陶瓷、石英、玻璃、塑料等。特別是在法布里-珀羅干涉濾光片10中為了緩和與接觸于多個墊片4的部分的熱膨脹系數(shù)差，多個墊片4的材料與法布里-珀羅干涉濾光片10的材料相比較優(yōu)選其熱膨脹系數(shù)相對同等或者相對較小的材料。作為一個例子在將法布里-珀羅干涉濾光片10形成于硅基板上的情況下，多個墊片4最好是用石英或者硅等熱膨脹系數(shù)小的材料來進行形成。還有，也可以取代如以上所述將配線基板2和墊片4作為分別的單體來形成的結(jié)構(gòu)而做成將成為墊片4的部分一體形成于配線基板2的表面上的結(jié)構(gòu)。光檢測器3在配線基板2與法布里-珀羅干涉濾光片10之間與法布里-珀羅干涉濾光片10的光透過區(qū)域11相對。另外，光檢測器3檢測透過法布里-珀羅干涉濾光片10的光。還有，也可以將熱敏電阻等溫度傳感器設(shè)置于配線基板2上。
[0038]如后面所述配線基板2、光檢測器3、多個墊片4以及法布里-珀羅干涉濾光片10被容納于CAN封裝容器(package)內(nèi)。在該容納狀態(tài)下，配線基板2被固定于基座上并且法布里-珀羅干涉濾光片10的光透過區(qū)域11與間隙的光透過窗相對。配線基板2的電極焊墊2b通過引線鍵合而與貫通基座的各個引線銷針電連接。另外，法布里-珀羅干涉濾光片10的端子12，13通過引線鍵合而與貫通基座的各個引線銷針電連接。相對于光檢測器3的電信號的輸入輸出等是通過引線銷針、電極焊墊2b以及安裝部2a來實行的。向法布里-珀羅干涉濾光片10施加電壓是通過引線銷針以及端子12，13來實行的。
[0039]以下是就墊片4的配置進行說明。墊片4在從法布里-珀羅干涉濾光片10的光透過區(qū)域11中的光的透過方向來看的情況下以具有連通光透過區(qū)域11的周圍區(qū)域(是不包含光透過區(qū)域11的區(qū)域并且是圍繞光透過區(qū)域11的區(qū)域)的內(nèi)側(cè)和該周圍區(qū)域的外側(cè)的開口部的形式配置。在此，在本說明書中所謂某一個要素(例如墊片4)具有開口部是指該要素至少在一個地方具有斷開處。換言之，該要素不是無間隙地圍繞某一個區(qū)域(例如光透過區(qū)域11)的環(huán)狀區(qū)域。該要素與開口部的長度的關(guān)系并沒有特別的限定。例如，在圍繞光透過區(qū)域11的圓以及多邊形等圖形的一周中的一部分上設(shè)置墊片4，并且如果墊片4沒有被設(shè)置于全部的話(如果存在墊片4沒有被設(shè)置的部分的話)則墊片4就是具有開口部的墊片。還有，為了穩(wěn)定地設(shè)置法布里-珀羅干涉濾光片10而優(yōu)選墊片4在從光的透過方向來看的情況下至少被配置于光透過區(qū)域11的兩側(cè)。作為具有開口部的墊片4的具體例子有互相平行地配置以直線狀進行延伸的2根墊片4的情況[參照圖4(A)]。作為其他具體例子有將柱狀墊片4分別配置于四邊形的4個頂點的情況(參照圖9)。再有，作為其他具體例子有以U字狀配置墊片4的情況[參照圖10(A)]等。
[0040]在本實施方式的光譜傳感器I中，作為墊片4是使用被互相平行配置的2根直線狀的墊片4A，4B。這些墊片4A，4B在各個墊片4A，4B上的相同側(cè)的端部彼此之間具有以雙點劃線進行表示的開口部Al。換言之，由墊片4A，4B和2個開口部Al ,Al來形成圍繞光透過區(qū)域11的四邊形。墊片4A，4B被設(shè)置于該四邊形上的2邊。另外，在另外2邊上不設(shè)置墊片4A，4B。在另外2邊上形成開口部Al ,Al。
[0041]另外，在光譜傳感器I中，被連接于安裝部2a的電極焊墊2b在配線基板2的主面2A上是被配置于光透過區(qū)域11的周圍區(qū)域R1。該電極焊墊2b也可以其全部被配置于周圍區(qū)域Rl內(nèi)。另外，該電極焊墊2b也可以僅僅其一部分被配置于周圍區(qū)域R1。
[0042]在如以上所述進行構(gòu)成的光譜傳感器I中，如果測定光進行入射的話，則對應(yīng)于被施加于法布里-珀羅干涉濾光片10的電壓，具有規(guī)定波長的光透過法布里-珀羅干涉濾光片10。然后，透過法布里-珀羅干涉濾光片10的光被光檢測器3檢測出。在光譜傳感器I中，通過一邊使被施加于法布里-珀羅干涉濾光片10的電壓變化一邊用光檢測器3來檢測透過法布里-珀羅干涉濾光片10的光，從而就能夠獲得分光光譜。
[0043][法布里-珀羅干涉濾光片]
