，H2O2和NH4OH，而且H2O對H2O2之比(配制重量百分濃度為30-35％的H2O2水溶液備用)介于1 000∶1和1∶1之間。H2O對NH4OH之比(配制重量百分濃度為28-30％NH4OH的水溶液備用)介于1000∶1和1∶1之間。另外，H2O對H2O2之比，與H2O對NH4OH之比是相互獨(dú)立的，二者之間沒有依賴關(guān)系。SC-1清洗液內(nèi)各成分間的體積比，即H2O∶H2O2∶NH4OH，最好處于約100∶1∶1與約5∶1∶1之間，溫度則介于大約30℃到約80℃之間，最好保持在大約60℃到80℃之間。由于硅外延片比典型的硅片要潔凈得多，所以，它只需稍許腐蝕便可將微粒除掉。因此，SC-1清洗液的更可取的成分應(yīng)是按體積計，H2O∶H2O2∶NH4OH介于大約50∶10∶1和大約5∶1∶1之間。
硅片在SC-1溶液中清洗的時間最好在大約5到大約30分鐘之間，而以大約10到大約20分鐘更佳。如果硅片在清洗液中浸泡的時間過長，則會發(fā)生過度腐蝕、點(diǎn)蝕和表面粗糙化等現(xiàn)象。清洗液可以循環(huán)使用，流量為每分鐘大約2到大約10加侖(9.09-45.46升)，但最佳流量為每分鐘大約3到大約6加侖(13.64-27.27升)。如果循環(huán)速度較高，則會發(fā)生過度的腐蝕、點(diǎn)蝕和粗糙化。但是，如果循環(huán)速度過低，硅片表面又不能受到適度的腐蝕。
硅片經(jīng)過清洗之后，便放入漂洗浴內(nèi)浸泡，旨在中止反應(yīng)的進(jìn)行，并將硅片上的清洗液除掉。硅片是放在去離子水中進(jìn)行漂洗的，時間為大約2到大約60分鐘，典型地是大約5到大約45分鐘，去離子水的電阻率大約3到大約18兆歐，最好大于17兆歐。漂洗水循環(huán)使用，流量為每分鐘大約3到大約8加侖(13.64-36.36升)，以確保停止硅片上的表面反應(yīng)，并除去硅片表面上的微粒。
經(jīng)過清洗和漂洗后的硅片則可進(jìn)行干燥，或者做進(jìn)一步的處理，以降低金屬的污染。如果希望硅片表面上金屬的濃度達(dá)到最低量，則可使硅片與HF溶液或者SC-2溶液接觸以除去這些金屬。典型的HF水溶液，其中HF與水之比，即HF∶H2O，按體積計，大約為1∶1到1∶l0,000之間(配制重量百分濃度為49的HF水溶液備用)。為提高去除金屬的能力，可往溶液中補(bǔ)充加入下列物質(zhì)HCl(按體積計，使HF∶HCl為1000∶l到1∶1000)，過氧化氫(按體積計，HF∶H2O2為1∶l到1∶1000)，異丙醇(按體積計，HF∶C3H7OH為10,000∶1到1∶10)或者臭氧(大約0.05到大約50ppm)。典型的SC-2浴，其成分為按體積計，HCl∶H2O2∶H2O等于1∶1∶5到1∶1∶1000。HF溶液和SC-2溶液的溫度可介于大約10℃到大約90℃之間，而硅片在此溶液的流動浴中浸泡的時間，至少要在0.1分鐘左右。上述溶液可以有效地除掉堿金屬和過渡金屬，并且能夠防止金屬由于生成可溶性的金屬配位化合物，又重新沉積到硅片表面上。
除掉金屬之后，要在去離子水中對硅片進(jìn)行漂洗，時間至少要0.1分鐘左右，通常為大約2到大約10分鐘。去離子水的電阻率以大約3到大約18兆歐為佳，最好是大于17兆歐。
硅片經(jīng)清洗后，如須降低金屬污染，則做相應(yīng)處理，最后將硅片干燥，處理過程即告完成。只要在干燥過程中不使硅片受到金屬或微粒的重新污染，選用任何干燥方法都是可以的，比如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)干燥法和異丙醇蒸發(fā)干燥技術(shù)等等這類廣為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的干燥方法。
整個清洗操作如果能夠在常規(guī)濕床式清洗設(shè)備中進(jìn)行是較為理想的。這種設(shè)備由一系列的清洗罐組成，罐內(nèi)分別盛著體積不等(大致為1到100升)、不斷流動著的溶液。此外，整個清洗過程最好能按以下方式控制使不超過100片的硅片自動傳送并浸泡在氧化性溶液、清洗浴等液體中。設(shè)備中凡是會被沾濕的部分，都是用石英、聚氯乙烯(簡稱“PVC”)、聚偏二氟乙烯(簡稱“PVDF”)、聚丙烯或聚四氟乙烯等材料構(gòu)成。
