等離子體源裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種等離子體源裝置,包括:腔室,用于產(chǎn)生等離子體;串聯(lián)的多個(gè)電感裝置,每個(gè)電感裝置包括磁芯和纏繞磁芯的線圈,多個(gè)電感裝置均勻地圍繞腔室的外周壁設(shè)置;電介質(zhì)層,位于腔室和電感裝置之間,用于將等離子體與線圈隔離開;交流電源;匹配網(wǎng)絡(luò),設(shè)置在所述交流電源和多個(gè)電感裝置之間,用于匹配交流電源和等離子體的放電功率。本發(fā)明的裝置,具有低功率,高密度,工作穩(wěn)定,均勻性好,可控性強(qiáng)等的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】等離子體源裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子體【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種等離子體源裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著重要且不可替代的作用,半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中,三分之一以上的工藝流程都需要利用等離子體。隨著基片面積的增大,對大面積等離子體源的需要更加迫切。如果利用傳統(tǒng)的電感耦合等離子體源產(chǎn)生大面積等離子體,需要增加線圈與真空腔體之間的電介質(zhì)層厚度,以承受大氣壓力。而電介質(zhì)層厚度的增加會(huì)極大地減弱線圈與等離子體之間的耦合,使放電效率降低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。
[0004]為此,本發(fā)明的目的在于提出一種高密度、工作穩(wěn)定、均勻性好的等離子體源裝置。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實(shí)施例的一種等離子體源裝置,包括:腔室,所述腔室用于產(chǎn)生所述等離子體;串聯(lián)的多個(gè)電感裝置,每個(gè)電感裝置包括磁芯和纏繞所述磁芯的線圈,所述多個(gè)電感裝置均勻地圍繞所述腔室的外周壁設(shè)置;電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層位于所述腔室和所述電感裝置之間,用于將所述等離子體與所述線圈隔離開;交流電源;匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在所述交流電源和所述多個(gè)電感裝置之間,用于匹配所述交流電源和等離子體的放電功率。
[0006]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體源裝置,由多個(gè)電感裝置均勻地分布,同時(shí)調(diào)整多個(gè)線圈之間的距離,產(chǎn)生大面積均勻等離子體。等離子體與線圈通過感應(yīng)磁場耦合,容性耦合小,可以減少帶電粒子在腔室內(nèi)壁上的損失,同時(shí)減小濺射及其它等離子體與腔體內(nèi)壁的相互作用。多個(gè)電感裝置均勻地圍繞腔室的外周壁設(shè)置,使得等離子體可以在約束在線圈附近,構(gòu)成一種局域的等離子體源,且等離子體狀態(tài)受腔室狀態(tài)較小,具有低功率,高密度,工作穩(wěn)定,均勻性好,可控性強(qiáng)等的優(yōu)點(diǎn)。
[0007]在一些示例中,所述磁芯為鐵氧體磁芯。
[0008]在一些示例中,所述腔室為真空腔室。
[0009]在一些示例中,所述腔室被構(gòu)造為適于閉合磁回路形成的結(jié)構(gòu)。
[0010]在一些示例中,所述匹配網(wǎng)絡(luò)為L型匹配網(wǎng)絡(luò)、II型匹配網(wǎng)絡(luò)或阻抗變換的變壓器。
[0011]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子體源裝置的結(jié)構(gòu)框圖;
[0013]圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子體源裝置的示例圖;
[0014]圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的線圈、腔室、電介質(zhì)層的位形示意圖;和
[0015]圖4是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的線圈、腔室、電介質(zhì)層的位形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例,所述實(shí)施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的,旨在用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子體源裝置的結(jié)構(gòu)框圖。如圖1所示,本發(fā)明實(shí)施例的等離子體源裝置,包括:腔室100、串聯(lián)的多個(gè)電感裝置200、電介質(zhì)層300、交流電源400和匹配網(wǎng)絡(luò)500。
[0018]其中,腔室100用于產(chǎn)生等離子體。串聯(lián)的多個(gè)電感裝置200,每個(gè)電感裝置包括磁芯和纏繞磁芯的線圈,多個(gè)電感裝置200均勻地圍繞腔室100的外周壁設(shè)置。電介質(zhì)層300位于腔室100和電感裝置之間,用于將等離子體與線圈隔離開,同時(shí)保證腔室100真空密封,其厚度可以很薄。匹配網(wǎng)絡(luò)500設(shè)置在交流電源400和多個(gè)電感裝置200之間,用于匹配交流電源400和等離子體的放電功率。