[0044]如圖2所示，法布里-珀羅干涉濾光片10具備基板14。在基板14的光入射側(cè)的表面14a上按反射防止層15、第I層疊體30、犧牲層16以及第2層疊體40這個順序進行層疊。在第I層疊體30與第2層疊體40之間由框狀的犧牲層16而形成空隙(氣隙air gap)S。在法布里_1白羅干涉濾光片10上測定光相對于第2層疊體40從基板14的相反側(cè)進行入射。于是，具有規(guī)定波長的光透過被劃定于法布里-珀羅干涉濾光片10中央部的光透過區(qū)域11。還有，基板14例如是由硅、石英、玻璃等構(gòu)成。在基板14是由硅構(gòu)成的情況下，反射防止層15以及犧牲層16例如是由氧化硅構(gòu)成。犧牲層16的厚度為200nm?ΙΟμπι。犧牲層16的厚度優(yōu)選為中心透過波長(即，透過法布里-珀羅干涉濾光片10的波長的可變范圍的中央的波長)的1/2的整數(shù)倍。
[0045]第I層疊體30中對應(yīng)于光透過區(qū)域11的部分作為第I反射鏡31而起作用。第I層疊體30通過多層多晶硅層與多層氮化硅層被一層一層交替層疊來構(gòu)成。構(gòu)成第I反射鏡31的多晶硅層以及氮化硅層各自的光學(xué)厚度優(yōu)選為中心透過波長(可變波長范圍的中心波長)的I/4的整數(shù)倍。
[0046]第2層疊體40中對應(yīng)于光透過區(qū)域11的部分作為第2反射鏡41而起作用。第2反射鏡41通過空隙S與第I反射鏡31相對。第2層疊體40與第I層疊體30相同是通過多層多晶硅層與多層氮化硅層被一層一層交替層疊來進行構(gòu)成的。構(gòu)成第2反射鏡41的多晶硅層以及氮化硅層各自的光學(xué)厚度優(yōu)選為中心透過波長(可變波長范圍的中心波長)的1/4的整數(shù)倍。
[0047]還有，多個貫通孔40b均勻地被分布于在第2層疊體40中對應(yīng)于空隙S的部分。該貫通孔40b從第2層疊體40的表面40a延伸到空隙S。貫通孔40b是以實質(zhì)上不影響到第2反射鏡41的功能的程度進行形成的。貫通孔40b的直徑為10nm?5μπι。另外，貫通孔40b的開口面積占到第2反射鏡41的面積的0.01?10%。
[0048]在法布里-珀羅干涉濾光片10中，第I反射鏡31以及第2反射鏡41被基板14支撐著。然后，第I反射鏡31被配置于基板14的光入射側(cè)。第2反射鏡41經(jīng)由空隙S被配置于第I反射鏡31的光入射側(cè)。
[0049]在第I反射鏡31上以圍繞光透過區(qū)域11的形式形成第I電極17。第I電極17是通過將雜質(zhì)摻雜于多晶硅層并加以低電阻化來進行形成的。
[0050]在第I反射鏡31上以包含光透過區(qū)域11的形式形成第2電極18。第2電極18是通過將雜質(zhì)摻雜于多晶硅層并加以低電阻化來進行形成的。在多晶硅層中，第2電極18的大小優(yōu)選為能夠包含光透過區(qū)域11整體的大小。另外，第2電極18的大小也可以與光透過區(qū)域11的大小大致相同。
[0051]在第2反射鏡41上形成第3電極19。第3電極19與第I電極17以及第2電極18相對。第3電極19是通過將雜質(zhì)摻雜于多晶硅層并加以低電阻化來進行形成的。
[0052]在法布里-珀羅干涉濾光片10中，第2電極18在第I反射鏡31與第2反射鏡41相對的相對方向D上相對于第I電極17位于第3電極19的相反側(cè)。即，第I電極17和第2電極18在第I反射鏡31上不是被配置于同一個平面上。第2電極18比第I電極17更遠離于第3電極19。
[0053]如圖1以及圖2所示，端子12是為了將電壓施加于法布里-珀羅干涉濾光片10的端子。該端子12是以夾住光透過區(qū)域11并相對的形式被設(shè)置為一對。各個端子12被配置于從第2層疊體40的表面40a到第I層疊體30的貫通孔內(nèi)。各個端子12通過配線21與第I電極17相電連接。
[0054]如圖1以及圖2所示，端子13是為了將電壓施加于法布里-珀羅干涉濾光片10的端子。該端子13是以夾住光透過區(qū)域11并相對的形式被設(shè)置為一對。還有，一對端子12彼此相對的方向，與一對端子13彼此相對的方向相垂直。各個端子13經(jīng)由配線22與第3電極19相電連接。另外，第3電極19經(jīng)由配線23也與第2電極18相電連接。
[0055]如圖2所示，在第I層疊體30的表面30a上設(shè)置溝槽26以及溝槽27。溝槽26是以圍繞從端子13沿著相對方向D延伸的配線23的形式以環(huán)狀進行延展。溝槽26與第I電極17以及配線23相電絕緣。溝槽27沿著第I電極17的內(nèi)緣以環(huán)狀進行延展。溝槽27與第I電極17以及第I電極17的內(nèi)側(cè)的區(qū)域相電絕緣。各個溝槽26，27內(nèi)的區(qū)域既可以是絕緣材料也可以是空隙。
[0056]在第2層疊體40的表面