為提高生產(chǎn)率，可以把兩個或兩上以上SC-1浴串聯(lián)起來。清洗時，將硅片先浸泡在第1個SC-1浴里，浸泡時間占整個清洗時間的一部分，然后對硅片進(jìn)行漂洗，再將硅片浸泡在第2個SC-1浴里，浸泡剩余的那部分清洗時間，然后對硅片漂洗。
硅片經(jīng)過清洗后產(chǎn)生的氧化物層，使硅外延片具有更加平滑，更加均勻一致的表面。本發(fā)明提供的硅外延片，其表面粗糙度比其他兩種硅片要低得多，一種是未經(jīng)處理的硅外延片，另一種是在用SC-1溶液清洗前，未經(jīng)氧化的硅外延片。本發(fā)明之硅片，其平均表面粗糙度，在1μm×1μm大小見方的面積范圍內(nèi)，以方均根(RMS)表示，小于0.06納米。表面粗糙度的測定，最好使用“數(shù)字儀表公司”(Digital Instruments，Inc.)生產(chǎn)的商標(biāo)為NANOSCOPE III型號的儀器，它以輕敲方式工作。如果硅外延片的表面，在用化學(xué)方法進(jìn)行氧化之前，已基本上沒有任何微粒的話，那么這樣的硅片表面則無須用SC-1溶液做進(jìn)一步的清洗。這時，如果愿意的話，硅片可以進(jìn)行干燥，然后繼續(xù)往下處理，以除掉各種金屬污染物。
下面提供一個實(shí)施例，旨在介紹本發(fā)明的最優(yōu)實(shí)施方案和發(fā)明的實(shí)用性。同時，除此處所附的各項(xiàng)權(quán)利要求之外，實(shí)施例本身并不意味對發(fā)明有任何限制。
實(shí)施例有外延層的、平滑的硅片，外延層的生長厚度約4.5μm，電阻率指標(biāo)為2.5歐姆—厘米。對硅片進(jìn)行檢查，測定硅片表面上的微粒缺陷，測量是采用Tencor 6200硅片自動檢測系統(tǒng)進(jìn)行的。然后，取一組硅片，用傳統(tǒng)的濕床式清洗設(shè)備進(jìn)行清洗操作。硅片的清洗工序如下1.將硅片置于含臭氧的、循環(huán)流動的去離子水浴中進(jìn)行浸泡(含O314ppm；每種金屬含量低于0.01ppb，在室溫下浸泡5分鐘)；2.將硅片置于70℃的SC-1浴中(成分為NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶10∶50)，用超聲波清洗10分鐘；3.用水漂洗5分鐘；4.將硅片置于70℃的SC-1浴中(成分為NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶10∶50)，用超聲波清洗10分鐘；5.用水漂洗5分鐘；6.將硅片置于清除金屬的溶液中浸泡5分鐘(溶液成分為HCl∶H2O＝1∶100)；
7.用水漂洗5分鐘；最后8.用異丙醇干燥10分鐘。
為了測定氧化物層的鈍化效果，取一組硅外延片(A組)，按上述2-8步，依次進(jìn)行處理，而另一組硅片(B組)，則按上述1-8各步，依次進(jìn)行氧化和清洗的處理。經(jīng)過清洗之后，用Tencor 6200儀器，對硅片表面微粒污染的程度進(jìn)行分析測試。
圖1說明了，對沒有保護(hù)性氧化層的硅外延片來說(A組)，在清洗之前(-■-)和清洗之后(-□-)在每片上觀察到的尺寸大于0.12μm的光點(diǎn)缺陷數(shù)(LPD)。清洗前，硅片的光點(diǎn)缺陷總數(shù)的平均值為18LPD，而經(jīng)過清洗后，則變成大約64LPD。沒有氧化物保護(hù)層的硅外延片，其LPD數(shù)在經(jīng)過清洗后，增加了250％。這說明，硅片表面在腐蝕過程中變得粗糙了，同時也被點(diǎn)蝕了。
圖2表明，在B組硅片經(jīng)過氧化和清洗之后，每片上尺寸大于0.13μm的光點(diǎn)缺陷數(shù)(LPD)。經(jīng)過氧化和清洗之后的硅片，其LPD的平均值僅為25左右。氧化物保護(hù)層，在消除因腐蝕處理給硅片表面帶來的損害方面，起了很大的作用。