[0019]具體地,在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,磁芯為鐵氧體磁芯。鐵氧體磁芯的引入不僅可以在線圈相同的情況下增加電感,增強(qiáng)線圈與等離子體之間的耦合,降低工作時(shí)通過線圈的電流,而且可以保證電感相同的情況下減少線圈的圈數(shù),減少放電的容性耦合,減少帶電粒子在腔室內(nèi)壁上的損失,以及減小濺射及其它等離子體與腔體內(nèi)壁的相互作用。
[0020]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述腔室為真空腔室。等離子體在真空腔室中產(chǎn)生。交流電源400可以采用開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)等離子體,功率更大,能量效率更高。
[0021]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,匹配網(wǎng)絡(luò)500可以為L型匹配網(wǎng)絡(luò)、II型匹配網(wǎng)絡(luò)或阻抗變換的變壓器。匹配網(wǎng)絡(luò)500用于調(diào)整多個(gè)線圈之間的相位,實(shí)現(xiàn)對等離子體均勻性的控制,同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)等離子體與電源之間的匹配,減少電源的功率反射。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例的等離子體源裝置的一個(gè)示例中,如圖2所示,通過在纏繞鐵氧體磁芯上的線圈中通入交變電流,交變電流在鐵氧體磁芯及周圍的空間中產(chǎn)生交變的磁場,交變的磁場由法拉定率在空間產(chǎn)生出電場(稱為感應(yīng)電場),利用這一電場激發(fā)出等離子體。利用多個(gè)帶鐵氧體的磁芯,通過調(diào)整空間位形與相位,從而產(chǎn)生大面積的等離子體,等離子體工作狀態(tài)更加穩(wěn)定,可控性強(qiáng)。
[0023]進(jìn)一步地,如圖3的本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的線圈、腔室、電介質(zhì)層的位形示意圖所示,該位形使得大部分感應(yīng)電場位于真空腔室內(nèi),并且電介質(zhì)層很薄,線圈與等離子體耦合效果較好。
[0024]進(jìn)一步地,如圖4的本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的線圈、腔室、電介質(zhì)層的位形示意圖所示。多個(gè)帶鐵氧體磁芯的線圈按照一定的空間位形分布,插入到真空腔體中,通過較薄的電介質(zhì)層與真空腔室中的等離子體隔離開。這些線圈的分布、高度、電流相位都可以進(jìn)行調(diào)整,以產(chǎn)生大面積的均勻等離子體。
[0025]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體源裝置,由多個(gè)電感裝置均勻地分布,同時(shí)調(diào)整多個(gè)線圈之間的距離,產(chǎn)生大面積均勻等離子體。等離子體與線圈通過感應(yīng)磁場耦合,容性耦合小,可以減少帶電粒子在腔室內(nèi)壁上的損失,同時(shí)減小濺射及其它等離子體與腔體內(nèi)壁的相互作用。多個(gè)電感裝置均勻地圍繞腔室的外周壁設(shè)置,使得等離子體可以在約束在線圈附近,構(gòu)成一種局域的等離子體源,且等離子體狀態(tài)受腔室狀態(tài)較小,具有低功率,高密度,工作穩(wěn)定,均勻性好,可控性強(qiáng)等的優(yōu)點(diǎn)。
[0026]在本說明書的描述中,參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中,對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外,在不相互矛盾的情況下,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0027]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例,可以理解的是,上述實(shí)施例是示例性的,不能理解為對本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體源裝置,其特征在于,包括: 腔室,所述腔室用于產(chǎn)生所述等離子體; 串聯(lián)的多個(gè)電感裝置,每個(gè)電感裝置包括磁芯和纏繞所述磁芯的線圈,所述多個(gè)電感裝置均勻地圍繞所述腔室的外周壁設(shè)置; 電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層位于所述腔室和所述電感裝置之間,用于將所述等離子體與所述線圈隔離開; 交流電源; 匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在所述交流電源和所述多個(gè)電感裝置之間,用于匹配所述交流電源和等離子體的放電功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體源裝置,其特征在于,所述磁芯為鐵氧體磁芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體源裝置,其特征在于,所述腔室為真空腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的等離子體源裝置,其特征在于,所述腔室被構(gòu)造為適于閉合磁回路形成的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的等離子體源裝置,其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)為L型匹配網(wǎng)絡(luò)、II型匹配網(wǎng)絡(luò)或阻抗變換的變壓器。
【文檔編號】H05H1/46GK104244559SQ201410444054
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】黃邦斗, 蒲以康 申請人:清華大學(xué)