另一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)是，外加氧化物保護(hù)層，對于一個硅外延片表面的粗糙度來說，是否有所改善。另取一組硅外延片，分析其在接受氧化和清洗處理之前，被微粒污染的情況。按照上文所述的第1-8各步的操作，對硅片進(jìn)行氧化和清洗處理之后，分析硅片被微粒污染的情況。分析結(jié)果表明，每片上面的尺寸至少為0.13μm的微粒的平均數(shù)，在接受氧化處理和清洗處理之前和處理之后，分別為29.0和17.0，每片上面的尺寸至少為0.30μm的微粒的平均數(shù)，在硅片接受氧化和清洗處理的前后，分別為5.2和3.8(參見圖3)。硅片在經(jīng)過氧化處理和清洗處理之后，降低了微粒對硅片污染的程度，從而使產(chǎn)率得到提高。與未經(jīng)氧化和清洗處理的硅外延片的情況相比較，處理前的產(chǎn)率只有15％，而處理后的產(chǎn)率則為85％。
鑒于本發(fā)明可以有不同的操作方案和不同的替代方法。因此，這里僅例舉地說明發(fā)明的一種實(shí)施辦法，并給出詳盡的描述。然而，理應(yīng)明白，這樣做的本意并非想把這項(xiàng)發(fā)明局限于一種具體形式。恰恰相反，此處意在把一切操作方案，一切等價的方法和一切替代方法，統(tǒng)統(tǒng)納入本發(fā)明的精神之中與范圍之內(nèi)，其界限見諸于權(quán)利要求書之中。
權(quán)利要求
1.從硅片的憎水性表面上清洗掉微粒的方法，包括以下步驟對硅片的憎水性表面進(jìn)行化學(xué)氧化，使表面上生長出一個氧化物層，但不會不均勻地腐蝕該表面，這個氧化物層可以使表面呈現(xiàn)親水的性質(zhì)；然后用苛性腐蝕液清洗這親水性的表面，以除掉上面的微粒。
2.權(quán)利要求1的方法，其中親水性表面的任何金屬的濃度值小于1×1010原子數(shù)/厘米2。
3.權(quán)利要求1的方法，其中硅片的憎水性表面是用臭氧水氧化的。
4.權(quán)利要求1的方法，其中硅片的憎水性表面是用過氧化氫氧化的。
5.權(quán)利要求1的方法，其中憎水性表面是外延出來的、被腐蝕的或者被拋光的表面。
6.權(quán)利要求1的方法，其中的苛性腐蝕液，含有氫氧化物和過氧化物。
7.權(quán)利要求1的方法，其中的苛性腐蝕液含過氧化氫和氫氧化銨。
8.權(quán)利要求1的方法，其中的氧化物層是由二氧化硅組成的，而且氧化物層的厚度至少為0.6納米。
9.權(quán)利要求1的方法，其中的氧化物層的厚度范圍約為1到1.5納米。
10.權(quán)利要求1的方法，其中在硅片氧化之后以及在硅片暴露在苛性腐蝕液之后，用水漂洗硅片。
11.在清洗之前，鈍化硅片的憎水性外延表面的方法，包括以下步驟化學(xué)氧化硅片的憎水性外延表面，以便在表面上生長出一個氧化物層，但不會不均勻地腐蝕該表面，其中的氧化物層使表面呈現(xiàn)親水性，而且這個氧化層，在1μm×1μm見方的面積范圍內(nèi)，其平均表面粗糙度小于0.06納米RMS。
12.權(quán)利要求11的方法，其中的親水性外延表面上任何金屬的濃度值小于1×1010原子數(shù)/厘米2。
13.權(quán)利要求11的方法，其中硅片的憎水性外延表面是用臭氧水進(jìn)行氧化的。
14.權(quán)利要求11的方法，其中硅片的憎水性外延表面是用過氧化氫氧化的。
15.一個具有硅外延表面和一個與表面相接觸的、親水性的、濕化學(xué)氧化物層的硅外延片，其中的氧化物層在1μm×1μm見方的面積范圍內(nèi)的平均表面粗糙度小于0.06納米RMS。
16.權(quán)利要求15的方法，其中氧化物層的任何金屬的濃度小于1×1010原子數(shù)/厘米2。
17.權(quán)利要求15的方法，其中氧化物層是由二氧化硅組成的。
18.權(quán)利要求15的方法，其中氧化物層的厚度至少為0.6納米。
19.權(quán)利要求15的方法，其中氧化物層的厚度范圍從0.6納米到大約2納米。
20.權(quán)利要求15的方法，其中氧化物層的厚度范圍從約1納米到大約1.5納米。
全文摘要
提出一種能夠清除硅片的憎水性表面上的微粒的方法，此法是對硅片的憎水性表面進(jìn)行化學(xué)氧化處理，使其表面上生長出一個氧化物層，而不會對表面產(chǎn)生非均勻腐蝕。這個氧化物層使表面呈現(xiàn)親水性。然后，用苛性腐蝕液對此親水性表面進(jìn)行清洗，便可將表面上的微粒除掉。
文檔編號H01L21/308GK1133904SQ9512087
公開日1996年10月23日 申請日期1995年12月20日 優(yōu)先權(quán)日1994年12月21日
發(fā)明者S·皮勞茲, L·W·夏夫 申請人:Memc電子材料有限公司